JPH04271286A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
- Publication number
- JPH04271286A JPH04271286A JP2817891A JP2817891A JPH04271286A JP H04271286 A JPH04271286 A JP H04271286A JP 2817891 A JP2817891 A JP 2817891A JP 2817891 A JP2817891 A JP 2817891A JP H04271286 A JPH04271286 A JP H04271286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pressurized gas
- electrostatic chuck
- wafers
- lift pins
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 67
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエハ等の被吸着物を吸
着固定する静電チャックに関する。近年，半導体製造プ
ロセスのドライ化やウエハの大口径化にともない，均一
性の高い加工が要求され，そのためにはウエハを確実に
固定保持することが必要となる。
着固定する静電チャックに関する。近年，半導体製造プ
ロセスのドライ化やウエハの大口径化にともない，均一
性の高い加工が要求され，そのためにはウエハを確実に
固定保持することが必要となる。
【０００２】このような，保持手段として機械式，真空
式のものの他に静電チャックが用いられている。静電チ
ャックはウエハの平坦度をよくし，真空内での使用が可
能であるという利点がある。
式のものの他に静電チャックが用いられている。静電チ
ャックはウエハの平坦度をよくし，真空内での使用が可
能であるという利点がある。
【０００３】ところが，従来の静電チャックは，電極へ
の電圧印加を停止しただけでは，残留電荷等によりウエ
ハの離脱は簡単にできないため，その対策が必要であり
種々の工夫がなされている。
の電圧印加を停止しただけでは，残留電荷等によりウエ
ハの離脱は簡単にできないため，その対策が必要であり
種々の工夫がなされている。
【０００４】本発明は効果的な離脱が可能な静電チャッ
クとして利用できる。
クとして利用できる。
【０００５】
【従来の技術】従来例によるウエハの離脱方法の例とし
て以下のものがある。 ■ 特公昭６２−２７７２３４ ウエハと吸着面間に加圧気体を噴出させる。 ■ 特公昭６２−１２０９３１ 吸着面の中央部に出没するリフトピンにより，ウエハを
押し上げて離脱する。
て以下のものがある。 ■ 特公昭６２−２７７２３４ ウエハと吸着面間に加圧気体を噴出させる。 ■ 特公昭６２−１２０９３１ 吸着面の中央部に出没するリフトピンにより，ウエハを
押し上げて離脱する。
【０００６】ところが， 上記■の方法では， 残留電
荷等による吸着力が一定でないため，かなり大きな加圧
量に設定する必要がある。したがって，搬送トレーへの
受渡し時点でウエハが割れることがあった。あるいは，
加圧気体の流れによりチャックから離脱したウエハの
姿勢が傾き， 搬送トレーへの受渡し位置が不安定とな
り， 位置ずれしたウエハが搬送中に割れることがあっ
た。
荷等による吸着力が一定でないため，かなり大きな加圧
量に設定する必要がある。したがって，搬送トレーへの
受渡し時点でウエハが割れることがあった。あるいは，
加圧気体の流れによりチャックから離脱したウエハの
姿勢が傾き， 搬送トレーへの受渡し位置が不安定とな
り， 位置ずれしたウエハが搬送中に割れることがあっ
た。
【０００７】また， 上記■の方法では，残留電荷等に
よる吸着力に抗してウエハをリフトピンで押し上げるの
で， 吸着力が強い場合はリフトピン上でウエハが跳ね
て位置ずれを起こし， 位置ずれしたウエハが搬送中に
割れることがあった。この際仮に， リフトピンで押し
上げる速度を遅くしても，ウエハが跳ねるという状況は
変わらない。
よる吸着力に抗してウエハをリフトピンで押し上げるの
で， 吸着力が強い場合はリフトピン上でウエハが跳ね
て位置ずれを起こし， 位置ずれしたウエハが搬送中に
割れることがあった。この際仮に， リフトピンで押し
上げる速度を遅くしても，ウエハが跳ねるという状況は
変わらない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来例においてウエハ
の位置ずれや割れを防ぐため， 加圧や押し上げる力を
弱くするとウエハが離脱できないという問題があった。
の位置ずれや割れを防ぐため， 加圧や押し上げる力を
弱くするとウエハが離脱できないという問題があった。
【０００９】本発明は残留電荷等による吸着力より小さ
い力でウエハを離脱できる静電チャックを提供し，ウエ
ハの割れや搬送時の位置ずれを防止することを目的とす
る。
い力でウエハを離脱できる静電チャックを提供し，ウエ
ハの割れや搬送時の位置ずれを防止することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
被吸着物３を吸着保持する吸着面の周囲の複数箇所にリ
フトピンの貫通孔あるいは加圧気体噴出口６が設けられ
，リフトピンの上下あるいは加圧気体の噴出により被吸
着物を離脱する手段を有する静電チャック，あるいは ２）前記被吸着物３がウエハであり，前記リフトピンの
貫通孔あるいは加圧気体噴出口６が該ウエハのデバイス
形成領域の外側に対応する位置に設けられている前記１
）記載の静電チャックにより達成される。
被吸着物３を吸着保持する吸着面の周囲の複数箇所にリ
フトピンの貫通孔あるいは加圧気体噴出口６が設けられ
，リフトピンの上下あるいは加圧気体の噴出により被吸
着物を離脱する手段を有する静電チャック，あるいは ２）前記被吸着物３がウエハであり，前記リフトピンの
貫通孔あるいは加圧気体噴出口６が該ウエハのデバイス
形成領域の外側に対応する位置に設けられている前記１
）記載の静電チャックにより達成される。
【００１１】
【作用】図２（Ａ），（Ｂ） は本発明の原理説明図で
ある。図において，１は静電チャック，２は絶縁物，３
はウエハ，４はテープ，５はばねばかりである。
ある。図において，１は静電チャック，２は絶縁物，３
はウエハ，４はテープ，５はばねばかりである。
【００１２】テープ４を貼りつけたウエハ３を静電チャ
ック１に吸着させ，電圧印加を停止して，ばねばかりで
引張ってウエハを離脱させて吸着力を調べた。テープを
ウエハの中心に貼りつけた図２（Ａ） の場合では１ｋ
ｇで引っ張ってもウエハは離脱しなかったが， テープ
を周辺の２か所に貼りつけた図２（Ｂ） の場合では
２００〜５００ ｇ の引っ張りで離脱できた。
ック１に吸着させ，電圧印加を停止して，ばねばかりで
引張ってウエハを離脱させて吸着力を調べた。テープを
ウエハの中心に貼りつけた図２（Ａ） の場合では１ｋ
ｇで引っ張ってもウエハは離脱しなかったが， テープ
を周辺の２か所に貼りつけた図２（Ｂ） の場合では
２００〜５００ ｇ の引っ張りで離脱できた。
【００１３】このことは， ウエハを剛体と見做せば両
方の力は同じはずであるが，実験結果ではウエハの中心
を押すよりも周囲を複数箇所で押した方が小さい力です
むことを示している。
方の力は同じはずであるが，実験結果ではウエハの中心
を押すよりも周囲を複数箇所で押した方が小さい力です
むことを示している。
【００１４】また，付随効果として， 静電チャックの
周辺部にリフトピンの貫通孔や気体噴出口を設けると，
この位置はウエハのデバイス形成領域（有効チップ領
域）以外の領域に相当するため貫通孔や気体噴出口の存
在による冷却効率（デバイスの微細化にともない低温エ
ッチングが多用されるようになっている）の低下を防ぎ
， ウエハ内の処理の均一性を向上させることができる
。
周辺部にリフトピンの貫通孔や気体噴出口を設けると，
この位置はウエハのデバイス形成領域（有効チップ領
域）以外の領域に相当するため貫通孔や気体噴出口の存
在による冷却効率（デバイスの微細化にともない低温エ
ッチングが多用されるようになっている）の低下を防ぎ
， ウエハ内の処理の均一性を向上させることができる
。
【００１５】
【実施例】図１（Ａ），（Ｂ） は本発明の一実施例を
説明する平面図と断面図である。図において，１は静電
チャック，２は絶縁物，３はウエハ，３Ａはウエハの有
効チップ領域， ６はリフトピンの貫通孔あるいは気体
噴出口，７はリフトピンである。
説明する平面図と断面図である。図において，１は静電
チャック，２は絶縁物，３はウエハ，３Ａはウエハの有
効チップ領域， ６はリフトピンの貫通孔あるいは気体
噴出口，７はリフトピンである。
【００１６】この例は， 静電チャック１の周囲の４か
所にリフトピンの貫通孔あるいは気体噴出口６が設けら
れており，これらはウエハの有効チップ領域３Ａの外側
に位置している。
所にリフトピンの貫通孔あるいは気体噴出口６が設けら
れており，これらはウエハの有効チップ領域３Ａの外側
に位置している。
【００１７】図３は実施例に用いた試料の断面図である
。図において，ウエハ３上に熱酸化膜３２を形成し，化
学気相成長（ＣＶＤ） 法により， ポリシリコン膜３
２を成長し， その上にパターニングしたレジスト膜３
３を形成した。
。図において，ウエハ３上に熱酸化膜３２を形成し，化
学気相成長（ＣＶＤ） 法により， ポリシリコン膜３
２を成長し， その上にパターニングしたレジスト膜３
３を形成した。
【００１８】図４は実施例に用いた通常の反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ） 装置である。つぎに，図４の装
置を用い，図３の試料を用いてポリシリコンのエッチン
グを行った場合に対し，リフトピンの貫通孔あるいは気
体噴出口６の数と位置を種々に変えた場合の実施例につ
いて説明する。
エッチング（ＲＩＥ） 装置である。つぎに，図４の装
置を用い，図３の試料を用いてポリシリコンのエッチン
グを行った場合に対し，リフトピンの貫通孔あるいは気
体噴出口６の数と位置を種々に変えた場合の実施例につ
いて説明する。
【００１９】図５ （Ａ）〜（Ｄ） は本発明の他の実
施例を説明する平面図である。図５（Ａ） において，
１）リフトピン エッチング後にリフトピンを押し上げてウエハを離脱さ
せて，１００００ 枚搬送させたところ， ウエハの離
脱は確実に行えウエハの割れは生じなかった。
施例を説明する平面図である。図５（Ａ） において，
１）リフトピン エッチング後にリフトピンを押し上げてウエハを離脱さ
せて，１００００ 枚搬送させたところ， ウエハの離
脱は確実に行えウエハの割れは生じなかった。
【００２０】有効チップ領域内のポリシリコンのエッチ
レートの均一性は±７％であった。 ２）加圧気体 リフトピンの代わりに加圧気体を用いてウエハの離脱に
てさせて，１００００枚搬送させたところ， ウエハの
離脱は確実に行えウエハの割れは生じなかった。
レートの均一性は±７％であった。 ２）加圧気体 リフトピンの代わりに加圧気体を用いてウエハの離脱に
てさせて，１００００枚搬送させたところ， ウエハの
離脱は確実に行えウエハの割れは生じなかった。
【００２１】この時の加圧気体の圧力は従来 ３ ｋｇ
／ｃｍ２ であったのが， ０．７ ｋｇ／ｃｍ２
であった。図５（Ｂ） において， １）リフトピン エッチング後にリフトピンを押し上げてウエハを離脱さ
せて，１００００ 枚搬送させたところ， ウエハの離
脱は確実に行え， ウエハの割れは生じなかった。
／ｃｍ２ であったのが， ０．７ ｋｇ／ｃｍ２
であった。図５（Ｂ） において， １）リフトピン エッチング後にリフトピンを押し上げてウエハを離脱さ
せて，１００００ 枚搬送させたところ， ウエハの離
脱は確実に行え， ウエハの割れは生じなかった。
【００２２】この場合，図５（Ａ） に比べて，より速
く，かつ安定にウエハの離脱が行えた。有効チップ領域
内のポリシリコンのエッチレートの均一性は±３％であ
った。 ２）加圧気体 リフトピンの代わりに加圧気体を用いてウエハの離脱に
てさせて，１００００枚搬送させたところ， ウエハの
離脱は確実に行えウエハの割れは生じなかった。 こ
の時の加圧気体も図５（Ａ） と同様に ０．７ ｋｇ
／ｃｍ２ であった。
く，かつ安定にウエハの離脱が行えた。有効チップ領域
内のポリシリコンのエッチレートの均一性は±３％であ
った。 ２）加圧気体 リフトピンの代わりに加圧気体を用いてウエハの離脱に
てさせて，１００００枚搬送させたところ， ウエハの
離脱は確実に行えウエハの割れは生じなかった。 こ
の時の加圧気体も図５（Ａ） と同様に ０．７ ｋｇ
／ｃｍ２ であった。
【００２３】図５（Ｃ） において，エッチング後にリ
フトピンを押し上げてウエハを離脱させて，１００００
枚搬送させたところ， ウエハの離脱は確実に行え，
ウエハの割れは生じなかった。
フトピンを押し上げてウエハを離脱させて，１００００
枚搬送させたところ， ウエハの離脱は確実に行え，
ウエハの割れは生じなかった。
【００２４】この場合も，図５（Ａ） に比べて，より
速く，かつ安定にウエハの離脱が行えた。有効チップ領
域内のポリシリコンのエッチレートの均一性は±６％で
あった。
速く，かつ安定にウエハの離脱が行えた。有効チップ領
域内のポリシリコンのエッチレートの均一性は±６％で
あった。
【００２５】図５（Ｄ） において，エッチング後にリ
フトピンを押し上げてウエハを離脱させて，１００００
枚搬送させたところ， ウエハの離脱は確実に行え，
ウエハの割れは生じなかった。
フトピンを押し上げてウエハを離脱させて，１００００
枚搬送させたところ， ウエハの離脱は確実に行え，
ウエハの割れは生じなかった。
【００２６】また，有効チップ領域内のポリシリコンの
エッチレートの均一性は±３％と向上した。
エッチレートの均一性は±３％と向上した。
【００２７】
【発明の効果】残留電荷等による吸着力より小さい力で
ウエハを離脱できる静電チャックが得られ，ウエハの割
れや搬送時の位置ずれを防止することができた。
ウエハを離脱できる静電チャックが得られ，ウエハの割
れや搬送時の位置ずれを防止することができた。
【００２８】この結果，ウエハを短時間にかつ確実に離
脱して搬送でき，デバイスの生産性向上に寄与すること
ができた。
脱して搬送でき，デバイスの生産性向上に寄与すること
ができた。
【図１】 本発明の一実施例を説明する平面図と断面
図
図
【図２】 本発明の原理説明図
【図３】 実施例に用いた試料の断面図
【図４】
実施例に用いた通常のＲＩＥ 装置
実施例に用いた通常のＲＩＥ 装置
【図５】 本発明
の他の実施例を説明する平面図
の他の実施例を説明する平面図
１ 静電チャック
２ 絶縁物
３ ウエハ
３Ａ ウエハのデバイス形成領域（有効チップ領域）
４ テープ ５ ばねばかり ６ リフトピンの貫通孔あるいは気体噴出口７ リ
フトピン
４ テープ ５ ばねばかり ６ リフトピンの貫通孔あるいは気体噴出口７ リ
フトピン
Claims (2)
- 【請求項１】 被吸着物（３）を吸着保持する吸着面
の周囲の複数箇所にリフトピンの貫通孔あるいは加圧気
体噴出口（６） が設けられ，リフトピンの上下あるい
は加圧気体の噴出により被吸着物を離脱する手段を有す
ることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項２】 前記被吸着物（３）がウエハであり，
前記リフトピンの貫通孔あるいは加圧気体噴出口（６）
が該ウエハのデバイス形成領域の外側に対応する位置
に設けられていることを特徴とする請求項１記載の静電
チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2817891A JPH04271286A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2817891A JPH04271286A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 静電チャック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271286A true JPH04271286A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=12241471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2817891A Withdrawn JPH04271286A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04271286A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677824A (en) * | 1995-11-24 | 1997-10-14 | Nec Corporation | Electrostatic chuck with mechanism for lifting up the peripheral of a substrate |
| US6174370B1 (en) | 1996-03-26 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Semiconductor wafer chucking device and method for stripping semiconductor wafer |
| KR100854500B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2008-08-26 | 삼성전자주식회사 | 척 어셈블리 및 이를 구비한 고밀도 플라즈마 설비 |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP2817891A patent/JPH04271286A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677824A (en) * | 1995-11-24 | 1997-10-14 | Nec Corporation | Electrostatic chuck with mechanism for lifting up the peripheral of a substrate |
| US6174370B1 (en) | 1996-03-26 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Semiconductor wafer chucking device and method for stripping semiconductor wafer |
| KR100854500B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2008-08-26 | 삼성전자주식회사 | 척 어셈블리 및 이를 구비한 고밀도 플라즈마 설비 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10431448B2 (en) | Wet etching method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium | |
| US6022809A (en) | Composite shadow ring for an etch chamber and method of using | |
| US7654010B2 (en) | Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium | |
| TWI392051B (zh) | The method of removing the processed body and the program memory medium and the placing mechanism | |
| JP6352827B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101295889B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPS61254437A (ja) | ウエハ−チヤツク | |
| TW594904B (en) | Method of carrying substrate | |
| JPH04271286A (ja) | 静電チャック | |
| JP7189722B2 (ja) | ウェーハの搬送装置及び搬送方法 | |
| JP2615860B2 (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JP2002313902A (ja) | 静電チャック、該静電チャックから基板を離脱する方法 | |
| JP2007258636A (ja) | ドライエッチング方法およびその装置 | |
| JP2590571B2 (ja) | 半導体ウエハ処理装置のウエハ保持機構 | |
| JP2009070996A (ja) | 真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法。 | |
| JP2817585B2 (ja) | 試料の離脱方法 | |
| JPS63131535A (ja) | 基板支持装置 | |
| JP2008060136A (ja) | 吸着テーブルおよび吸着テーブルを用いたシート剥離方法 | |
| KR20090132044A (ko) | 웨이퍼 뒷면의 이물질 제거 기능을 구비한 웨이퍼 이송용로봇척 | |
| JP2008153510A (ja) | 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体 | |
| JP2008060487A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| WO2013100341A1 (ko) | 웨이퍼 식각장치 및 이를 이용한 웨이퍼 식각방법 | |
| KR20040026427A (ko) | 리프트 핀 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법 | |
| JP3967556B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH04242954A (ja) | ウェーハチャック |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |