JP3003951B2 - 無接点式点火装置 - Google Patents
無接点式点火装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は自動車エンジン等に用い
る無接点式点火装置に係り、更に詳細には、点火コイル
の１次コイル電流を増幅するパワー半導体、１次コイル
電流を規定値に制限するための回路等を備えた無接点式
点火装置に関する。
る無接点式点火装置に係り、更に詳細には、点火コイル
の１次コイル電流を増幅するパワー半導体、１次コイル
電流を規定値に制限するための回路等を備えた無接点式
点火装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より自動車エンジン等に使用される
無接点式点火装置は、１次コイル電流増幅用のパワー半
導体（例えばパワートランジスタ）などの回路素子の保
護のため、点火コイルの１次コイル電流が規定値を超え
ないようにしてある。
無接点式点火装置は、１次コイル電流増幅用のパワー半
導体（例えばパワートランジスタ）などの回路素子の保
護のため、点火コイルの１次コイル電流が規定値を超え
ないようにしてある。
【０００３】例えば、図１０に示される従来の無接点式
点火装置では、図示されないコントロールユニットから
入力抵抗３０を介してパワー半導体（パワートランジス
タ）３１の入力電極（ベース）に１次コイル電流の通電
信号が入力されると、点火コイル３２の１次コイルに流
れる電流をパワートランジスタ３１が増幅する。パワー
トランジスタ３１のコレクタ（１次コイル側電極）は１
次コイルに接続され、エミッタ（アース側電極）はアー
ス側に接続される。
点火装置では、図示されないコントロールユニットから
入力抵抗３０を介してパワー半導体（パワートランジス
タ）３１の入力電極（ベース）に１次コイル電流の通電
信号が入力されると、点火コイル３２の１次コイルに流
れる電流をパワートランジスタ３１が増幅する。パワー
トランジスタ３１のコレクタ（１次コイル側電極）は１
次コイルに接続され、エミッタ（アース側電極）はアー
ス側に接続される。
【０００４】そして電流検出抵抗（低抵抗素子）３３が
パワートランジスタ３１のエミッタとアース間に接続さ
れ、この電流検出抵抗３３の１次電流通電時の電圧降下
によって検出される１次コイル電流検出信号が電流制限
用のトランジスタ３４に入力され、１次コイル電流が規
定値以上になるとトランジスタ３４がオンして、規定値
以上の１次コイル電流が流れないようフィードバック制
御される。
パワートランジスタ３１のエミッタとアース間に接続さ
れ、この電流検出抵抗３３の１次電流通電時の電圧降下
によって検出される１次コイル電流検出信号が電流制限
用のトランジスタ３４に入力され、１次コイル電流が規
定値以上になるとトランジスタ３４がオンして、規定値
以上の１次コイル電流が流れないようフィードバック制
御される。
【０００５】その他に、機械接点式の点火装置では例え
ば特公昭４４−８５４５号公報に開示されるようにオー
プンループ形のものもある。
ば特公昭４４−８５４５号公報に開示されるようにオー
プンループ形のものもある。
【０００６】このオープンループ形の点火装置は、駆動
トランジスタのベース・アース間に複数のダイオードを
直列に接続し、このダイオードを順方向に通るほゞ一定
の電流により生じるダイオードの一定の電圧降下（端子
電圧）で駆動トランジスタのベースとアース間の電圧を
定めて、一次コイル電流の制限を行っている。
トランジスタのベース・アース間に複数のダイオードを
直列に接続し、このダイオードを順方向に通るほゞ一定
の電流により生じるダイオードの一定の電圧降下（端子
電圧）で駆動トランジスタのベースとアース間の電圧を
定めて、一次コイル電流の制限を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術のう
ち、クローズドループ形の１次コイル電流制限回路で
は、フィードバック制御時に発振するおそれがあるため
パワーパワートランジスタ３１のベース・エミッタ間に
発振防止用コンデンサ３５を介在させており、発振防止
用コンデンサ３５，トランジスタ３４などを必要とする
ため、部品点数が増え装置が大形化する傾向がある。
ち、クローズドループ形の１次コイル電流制限回路で
は、フィードバック制御時に発振するおそれがあるため
パワーパワートランジスタ３１のベース・エミッタ間に
発振防止用コンデンサ３５を介在させており、発振防止
用コンデンサ３５，トランジスタ３４などを必要とする
ため、部品点数が増え装置が大形化する傾向がある。
【０００８】また従来の点火装置は、点火コイルの１次
コイル電流値の温度特性については充分な配慮がなされ
ていなかった。例えば、前述したオープンループ形の点
火装置では、点火コイル駆動トランジスタのベース・ア
ース間に複数のダイオードが直列接続（通常、ダイオー
ド１つあたりの電圧降下が０．７Ｖであり、このベース
・アース間電圧は２Ｖ程度確保するため３個程度のダイ
オードが直列接続される）されるが、各ダイオードの温
度係数は−０．２ｍＶ／℃程度で３個直列接続の場合に
は−０．６ｍＶ程度の温度係数となる。一方、駆動トラ
ンジスタは、通常、トランジスタのベース・エミッタ電
圧ＶBEの温度係数が−０．２ｍＶで２段に接続された場
合には−０．４ｍＶとなる。
コイル電流値の温度特性については充分な配慮がなされ
ていなかった。例えば、前述したオープンループ形の点
火装置では、点火コイル駆動トランジスタのベース・ア
ース間に複数のダイオードが直列接続（通常、ダイオー
ド１つあたりの電圧降下が０．７Ｖであり、このベース
・アース間電圧は２Ｖ程度確保するため３個程度のダイ
オードが直列接続される）されるが、各ダイオードの温
度係数は−０．２ｍＶ／℃程度で３個直列接続の場合に
は−０．６ｍＶ程度の温度係数となる。一方、駆動トラ
ンジスタは、通常、トランジスタのベース・エミッタ電
圧ＶBEの温度係数が−０．２ｍＶで２段に接続された場
合には−０．４ｍＶとなる。
【０００９】このようにベース・アース間の電圧が前記
トランジスタのベース・エミッタ電圧ＶBEの温度係数以
上になると、点火コイルの１次コイル電流値の温度特性
が高温時に負の温度特性になる（負の温度特性になるの
は、実施例の項で説明する式（５）の関係であり、これ
については参照されたい）。
トランジスタのベース・エミッタ電圧ＶBEの温度係数以
上になると、点火コイルの１次コイル電流値の温度特性
が高温時に負の温度特性になる（負の温度特性になるの
は、実施例の項で説明する式（５）の関係であり、これ
については参照されたい）。
【００１０】そして、高温時に負の温度特性になるとパ
ワー半導体の熱的負担が大きくなる。その理由を図８に
より説明する。
ワー半導体の熱的負担が大きくなる。その理由を図８に
より説明する。
【００１１】図８は縦軸にパワー半導体（パワートラン
ジスタ）の１次コイル電流（コレクタ電流Ｉｃ）とコレ
クタ・エミッタ電圧ＶCEを示し、横軸に時間ｔを示し、
Ｉｃｏが１次コイル電流の規定値とする。１次コイル電
流値が立上り時に規定値Ｉｃｏに達するとＶCEはステッ
プ状にあるレベルまで高くなる。そして、パワー半導体
で消費される電力（ＩｃとＶCEの積）が熱的負担とな
る。１次コイル電流値Ｉｃが高温時に負の温度特性にな
ると、ＩｃｏはＩｃｏ1だけレベルダウンし、その分Ｖ
CEの立ち上がりが（イ）のように早まるためＩｃとＶCE
との積算量が増し熱的負担が増加し、特に自動車エンジ
ンルームのような高温環境により使用される点火装置に
おいてはその改善が望まれる。
ジスタ）の１次コイル電流（コレクタ電流Ｉｃ）とコレ
クタ・エミッタ電圧ＶCEを示し、横軸に時間ｔを示し、
Ｉｃｏが１次コイル電流の規定値とする。１次コイル電
流値が立上り時に規定値Ｉｃｏに達するとＶCEはステッ
プ状にあるレベルまで高くなる。そして、パワー半導体
で消費される電力（ＩｃとＶCEの積）が熱的負担とな
る。１次コイル電流値Ｉｃが高温時に負の温度特性にな
ると、ＩｃｏはＩｃｏ1だけレベルダウンし、その分Ｖ
CEの立ち上がりが（イ）のように早まるためＩｃとＶCE
との積算量が増し熱的負担が増加し、特に自動車エンジ
ンルームのような高温環境により使用される点火装置に
おいてはその改善が望まれる。
【００１２】本発明は以上の点に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、無接点式点火装置の１次
コイル電流制限回路をオープンループ形にして部品点数
の削減，装置（基板）の小形化，製作コストの低減を図
ると共に、１次コイル電流の温度特性を改善してパワー
半導体にかかる熱的負担を軽減させることにある。
で、その目的とするところは、無接点式点火装置の１次
コイル電流制限回路をオープンループ形にして部品点数
の削減，装置（基板）の小形化，製作コストの低減を図
ると共に、１次コイル電流の温度特性を改善してパワー
半導体にかかる熱的負担を軽減させることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基本的には次にように構成する。内容の理
解を容易にするため、実施例たる図面の一部を引用して
説明する。
するために、基本的には次にように構成する。内容の理
解を容易にするため、実施例たる図面の一部を引用して
説明する。
【００１４】すなわち、図１に示す如く、点火コイル１
の１次コイル電流の通電信号を入力する入力電極，１次
コイル電流を通流する１次コイル側電極及びアース側電
極とを有する１次コイル電流増幅用のパワー半導体３
と、１次コイル電流が規定値を超えないよう電流制限す
る回路６とを備えてなる無接点式点火装置において、パ
ワー半導体３のアース側電極とアース間に１次コイル電
流制限回路６の回路素子となる低抵抗素子９を接続する
と共に、パワー半導体３の入力電極とアース間に定電圧
源となるツェナーダイオード８を接続してオープンルー
プ形の１次コイル電流制限回路６を構成し、且つ点火コ
イル１の１次コイル電流値の温度特性が高温時に正側に
なるよう設定してなる〔例えば、ツェナーダイオード８
及びパワー半導体３として、点火コイル１の１次コイル
電流値の温度特性が高温時に正側になるような温度係数
を有する素子を用いて回路構成する。すなわち、ツェナ
ーダイオードの場合、実施例でも詳述するように温度係
数ｄＶｚ／ｄｔを−１．２ｍＶ／℃とすることが可能で
あり、一方、パワー半導体の温度係数ｄＶBE／ｄｔは一
般に−２ｍＶ／℃であるが、このようにツェナーダイオ
ード８の温度係数ｄＶBE／ｄｔ（換言すればパワー半導
体３のベース・アース間）がパワー半導体３の温度係数
ｄＶBE／ｄｔ以下であると、点火コイルの１次コイル電
流値の温度特性が高温時に正の温度特性になる。この点
は実施例で式に基づいて説明するので参照されたい〕。
の１次コイル電流の通電信号を入力する入力電極，１次
コイル電流を通流する１次コイル側電極及びアース側電
極とを有する１次コイル電流増幅用のパワー半導体３
と、１次コイル電流が規定値を超えないよう電流制限す
る回路６とを備えてなる無接点式点火装置において、パ
ワー半導体３のアース側電極とアース間に１次コイル電
流制限回路６の回路素子となる低抵抗素子９を接続する
と共に、パワー半導体３の入力電極とアース間に定電圧
源となるツェナーダイオード８を接続してオープンルー
プ形の１次コイル電流制限回路６を構成し、且つ点火コ
イル１の１次コイル電流値の温度特性が高温時に正側に
なるよう設定してなる〔例えば、ツェナーダイオード８
及びパワー半導体３として、点火コイル１の１次コイル
電流値の温度特性が高温時に正側になるような温度係数
を有する素子を用いて回路構成する。すなわち、ツェナ
ーダイオードの場合、実施例でも詳述するように温度係
数ｄＶｚ／ｄｔを−１．２ｍＶ／℃とすることが可能で
あり、一方、パワー半導体の温度係数ｄＶBE／ｄｔは一
般に−２ｍＶ／℃であるが、このようにツェナーダイオ
ード８の温度係数ｄＶBE／ｄｔ（換言すればパワー半導
体３のベース・アース間）がパワー半導体３の温度係数
ｄＶBE／ｄｔ以下であると、点火コイルの１次コイル電
流値の温度特性が高温時に正の温度特性になる。この点
は実施例で式に基づいて説明するので参照されたい〕。
【００１５】また、その応用として、一つは、図２に示
すごとく１次コイル電流制限回路６にはツェナーダイオ
ード８と共に定電圧源の一部となるＰＮＰトランジスタ
１１を付加し、このＰＮＰトランジスタ１１のエミッタ
をパワー半導体３の入力電極に、コレクタをアースに、
ベースをツェナーダイオード８のカソードに接続し、ツ
ェナーダイオード８のアノードをアースに接続する。
すごとく１次コイル電流制限回路６にはツェナーダイオ
ード８と共に定電圧源の一部となるＰＮＰトランジスタ
１１を付加し、このＰＮＰトランジスタ１１のエミッタ
をパワー半導体３の入力電極に、コレクタをアースに、
ベースをツェナーダイオード８のカソードに接続し、ツ
ェナーダイオード８のアノードをアースに接続する。
【００１６】さらにもう一つは、図４に示すごとく１次
コイル電流制限回路６にはツェナーダイオード８と共に
定電圧源の一部となるＮＰＮトランジスタ１２を付加
し、ツェナーダイオード８のカソードをパワー半導体３
の入力電極に、アノードをＮＰＮトランジスタ１２のベ
ースに接続し、ＮＰＮトランジスタ１２のコレクタをパ
ワー半導体３の入力電極に、エミッタをアースに接続す
る。
コイル電流制限回路６にはツェナーダイオード８と共に
定電圧源の一部となるＮＰＮトランジスタ１２を付加
し、ツェナーダイオード８のカソードをパワー半導体３
の入力電極に、アノードをＮＰＮトランジスタ１２のベ
ースに接続し、ＮＰＮトランジスタ１２のコレクタをパ
ワー半導体３の入力電極に、エミッタをアースに接続す
る。
【００１７】
【作用】上記の基本的な課題解決手段によれば、パワー
半導体３の入力電極の電位Ｖａはツェナーダイオードに
より一定に保たれる（Ｖａ＝Ｖｚ）。そして、電位Ｖａ
は、例えばパワー半導体３がトランジスタの場合には、
そのＶBEと抵抗９の電圧降下（Ｉｃ×Ｒｏ）との和であ
るから、１次コイル電流値ＩｃがＶｚにより抑制され規
定値を超えないよう制限される。
半導体３の入力電極の電位Ｖａはツェナーダイオードに
より一定に保たれる（Ｖａ＝Ｖｚ）。そして、電位Ｖａ
は、例えばパワー半導体３がトランジスタの場合には、
そのＶBEと抵抗９の電圧降下（Ｉｃ×Ｒｏ）との和であ
るから、１次コイル電流値ＩｃがＶｚにより抑制され規
定値を超えないよう制限される。
【００１８】さらに本実施例では、１次コイル電流値が
高温時に正の温度特性となる。これを図８により説明す
ると、１次コイル電流値Ｉｃが高温時に正の温度特性に
なると、ＩｃｏはＩｃｏ2だけレベルアップし、その分
ＶCEの立ち上がりが（ロ）のように遅まるためＩｃとＶ
CEとの積算量が減り熱的負担が減少する。
高温時に正の温度特性となる。これを図８により説明す
ると、１次コイル電流値Ｉｃが高温時に正の温度特性に
なると、ＩｃｏはＩｃｏ2だけレベルアップし、その分
ＶCEの立ち上がりが（ロ）のように遅まるためＩｃとＶ
CEとの積算量が減り熱的負担が減少する。
【００１９】なお、上記基本的課題解決手段の応用とし
て、１次コイル電流制限回路の定電圧源としてツェナー
ダイオード８にＰＮＰトランジスタ１１を付加したもの
については実施例の項の第２実施例に、或いはＮＰＮト
ランジスタ１２を付加したものについては第４実施例に
述べてあるので、これを参照されたい。
て、１次コイル電流制限回路の定電圧源としてツェナー
ダイオード８にＰＮＰトランジスタ１１を付加したもの
については実施例の項の第２実施例に、或いはＮＰＮト
ランジスタ１２を付加したものについては第４実施例に
述べてあるので、これを参照されたい。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例を図面により説明する。
【００２１】図１は本発明の第１実施例を示す回路構成
図である。
図である。
【００２２】図１において、点火コイル１は１次コイル
と２次コイルとで構成され、１次コイルの一方はバッテ
リ２（電源）に、他方は点火コイル駆動用のパワー半導
体となるダーリントントランジスタ（ＮＰＮトランジス
タ）３の２段目のトランジスタのコレクタ（１次コイル
側電極）に接続されている。上記２段目のトランジスタ
のエミッタ（アース側電極）は１次コイル電流制限回路
６の回路素子となる電流調整用の低抵抗素子９を介して
アースに接続される。
と２次コイルとで構成され、１次コイルの一方はバッテ
リ２（電源）に、他方は点火コイル駆動用のパワー半導
体となるダーリントントランジスタ（ＮＰＮトランジス
タ）３の２段目のトランジスタのコレクタ（１次コイル
側電極）に接続されている。上記２段目のトランジスタ
のエミッタ（アース側電極）は１次コイル電流制限回路
６の回路素子となる電流調整用の低抵抗素子９を介して
アースに接続される。
【００２３】ダーリントントランジスタ３の１段目のベ
ース（入力電極）には、入力抵抗４を介して制御ユニッ
ト５からの点火信号（１次コイル通電信号）が入力され
る。制御ユニット５はエンジン運転状態に応じて１次コ
イル電流の通電時間を演算して点火制御を行う。３はノ
イズ除去用コンデンサである。
ース（入力電極）には、入力抵抗４を介して制御ユニッ
ト５からの点火信号（１次コイル通電信号）が入力され
る。制御ユニット５はエンジン運転状態に応じて１次コ
イル電流の通電時間を演算して点火制御を行う。３はノ
イズ除去用コンデンサである。
【００２４】１次コイル電流制限回路６は、定電圧電源
用のツェナーダイオード８及び電流調整用の低抵抗素子
９などから構成される。
用のツェナーダイオード８及び電流調整用の低抵抗素子
９などから構成される。
【００２５】ツェナーダイオード８はパワートランジス
タ３の入力電極とアース間に接続されて、オープンルー
プ形の１次コイル電流制限回路６を構成する。
タ３の入力電極とアース間に接続されて、オープンルー
プ形の１次コイル電流制限回路６を構成する。
【００２６】上記回路構成において、ダーリントントラ
ンジスタ３のベースに１次コイル電流の通電信号が入力
されると、ダーリントントランジスタ３によって１次コ
イルに流れる電流（１次コイル電流）が増幅され、１次
コイル電流遮断時に点火コイル１の２次コイルに発生し
た２次電圧が点火プラグ１０に印加されてスパークす
る。
ンジスタ３のベースに１次コイル電流の通電信号が入力
されると、ダーリントントランジスタ３によって１次コ
イルに流れる電流（１次コイル電流）が増幅され、１次
コイル電流遮断時に点火コイル１の２次コイルに発生し
た２次電圧が点火プラグ１０に印加されてスパークす
る。
【００２７】そして、１次コイル電流通電時にダーリン
トントランジスタ３のベース電圧Ｖａは、次のように表
される。◆
トントランジスタ３のベース電圧Ｖａは、次のように表
される。◆
【００２８】
【数１】 Ｖａ＝Ｖｚ …（１） Ｖａ＝２ＶBE（ＮＰＮ）＋Ｉｃ×Ｒｏ …（２） ここで、Ｖｚはツェナーダイオード８にかかる電圧、Ｖ
BE（ＮＰＮ）はダーリントントランジスタ３のベース・
エミッタ間電圧、Ｉｃは１次コイル電流、Ｒｏは抵抗９
の抵抗値である。式（１），（２）より、Ｉｃが規定電
流値以上になるのが抑制され、また次の式（３）が求め
られる。◆
BE（ＮＰＮ）はダーリントントランジスタ３のベース・
エミッタ間電圧、Ｉｃは１次コイル電流、Ｒｏは抵抗９
の抵抗値である。式（１），（２）より、Ｉｃが規定電
流値以上になるのが抑制され、また次の式（３）が求め
られる。◆
【００２９】
【数２】 Ｒｏ×Ｉｃ＝Ｖｚ−２ＶBE（ＮＰＮ） …（３） 式（３）をＩｃについて解くと式（４）が求められる。
◆
◆
【００３０】
【数３】
【００３１】式（４）を微分すると式（５）が求められ
る。◆
る。◆
【００３２】
【数４】
【００３３】ここで、周囲温度Ｔａ＝２５℃において、
１次コイル電流Ｉｃは７ＡでＲｏ×Ｉｃ≒１Ｖと決める
と、Ｒｏ＝１／７＝０．１４Ωとなる。
１次コイル電流Ｉｃは７ＡでＲｏ×Ｉｃ≒１Ｖと決める
と、Ｒｏ＝１／７＝０．１４Ωとなる。
【００３４】また、ツェナーダイオード８の温度係数は
ｄＶｚ／ｄｔ＝−１．２ｍＶ／℃とすることが可能であ
り、またダーリントントランジスタ３のＶBEの温度特性
は一般にｄＶBE（ＮＰＮ）＝−２ｍＶ／℃であるから、
これらの数値を入れて式（５）を解くと、ｄＩｃ／ｄｔ
≒２０ｍＡ／℃となる。
ｄＶｚ／ｄｔ＝−１．２ｍＶ／℃とすることが可能であ
り、またダーリントントランジスタ３のＶBEの温度特性
は一般にｄＶBE（ＮＰＮ）＝−２ｍＶ／℃であるから、
これらの数値を入れて式（５）を解くと、ｄＩｃ／ｄｔ
≒２０ｍＡ／℃となる。
【００３５】ゆえに、温度が１℃上昇すると、１次コイ
ル電流値Ｉｃは＋２０ｍＡだけ増え、１００℃変化（上
昇）すると、１次コイル電流値７Ａ（Ｔａ＝２５℃）の
ものが７Ａ＋２０ｍＡ×１００＝９Ａとなり正側の温度
特性を示す。
ル電流値Ｉｃは＋２０ｍＡだけ増え、１００℃変化（上
昇）すると、１次コイル電流値７Ａ（Ｔａ＝２５℃）の
ものが７Ａ＋２０ｍＡ×１００＝９Ａとなり正側の温度
特性を示す。
【００３６】本実施例によれば、１次コイル電流制限回
路６は、フィードバック回路となっていないため、原理
的に駆動トランジスタによる発振がおこならい。そのた
め、例えばダーリントントランジスタのｈFE選別や発振
防止用のコンデンサ，電流制限用トランジスタ等が不要
となる。具体的には、従来の電流制限回路に用いる回路
素子は９個であったのを５個に削減できた。
路６は、フィードバック回路となっていないため、原理
的に駆動トランジスタによる発振がおこならい。そのた
め、例えばダーリントントランジスタのｈFE選別や発振
防止用のコンデンサ，電流制限用トランジスタ等が不要
となる。具体的には、従来の電流制限回路に用いる回路
素子は９個であったのを５個に削減できた。
【００３７】また、１次コイル電流の温度特性が正の特
性となるために、発明の作用の項にて図８により述べた
ようにダーリントントランジスタの熱的負担を軽減でき
る。そして、この正の温度特性もオープンループの電流
制限回路に用いるツェナーダイオード８を用いることで
達成できるので、回路構成の合理化を図ることができ
る。
性となるために、発明の作用の項にて図８により述べた
ようにダーリントントランジスタの熱的負担を軽減でき
る。そして、この正の温度特性もオープンループの電流
制限回路に用いるツェナーダイオード８を用いることで
達成できるので、回路構成の合理化を図ることができ
る。
【００３８】次に本発明の第２実施例を図２により説明
する。なお、図２における実施例において第１実施例と
同一符号は同一或いは共通する要素を示す（図３以降の
その他の実施例の符号も同様である）。
する。なお、図２における実施例において第１実施例と
同一符号は同一或いは共通する要素を示す（図３以降の
その他の実施例の符号も同様である）。
【００３９】本実施例と第１実施例の異なる点は、ダー
リントントランジスタ３の入力電極（ベース）とアース
間に接続される定電圧源をツェナーダイオード８とＰＮ
Ｐトランジスタ１１とで構成したことにある。すなわ
ち、ＰＮＰトランジスタ１１のエミッタをダーリントン
トランジスタ３の入力電極と接続し、そのコレクタをア
ースに接続すると共に、ベースをツェナーダイオード８
のカソード側と接続し、ツェナーダイオード８のアノー
ドをアースに接続している。
リントントランジスタ３の入力電極（ベース）とアース
間に接続される定電圧源をツェナーダイオード８とＰＮ
Ｐトランジスタ１１とで構成したことにある。すなわ
ち、ＰＮＰトランジスタ１１のエミッタをダーリントン
トランジスタ３の入力電極と接続し、そのコレクタをア
ースに接続すると共に、ベースをツェナーダイオード８
のカソード側と接続し、ツェナーダイオード８のアノー
ドをアースに接続している。
【００４０】このような構成によれば、ツェナーダイオ
ード８とＰＮＰトランジスタ１１により定電圧化し、点
火コイルの１次コイル電流値Ｉｃ2の温度特性が高温時
に正側でより一層フラットに改善される利点がある。
ード８とＰＮＰトランジスタ１１により定電圧化し、点
火コイルの１次コイル電流値Ｉｃ2の温度特性が高温時
に正側でより一層フラットに改善される利点がある。
【００４１】これを、計算式で表すと、
【００４２】
【数５】 Ｖａ＝２ＶBE（ＰＮＰ）＋Ｖｚ …（１）´ Ｖａ＝２ＶBE（ＮＰＮ）＋Ｉｃ2×Ｒｏ …（２）´ ここで、ＶBE（ＰＮＰ）はトランジスタ１１のベース・
エミッタ間電圧、ＶBE（ＮＰＮ）はダーリントントラン
ジスタ３のベース・エミッタ間電圧である。式（１）
´，（２）´より、１次コイル電流Ｉｃ2が規定電流値
以上になるのが抑制され、また式（３）´が求められ
る。◆
エミッタ間電圧、ＶBE（ＮＰＮ）はダーリントントラン
ジスタ３のベース・エミッタ間電圧である。式（１）
´，（２）´より、１次コイル電流Ｉｃ2が規定電流値
以上になるのが抑制され、また式（３）´が求められ
る。◆
【００４３】
【数６】 Ｒｏ×Ｉｃ2＝ＶBE（ＰＮＰ）＋Ｖｚ−２ＶBE（ＮＰＮ） …（３）´ 式（３）´をＩｃ2について解くと、
【００４４】
【数７】
【００４５】式（４）´を微分すると、
【００４６】
【数８】
【００４７】ここで、周囲温度Ｔａ＝２５℃においてＲ
ｏ×Ｉｃ2＝１Ｖとなるよう決めてあるため、ＲｏはＲ
ｏ＝１／７＝０．１４Ωとなる。前述したように、ダー
リントントランジスタ３のＶBEの温度係数ｄＶBE／ｄｔ
が−２ｍＶ／℃、ツェナーダイオード８の温度係数はｄ
Ｖｚ／ｄｔ＝−１．２ｍＶ／℃で、またトランジスタ１
１の温度係数ｄＶBE／ｄｔが−２ｍＶ／℃であるから、
これらを式（５）´に代入すると、ｄＩｃ／ｄｔ＝５．
７ｍＶ／℃となる。
ｏ×Ｉｃ2＝１Ｖとなるよう決めてあるため、ＲｏはＲ
ｏ＝１／７＝０．１４Ωとなる。前述したように、ダー
リントントランジスタ３のＶBEの温度係数ｄＶBE／ｄｔ
が−２ｍＶ／℃、ツェナーダイオード８の温度係数はｄ
Ｖｚ／ｄｔ＝−１．２ｍＶ／℃で、またトランジスタ１
１の温度係数ｄＶBE／ｄｔが−２ｍＶ／℃であるから、
これらを式（５）´に代入すると、ｄＩｃ／ｄｔ＝５．
７ｍＶ／℃となる。
【００４８】ゆえに温度が１℃上昇すると、１次コイル
電流値Ｉｃは＋５．７ｍＡだけ増え、１００℃まで変化
（上昇）しても、１次コイル電流値７Ａ（Ｔａ＝２５
℃）のものは７Ａ＋５．７ｍＡ×１００＝７．５７Ａと
なり第１実施例の場合よりも、７２％も正側かつフラッ
トな温度特性を示す。
電流値Ｉｃは＋５．７ｍＡだけ増え、１００℃まで変化
（上昇）しても、１次コイル電流値７Ａ（Ｔａ＝２５
℃）のものは７Ａ＋５．７ｍＡ×１００＝７．５７Ａと
なり第１実施例の場合よりも、７２％も正側かつフラッ
トな温度特性を示す。
【００４９】本実施例によれば、第１実施例同様の効果
を奏し、さらに１次コイル電流の正の温度特性がよりフ
ラットとなる。なお、１次コイル電流制限回路の部品点
数については、従来の９個より６個に削減できた。
を奏し、さらに１次コイル電流の正の温度特性がよりフ
ラットとなる。なお、１次コイル電流制限回路の部品点
数については、従来の９個より６個に削減できた。
【００５０】図３は本発明の第３実施例で、上記第２実
施例の変形例である。
施例の変形例である。
【００５１】本実施例は第２実施例と同様の動作を行う
が、第２実施例と異なる点は、定電圧源の一部となるＰ
ＮＰトランジスタ１１のコレクタを直接アースに接続せ
ずにダーリントントランジスタ３のエミッタと抵抗９と
の間に接続した点にある。
が、第２実施例と異なる点は、定電圧源の一部となるＰ
ＮＰトランジスタ１１のコレクタを直接アースに接続せ
ずにダーリントントランジスタ３のエミッタと抵抗９と
の間に接続した点にある。
【００５２】このような構成よりなれば、抵抗９との分
圧によってＰＮＰトランジスタ１１のコレクタ・エミッ
タ間電圧ＶCEを第２実施例よりも小さくできる。具体的
には、第２実施例の場合にはトランジスタ１１に２．５
ＶのＶCE電圧がかかるにが、第３実施例の場合には１．
５ＶのＶCE電圧がかかる。
圧によってＰＮＰトランジスタ１１のコレクタ・エミッ
タ間電圧ＶCEを第２実施例よりも小さくできる。具体的
には、第２実施例の場合にはトランジスタ１１に２．５
ＶのＶCE電圧がかかるにが、第３実施例の場合には１．
５ＶのＶCE電圧がかかる。
【００５３】従って、本実施例の場合には、トランジス
タ１１における熱負荷を小さくできより高温の周囲温度
で使える利点がある。
タ１１における熱負荷を小さくできより高温の周囲温度
で使える利点がある。
【００５４】図４は本発明の第４実施例である。
【００５５】本実施例は第２実施例と似た回路構成をな
すが、異なる点は１次コイル電流制限回路６の定電圧源
をツェナーダイオード８とＮＰＮ形のトランジスタ１２
で構成し、ダーリントントランジスタ３の入力電極（ベ
ース）をツェナーダイオード８のカソード及びトランジ
スタ１２のコレクタと接続し、ツェナーダイオード８の
アノードをトランジスタ１２のベースに接続し、トラン
ジスタ１２のエミッタをアースに接続したことにある。
すが、異なる点は１次コイル電流制限回路６の定電圧源
をツェナーダイオード８とＮＰＮ形のトランジスタ１２
で構成し、ダーリントントランジスタ３の入力電極（ベ
ース）をツェナーダイオード８のカソード及びトランジ
スタ１２のコレクタと接続し、ツェナーダイオード８の
アノードをトランジスタ１２のベースに接続し、トラン
ジスタ１２のエミッタをアースに接続したことにある。
【００５６】本実施例の場合にも、第２実施例と同様に
点火コイル１の１次コイル電流値Ｉｃ2の温度特性が高
温時に正側でよりフラットに改善される利点がある。部
品点数の削減については、第２実施例と同様である。
点火コイル１の１次コイル電流値Ｉｃ2の温度特性が高
温時に正側でよりフラットに改善される利点がある。部
品点数の削減については、第２実施例と同様である。
【００５７】図５は本発明の第５実施例を示す回路図で
ある。
ある。
【００５８】本実施例は、点火コイル駆動用のパワー半
導体としてダーリントントランジスタ３に代えてパワー
ＭＯＳ・ＦＥＴ３´を用いたもので、その他の構成にに
ついては第１実施例と同様の構成をなす。
導体としてダーリントントランジスタ３に代えてパワー
ＭＯＳ・ＦＥＴ３´を用いたもので、その他の構成にに
ついては第１実施例と同様の構成をなす。
【００５９】ここで、パワーＭＯＳ・ＦＥＴ３´を使用
した場合の利点であるが、ダーリントントランジスタ
（バイポーラトランジスタ）３のベース・アース間電圧
ＶB・Ｅ（ＶBE＋Ｖ９，Ｖ９は抵抗９の電圧降下）−コ
レクタ電流Ｉｃ特性とパワーＭＯＳ・ＦＥＴ３´のゲー
ト・アースＶG・Ｅ（ＶGS＋Ｖ９）−ドレイン電流Ｉｄ
特性を比較すると図９の通りである。
した場合の利点であるが、ダーリントントランジスタ
（バイポーラトランジスタ）３のベース・アース間電圧
ＶB・Ｅ（ＶBE＋Ｖ９，Ｖ９は抵抗９の電圧降下）−コ
レクタ電流Ｉｃ特性とパワーＭＯＳ・ＦＥＴ３´のゲー
ト・アースＶG・Ｅ（ＶGS＋Ｖ９）−ドレイン電流Ｉｄ
特性を比較すると図９の通りである。
【００６０】バイポーラトランジスタは立ち上がりが急
峻でＶB・Ｅの変化に大変敏感であるが、パワーＭＯＳ
・ＦＥＴの立ち上がりは比較的緩やかである。
峻でＶB・Ｅの変化に大変敏感であるが、パワーＭＯＳ
・ＦＥＴの立ち上がりは比較的緩やかである。
【００６１】そのため、電流制限の微調整が容易となり
調整公差にも寛大となる。更にパワーＭＯＳ・ＦＥＴは
ゲート電圧で素子を駆動するため、ベース電流で素子を
駆動するダーリントントランジスタに較べ駆動電流が格
段に少なくてすむ（ダーリントンが数１０ｍＡであるの
に対し、ＭＯＳ・ＦＥＴは数ｍＡ）。このため、これま
で用いられてきたパワー半導体の駆動回路（コントロー
ルユニットからの点火信号を増幅する回路）が不要にな
る。
調整公差にも寛大となる。更にパワーＭＯＳ・ＦＥＴは
ゲート電圧で素子を駆動するため、ベース電流で素子を
駆動するダーリントントランジスタに較べ駆動電流が格
段に少なくてすむ（ダーリントンが数１０ｍＡであるの
に対し、ＭＯＳ・ＦＥＴは数ｍＡ）。このため、これま
で用いられてきたパワー半導体の駆動回路（コントロー
ルユニットからの点火信号を増幅する回路）が不要にな
る。
【００６２】また、パワーＭＯＳ・ＦＥＴのゲート・ソ
ース間に浮遊容量ＣGSが存在するので、点火信号オン時
の立ち上がり波形がなまりソフトオンとなるために、プ
レイグニション現象の発生が防止でき、これまで点火コ
イルの２次側に設けられていたプレイグニション防止用
ダイオードが廃止できる効果がある。
ース間に浮遊容量ＣGSが存在するので、点火信号オン時
の立ち上がり波形がなまりソフトオンとなるために、プ
レイグニション現象の発生が防止でき、これまで点火コ
イルの２次側に設けられていたプレイグニション防止用
ダイオードが廃止できる効果がある。
【００６３】図６は本発明の第６実施例を示す回路図で
ある。
ある。
【００６４】本実施例は６気筒エンジンに１プラグ１点
火コイル方式を採用したもので、全体としては、点火コ
イル１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆと、それに対
応したダーリントントランジスタ３ａ，３ｂ，３ｃ，３
ｄ，３ｅ，３ｆと、共通の電源となるバッテリ２と、入
力抵抗４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆと、コント
ロールユニット５と、１次コイル電流制限回路６−１，
６−２と、ノイズ除去用コンデンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，
７ｄ，７ｅ，７ｆと、１次コイル電流制限回路６−１側
の回路素子となるツェナーダイオード８−１，抵抗９−
１，トランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、１次コイ
ル電流制限回路６−２の回路素子となるツェナーダイオ
ード８−２，抵抗９−２，トランジスタ１１ｄ，１１
ｅ，１１ｆと、点火プラグ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ，１０ｅ，１０ｆとで構成される。
火コイル方式を採用したもので、全体としては、点火コ
イル１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆと、それに対
応したダーリントントランジスタ３ａ，３ｂ，３ｃ，３
ｄ，３ｅ，３ｆと、共通の電源となるバッテリ２と、入
力抵抗４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆと、コント
ロールユニット５と、１次コイル電流制限回路６−１，
６−２と、ノイズ除去用コンデンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，
７ｄ，７ｅ，７ｆと、１次コイル電流制限回路６−１側
の回路素子となるツェナーダイオード８−１，抵抗９−
１，トランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、１次コイ
ル電流制限回路６−２の回路素子となるツェナーダイオ
ード８−２，抵抗９−２，トランジスタ１１ｄ，１１
ｅ，１１ｆと、点火プラグ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ，１０ｅ，１０ｆとで構成される。
【００６５】そして、本実施例では、点火プラグ１ａ〜
１ｆ及びパワー半導体（ダーリントントランジスタ）３
ａ〜３ｆを３気筒を１ブロックとして計２ブロックと
し、各ブロックにて定電圧源用ツェナーダイオード８−
１，８−２及び電流検出用抵抗９−１，９−２を３気筒
ずつ共用化させてある。
１ｆ及びパワー半導体（ダーリントントランジスタ）３
ａ〜３ｆを３気筒を１ブロックとして計２ブロックと
し、各ブロックにて定電圧源用ツェナーダイオード８−
１，８−２及び電流検出用抵抗９−１，９−２を３気筒
ずつ共用化させてある。
【００６６】本実施例も上記各実施例同様に１次コイル
電流を高温時に正の温度特性とし、しかも、１次コイル
電流制限回路の部品点数の削減をさらに一層促進でき
る。トータルでは、従来の１次コイル電流制限回路の部
品点数が５４個であったのを２８個とすることができ
た。
電流を高温時に正の温度特性とし、しかも、１次コイル
電流制限回路の部品点数の削減をさらに一層促進でき
る。トータルでは、従来の１次コイル電流制限回路の部
品点数が５４個であったのを２８個とすることができ
た。
【００６７】図７は本発明の第７実施例である。
【００６８】本実施例も第６実施例と同様に６気筒エン
ジンに１プラグ１点火方式の点火装置で、定電圧源用ツ
ェナーダイオード８−１，８−２及び電流検出用抵抗９
−１，９−２を３気筒ずつ共用化させてあり、異なる点
は、ダーリントントランジスタ３ａ〜３ｆに代えてパワ
ーＭＯＳ・ＦＥＴ３ａ´〜３ｆ´を使用した例である。
図中の６気筒中の１気筒分について説明する。
ジンに１プラグ１点火方式の点火装置で、定電圧源用ツ
ェナーダイオード８−１，８−２及び電流検出用抵抗９
−１，９−２を３気筒ずつ共用化させてあり、異なる点
は、ダーリントントランジスタ３ａ〜３ｆに代えてパワ
ーＭＯＳ・ＦＥＴ３ａ´〜３ｆ´を使用した例である。
図中の６気筒中の１気筒分について説明する。
【００６９】基本的な動作原理は、ダーリントントラン
ジスタ３の場合と変わりはない。パワーＭＯＳ・ＦＥＴ
３´のスレッシュホールド電圧ＶTHはおよそ１．５Ｖ〜
２Ｖ程度である。ここでは１．５Ｖとして説明する。ソ
ース側に設ける抵抗９の電圧降下Ｖ９を例えばドレイン
電流（１次コイル電流）Ｉｄが７Ａの時に１Ｖになるよ
うに決めれば、抵抗９の値は０．１４Ωとなる。そうす
ると、ゲート電圧とアース間の電圧ＶG・Ｅを、ＶG・Ｅ
＝ＶGS＋Ｖ９＝１．５＋１．０＝２．５Ｖにコントロー
ルすれば、電流制限が７Ａでかかることになる。ＶG・
Ｅを２．５Ｖとするためには、ＰＮＰトランジスタ１１
ａのＶBEとツェナーダイオード８ａのＶｚの和を２．５
Ｖとすればよい。通常、ＶBEは０．７Ｖ程度であるか
ら、Ｖｚが１．８Ｖのツェナーダイオードを用いればよ
い。
ジスタ３の場合と変わりはない。パワーＭＯＳ・ＦＥＴ
３´のスレッシュホールド電圧ＶTHはおよそ１．５Ｖ〜
２Ｖ程度である。ここでは１．５Ｖとして説明する。ソ
ース側に設ける抵抗９の電圧降下Ｖ９を例えばドレイン
電流（１次コイル電流）Ｉｄが７Ａの時に１Ｖになるよ
うに決めれば、抵抗９の値は０．１４Ωとなる。そうす
ると、ゲート電圧とアース間の電圧ＶG・Ｅを、ＶG・Ｅ
＝ＶGS＋Ｖ９＝１．５＋１．０＝２．５Ｖにコントロー
ルすれば、電流制限が７Ａでかかることになる。ＶG・
Ｅを２．５Ｖとするためには、ＰＮＰトランジスタ１１
ａのＶBEとツェナーダイオード８ａのＶｚの和を２．５
Ｖとすればよい。通常、ＶBEは０．７Ｖ程度であるか
ら、Ｖｚが１．８Ｖのツェナーダイオードを用いればよ
い。
【００７０】なお、本回路における電流制限用抵抗９−
１，９−２やツェナーダイオード８−１，８−２の数は
スイッチング素子数の数により限定されるものではな
い。例えば、本例では３気筒で１個の電流制限用抵抗と
ツェナーダイオードを有しているが、１気筒ごとに１個
ずつ用いてもよいし、６気筒で１個ずつしか用いなくと
もよい。
１，９−２やツェナーダイオード８−１，８−２の数は
スイッチング素子数の数により限定されるものではな
い。例えば、本例では３気筒で１個の電流制限用抵抗と
ツェナーダイオードを有しているが、１気筒ごとに１個
ずつ用いてもよいし、６気筒で１個ずつしか用いなくと
もよい。
【００７１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、無接点式
点火装置の１次コイル電流制限回路の定電圧源としてツ
ェナーダイオードを用いることで、オープンループ形の
無接点式点火装置を実現することができ、部品点数の削
減及び装置の小形化，コスト低減を図ることができ、し
かも、１次コイル電流を高温時に正の温度特性にしてパ
ワー半導体の熱的負担を軽減する効果を奏することがで
きる。
点火装置の１次コイル電流制限回路の定電圧源としてツ
ェナーダイオードを用いることで、オープンループ形の
無接点式点火装置を実現することができ、部品点数の削
減及び装置の小形化，コスト低減を図ることができ、し
かも、１次コイル電流を高温時に正の温度特性にしてパ
ワー半導体の熱的負担を軽減する効果を奏することがで
きる。
【図１】本発明の第１実施例を示す回路図。
【図２】本発明の第２実施例を示す回路図。
【図３】本発明の第３実施例を示す回路図。
【図４】本発明の第４実施例を示す回路図。
【図５】本発明の第５実施例を示す回路図。
【図６】本発明の第６実施例を示す回路図。
【図７】本発明の第７実施例を示す回路図。
【図８】点火装置に用いるパワートランジスタの１次コ
イル電流Ｉｃの温度特性とコレクタ・エミッタ間電圧の
関係を示す説明図。
イル電流Ｉｃの温度特性とコレクタ・エミッタ間電圧の
関係を示す説明図。
【図９】バイポーラトランジスタのコレクタ電流Ｉｃと
パワーＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン電流Ｉｄの特性を示す
説明図。
パワーＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン電流Ｉｄの特性を示す
説明図。
【図１０】従来のクローズドループ形の無接点式点火装
置の一例を示す説明図。
置の一例を示す説明図。
１（１ａ〜１ｆ）…点火コイル ３（３ａ〜３ｆ）…パワー半導体（バイポーラトランジ
スタ） ３´（３ａ´〜３ｆ´）…パワー半導体（パワーＭＯＳ
・ＦＥＴ） ５…コントロールユニット ６，６−１，６−２…１次コイル電流制限回路 ８，８−１，８−２…電流制限用のツェナーダイオード ９，９−１，９−２…低抵抗素子 １０（１０ａ〜１０ｆ）…点火プラグ １１…ＰＮＰトランジスタ １２…ＮＰＮトランジスタ
スタ） ３´（３ａ´〜３ｆ´）…パワー半導体（パワーＭＯＳ
・ＦＥＴ） ５…コントロールユニット ６，６−１，６−２…１次コイル電流制限回路 ８，８−１，８−２…電流制限用のツェナーダイオード ９，９−１，９−２…低抵抗素子 １０（１０ａ〜１０ｆ）…点火プラグ １１…ＰＮＰトランジスタ １２…ＮＰＮトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−41650（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−3628（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−104037（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−169633（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) F02P 3/05 F02P 3/04 301
Claims (6)
- 【請求項１】点火コイルの１次コイル電流の通電信号を
入力する入力電極，１次コイル電流を通流する１次コイ
ル側電極及びアース側電極とを有する１次コイル電流増
幅用のパワー半導体と、１次コイル電流が規定値を超え
ないよう電流制限する回路とを備えてなる無接点式点火
装置において、前記パワー半導体のアース側電極とアー
ス間に１次コイル電流制限回路の回路素子となる低抵抗
素子を接続すると共に、前記パワー半導体の入力電極と
アース間に定電圧源となるツェナーダイオードを接続し
てオープンループ形の１次コイル電流制限回路を構成
し、且つ前記点火コイルの１次コイル電流値の温度特性
が高温時に正側になるよう設定してなることを特徴とす
る無接点式点火装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記パワー半導体はダ
ーリントントランジスタ又はパワーＭＯＳ・ＦＥＴより
なることを特徴とする無接点式点火装置。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２において、前記ツェ
ナーダイオード及びパワー半導体は、前記点火コイルの
１次コイル電流値の温度特性が高温時に正側になるよう
な温度係数を有する素子により構成してなることを特徴
とする無接点式点火装置。 - 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
おいて、前記１次コイル電流制限回路には前記ツェナー
ダイオードと共に定電圧源の一部となるＰＮＰトランジ
スタが付加され、このＰＮＰトランジスタのエミッタが
前記パワー半導体の入力電極に、コレクタがアースに、
ベースが前記ツェナーダイオードのカソードに接続さ
れ、前記ツェナーダイオードのアノードがアースに接続
されてなることを特徴とする無接点式点火装置。 - 【請求項５】請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
おいて、前記１次コイル電流制限回路には前記ツェナー
ダイオードと共に定電圧源の一部となるＮＰＮトランジ
スタが付加され、前記ツェナーダイオードのカソードが
前記パワー半導体の入力電極に、アノードが前記ＮＰＮ
トランジスタのベースに接続され、前記ＮＰＮトランジ
スタのコレクタが前記パワー半導体の入力電極に、エミ
ッタがアースに接続されてなることを特徴とする無接点
式点火装置。 - 【請求項６】請求項１ないし請求項５のいずれか１項に
おいて、前記点火コイル，パワー半導体は多気筒エンジ
ンの気筒ごとに備え、且つこれらの複数の点火コイル，
パワー半導体を１以上のブロックにまとめて、これらの
ブロックごとに前記１次コイル電流制限回路の前記低抵
抗素子及びツェナーダイオードを共通化させた回路構成
としてなることを特徴とする無接点式点火装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009536A JP3003951B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 無接点式点火装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009536A JP3003951B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 無接点式点火装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255571A JPH04255571A (ja) | 1992-09-10 |
| JP3003951B2 true JP3003951B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=11722992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3009536A Expired - Fee Related JP3003951B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 無接点式点火装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3003951B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2968360B1 (fr) * | 2010-12-01 | 2013-01-04 | Continental Automotive France | Procede pour determiner la temperature d'une bobine d'allumage |
-
1991
- 1991-01-30 JP JP3009536A patent/JP3003951B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04255571A (ja) | 1992-09-10 |
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