JP3003951B2 - Contactless ignition device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は自動車エンジン等に用い
る無接点式点火装置に係り、更に詳細には、点火コイル
の１次コイル電流を増幅するパワー半導体、１次コイル
電流を規定値に制限するための回路等を備えた無接点式
点火装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contactless ignition device used for an automobile engine or the like, and more particularly, to a power semiconductor for amplifying a primary coil current of an ignition coil and limiting the primary coil current to a specified value. The present invention relates to a non-contact type ignition device provided with a circuit for performing the operation.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より自動車エンジン等に使用される
無接点式点火装置は、１次コイル電流増幅用のパワー半
導体（例えばパワートランジスタ）などの回路素子の保
護のため、点火コイルの１次コイル電流が規定値を超え
ないようにしてある。2. Description of the Related Art Conventionally, a contactless ignition device used for an automobile engine or the like has a primary coil of an ignition coil for protecting a circuit element such as a power semiconductor (for example, a power transistor) for amplifying a primary coil current. The current does not exceed the specified value.

【０００３】例えば、図１０に示される従来の無接点式
点火装置では、図示されないコントロールユニットから
入力抵抗３０を介してパワー半導体（パワートランジス
タ）３１の入力電極（ベース）に１次コイル電流の通電
信号が入力されると、点火コイル３２の１次コイルに流
れる電流をパワートランジスタ３１が増幅する。パワー
トランジスタ３１のコレクタ（１次コイル側電極）は１
次コイルに接続され、エミッタ（アース側電極）はアー
ス側に接続される。For example, in the conventional contactless ignition device shown in FIG. 10, a primary coil current is applied to an input electrode (base) of a power semiconductor (power transistor) 31 via an input resistor 30 from a control unit (not shown). When the signal is input, the power transistor 31 amplifies the current flowing through the primary coil of the ignition coil 32. The collector (primary coil side electrode) of the power transistor 31 is 1
Connected to the next coil, the emitter (earth side electrode) is connected to the earth side.

【０００４】そして電流検出抵抗（低抵抗素子）３３が
パワートランジスタ３１のエミッタとアース間に接続さ
れ、この電流検出抵抗３３の１次電流通電時の電圧降下
によって検出される１次コイル電流検出信号が電流制限
用のトランジスタ３４に入力され、１次コイル電流が規
定値以上になるとトランジスタ３４がオンして、規定値
以上の１次コイル電流が流れないようフィードバック制
御される。A current detection resistor (low resistance element) 33 is connected between the emitter of the power transistor 31 and the ground, and a primary coil current detection signal detected by a voltage drop when the primary current flows through the current detection resistor 33. Is input to the current limiting transistor 34, and when the primary coil current exceeds a specified value, the transistor 34 is turned on, and feedback control is performed so that the primary coil current exceeding the specified value does not flow.

【０００５】その他に、機械接点式の点火装置では例え
ば特公昭４４−８５４５号公報に開示されるようにオー
プンループ形のものもある。In addition, there is an open loop type ignition device of a mechanical contact type as disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 44-8545.

【０００６】このオープンループ形の点火装置は、駆動
トランジスタのベース・アース間に複数のダイオードを
直列に接続し、このダイオードを順方向に通るほゞ一定
の電流により生じるダイオードの一定の電圧降下（端子
電圧）で駆動トランジスタのベースとアース間の電圧を
定めて、一次コイル電流の制限を行っている。In this open-loop type ignition device, a plurality of diodes are connected in series between the base and ground of a driving transistor, and a constant voltage drop of the diode caused by a substantially constant current passing through the diode in a forward direction (refer to FIG. 1). The terminal voltage determines the voltage between the base of the driving transistor and the ground, thereby limiting the primary coil current.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術のう
ち、クローズドループ形の１次コイル電流制限回路で
は、フィードバック制御時に発振するおそれがあるため
パワーパワートランジスタ３１のベース・エミッタ間に
発振防止用コンデンサ３５を介在させており、発振防止
用コンデンサ３５，トランジスタ３４などを必要とする
ため、部品点数が増え装置が大形化する傾向がある。Among the above-mentioned prior arts, the closed loop type primary coil current limiting circuit has a possibility of oscillating at the time of feedback control. Since the capacitor 35 is interposed and requires the capacitor 35 for preventing oscillation, the transistor 34, and the like, the number of components increases and the device tends to be large.

【０００８】また従来の点火装置は、点火コイルの１次
コイル電流値の温度特性については充分な配慮がなされ
ていなかった。例えば、前述したオープンループ形の点
火装置では、点火コイル駆動トランジスタのベース・ア
ース間に複数のダイオードが直列接続（通常、ダイオー
ド１つあたりの電圧降下が０．７Ｖであり、このベース
・アース間電圧は２Ｖ程度確保するため３個程度のダイ
オードが直列接続される）されるが、各ダイオードの温
度係数は−０．２ｍＶ／℃程度で３個直列接続の場合に
は−０．６ｍＶ程度の温度係数となる。一方、駆動トラ
ンジスタは、通常、トランジスタのベース・エミッタ電
圧Ｖ_BEの温度係数が−０．２ｍＶで２段に接続された場
合には−０．４ｍＶとなる。In the conventional ignition device, sufficient consideration has not been given to the temperature characteristics of the primary coil current value of the ignition coil. For example, in the open-loop ignition device described above, a plurality of diodes are connected in series between the base and the ground of the ignition coil drive transistor (usually, a voltage drop per diode is 0.7 V, and the voltage between the base and the ground is usually not more than 0.7 V). Although about three diodes are connected in series to secure a voltage of about 2 V), the temperature coefficient of each diode is about -0.2 mV / ° C. It becomes the temperature coefficient. On the other hand, in the case of a driving transistor, the temperature coefficient of the base-emitter voltage V _BE of the transistor is −0.2 mV, and is −0.4 mV when the transistors are connected in two stages.

【０００９】このようにベース・アース間の電圧が前記
トランジスタのベース・エミッタ電圧Ｖ_BEの温度係数以
上になると、点火コイルの１次コイル電流値の温度特性
が高温時に負の温度特性になる（負の温度特性になるの
は、実施例の項で説明する式（５）の関係であり、これ
については参照されたい）。When the voltage between the base and the ground becomes equal to or higher than the temperature coefficient of the base-emitter voltage V _BE of the transistor, the temperature characteristic of the primary coil current value of the ignition coil becomes a negative temperature characteristic at a high temperature. Negative temperature characteristics correspond to the relationship of the equation (5) described in the section of the embodiment, and refer to this.)

【００１０】そして、高温時に負の温度特性になるとパ
ワー半導体の熱的負担が大きくなる。その理由を図８に
より説明する。If the temperature characteristic becomes negative at high temperatures, the thermal burden on the power semiconductor increases. The reason will be described with reference to FIG.

【００１１】図８は縦軸にパワー半導体（パワートラン
ジスタ）の１次コイル電流（コレクタ電流Ｉｃ）とコレ
クタ・エミッタ電圧Ｖ_CEを示し、横軸に時間ｔを示し、
Ｉｃｏが１次コイル電流の規定値とする。１次コイル電
流値が立上り時に規定値Ｉｃｏに達するとＶ_CEはステッ
プ状にあるレベルまで高くなる。そして、パワー半導体
で消費される電力（ＩｃとＶ_CEの積）が熱的負担とな
る。１次コイル電流値Ｉｃが高温時に負の温度特性にな
ると、ＩｃｏはＩｃｏ₁だけレベルダウンし、その分Ｖ
_CEの立ち上がりが（イ）のように早まるためＩｃとＶ_CE
との積算量が増し熱的負担が増加し、特に自動車エンジ
ンルームのような高温環境により使用される点火装置に
おいてはその改善が望まれる。FIG. 8 shows the primary coil current (collector current Ic) and the collector-emitter voltage V _CE of the power semiconductor (power transistor) on the vertical axis, and the time t on the horizontal axis.
Ico is a specified value of the primary coil current. When the primary coil current value reaches the specified value Ico at the time of rising, V _CE rises to a certain level in a stepwise manner. Then, the power consumed by the power semiconductor (the product of Ic and V _CE ) becomes a thermal burden. When the primary coil current value Ic becomes negative temperature characteristic at high temperatures, Ico is the level down by Ico _1, correspondingly V
_{Since CE} rises earlier as in (a), Ic and V _CE
The thermal load is increased due to an increase in the amount of integration, and an improvement is particularly desired in an ignition device used in a high-temperature environment such as an automobile engine room.

【００１２】本発明は以上の点に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、無接点式点火装置の１次
コイル電流制限回路をオープンループ形にして部品点数
の削減，装置（基板）の小形化，製作コストの低減を図
ると共に、１次コイル電流の温度特性を改善してパワー
半導体にかかる熱的負担を軽減させることにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to reduce the number of parts by making the primary coil current limiting circuit of a contactless ignition device an open loop type. It is another object of the present invention to reduce the size of the device and to reduce the manufacturing cost, and to improve the temperature characteristics of the primary coil current to reduce the thermal burden on the power semiconductor.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基本的には次にように構成する。内容の理
解を容易にするため、実施例たる図面の一部を引用して
説明する。The present invention is basically configured as follows in order to achieve the above object. In order to facilitate understanding of the contents, a description will be given with reference to some of the drawings as the embodiments.

【００１４】すなわち、図１に示す如く、点火コイル１
の１次コイル電流の通電信号を入力する入力電極，１次
コイル電流を通流する１次コイル側電極及びアース側電
極とを有する１次コイル電流増幅用のパワー半導体３
と、１次コイル電流が規定値を超えないよう電流制限す
る回路６とを備えてなる無接点式点火装置において、パ
ワー半導体３のアース側電極とアース間に１次コイル電
流制限回路６の回路素子となる低抵抗素子９を接続する
と共に、パワー半導体３の入力電極とアース間に定電圧
源となるツェナーダイオード８を接続してオープンルー
プ形の１次コイル電流制限回路６を構成し、且つ点火コ
イル１の１次コイル電流値の温度特性が高温時に正側に
なるよう設定してなる〔例えば、ツェナーダイオード８
及びパワー半導体３として、点火コイル１の１次コイル
電流値の温度特性が高温時に正側になるような温度係数
を有する素子を用いて回路構成する。すなわち、ツェナ
ーダイオードの場合、実施例でも詳述するように温度係
数ｄＶｚ／ｄｔを−１．２ｍＶ／℃とすることが可能で
あり、一方、パワー半導体の温度係数ｄＶ_BE／ｄｔは一
般に−２ｍＶ／℃であるが、このようにツェナーダイオ
ード８の温度係数ｄＶ_BE／ｄｔ（換言すればパワー半導
体３のベース・アース間）がパワー半導体３の温度係数
ｄＶ_BE／ｄｔ以下であると、点火コイルの１次コイル電
流値の温度特性が高温時に正の温度特性になる。この点
は実施例で式に基づいて説明するので参照されたい〕。That is, as shown in FIG.
A power semiconductor 3 for amplifying a primary coil current having an input electrode for inputting an energization signal of the primary coil current, a primary coil side electrode through which the primary coil current flows, and an earth side electrode.
And a circuit 6 for limiting the current so that the primary coil current does not exceed a specified value, wherein the primary coil current limiting circuit 6 is connected between the earth electrode of the power semiconductor 3 and the earth. A low-resistance element 9 serving as an element is connected, and a Zener diode 8 serving as a constant voltage source is connected between an input electrode of the power semiconductor 3 and the ground to form an open-loop primary coil current limiting circuit 6; The temperature characteristic of the primary coil current value of the ignition coil 1 is set to be positive at high temperatures [for example, the Zener diode 8
In addition, the power semiconductor 3 has a circuit configuration using an element having a temperature coefficient such that the temperature characteristic of the primary coil current value of the ignition coil 1 becomes positive at high temperatures. That is, in the case of a Zener diode, the temperature coefficient dVz / dt can be -1.2 mV / ° C as described in detail in the embodiment, while the temperature coefficient dV _BE / dt of the power semiconductor is generally -2 mV. If the temperature coefficient dV _BE / dt of the Zener diode 8 (in other words, between the base and the ground of the power semiconductor 3) is equal to or less than the temperature coefficient dV _BE / dt of the power semiconductor 3, the ignition coil The temperature characteristic of the primary coil current value becomes a positive temperature characteristic at a high temperature. This point will be described based on the formula in the embodiment, so please refer to it.)

【００１５】また、その応用として、一つは、図２に示
すごとく１次コイル電流制限回路６にはツェナーダイオ
ード８と共に定電圧源の一部となるＰＮＰトランジスタ
１１を付加し、このＰＮＰトランジスタ１１のエミッタ
をパワー半導体３の入力電極に、コレクタをアースに、
ベースをツェナーダイオード８のカソードに接続し、ツ
ェナーダイオード８のアノードをアースに接続する。One of the applications is to add a PNP transistor 11 which is a part of a constant voltage source together with a Zener diode 8 to the primary coil current limiting circuit 6 as shown in FIG. To the input electrode of the power semiconductor 3, the collector to ground,
The base is connected to the cathode of the Zener diode 8, and the anode of the Zener diode 8 is connected to the ground.

【００１６】さらにもう一つは、図４に示すごとく１次
コイル電流制限回路６にはツェナーダイオード８と共に
定電圧源の一部となるＮＰＮトランジスタ１２を付加
し、ツェナーダイオード８のカソードをパワー半導体３
の入力電極に、アノードをＮＰＮトランジスタ１２のベ
ースに接続し、ＮＰＮトランジスタ１２のコレクタをパ
ワー半導体３の入力電極に、エミッタをアースに接続す
る。As shown in FIG. 4, an NPN transistor 12 which is a part of a constant voltage source is added to the primary coil current limiting circuit 6 together with the Zener diode 8 as shown in FIG. 3
, The anode is connected to the base of the NPN transistor 12, the collector of the NPN transistor 12 is connected to the input electrode of the power semiconductor 3, and the emitter is connected to the ground.

【００１７】[0017]

【作用】上記の基本的な課題解決手段によれば、パワー
半導体３の入力電極の電位Ｖａはツェナーダイオードに
より一定に保たれる（Ｖａ＝Ｖｚ）。そして、電位Ｖａ
は、例えばパワー半導体３がトランジスタの場合には、
そのＶ_BEと抵抗９の電圧降下（Ｉｃ×Ｒｏ）との和であ
るから、１次コイル電流値ＩｃがＶｚにより抑制され規
定値を超えないよう制限される。According to the basic means for solving the above problems, the potential Va of the input electrode of the power semiconductor 3 is kept constant by the Zener diode (Va = Vz). And the potential Va
For example, when the power semiconductor 3 is a transistor,
Since this is the sum of V _BE and the voltage drop (Ic × Ro) of the resistor 9, the primary coil current value Ic is suppressed by Vz and is limited so as not to exceed a specified value.

【００１８】さらに本実施例では、１次コイル電流値が
高温時に正の温度特性となる。これを図８により説明す
ると、１次コイル電流値Ｉｃが高温時に正の温度特性に
なると、ＩｃｏはＩｃｏ₂だけレベルアップし、その分
Ｖ_CEの立ち上がりが（ロ）のように遅まるためＩｃとＶ
_CEとの積算量が減り熱的負担が減少する。Further, in this embodiment, the primary coil current value has a positive temperature characteristic at a high temperature. To explain this by 8, the primary coil current value Ic becomes positive temperature characteristic at high temperatures, Ico is the level up by Ico _2, the rise of that amount V _CE is (b) for as late whole of Ic And V
_The amount of integration with _CE is reduced and the thermal burden is reduced.

【００１９】なお、上記基本的課題解決手段の応用とし
て、１次コイル電流制限回路の定電圧源としてツェナー
ダイオード８にＰＮＰトランジスタ１１を付加したもの
については実施例の項の第２実施例に、或いはＮＰＮト
ランジスタ１２を付加したものについては第４実施例に
述べてあるので、これを参照されたい。As an application of the above-described means for solving the basic problem, a PNP transistor 11 is added to the Zener diode 8 as a constant voltage source of the primary coil current limiting circuit in the second embodiment of the embodiment. Alternatively, the transistor to which the NPN transistor 12 has been added is described in the fourth embodiment, so reference is made thereto.

【００２０】[0020]

【実施例】本発明の実施例を図面により説明する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.

【００２１】図１は本発明の第１実施例を示す回路構成
図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【００２２】図１において、点火コイル１は１次コイル
と２次コイルとで構成され、１次コイルの一方はバッテ
リ２（電源）に、他方は点火コイル駆動用のパワー半導
体となるダーリントントランジスタ（ＮＰＮトランジス
タ）３の２段目のトランジスタのコレクタ（１次コイル
側電極）に接続されている。上記２段目のトランジスタ
のエミッタ（アース側電極）は１次コイル電流制限回路
６の回路素子となる電流調整用の低抵抗素子９を介して
アースに接続される。In FIG. 1, an ignition coil 1 is composed of a primary coil and a secondary coil. One of the primary coils is connected to a battery 2 (power supply), and the other is a Darlington transistor (a power semiconductor for driving the ignition coil). NPN transistor 3) is connected to the collector (primary coil side electrode) of the second stage transistor. The emitter (earth-side electrode) of the second-stage transistor is connected to the ground via a low-resistance element 9 for current adjustment, which is a circuit element of the primary coil current limiting circuit 6.

【００２３】ダーリントントランジスタ３の１段目のベ
ース（入力電極）には、入力抵抗４を介して制御ユニッ
ト５からの点火信号（１次コイル通電信号）が入力され
る。制御ユニット５はエンジン運転状態に応じて１次コ
イル電流の通電時間を演算して点火制御を行う。３はノ
イズ除去用コンデンサである。The ignition signal (primary coil energization signal) from the control unit 5 is input to the base (input electrode) of the first stage of the Darlington transistor 3 via the input resistor 4. The control unit 5 calculates the energizing time of the primary coil current according to the operating state of the engine and performs ignition control. Reference numeral 3 denotes a noise removing capacitor.

【００２４】１次コイル電流制限回路６は、定電圧電源
用のツェナーダイオード８及び電流調整用の低抵抗素子
９などから構成される。The primary coil current limiting circuit 6 comprises a zener diode 8 for a constant voltage power supply, a low resistance element 9 for current adjustment, and the like.

【００２５】ツェナーダイオード８はパワートランジス
タ３の入力電極とアース間に接続されて、オープンルー
プ形の１次コイル電流制限回路６を構成する。The Zener diode 8 is connected between the input electrode of the power transistor 3 and the ground to form an open loop type primary coil current limiting circuit 6.

【００２６】上記回路構成において、ダーリントントラ
ンジスタ３のベースに１次コイル電流の通電信号が入力
されると、ダーリントントランジスタ３によって１次コ
イルに流れる電流（１次コイル電流）が増幅され、１次
コイル電流遮断時に点火コイル１の２次コイルに発生し
た２次電圧が点火プラグ１０に印加されてスパークす
る。In the above-described circuit configuration, when an energizing signal of the primary coil current is input to the base of the Darlington transistor 3, the current flowing through the primary coil (primary coil current) is amplified by the Darlington transistor 3 and the primary coil is amplified. The secondary voltage generated in the secondary coil of the ignition coil 1 at the time of current interruption is applied to the spark plug 10 and sparks.

【００２７】そして、１次コイル電流通電時にダーリン
トントランジスタ３のベース電圧Ｖａは、次のように表
される。◆When the primary coil current flows, the base voltage Va of the Darlington transistor 3 is expressed as follows. ◆

【００２８】[0028]

【数１】 Ｖａ＝Ｖｚ …（１） Ｖａ＝２Ｖ_BE（ＮＰＮ）＋Ｉｃ×Ｒｏ …（２） ここで、Ｖｚはツェナーダイオード８にかかる電圧、Ｖ
_BE（ＮＰＮ）はダーリントントランジスタ３のベース・
エミッタ間電圧、Ｉｃは１次コイル電流、Ｒｏは抵抗９
の抵抗値である。式（１），（２）より、Ｉｃが規定電
流値以上になるのが抑制され、また次の式（３）が求め
られる。◆Va = Vz (1) Va = 2V _BE (NPN) + Ic × Ro (2) where Vz is a voltage applied to the Zener diode 8 and V
_BE (NPN) is the base of Darlington transistor 3.
Emitter voltage, Ic is primary coil current, Ro is resistance 9
Is the resistance value. From the expressions (1) and (2), it is possible to suppress the Ic from being equal to or more than the specified current value, and to obtain the following expression (3). ◆

【００２９】[0029]

【数２】 Ｒｏ×Ｉｃ＝Ｖｚ−２Ｖ_BE（ＮＰＮ） …（３） 式（３）をＩｃについて解くと式（４）が求められる。
◆## EQU2 ## Ro × Ic = Vz−2V _BE (NPN) (3) When equation (3) is solved for Ic, equation (4) is obtained.
◆

【００３０】[0030]

【数３】 (Equation 3)

【００３１】式（４）を微分すると式（５）が求められ
る。◆Equation (5) is obtained by differentiating equation (4). ◆

【００３２】[0032]

【数４】 (Equation 4)

【００３３】ここで、周囲温度Ｔａ＝２５℃において、
１次コイル電流Ｉｃは７ＡでＲｏ×Ｉｃ≒１Ｖと決める
と、Ｒｏ＝１／７＝０．１４Ωとなる。Here, at an ambient temperature Ta = 25 ° C.,
If the primary coil current Ic is determined to be Ro × Ic ≒ 1 V at 7 A, then Ro = 1/7 = 0.14Ω.

【００３４】また、ツェナーダイオード８の温度係数は
ｄＶｚ／ｄｔ＝−１．２ｍＶ／℃とすることが可能であ
り、またダーリントントランジスタ３のＶ_BEの温度特性
は一般にｄＶ_BE（ＮＰＮ）＝−２ｍＶ／℃であるから、
これらの数値を入れて式（５）を解くと、ｄＩｃ／ｄｔ
≒２０ｍＡ／℃となる。The temperature coefficient of the Zener diode 8 can be dVz / dt = −1.2 mV / ° C., and the temperature characteristic of the V _BE of the Darlington transistor 3 is generally dV _BE (NPN) = − 2 mV / ° C,
Solving equation (5) with these values gives dIc / dt
≒ 20 mA / ° C.

【００３５】ゆえに、温度が１℃上昇すると、１次コイ
ル電流値Ｉｃは＋２０ｍＡだけ増え、１００℃変化（上
昇）すると、１次コイル電流値７Ａ（Ｔａ＝２５℃）の
ものが７Ａ＋２０ｍＡ×１００＝９Ａとなり正側の温度
特性を示す。Therefore, when the temperature rises by 1 ° C., the primary coil current value Ic increases by +20 mA. When the temperature changes (rises) by 100 ° C., the primary coil current value of 7 A (Ta = 25 ° C.) becomes 7 A + 20 mA × 100 = 9A, which is a positive temperature characteristic.

【００３６】本実施例によれば、１次コイル電流制限回
路６は、フィードバック回路となっていないため、原理
的に駆動トランジスタによる発振がおこならい。そのた
め、例えばダーリントントランジスタのｈ_FE選別や発振
防止用のコンデンサ，電流制限用トランジスタ等が不要
となる。具体的には、従来の電流制限回路に用いる回路
素子は９個であったのを５個に削減できた。According to the present embodiment, since the primary coil current limiting circuit 6 is not a feedback circuit, oscillation by the drive transistor occurs in principle. Therefore, for example, a capacitor for _hFE selection and oscillation prevention of the Darlington transistor, a current limiting transistor, and the like become unnecessary. Specifically, the number of circuit elements used in the conventional current limiting circuit can be reduced from nine to five.

【００３７】また、１次コイル電流の温度特性が正の特
性となるために、発明の作用の項にて図８により述べた
ようにダーリントントランジスタの熱的負担を軽減でき
る。そして、この正の温度特性もオープンループの電流
制限回路に用いるツェナーダイオード８を用いることで
達成できるので、回路構成の合理化を図ることができ
る。Further, since the temperature characteristic of the primary coil current has a positive characteristic, the thermal load on the Darlington transistor can be reduced as described with reference to FIG. This positive temperature characteristic can also be achieved by using the Zener diode 8 used in the open-loop current limiting circuit, so that the circuit configuration can be rationalized.

【００３８】次に本発明の第２実施例を図２により説明
する。なお、図２における実施例において第１実施例と
同一符号は同一或いは共通する要素を示す（図３以降の
その他の実施例の符号も同様である）。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the embodiment in FIG. 2, the same reference numerals as those in the first embodiment denote the same or common elements (the same applies to the reference numerals in other embodiments after FIG. 3).

【００３９】本実施例と第１実施例の異なる点は、ダー
リントントランジスタ３の入力電極（ベース）とアース
間に接続される定電圧源をツェナーダイオード８とＰＮ
Ｐトランジスタ１１とで構成したことにある。すなわ
ち、ＰＮＰトランジスタ１１のエミッタをダーリントン
トランジスタ３の入力電極と接続し、そのコレクタをア
ースに接続すると共に、ベースをツェナーダイオード８
のカソード側と接続し、ツェナーダイオード８のアノー
ドをアースに接続している。The difference between the present embodiment and the first embodiment is that the constant voltage source connected between the input electrode (base) of the Darlington transistor 3 and the ground is a Zener diode 8 and a PN
The P transistor 11 is included. That is, the emitter of the PNP transistor 11 is connected to the input electrode of the Darlington transistor 3, the collector is connected to the ground, and the base is connected to the Zener diode 8.
, And the anode of the Zener diode 8 is connected to the ground.

【００４０】このような構成によれば、ツェナーダイオ
ード８とＰＮＰトランジスタ１１により定電圧化し、点
火コイルの１次コイル電流値Ｉｃ₂の温度特性が高温時
に正側でより一層フラットに改善される利点がある。According to such a configuration, and constant-pressurization by the Zener diode 8 and the PNP transistor 11, the advantages which the primary temperature characteristic of the coil current value Ic ₂ of the ignition coil is improved even more flat positive side at high temperature There is.

【００４１】これを、計算式で表すと、When this is expressed by a calculation formula,

【００４２】[0042]

【数５】 Ｖａ＝２Ｖ_BE（ＰＮＰ）＋Ｖｚ …（１）´ Ｖａ＝２Ｖ_BE（ＮＰＮ）＋Ｉｃ₂×Ｒｏ …（２）´ ここで、Ｖ_BE（ＰＮＰ）はトランジスタ１１のベース・
エミッタ間電圧、Ｖ_BE（ＮＰＮ）はダーリントントラン
ジスタ３のベース・エミッタ間電圧である。式（１）
´，（２）´より、１次コイル電流Ｉｃ₂が規定電流値
以上になるのが抑制され、また式（３）´が求められ
る。◆Va = 2V _BE (PNP) + Vz (1) ′ Va = 2V _BE (NPN) + Ic ₂ × Ro (2) ′ where V _BE (PNP) is the base of the transistor 11.
An emitter-to-emitter voltage, V _BE (NPN), is a base-emitter voltage of the Darlington transistor 3. Equation (1)
(2) ′, the primary coil current Ic ₂ is prevented from becoming more than the specified current value, and the equation (3) ′ is obtained. ◆

【００４３】[0043]

【数６】 Ｒｏ×Ｉｃ₂＝Ｖ_BE（ＰＮＰ）＋Ｖｚ−２Ｖ_BE（ＮＰＮ） …（３）´ 式（３）´をＩｃ₂について解くと、Ro × Ic ₂ = V _BE (PNP) + Vz−2V _BE (NPN) (3) ′ Equation (3) ′ is solved for Ic ₂ .

【００４４】[0044]

【数７】 (Equation 7)

【００４５】式（４）´を微分すると、By differentiating equation (4) ',

【００４６】[0046]

【数８】 (Equation 8)

【００４７】ここで、周囲温度Ｔａ＝２５℃においてＲ
ｏ×Ｉｃ₂＝１Ｖとなるよう決めてあるため、ＲｏはＲ
ｏ＝１／７＝０．１４Ωとなる。前述したように、ダー
リントントランジスタ３のＶ_BEの温度係数ｄＶ_BE／ｄｔ
が−２ｍＶ／℃、ツェナーダイオード８の温度係数はｄ
Ｖｚ／ｄｔ＝−１．２ｍＶ／℃で、またトランジスタ１
１の温度係数ｄＶ_BE／ｄｔが−２ｍＶ／℃であるから、
これらを式（５）´に代入すると、ｄＩｃ／ｄｔ＝５．
７ｍＶ／℃となる。Here, at an ambient temperature Ta = 25 ° C., R
Since it is determined that o × Ic ₂ = 1V, Ro is R
o = 1/7 = 0.14Ω. As described above, the temperature coefficient d V _BE / dt of the V _BE of the Darlington transistor 3
Is −2 mV / ° C., and the temperature coefficient of the Zener diode 8 is d
Vz / dt = −1.2 mV / ° C.
Since the temperature coefficient dV _BE / dt of 1 is −2 mV / ° C.,
By substituting these into equation (5) ′, dIc / dt = 5.
7 mV / ° C.

【００４８】ゆえに温度が１℃上昇すると、１次コイル
電流値Ｉｃは＋５．７ｍＡだけ増え、１００℃まで変化
（上昇）しても、１次コイル電流値７Ａ（Ｔａ＝２５
℃）のものは７Ａ＋５．７ｍＡ×１００＝７．５７Ａと
なり第１実施例の場合よりも、７２％も正側かつフラッ
トな温度特性を示す。Therefore, if the temperature rises by 1 ° C., the primary coil current value Ic increases by +5.7 mA, and even if the primary coil current value changes (rises) to 100 ° C., the primary coil current value 7A (Ta = 25)
° C) is 7A + 5.7mA × 100 = 7.57A, which is 72% more positive and flat temperature characteristics than the first embodiment.

【００４９】本実施例によれば、第１実施例同様の効果
を奏し、さらに１次コイル電流の正の温度特性がよりフ
ラットとなる。なお、１次コイル電流制限回路の部品点
数については、従来の９個より６個に削減できた。According to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment are obtained, and the positive temperature characteristic of the primary coil current becomes flatter. In addition, the number of components of the primary coil current limiting circuit could be reduced from six to nine.

【００５０】図３は本発明の第３実施例で、上記第２実
施例の変形例である。FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention, which is a modification of the second embodiment.

【００５１】本実施例は第２実施例と同様の動作を行う
が、第２実施例と異なる点は、定電圧源の一部となるＰ
ＮＰトランジスタ１１のコレクタを直接アースに接続せ
ずにダーリントントランジスタ３のエミッタと抵抗９と
の間に接続した点にある。The present embodiment operates in the same manner as the second embodiment, but differs from the second embodiment in that a P
The point is that the collector of the NP transistor 11 is not directly connected to the ground but is connected between the emitter of the Darlington transistor 3 and the resistor 9.

【００５２】このような構成よりなれば、抵抗９との分
圧によってＰＮＰトランジスタ１１のコレクタ・エミッ
タ間電圧Ｖ_CEを第２実施例よりも小さくできる。具体的
には、第２実施例の場合にはトランジスタ１１に２．５
ＶのＶ_CE電圧がかかるにが、第３実施例の場合には１．
５ＶのＶ_CE電圧がかかる。With such a configuration, the voltage V _CE between the collector and the emitter of the PNP transistor 11 can be made smaller than that of the second embodiment by the voltage division with the resistor 9. Specifically, in the case of the second embodiment, 2.5
Bitter V _CE voltage V is applied, in the case of the third embodiment 1.
A _VCE voltage of 5V is applied.

【００５３】従って、本実施例の場合には、トランジス
タ１１における熱負荷を小さくできより高温の周囲温度
で使える利点がある。Therefore, in the case of this embodiment, there is an advantage that the thermal load on the transistor 11 can be reduced and the transistor 11 can be used at a higher ambient temperature.

【００５４】図４は本発明の第４実施例である。FIG. 4 shows a fourth embodiment of the present invention.

【００５５】本実施例は第２実施例と似た回路構成をな
すが、異なる点は１次コイル電流制限回路６の定電圧源
をツェナーダイオード８とＮＰＮ形のトランジスタ１２
で構成し、ダーリントントランジスタ３の入力電極（ベ
ース）をツェナーダイオード８のカソード及びトランジ
スタ１２のコレクタと接続し、ツェナーダイオード８の
アノードをトランジスタ１２のベースに接続し、トラン
ジスタ１２のエミッタをアースに接続したことにある。The present embodiment has a circuit configuration similar to that of the second embodiment, except that the constant voltage source of the primary coil current limiting circuit 6 is a Zener diode 8 and an NPN transistor 12.
The input electrode (base) of the Darlington transistor 3 is connected to the cathode of the Zener diode 8 and the collector of the transistor 12, the anode of the Zener diode 8 is connected to the base of the transistor 12, and the emitter of the transistor 12 is connected to the ground. I did it.

【００５６】本実施例の場合にも、第２実施例と同様に
点火コイル１の１次コイル電流値Ｉｃ₂の温度特性が高
温時に正側でよりフラットに改善される利点がある。部
品点数の削減については、第２実施例と同様である。[0056] In the present embodiment also, the primary temperature characteristic of the coil current value Ic ₂ similarly ignition coil 1 of the second embodiment has an advantage to be more improved flat at the positive side at high temperature. The reduction in the number of parts is the same as in the second embodiment.

【００５７】図５は本発明の第５実施例を示す回路図で
ある。FIG. 5 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

【００５８】本実施例は、点火コイル駆動用のパワー半
導体としてダーリントントランジスタ３に代えてパワー
ＭＯＳ・ＦＥＴ３´を用いたもので、その他の構成にに
ついては第１実施例と同様の構成をなす。This embodiment uses a power MOS FET 3 'instead of the Darlington transistor 3 as a power semiconductor for driving an ignition coil. The other configuration is the same as that of the first embodiment.

【００５９】ここで、パワーＭＯＳ・ＦＥＴ３´を使用
した場合の利点であるが、ダーリントントランジスタ
（バイポーラトランジスタ）３のベース・アース間電圧
Ｖ_B・Ｅ（Ｖ_BE＋Ｖ９，Ｖ９は抵抗９の電圧降下）−コ
レクタ電流Ｉｃ特性とパワーＭＯＳ・ＦＥＴ３´のゲー
ト・アースＶ_G・Ｅ（Ｖ_GS＋Ｖ９）−ドレイン電流Ｉｄ
特性を比較すると図９の通りである。[0059] Here, the power MOS · is a benefit of using the FET3', Darlington transistor (bipolar transistor) 3 of the base-to-earth voltage _{V B · E (V BE +} V9, V9 is the voltage drop of the resistor 9 )-Collector current Ic characteristic and gate / ground V _G · E (V _GS + V 9) −drain current Id of power MOSFET 3 ′
FIG. 9 shows a comparison of the characteristics.

【００６０】バイポーラトランジスタは立ち上がりが急
峻でＶ_B・Ｅの変化に大変敏感であるが、パワーＭＯＳ
・ＦＥＴの立ち上がりは比較的緩やかである。[0060] The bipolar transistor is very sensitive to changes in the steep rise V _B · E, power MOS
-The rise of the FET is relatively slow.

【００６１】そのため、電流制限の微調整が容易となり
調整公差にも寛大となる。更にパワーＭＯＳ・ＦＥＴは
ゲート電圧で素子を駆動するため、ベース電流で素子を
駆動するダーリントントランジスタに較べ駆動電流が格
段に少なくてすむ（ダーリントンが数１０ｍＡであるの
に対し、ＭＯＳ・ＦＥＴは数ｍＡ）。このため、これま
で用いられてきたパワー半導体の駆動回路（コントロー
ルユニットからの点火信号を増幅する回路）が不要にな
る。For this reason, fine adjustment of the current limit is facilitated, and the adjustment tolerance is generous. Further, since the power MOS-FET drives the element with the gate voltage, the driving current is much smaller than that of the Darlington transistor which drives the element with the base current (Darlington is several tens mA, whereas MOS-FET is several tens mA). mA). This eliminates the need for a power semiconductor drive circuit (a circuit that amplifies an ignition signal from a control unit) that has been used.

【００６２】また、パワーＭＯＳ・ＦＥＴのゲート・ソ
ース間に浮遊容量Ｃ_GSが存在するので、点火信号オン時
の立ち上がり波形がなまりソフトオンとなるために、プ
レイグニション現象の発生が防止でき、これまで点火コ
イルの２次側に設けられていたプレイグニション防止用
ダイオードが廃止できる効果がある。Further, since the stray capacitance _CGS exists between the gate and the source of the power MOS FET, the rising waveform at the time of turning on the ignition signal is rounded and soft on, so that the occurrence of preignition can be prevented. The pre-ignition prevention diode provided on the secondary side of the ignition coil can be eliminated.

【００６３】図６は本発明の第６実施例を示す回路図で
ある。FIG. 6 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the present invention.

【００６４】本実施例は６気筒エンジンに１プラグ１点
火コイル方式を採用したもので、全体としては、点火コ
イル１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆと、それに対
応したダーリントントランジスタ３ａ，３ｂ，３ｃ，３
ｄ，３ｅ，３ｆと、共通の電源となるバッテリ２と、入
力抵抗４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆと、コント
ロールユニット５と、１次コイル電流制限回路６−１，
６−２と、ノイズ除去用コンデンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，
７ｄ，７ｅ，７ｆと、１次コイル電流制限回路６−１側
の回路素子となるツェナーダイオード８−１，抵抗９−
１，トランジスタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、１次コイ
ル電流制限回路６−２の回路素子となるツェナーダイオ
ード８−２，抵抗９−２，トランジスタ１１ｄ，１１
ｅ，１１ｆと、点火プラグ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ，１０ｅ，１０ｆとで構成される。This embodiment employs a one-plug, one-ignition coil system for a six-cylinder engine. As a whole, the ignition coils 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f and the corresponding Darlington transistors 3a, 3b , 3c, 3
d, 3e, 3f, a battery 2 serving as a common power supply, input resistors 4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f, a control unit 5, and a primary coil current limiting circuit 6-1.
6-2, noise removing capacitors 7a, 7b, 7c,
7d, 7e, 7f, a Zener diode 8-1, which serves as a circuit element on the primary coil current limiting circuit 6-1 side, and a resistor 9-
1, transistors 11a, 11b, 11c, a Zener diode 8-2 serving as a circuit element of a primary coil current limiting circuit 6-2, a resistor 9-2, and transistors 11d, 11
e, 11f and the spark plugs 10a, 10b, 10c, 1
0d, 10e, and 10f.

【００６５】そして、本実施例では、点火プラグ１ａ〜
１ｆ及びパワー半導体（ダーリントントランジスタ）３
ａ〜３ｆを３気筒を１ブロックとして計２ブロックと
し、各ブロックにて定電圧源用ツェナーダイオード８−
１，８−２及び電流検出用抵抗９−１，９−２を３気筒
ずつ共用化させてある。In this embodiment, the ignition plugs 1a to 1a
1f and power semiconductor (darlington transistor) 3
a to 3f are made up of a total of two blocks with three cylinders as one block, and a zener diode 8 for a constant voltage source in each block.
1, 8-2 and the current detection resistors 9-1, 9-2 are shared by three cylinders.

【００６６】本実施例も上記各実施例同様に１次コイル
電流を高温時に正の温度特性とし、しかも、１次コイル
電流制限回路の部品点数の削減をさらに一層促進でき
る。トータルでは、従来の１次コイル電流制限回路の部
品点数が５４個であったのを２８個とすることができ
た。In this embodiment, similarly to the above embodiments, the primary coil current has a positive temperature characteristic at a high temperature, and the number of parts of the primary coil current limiting circuit can be further reduced. In total, the number of components of the conventional primary coil current limiting circuit has been reduced from 54 to 28.

【００６７】図７は本発明の第７実施例である。FIG. 7 shows a seventh embodiment of the present invention.

【００６８】本実施例も第６実施例と同様に６気筒エン
ジンに１プラグ１点火方式の点火装置で、定電圧源用ツ
ェナーダイオード８−１，８−２及び電流検出用抵抗９
−１，９−２を３気筒ずつ共用化させてあり、異なる点
は、ダーリントントランジスタ３ａ〜３ｆに代えてパワ
ーＭＯＳ・ＦＥＴ３ａ´〜３ｆ´を使用した例である。
図中の６気筒中の１気筒分について説明する。In the present embodiment, as in the sixth embodiment, a one-plug, one-ignition ignition system for a six-cylinder engine is used, and zener diodes 8-1 and 8-2 for a constant voltage source and a current detecting resistor 9
-1 and 9-2 are shared by three cylinders. The difference is that power MOS FETs 3a 'to 3f' are used in place of the Darlington transistors 3a to 3f.
One cylinder among the six cylinders in the drawing will be described.

【００６９】基本的な動作原理は、ダーリントントラン
ジスタ３の場合と変わりはない。パワーＭＯＳ・ＦＥＴ
３´のスレッシュホールド電圧Ｖ_THはおよそ１．５Ｖ〜
２Ｖ程度である。ここでは１．５Ｖとして説明する。ソ
ース側に設ける抵抗９の電圧降下Ｖ９を例えばドレイン
電流（１次コイル電流）Ｉｄが７Ａの時に１Ｖになるよ
うに決めれば、抵抗９の値は０．１４Ωとなる。そうす
ると、ゲート電圧とアース間の電圧Ｖ_G・Ｅを、Ｖ_G・Ｅ
＝Ｖ_GS＋Ｖ９＝１．５＋１．０＝２．５Ｖにコントロー
ルすれば、電流制限が７Ａでかかることになる。Ｖ_G・
Ｅを２．５Ｖとするためには、ＰＮＰトランジスタ１１
ａのＶ_BEとツェナーダイオード８ａのＶｚの和を２．５
Ｖとすればよい。通常、Ｖ_BEは０．７Ｖ程度であるか
ら、Ｖｚが１．８Ｖのツェナーダイオードを用いればよ
い。The basic operation principle is the same as that of the Darlington transistor 3. Power MOS ・ FET
3 'threshold voltage V _TH is about 1.5V ~
It is about 2V. Here, the description will be made assuming that the voltage is 1.5 V. If the voltage drop V9 of the resistor 9 provided on the source side is determined to be 1 V when the drain current (primary coil current) Id is 7 A, the value of the resistor 9 is 0.14Ω. Then, the voltage V _GE between the gate voltage and the ground is changed to V _GE
= V _GS + V9 = 1.5 + 1.0 = 2.5V, the current limit is applied at 7A. V _G・
In order to set E to 2.5 V, the PNP transistor 11
The sum of V _{BE of a} and Vz of Zener diode 8a is 2.5
V. Usually, since V _BE is about 0.7 V, a zener diode with V z of 1.8 V may be used.

【００７０】なお、本回路における電流制限用抵抗９−
１，９−２やツェナーダイオード８−１，８−２の数は
スイッチング素子数の数により限定されるものではな
い。例えば、本例では３気筒で１個の電流制限用抵抗と
ツェナーダイオードを有しているが、１気筒ごとに１個
ずつ用いてもよいし、６気筒で１個ずつしか用いなくと
もよい。Note that the current limiting resistor 9-
The numbers of 1, 9-2 and Zener diodes 8-1, 8-2 are not limited by the number of switching elements. For example, in this example, one current limiting resistor and one Zener diode are provided for three cylinders, but one resistor may be used for each cylinder, or only one resistor may be used for six cylinders.

【００７１】[0071]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、無接点式
点火装置の１次コイル電流制限回路の定電圧源としてツ
ェナーダイオードを用いることで、オープンループ形の
無接点式点火装置を実現することができ、部品点数の削
減及び装置の小形化，コスト低減を図ることができ、し
かも、１次コイル電流を高温時に正の温度特性にしてパ
ワー半導体の熱的負担を軽減する効果を奏することがで
きる。As described above, according to the present invention, an open-loop contactless ignition device is realized by using a Zener diode as a constant voltage source of the primary coil current limiting circuit of the contactless ignition device. It is possible to reduce the number of parts, reduce the size of the device, and reduce the cost. In addition, the primary coil current has a positive temperature characteristic at a high temperature to reduce the thermal burden on the power semiconductor. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１実施例を示す回路図。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の第２実施例を示す回路図。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図３】本発明の第３実施例を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図４】本発明の第４実施例を示す回路図。FIG. 4 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図５】本発明の第５実施例を示す回路図。FIG. 5 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

【図６】本発明の第６実施例を示す回路図。FIG. 6 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the present invention.

【図７】本発明の第７実施例を示す回路図。FIG. 7 is a circuit diagram showing a seventh embodiment of the present invention.

【図８】点火装置に用いるパワートランジスタの１次コ
イル電流Ｉｃの温度特性とコレクタ・エミッタ間電圧の
関係を示す説明図。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a relationship between a temperature characteristic of a primary coil current Ic of a power transistor used in an ignition device and a collector-emitter voltage.

【図９】バイポーラトランジスタのコレクタ電流Ｉｃと
パワーＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン電流Ｉｄの特性を示す
説明図。FIG. 9 is an explanatory diagram showing characteristics of a collector current Ic of a bipolar transistor and a drain current Id of a power MOSFET.

【図１０】従来のクローズドループ形の無接点式点火装
置の一例を示す説明図。FIG. 10 is an explanatory view showing an example of a conventional closed-loop non-contact ignition device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１（１ａ〜１ｆ）…点火コイル ３（３ａ〜３ｆ）…パワー半導体（バイポーラトランジ
スタ） ３´（３ａ´〜３ｆ´）…パワー半導体（パワーＭＯＳ
・ＦＥＴ） ５…コントロールユニット ６，６−１，６−２…１次コイル電流制限回路 ８，８−１，８−２…電流制限用のツェナーダイオード ９，９−１，９−２…低抵抗素子 １０（１０ａ〜１０ｆ）…点火プラグ １１…ＰＮＰトランジスタ １２…ＮＰＮトランジスタ1 (1a to 1f): ignition coil 3 (3a to 3f): power semiconductor (bipolar transistor) 3 '(3a' to 3f '): power semiconductor (power MOS)
・ FET) 5 ... Control unit 6,6-1,6-2 ... Primary coil current limiting circuit 8,8-1,8-2 ... Zener diode for current limiting 9,9-1,9-2 ... Low Resistance element 10 (10a to 10f): ignition plug 11: PNP transistor 12: NPN transistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−41650（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−3628（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−104037（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−169633（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) F02P 3/05 F02P 3/04 301 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-53-41650 (JP, A) JP-A-54-3628 (JP, A) JP-A-49-1004037 (JP, A) 169633 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. ⁷ , DB name) F02P 3/05 F02P 3/04 301

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】点火コイルの１次コイル電流の通電信号を
入力する入力電極，１次コイル電流を通流する１次コイ
ル側電極及びアース側電極とを有する１次コイル電流増
幅用のパワー半導体と、１次コイル電流が規定値を超え
ないよう電流制限する回路とを備えてなる無接点式点火
装置において、前記パワー半導体のアース側電極とアー
ス間に１次コイル電流制限回路の回路素子となる低抵抗
素子を接続すると共に、前記パワー半導体の入力電極と
アース間に定電圧源となるツェナーダイオードを接続し
てオープンループ形の１次コイル電流制限回路を構成
し、且つ前記点火コイルの１次コイル電流値の温度特性
が高温時に正側になるよう設定してなることを特徴とす
る無接点式点火装置。A power semiconductor for amplifying a primary coil current having an input electrode for inputting an energization signal of a primary coil current of an ignition coil, a primary coil side electrode for passing the primary coil current, and an earth side electrode. And a circuit for limiting the current so that the primary coil current does not exceed a specified value, wherein the circuit element of the primary coil current limiting circuit is provided between the earth side electrode of the power semiconductor and the earth. And a Zener diode serving as a constant voltage source is connected between the input electrode of the power semiconductor and the ground to form an open-loop type primary coil current limiting circuit. A non-contact ignition device characterized in that a temperature characteristic of a secondary coil current value is set to be a positive side at a high temperature. 【請求項２】請求項１において、前記パワー半導体はダ
ーリントントランジスタ又はパワーＭＯＳ・ＦＥＴより
なることを特徴とする無接点式点火装置。2. The non-contact ignition device according to claim 1, wherein the power semiconductor is a Darlington transistor or a power MOSFET. 【請求項３】請求項１又は請求項２において、前記ツェ
ナーダイオード及びパワー半導体は、前記点火コイルの
１次コイル電流値の温度特性が高温時に正側になるよう
な温度係数を有する素子により構成してなることを特徴
とする無接点式点火装置。3. The Zener diode and the power semiconductor according to claim 1, wherein the Zener diode and the power semiconductor are elements having a temperature coefficient such that a temperature characteristic of a primary coil current value of the ignition coil becomes a positive side at a high temperature. A non-contact ignition device characterized by comprising: 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
おいて、前記１次コイル電流制限回路には前記ツェナー
ダイオードと共に定電圧源の一部となるＰＮＰトランジ
スタが付加され、このＰＮＰトランジスタのエミッタが
前記パワー半導体の入力電極に、コレクタがアースに、
ベースが前記ツェナーダイオードのカソードに接続さ
れ、前記ツェナーダイオードのアノードがアースに接続
されてなることを特徴とする無接点式点火装置。4. A PNP transistor as a part of a constant voltage source together with said Zener diode is added to said primary coil current limiting circuit. The emitter is the input electrode of the power semiconductor, the collector is the ground,
A non-contact ignition device wherein a base is connected to a cathode of the Zener diode, and an anode of the Zener diode is connected to the ground. 【請求項５】請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
おいて、前記１次コイル電流制限回路には前記ツェナー
ダイオードと共に定電圧源の一部となるＮＰＮトランジ
スタが付加され、前記ツェナーダイオードのカソードが
前記パワー半導体の入力電極に、アノードが前記ＮＰＮ
トランジスタのベースに接続され、前記ＮＰＮトランジ
スタのコレクタが前記パワー半導体の入力電極に、エミ
ッタがアースに接続されてなることを特徴とする無接点
式点火装置。5. The primary coil current limiting circuit according to claim 1, further comprising an NPN transistor serving as a part of a constant voltage source together with said Zener diode, wherein said Zener diode is connected to said primary coil current limiting circuit. The cathode is the input electrode of the power semiconductor, and the anode is the NPN.
A non-contact ignition device connected to a base of a transistor, wherein a collector of the NPN transistor is connected to an input electrode of the power semiconductor, and an emitter is connected to ground. 【請求項６】請求項１ないし請求項５のいずれか１項に
おいて、前記点火コイル，パワー半導体は多気筒エンジ
ンの気筒ごとに備え、且つこれらの複数の点火コイル，
パワー半導体を１以上のブロックにまとめて、これらの
ブロックごとに前記１次コイル電流制限回路の前記低抵
抗素子及びツェナーダイオードを共通化させた回路構成
としてなることを特徴とする無接点式点火装置。6. The multi-cylinder engine according to claim 1, wherein the ignition coil and the power semiconductor are provided for each cylinder of the multi-cylinder engine.
A non-contact ignition device wherein a power semiconductor is integrated into one or more blocks, and the low-resistance element and the Zener diode of the primary coil current limiting circuit are shared for each of these blocks. .