JP2999494B2 - 積層型ｌｃノイズフィルタ及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は積層型LCノイズフィルタ、特に複数の絶縁層
が積層された積層体内にインダクタ導体、キャパシタ導
体からなるLCの分布定数的回路を形成した分布定数型積
層LCノイズフィルタに関する。

［従来の技術］ 近年の電子技術の発達に伴い、電子回路は各種分野に
おいて幅広く用いられており、従って、これら各電子回
路を、外部からのノイズの影響を受けることなく安定し
て確実に作動させることが望まれる。

特に、近年では各種高性能の電子機器を多数使用して
いるため、ノイズに対する規制も益々激しくなってい
る。このため、発生するノイズを確実に除去することが
できる小型でしかも高性能なノイズフィルタの開発が望
まれる。

しかし、従来のLCノイズフィルタは、第21図に示すよ
う、コア10に２組の巻線12,14を巻回し、これら巻線12,
14の両端にコンデンサ16,18をそれぞれ平行に接続して
形成されていた。

従って、インダクタを構成するコア10および巻線12,1
4の部分が大きくなり、しかもインダクタとコンデンサ1
6,18とが別部材で構成されているため、フィルタ全体が
大きくなってしまい、小型軽量化という要求品質を満足
できないという問題があった。

このような問題を解決するため、特開昭56−50507
号，特開昭56−144524号，特開昭56−142622号，特開昭
63−76313号にかかる提案が行われている。

この従来技術、例えば特開昭56−50507号にかかる複
合電子部品では、第22図に示すよう、複数の絶縁体層20
a,20b,20c…を積層することにより積層体を形成する。
そして、前記各絶縁体層20a,20b…の層間に、１つの層
間から次の層間へと連続して周回する導電パターン22a,
22b,22cを設け、これにより所定のターン数のコイルＬ
を形成する。

また、前記絶縁体層20a,20b,20c…の層間に、前記周
回導電パターン22a,22cと間隔をあけて導電層24a,24bを
配置し、これら導電層24a,24bと導電パターン22a,22cと
の間にキャパシタンスＣを形成する。

これにより、第23図に示すようＬおよびＣからなる集
中定数型のノイズフィルタを得ることができる。

さらに、この従来技術では、ＬおよびＣが積層体内に
組込まれているため、小型で軽量なLCノイズフィルタと
して用いることができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、このLCフィルタは、各絶縁体層20a,20b,20
c…の積層で、導電パターン22a,22cを半ターンしか周回
させていない。このため、積層体の限られた空間内で
は、充分なターン数（充分なインダクタンス）をもった
コイルを得ることができないという問題があった。

また、このLCフィルタは、キャパシタンスを形成す
る導電層24a,24cを、コイルを形成する導電パターンの
１部22a,22cの直線部分にのみ隣接して設けるだけであ
る。このため、コイルと導電層24との間のキャパシタン
スＣが小さく、良好な減衰特性を得ることができないと
いう問題があった。

特に、このLCフィルタは、第22図に示すよう集中定数
型のLCフィルタとして形成されている。このため、各種
ノイズ、特にスイッチングサージ等のコモンモードノイ
ズや、リップル分等のノーマルモードノイズを確実に除
去できないという問題があった。

さらに、このLCフィルタは、３端子型のノーマルモ
ードフィルタとしてしか用いることができず、４端子型
のコモンモード型ノイズとして用いることはできないと
いう問題があった。

本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、積層体の限られた空間内で十分
大きなインダクタンスおよびキャパシタンスを有し、し
かも侵入するノイズを確実に除去することができる小型
の積層型LCノイズフィルタを提供することにある。

また、本発明の他の目的は、ノーマルモード型のノイ
ズフィルタとしてばかりでなく、必要に応じてコモンモ
ード型ノイズフィルタとしても用いることができる積層
型LCノイズフィルタを提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため、本発明の積層型LCノイズフ
ィルタは、 複数の絶縁層が積層された積層体と、 前記絶縁層の１の積層から他の層間にかけて同方向に
周回し所定ターン数のコイルを形成する第１の導体と、 前記第１の導体と絶縁層を介して相対向するように、
前記絶縁層の１の層間から他の層間にかけて同方向に周
回し所定ターン数のコイルを形成する第２の導体と、 を含み、 前記第１の導体は、 前記絶縁層の複数の層間に複数の絶縁層を介して相対向
するように配置された同一パターンの第１のスパイラル
導体を含み、各層間に配置された第１のスパイラル導体
が、１の層間から他の層間にかけて同方向に周回し前記
所定ターン数のコイルとして機能するように接続され、 前記第２の導体は、 前記絶縁層の複数の層間に、絶縁層を介して両側に位置
する前記第１のスパイラル導体と相対向するように設け
られ、前記両側の第１のスパイラル導体との間でキャパ
シタンスを形成する第２のスパイラル導体を含み、各層
間に配置された第２のスパイラル導体が、１の層間から
他の層間にかけて同方向に周回し所定ターン数のコイル
を形成するように接続されたことを特徴とする。

［作 用］ 次に本発明の作用を説明する。

本発明のLC素子は、複数の絶縁層を積層して積層体を
形成している。

そして、第１の導体は、所定ターン数をもった第１の
スパイラル導体が、前記絶縁層の層間に、一の層間から
他の層間にかけて同方向に連続して周回するよう設けら
れている。これにより、第１の導体は、積層体の限られ
た空間内で充分なターン数およびインダクタンスをもっ
たコイルとして機能することになる。

また、第２の導体は、所定ターン数をもった第２のス
パイラル導体が、前記絶縁体の層間に一の層間から他の
層間にかけて同方向に連続して周回するように設けられ
ている。

本発明の特徴は、前記第１のスパイラル導体と、第２
のスパイラル導体とを絶縁層を介して相対向するように
設け、両者を静電容量で容量結合したことにある。

従って、第１および第２の導体の間には、十分大きな
キャパシタンスが形成されることになり、しかもこのキ
ャパシタンスは、分布定数的に形成されることになる。

これにより、本発明の積層型LCノイズフィルタは、積
層体という限られた空間内にもかかわらず、十分大きな
インダクタンスおよびキャパシタンスを有する分布定数
タイプのLCフィルタとして機能し、従来の集中定数タイ
プのLCフィルタに比べ、比較的広い帯域にわたり良好な
減衰特性を得ることができ、各種ノイズをリングング等
を伴うことなく除去することができる。特に、本発明の
積層型LC素子は、分布定数回路のＬ成分,C成分が有効に
機能し、各種ノイズを有効に除去することができる。

さらに、本発明の積層型LCノイズフィルタは、第２の
導体にアース端子を設け、第１の導体の両端に入出力端
子を設けることによりノーマルモード型のLCノイズフィ
ルタとして用いることができる。

このとき、前記アース端子は、第２の導体の両端に設
けるものではなく、片側端部にのみ設けることが好まし
く、しかも設けられたアース端子は、第１の導体の入出
力端子に近接配置することが好ましい。これにより、ノ
ーマルモード型のLCノイズフィルタとして、より良好な
減衰特性を得ることができる。

さらに、本発明の積層型LCノイズフィルタは、前記第
１および第２の導体の両端に入出力端子を設けることに
より、コモンモード型のLCノイズフィルタとしても用い
ることができる。

［実施例］ 次に、発明の好適な実施例を図面に基づき詳細に説明
する。

第１実施例 第１図〜第３図には、本発明のLC素子を３端子ノーマ
ルモード型のノイズフィルタとして形成した場合の好適
な一例が示されている。

実施例のLC素子は、複数の絶縁板32−1,32−２…32−
３を積層して形成された積層体30と、前記絶縁板32の層
間36−1,36−2,36−３に設けられた所定ターン数のコイ
ルを形成する第１の導体40と、前記絶縁板32の層間36−
2,36−3,36−４に、絶縁板32を介して前記第１の導体40
と相対向するよう設けられた第２の導体50とを有する。

前記各絶縁板32は、必要に応じて各種絶縁材料を用い
て形成すればよい。この絶縁材料としては、例えばセラ
ミックス，プラスチックおよび各種合成樹脂等が考えら
れるが、実施例ではセラミックスを用いて形成されてい
る。

また、実施例の積層体30では、前記第１の導体40およ
び第２の導体50の短絡，露出等を防止するため、各絶縁
板32を絶縁シート34−1,34−2,…34−７を介して積層し
ている。そして、最上層および最下層の絶縁シート34−
1,34−７の表面には、第１の導体40の端子42a,42bと、
第２の導体50の端子52a,52bが被覆形成されている。

本発明において、前記第１の導体40は、絶縁板32の各
層間36−1,36−2,36−３に設けられた第１のスパイラル
導体44−1,44−2,44−３から構成され、各スパイラル導
体44−1,44−2,44−３は、１つの層間から他の層間にか
けて同方向に連続して周回するよう直列に接続されてい
る。

同様に、前記第２の導体50は、絶縁板32の層間36−2,
36−3,36−４に設けられた第２のスパイラル導体54−1,
54−2,54−３から構成されており、これら各スパイラル
導体54−1,54−2,54−３は、１つの層間から他の層間に
かけて同方向に連続して周回するよう直列に接続されて
いる。

これにより、前記第１および第２の導体40,50は、積
層体30という限られた小さな空間内において、十分なタ
ーン数およびインダクタンスをもったコイルとして機能
することになる。

本発明の特徴は、前記第１および第２のスパイラル導
体44,54を、絶縁板32を介して相対向するように形成
し、第１および第２の導体40,50を静電容量で容量結合
し、両者の間にキャパシタンスを形成することにある。

このようにすることにより、第１および第２の導体4
0,50の間には、十分大きなキャパシタンスＣが分布定数
的にほぼ連続して形成されることになる。

本実施例において、前記第１および第２のスパイラル
導体44,54は、例えば印刷，蒸着，メッキ等の手法用い
て各絶縁板32−1,32−2,32−３の両面に互いに相対向す
るよう被覆形成されている。

そして、絶縁シート34−１の表面に形成された端子42
aは、スルーホール35を介して絶縁板32−１上に設けら
れた第１のスパイラル導体54−１の外側端部に接続さ
れ、同様に絶縁シート34−７の表面に形成された端子42
bは、絶縁シート34−７に設けられたスルーホール35,層
間接続リード46,絶縁シート34−６に設けられたスルー
ホール35を介し、絶縁板32−３上に設けられた第１のス
パイラル導体54−３の内側端部に接続されている。ま
た、絶縁シート34−１上に設けられた端子52aは、絶縁
シート34−1,絶縁板32−１上に設けられたスルーホール
35,33を介し、絶縁板32−１の裏面側に設けられた第２
のスパイラル導体54−１の外側端部に接続されている。

なお、実施例では３端子のノーマルモード型LCノイズ
フィルタを形成するため、残りの端子52bが空端子とし
て用いられる。

そして、各絶縁板32−1,32−2,32−３上に被覆形成さ
れた第１のスパイラル導体44−1,44−2,44−３は、これ
ら絶縁板32および絶縁シート34上に形成されたスルーホ
ール33,35および層間接続リード46を介して、１つの層
間から他の層間にかけて連続して周回するよう直列接続
されている。

同様に、各絶縁板32−1,32−2,32−３上に被覆形成さ
れた第２のスパイラル導体54−1,54−2,54−３も、スル
ーホール33,35および層間接続リード56を介し、１つの
層間から他の層間にかけて連続して周回するよう直列接
続されている。

第２図には、本実施例の積層型LC素子の完成図が示さ
れている。実施例のLC素子は、第１図に示す絶縁板32お
よび層間絶縁シート34を積層している。そして、この積
層体30の表面に、入出力端子42a,42a（第１図参照）を
接続し１つの端子として機能するよう導電材を被覆形成
し、同様に、入出力端子42b,42bも、１つの端子として
機能するよう導電材を被覆形成する。さらに同様にし
て、端子52a,52bも、１つのアース端子として機能する
よう導電材を被覆形成する。

これにより、積層体30の外周面に２個の入出力端子42
a,42bと、１個のアース端子52とが設けられた３端子ノ
ーマルモード型LCノイズフィルタとして形成されること
になる。しかもこのノイズフィルタは、SMDタイプ（サ
ーフェス・マウント・デバイス）の素子として形成され
るためその取扱いが極めて容易なものとなる。

第３図には、本実施例のLC素子の等価回路図が示され
ている。

実施例の積層型LC素子において、第１の導体40は、そ
の両端が入出力端子42a,42bに接続され、所定のインダ
クタンスL₁をもったインダクタ導体として機能すること
になる。また、前記第２の導体50は、その一端がアース
端子52aに接続されたキャパシタ導体として機能するこ
とになる。

ここにおいて、前記第１の導体40は、絶縁板32の層間
36−1,36−2,36−３に設けられた各スパイラル導体44−
1,44−2,44−３を、１つの層間から他の層間にかけて同
方向に連続して周回するよう直列接続として形成されて
いる。これにより、第１の導体40は、積層体30という限
られた空間内で、十分なターン数およびインダクタンス
L1をもったコイルとして機能すること理解されよう。

これに加えて、本実施例のノイズフィルタでは、第２
の導体が、第１の導体40の磁路を妨げることがないよう
形成されている。

すなわち、第１の導体40に通電した際発生する磁束
は、第１の導体400の線間を絶縁板32の表面側から裏面
側へまたその逆方向に通過する。このとき、この磁路を
妨げるように第２の導体50が設けられていると（例え
ば、第１の導体40の線間領域と相対向するよう第２の導
体50が設けられていると）、磁路は第２の導体50によっ
て塞がれ、第１の導体40はインダクタとして十分機能で
きなくなってしまう。

これに対し、本実施例のように、第１の導体40と相対
向するよう第２の導体50を設けることにより、第１の導
体40の磁路は第２の導体50によって何等妨げられること
がないため、スパイラル状に形成された第１の導体40の
インダクタンスを低下させることなく、LCノイズフィル
タとしての作用効果を十分発揮させることができる。

さらに、本発明の積層型LC素子においては、前述した
ように第１および第２の導体40,50の間に、キャパシタ
ンスＣがほぼ連続的に、しかも分布定数的に形成され
る。

従って、本発明の積層型LC素子は、従来の集中定数型
LC素子にはない優れた特性を発揮することができ、この
積層型LC素子を、LCノイズフィルタとして用いることに
より、広帯域にわたって優れた減衰特性を発揮すること
ができる。

これに加えて、本発明によれば、第１および第２の導
体40,50が、絶縁板32を介してスパイラル状に相対向し
ている。従って、従来の積層型LC素子に比べ、十分大き
なキャパシタンスＣを得ることができ、この面からも従
来の積層型LC素子に比べ、良好な減衰特性をもったLCノ
イズフィルタとしと使用可能であることが理解されよ
う。

また、本実施例のLC素子において、例えば第４図に示
すよう、前記第１の導体40は、各層間36に設けられた第
１のスパイラル導体44が、第２のスパイラル導体54を介
して他の層間36に設けられた第１のスパイラル導体44と
相対向するよう形成されている。従って、前記各スパラ
イル導体44,54は、第２のスパイラル導体54−１を例に
とると、このスパイラル導体54−１は、絶縁板32−１を
介してその上方に位置する第１のスパイラル導体44−１
と相対向してキャパシタンスを形成するばかりでなく、
その下方に位置する第１のスパイラル導体44−２との間
でもキャパシタンスを形成している。このように各スパ
イラル導体54は、その上下に位置する第１のスパイラル
導体44によりサンドイッチ状に挾まれ、キャパシタンス
を形成することになるため、両者の間には限られた空間
内にもかかわらず十分大きなキャパシタンスＣを得るこ
とができ、この面からも良好な特性をもった積層型LC素
子となることが理解されよう。

また、このLC素子のキャパシタンスＣをより大きくす
るには、第５図に示すよう絶縁板32の表面にエッジング
等により凹凸を設けることが好ましい。このように形成
された絶縁板32の表面にスパイラル導体44,52を被覆す
ることにより、両スパイラル導体44,54は広い面積で相
対向することになる。これにより、同じ大きさのLC素子
でも、さらに大きなキャパシタンスＣを得ることが可能
となる。

以上説明したように、本発明によれば、キャパシタン
スＣが分布定数的に形成されたLC素子を得ることがで
き、しかも素子自体を大型化することなく、そのインダ
クタンスＬおよびキャパシタンスＣを必要に応じて大き
な値に設定することができる。従って、本発明をノイズ
フィルタに適用した場合には、広帯域にわたって優れた
減衰特性を発揮し、従来の集中定数型LC素子に比べ優れ
たノイズ除去効果を得ることができる。

なお、本発明をノーマルモード型LCノイズフィルタと
して用いる場合には、キャパシタ導体として機能する第
２の導体50の両端を接地するのではなく、第３図に示す
ようにその一端側のみを接地することが、良好な減衰特
性を得る上で好ましい。とりわけ、実施例のように、ア
ース端子52aを、インダクタ導体として用いる第１の導
体40の入出力端子42a,42bの少なくともいずれか一方と
近接配置することにより、より良好な減衰特性を得るこ
とができる。

第２実施例 第６図〜第８図には、本発明を４端子コモンモード型
LCノイズフィルタに適用した場合の好適な一例が示され
ている。なお前記第１実施例と対応する部材には同一符
号を付してその説明は省略する。

前記第１実施例では、第１の導体40をインダクタ導体
として用い、第２の導体50をその一端が接地されたキャ
パシタ導体として用いた。このため、第１の導体40の両
端には、入出力端子42a,42bが接続されるが、第２の導
体50にはその一端側にのみアース用の端子52aが接続さ
れた。

これに対し、本実施例では、第１および第２の導体4
0,50を、共に信号が通電されるインダクタ導体として用
いる。このため、これら第１および第２の導体40,50の
両端には、入出力用の端子42a,42b,52a,52bがそれぞれ
接続されている。

これにおいて、前記第１の実施例では空端子として用
いられた端子52bは、第６図に示すよう、絶縁板32−３
上に設けられた第２のスパイラル導体54−３の内側端部
と、絶縁シート34−７に設けられたスルーホール35,層
間接続リード56および絶縁シート36−６に設けられたス
ルーホール35を介して接続されている。

なお、他の構成は前記第１実施例と同様なのでここで
はその説明は省略する。

第７図には、このように４端子コモンモード型ノイズ
フィルタとして形成された積層型LC素子の外観斜視図が
示されている。

実施例のLC素子は、積層体30の四隅に、第１の導体40
の両端と接続された入出力端子42a,42bと、第２の導体5
0の両端に接続された入出力端子52a,52bとが設けられた
SMDタイプの素子として形成されている。

第８図には、本実施例のLC素子の等価回路図が示され
ている。

同図に示すよう、実施例のLC素子は、インダクタ導体
として機能する第１および第２の導体40,50が、十分大
きなインタクタンスL1,L2を有し、しかも両者の間に
は、大きなキャパシタンスＣが連続的にしかも分布定数
的に形成されている。

従って、本実施例によれば、素子自体を大型化するこ
となく、広帯域にわたって優れた減衰特性を発揮し、従
来の集中定数型LC素子に比べ優れたノイズ除去効果を発
揮することができる４端子コモンモード型LCノイズフィ
ルタを得ることができる。

なお、本実施例の積層型LC素子は、これ以外にも、例
えば第２の導体50の両端に接続された端子52a,52bのど
ちらかを接地することにより、ノーマルモード型LCノイ
ズフィルタとしても用いることができる。

また、前記第１および第２の実施例にかかるLC素子で
は、第１のスパイラル導体44−1,44−2,44−３のパター
ンを同一形状とし、さらに第２のスパイラル導体54−1,
54−2,54−３のパターンを同一形状としている。このた
め、同じ形状のスパイラル導体44,54が被覆形成された
絶縁板32を多数枚用意しておき、これらの各絶縁板32を
積層することでLC素子を形成することができるため、部
品の共通化を高め、コストダウンを図ることが可能とな
る。

第３実施例 第９図、第10図には、本発明を３端子ノーマルモード
型LCノイズフィルタに適用した場合の他の一例が示さ
れ、第９図はその分解斜視図、第10図はその外観斜視概
略図である。

前記第１図，第２図に示す実施例では、各絶縁板32−
1,32−2,32−３上に設けられた第１のスパイラル導体44
−1,44−2,44−３および第２のスパイラル導体54−1,54
−2,54−３は、いずれもそのスパイラルパターンが同じ
なるように形成されている。このため、各絶縁板32−1,
32−2,32−３に設けられた第１または第２のスパイラル
導体44,54をそれぞれ直列に接続するために、層間絶縁
シート34−3,34−５等に層間接続リード46,56を設ける
必要があった。

しかし、これら層間接続リード46,56は、各絶縁板32
上に設けられた第１のスパイラル導体44,第２のスパイ
ラル導体54の磁路の一部を横切るため、その分、第１、
第２の導体40,50のインダクタンスが低下するおそれが
ある。

本実施例のLCノイズフィルタは、層間接続リード46,5
6が、各絶縁板32上に設けられた第１および第２のスパ
イラル導体44,54の磁路を横切ることがないように構成
したことを特徴とする。

このため、本実施例のLC素子は、第９図に示すようス
パイラル径がしだいに小さくなるように形成された第１
のスパイラル導体44−1,44−３と、スパイラル径がしだ
いに大きくなるように形成された第１のスパイラル導体
44−2,44−４とを、絶縁体43の各層間36に交互に設けて
いる。これにより、１つの層間36の第１のスパイラル導
体44と、他の層間36の第１のスパイラル導体44とを接続
する層間接続リード44,56が、前記第１実施例のように
磁路を横切ることがないように第１の導体40が形成され
る。

同様に、第２の導体50も、スパイラル径がしだいに小
さくなるように形成された第２のスパイラル導体54−1,
54−３と、スパイラル径がしだいに大きくなるように形
成された第２のスパイラル導体54−2,54−４とを、各層
間36に交互に設け、１つの層間36の第１のスパイラル導
体54と他の層間36の第２のスパイラル導体54とを接続す
る層間接続リード56,56が、磁路を横切ることがないよ
うに形成されている。

具体的には、絶縁板32−1,32−３の両面には、第１の
スパイラル導体44−1,44−３および第２のスパイラル導
体54−1,54−３が相対向し、しかもそのスパイラル径が
しだいに小さくするように形成されている。

また、絶縁板32−2,32−４の両面には、第１のスパイ
ラル導体44−2,44−４および第２のスパイラル導体54−
2,54−４が互いに相対向し、しかもそのスパイラル径が
しだいに大きくなるように形成されている。

そして、これら各スパイラル導体44,54は、絶縁板32
および絶縁シート34上に設けられたスルーホール33,35
を介して、１つの層間36から他の層間36へ向け連続して
周回するよう直列に接続されている。

また、本実施例においては、例えば第11図に示すよう
第１および第２のスパイラル導体44,54のパターンを形
成することによっても、層間接続リード44,56が磁路を
横切ることがないように形成することもでき、そのスパ
イラルパターンは必要にて任意に設定することが可能で
ある。

なお、本実施例では、ノーマルモード型LCノイズフィ
ルタを例にとり説明したが、本発明はこれに限らず、必
要に応じて各種タイプのLC素子に適用することができ、
例えば本発明を４端子コモンモード型LCノイズフィルタ
に適用することにより、層間接続リード44,54が、第１
および第２の導体40,50の磁路を横切ることがないよう
に形成することができる。

第４実施例 第12図、第13図には、本発明の好適な第４実施例が示
されている。

前記各実施例では、各絶縁層の層間36に第１および第
２の導体40,50を１組形成する場合を例にとり説明した
が、本実施例は第１の導体40および第２の導体50を少な
くとも２組用意したことを特徴とする。

そして、各組の第１の導体40は、信号を通電するイン
ダクタ導体として用い、また各組の第２の導体50は、一
端がアースされたキャパシタ導体として用いる。

具体的には、第12図（Ａ）に示すよう各絶縁板32の表
面に、40a,40bの２組の第１の導体を設け、同図（Ｂ）
に示すよう、各絶縁板32の裏面に、50a,50bの２組のキ
ャパシタ導体を設ける。なお、同図では各インダクタ導
体40a,40bを構成する２組のスパイラル導体44a,44bが相
隣接して被覆形成されており、同様に各キャパシタ導体
50a,50bを構成する２組のスパイラル導体54a,54bが相隣
接して被覆形成されている。

そして、このように形成された各絶縁板32を、例えば
第１実施例と同様にして積層し積層体30を形成する。

これにより、第13図に示す等価回路をもったLC素子を
得ることができる。

従って、前記第１および第２のキャパシタ導体50a,50
bの一端側を接地し、前記第１および第２のインダクタ
導体40a,40bの両端に入出力端子42a,42b,43a,43bを設け
ることにより、これら各インダクタ導体40a,40bは、そ
れぞれ所定のインダクタンスを有し、しかも対応するキ
ャパシタ導体50a,50bとの間にキャパシタンスを分布定
数的に形成することになる。

従って、本実施例によれば、分布定数型のコモンモー
ド４端子ノイズフィルタを得ることができ、各種ノイズ
を良好に除去することができる。

また、実施例によれば、第１および第２のインダクタ
導体40a,40bを直列に接続することにより、より大きな
インダクタンスをもった３端子ノーマルモード型LCノイ
ズフィルタとしても用いることができる。

第５実施例 第12図、第13図には、本発明の好適な第４実施例が示
されている。

前記各実施例では、インダクタとして機能する第１の
導体40または第２の導体50に信号を通電し、この信号中
に含まれるノイズを除去するものである。しかし、通電
する信号の周波数が高くなると、例えばうず巻き状に巻
かれた第１の導体40に線間短絡が生じ、インダクタとし
て機能しなくなってしまうという問題が発生する。

特に、このような線間短絡現象は、通電する信号の周
波数が高くなればなるほど頻繁発生すると考えられ、こ
のままでは、スパイラル間隔を狭く形成しかつ高周波用
のノイズフィルタとして用いる場合に問題が発生するこ
とが考えられる。

本実施例の特徴は、インダクタとして用いる第１また
は第２の導体40,50の線間に第14図に示すようシールド
導体60を設けその線間短絡を防止することにある。

例えば、第１図に示すタイプのノーマルモード型LCノ
イズフィルタでは、第14図（Ａ）に示すよう、絶縁板32
の片面に設けられた第１のスパイラル導体44の線間にの
みシールド導体50をうず巻き状に被覆形成すればよく、
同図（Ｂ）に示すよう、絶縁板32の裏面側に設けられた
第２のスパイラル導体44の線間にはシールド導体60を設
ける必要はない。

また、例えば第６図に示すようにコモンモード型のLC
ノイズフィルタでは、第１のスパイラル導体44のみなら
ず、第２のスパイラル導体54の線間にもシールド導体60
をうず巻き状に形成すればよい。

なお、前記シールド導体60を設ける場合には、このシ
ールド導体はアースすることが好ましい。このため、例
えば第14図に示す実施例では、絶縁板に設けたスルーホ
ール33′を介し、シールド導体60はキャパシタ導体40に
接続されている。

以上の構成とすることににより、本実施例のノイズフ
ィルタは、低周波帯域から高周波帯域にわたり、線間短
絡現象の発生することなく優れた減衰特性を発揮するこ
とができる。

さらに、本実施例のノイズフィルタは、シールド導体
60を設けることにより、前記第1,第２の導体40,50の線
間短絡を防止するばかりではなく、これら第１の導体40
のインダクタンスと、第１および第２の導体40,50間で
形成されるキャパシタンスを改善し、前記第1,第２実施
例に比べより優れた減衰特性を発揮することもできる。

また、本実施例以外に、例えば前記第12図に示すタイ
プのLC素子について考えると、このようなシールド導体
60は、例えば前第15図に示すよう、各インダクタ導体40
a,40bを構成するスパイラル導体44a,44bの線間に第１お
よび第２のシールド導体60a,60bとしてうず巻き状に形
成すればよい。

第６実施例 また、前記実施例のLC素子においては、絶縁層として
絶縁板を用いたが、本発明はこれに限らず、膜成形技術
を用いて絶縁層を形成することも可能であり、以下その
実施例を前記各実施例と対応して詳細に説明する。

第16図（ａ）〜（ｔ）には、第１図〜第３図に示す３
端子ノーマルモード型LCノイズフィルタを、薄膜成形技
術を用いて形成する場合の製造工程の一例が示されてい
る。

本実施例の特徴は、絶縁層として絶縁板32の代りに絶
縁薄膜200を用い、絶縁薄膜200および第1,第２の導体4
0,50を薄膜成形技術を用いて形成したことにある。

すなわち、実施例のLC素子は、まず第16図（ａ）に示
すよう、絶縁性基板100の裏面側から側面にかけて補助
端子部42a′を被覆形成すると共に、基板100の表面に
は、前記補助端子部42a′から連続する第１のスパイラ
ル導体44−１を被覆形成する。

次に、第16図（ｂ）に示すよう、絶縁性基板100の表
面に、第１のスパイラル導体44の端部が露出するよう絶
縁薄膜200−１を被覆形成する。

次に、第16図（ｃ）に示すよう、絶縁性基板100の裏
面側から側面にかけて補助端子部52a′を被覆形成する
と共に、前記絶縁薄膜200−１上に、前記補助端子部52
a′から連続し、しかも絶縁薄膜200−１を介し第１のス
パイラル導体44−１と相対向する第２のスパイラル導体
54−１を被覆形成する。

次に、第16図（ｄ）に示すよう、各スパイラル導体44
−1,54−１の端部が露出するよう絶縁薄膜200−２を被
覆形成する。

次に、第16図（ｅ）に示すよう、この絶縁薄膜200−
２上に、層間接続リード46,56を、導体44−1,54−１の
露出端部から絶縁性基板100の外周部にかけて被覆形成
する。そして、第16図（ｆ）に示すように、この層間接
続リード46,56の端部が露出するよう絶縁薄膜200−３を
被覆形成する。

次に、第16図（ｇ）に示すよう、前記絶縁薄膜200−
3,200−２を介して前記第２のスパイラル導体54−１と
相対向するよう、第１のスパイラル導体44−２を被覆形
成する。このとき、第１のスパイラル導体44−２はその
外周端部が、層間接続リード46の露出端部に接続され
る。

次に、第16図（ｈ）に示すよう、前記第１のスパイラ
ル導体44−２の内周端部と、層間接続リード56の端部と
が露出するよう、絶縁薄膜200−４を被覆形成する。そ
して、第16図（ｉ）に示すよう、前記第１のスパイラル
導体44−２と、絶縁薄膜200−４を介して相対向するよ
う、第２のスパイラル導体54−２を被覆形成する。この
とき、この第２のスパイラル導体54−２の外周端部は、
層間接続リード56の露出端部と接続されるよう形成され
る。

このような絶縁薄膜の形成工程と、スパイラル導体お
よび層間接続リードの形成工程とを、以下第16図（ｊ）
〜（ｒ）に示すように繰返して行い積層体30を形成す
る。このとき、第16図（ｑ）の工程において、基板100
の側面および裏面にかけて、層間接続リード46と連続す
る補助端子部42b′を被覆形成する。

そして、第16図（ｓ）に示す工程において、この積層
体30の片側端部に、前記補助端子部42a′,42b′,52b′
と電気的に接続される導電キャップ43a,43b,54aを嵌込
み固定する。

これにより、本実施例によれば、第16図（ｔ）に示す
よう、第１の導体40の両端に接続された入出力用の端子
42a,42bと、第２の導体50の片側端部に接続された接地
用の端子52aとが形成されることになる。

このようにして、本実施例によれば、第16図（ａ）〜
（ｓ）の製造工程を経て、第16図（ｔ）に示すような３
端子ノーマルモード型LCノイズフィルタを形成すること
ができる。

以上の構成とすることにより、本実施例によれば、前
記第３図に示すようなＬおよびＣからなる分布定数型の
等価回路をもった３端子型LC素子を得ることができ、本
実施例のLC素子を、例えばノイズフィルタとして用いる
ことにより、広帯域にわたり良好な減衰特性を発揮する
ノーマルモード型LCノイズフィルタを得ることができ
る。

なお、本実施例の積層型LC素子は、各種薄膜成形技
術、例えば蒸着法，スパッタ法，イオンプレーティング
法，気相成長法等を用いて容易に形成することができ
る。

例えば、本実施例の積層型LC素子をスパッタ法を用い
て形成する場合には、ゲートで仕切られた複数の真空チ
ャンバーを用意し、各真空チャンバー内にアルゴンガス
を封入しておく。そして、各真空チャンバー内に絶縁薄
膜200や、スパイラル導体44,54の材料に対応した母材を
用いて形成されたターゲットを設ける。そして、前記各
チャンバー内において各ターゲットは、基板100と対向
するように位置させる。ターゲットと基板100の間に
は、パターンを特定するマスクが設けられている。

前記ターゲットには、マイナス電極を介して負の直流
電圧が印加され、また基板100には、接地電極が接続さ
れている。そして、高周波電圧を、前記マイナス電極と
接地電極との間に印加することにより、ターゲットは正
イオン化されたガスの衝撃を受けてその原子または分子
を放出し、これが基板100へ向けてスパッタされ薄膜状
に付着する。このときのスパッタパターンは、マスクパ
ターンにより定められる。

従って、基板100上に絶縁薄膜200を被覆形成する薄膜
成形工程に対応した真空チャンバーと、スパイラル導体
44,54、層間接続リード46,56被覆形成工程用のチャンバ
ーとを設けておき、薄膜形成工程と、被覆形成工程とを
交互に繰返して行うことにより、実施例の積層型LC素子
を簡単に形成することができる。

なお、このような薄膜成形技術により形成された本発
明の積層型LC素子は、前記第１実施例のものに比べて、
より小型でかつ軽量なものとなる。

第７実施例 第17図には、薄膜成形技術を用い、前記第２実施例と
同じ４端子コモンモード型LCノイズフィルタを形成する
場合の好適な一例が示されている。なお前記各実施例と
対応する部材には同一符号を付しその詳細な説明は省略
する。

前記第６実施例では、第２の導体50の一端側にのみ端
子52aを設け、これをアース端子として用いる場合を例
にとり説明した。これに対し、本実施例では、第２の導
体50の両端に端子52a,52bを設け４端子型のLC素子とし
て形成したことを特徴とする。

すなわち、実施例において、第17図（ａ）〜（ｒ）の
各製造工程は、第16図に示す（ａ）〜（ｒ）の各製造工
程とほぼ同様である。

このとき、第17図（ｐ）の工程においては、スパイラ
ル導体44−3,54−３の内端部を露出するよう絶縁薄膜20
0−８が被覆形成され、さらに、同図（ｑ）の工程で
は、この絶縁薄膜200−８上に、前記露出部から基板100
の外周部へ向けて層間接続リード46,56の双方が被覆形
成される。そして、この工程においては、さらに基板10
0の側面および裏面にかけて、前記層間接続リード46,56
の端部から連続する補助端子部42b′,52b′が被覆形成
される。その後、第17図（ｒ）に示すよう、基板100上
に絶縁薄膜200−９が被覆形成される。

そして、第17図（ｓ）に示す工程において、積層体30
の側面端部に、補助端子部42a′,42b′,52a′,52b′と
電気的に接続されるキャップ43a,43b,53a,53bを取付け
固定し、同図（ｔ）に示すような４端子型LC素子を形成
する。

これにより、本実施例によれば、第８図に示すような
ＬおよびＣからなる分布定数型の等価回路をもった４端
子LC素子を得ることができ、本実施例のLC素子を、ノイ
ズフィルタとして用いることにより、広帯域にわたり良
好な減衰特性を有する４端子コモンモード型LCノイズフ
ィルタを形成することができる。

第８実施例 第18図には、薄膜成形技術を用い前記第11図に示すタ
イプのLC素子を形成する場合の好適な一例が示されてい
る。なお前記各実施例と対応する部材には同一符号を付
しその詳細な説明は省略する。

本実施例の特徴は、薄膜成形技術を用い基板100上に
第18図（ａ）〜（ｒ）の各工程順に、第１のスパイラル
導体44,絶縁薄膜200および第２のスパイラル導体54を被
覆形成していく。これにより、前記第11図に示すLC素子
と同様に、磁路を横切る層間接続リード46,56のないLC
素子を得ることができる。

なお、スパイラル導体44,54の形成工程と、絶縁薄膜2
00の形成工程等は、第16図，第17図に示す各実施例とは
ぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。

また、本実施例では、薄膜成形技術を用いて３端子型
のLC素子を形成する場合を例にとり説明したが、同様に
して、層間接続リードが磁路を横切ることがないように
形成された各種タイプのLC素子、例えは４端子コモンモ
ード型LC素子も形成することもできる。

また、このような薄膜成形技術を用いることにより、
前記各実施例のLC素子ばかりでなく、これ以外のLC素
子、例えば前記第10図、第12図〜第15図に示す積層型LC
素子も同様にして形成できることはいうまでもない。

その他の実施例 なお本発明は、前記各実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であ
る。

例えば、前記各実施例では、前記第１および第２の導
体40,50の対向幅（面積）が一定である場合を例にとり
説明したが、本発明はこれに限らず、必要に応じ第１お
よび第２のスパイラル導体44,54の対向幅（面積）を変
化させることによって、LC回路の共振点をずらし、この
減衰パターンが若干異なるLC素子をを得ることもでき
る。

また、前記各実施例、特に第１〜第３実施例では、回
路各部の接続にスルーホール33,35を用いたが、本発明
はこれに限らず、スルーホール33,35の代りに、例えば
第16図（ｓ）で示す導電キャップ43を用いてもよく、ま
た導電性のメッキ等を用いてもよい。またスルーホール
33,35、導電キャップ43,メッキ等を任意に組合せて用い
てもよい。

なお、前記導電キャップ43を用いる場合には、絶縁板
32および層間絶縁シート34のこれら導電キャップ43が嵌
込まれる場所に、層嵌接続リードを被覆形成しておき、
その接触抵抗を小さくすることが好ましい。

また、前記各実施例では、例えば第２図に示すよう積
層体30の外周面に端子42a,42b,52を被覆形成した場合を
例にとり説明したが、この端子パターンは必要に応じて
任意に形成することができる。例えば、第19図に示すよ
うに積層体30の片側端部に入出力用端子42a,42bを被覆
形成し、他端側にアース用の端子52を形成してもよい。

また、前記各実施例では、本発明の積層型LC素子をSM
Dタイプの素子として形成した場合を例にとり説明した
が、本発明はこれに限らず、例えば第20図に示すよう、
各端子42a,42b,52をピン構造としたディスクリードタイ
プの素子として形成することもできる。なお、同図
（ａ）〜（ｄ）には、ピン構造をした端子42a,42b,52の
取付け手順の一例が示されている。

また、前記第１〜第３実施例では、絶縁板32の両面に
第１および第２のスパイラル導体44,54を被覆形成した
場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限らず、各
絶縁体32の片面にのみこれら第１および第２のスパイラ
ル導体44,54を設け、これら各絶縁板32を積層すること
により積層体30を形成することもできる。

また、前記各実施例では第1,第２の導体40,50のイン
ダクタンスを大きくする場合には、例えばスパイラル導
体44,54のターン数を増やしたり、絶縁層（絶縁板30や
絶縁薄膜200）の積層数を大きくとり各導体40,50のター
ン数を大きく設定した。しかし、本発明はこれに限ら
ず、これ以外にも、例えば各スパイラル導体44,54を、
例えばFe等の通電磁性体を用いて形成したり、またこれ
ら各スパイラル導体44,54上に磁性体を接着または粉体
塗装してもよい。また、絶縁板32,絶縁薄膜200内に磁性
体を混合させる等の手法を用いることにより、そのイン
タダンスＬを増加させることもできる。

また、これ以外にも、例えば第19図に点線で示すよ
う、積層体30の中央に磁芯挿通孔70を設け、この積層体
30の表面を磁性材料で粉体塗装しあるいは磁性容器内に
収納することにより、挿通孔70を介し積層体30の周囲を
通る開磁路または閉磁路を形成してもよい。

また、必要に応じ、前記第1,第２の導体40,50の長さ
を異なる値に設定し、例えば第１の導体40を第２の導体
50より長く形成し、そのインダクタンスＬを大きく設定
することも可能である。

また、前記各実施例において、第1,第２の導体40,50
間に分布定数的に形成されるキャパシタンスの値を大き
くとる場合には、各スパイラル導体44,54,64の幅を大き
く形成し、その対向面積を拡げればよい。

また、これ以外にも、絶縁層として用いられる絶縁板
32,絶縁薄膜200として、誘電率の高いものを用いること
によっても、またこれら絶縁層の積層数を多くすること
によっても、キャパシタンスを増加させることができ
る。

また、これ以外に、例えば前記各絶縁層の厚さを薄く
することによっても、また電解コンデンサ方式を採用し
導電体をポーラス構造にすることによっても、キャパシ
タンスを増加させることができる。

また、本発明のLC素子では、例えば第２の導体50を接
地し、ノーマルモード型のフィルタとして用いる場合に
は、第１の導体40の各スパイラル導体44の幅より第２の
導体50のスパイラル導体54の幅を大きく形成することに
より、この第２のスパイラル導体54が前記第１のスパイ
ラル導体44のシールドとして機能し、各層間の磁束の洩
れと、短絡現象の発生を効果的に防止することができ
る。

また、前記各実施例においては、絶縁層として用いら
れる絶縁板32や絶縁薄膜200を、例えばセラミックスや
プラスチック等の絶縁材料を用いて形成する場合を例に
とり説明したが、必要に応じて絶縁材料として電磁波吸
収発熱体を用いることにより、ノイズフィルタとしての
高周波帯域における性能を高めることができる。

また、前記各実施例においては、本発明の積層型LC素
子のフィルタ、特にノイズフィルタとして用いた場合を
例にとり説明したが、本発明はこれに限らず、これ以外
の用途、例えば各種フィルタとしても、またバリスタ等
としても用いることができる。

また、前記各実施例においては、薄膜形成技術を用い
た場合を例にとり説明したが、必要に応じて厚膜形成技
術を用い、本発明のLC素子を形成してもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、複数の絶縁層
を積層することにより積層体を形成すると共に、所定タ
ーン数の第１のスパイラル導体を各絶縁層の層間に１つ
の層間から他の層間にかけて同方向に周回させることに
より、所定ターン数のコイルとして機能する第１の導体
を形成し、さらに前記第１の導体と絶縁層を介して相対
向するよう、所定ターン数の第２のスパイラル導体を各
絶縁層の層間に１つの層間から他の層間にかけて同方向
に周回させ第２の導体を形成するという新規な構成を採
用している。これにより、積層体という限られた空間内
でも、前記第１の導体が十分大きなインダクタンスを有
するよう形成でき、しかも絶縁層を介して相対向する第
１および第２の導体間に十分大きなキャッパシタンスを
形成することができ、小型で良好な性能を有し、しかも
安価な積層型LC素子を得ることができる。

特に、本発明によれば、第１および第２の導体間に、
絶縁層を介しキャパシタンスが分布定数的に形成される
ものと推定され、これにより従来の集中定数型ノイズフ
ィルタに比べ、侵入する各種ノイズを確実に減衰除去で
きる優れた減衰特性をもったLCノイズフィルタとして用
いることができる。

さらに本発明によれば、前記第１および第２の導体の
双方を通電導体として用いることにより、コモンモード
型ノイズフィルタとして用いることができ、また第２の
導体を接地することにより、ノーマルモード型のノイズ
フィルタとして用いることができるという効果もある。

また、前記（10），（11）に記載の発明によれば、基
板上に絶縁層および導体を膜成形技術により被覆形成す
ることができる。従って、例えば本発明を半導体製造技
術と組合せることにより、ウエハ上にICを形成する際、
同時に積層型LC素子を形成することもでき、これによ
り、本発明の積層型LC素子を各種IC内に、例えばLCフィ
ルタ等として組込み、LCフィルタ内蔵型のICを形成する
こともできるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の積層型LC素子の好適な第１実施例の
分解斜視図、 第２図は、第１図に示す積層型LC素子を組立てた状態の
斜視説明図、 第３図は、実施例のLC素子の等価回路図、 第４図は、各スパイラル導体の立体配置の説明図、 第５図は、基板表面に凹凸を設けその上にスパイラル導
体を被覆形成することにより、その実効被覆面積を大き
くとる場合の説明図、 第６図，第７図は、本発明の積層型LC素子の好適な第２
実施例の説明図、 第８図は、前記第２実施例の等価回路図、 第９図および第10図は、本発明の積層型LC素子の好適な
第３実施例の説明図、 第11図は、前記第３実施例の変形例の説明図、 第12図は、本発明の積層型LC素子の好適な第４実施例の
説明図であり、同図（Ａ）は絶縁板の表面に被覆形成さ
れた２組のインダクタ導体の説明図、同図（Ｂ）は基板
の裏面側に被覆形成された２組のキャパシタ導体の説明
図、 第13図は、前記第４実施例に示すLC素子の等価回路図、 第14図は、本発明の積層型LC素子の好適な第５実施例の
説明図であり、同図（Ａ）は、第１の導体を形成する第
１のスパイラル導体間に、その線間短絡を防止するシー
ルド導体を設けた場合の説明図、同図（Ｂ）は、同図
（Ａ）に示す第１のスパイラル導体と相対向するよう絶
縁板の裏面側に設けられた第２のスパイラル導体の説明
図、 第15図は、前記第５実施例の変形例の説明図であり、同
図（Ａ）は絶縁板の表面側に設けられた２組の第１のス
パイラル導体およびその線間に設けられたシールド導体
の説明図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）に示す２組のスパイ
ラル導体と相対向するよう絶縁板の裏面側に設けられた
２組のキャパシタ導体の説明図、 第16図（ａ）〜（ｔ）は、基板上に薄膜成形技術を用い
てスパイラル導体および絶縁薄膜を被覆形成して３端子
型LC素子を製造する工程の説明図、 第17図（ａ）〜（ｔ）は、薄膜成形技術を用いて４端子
積層型LC素子を製造する工程を示す説明図、 第18図は、薄膜成形技術を用いて前記第11図と同じタイ
プの積層型LC素子を製造する工程の説明図、 第19図は、SMDタイプの積層型LC素子に設けられた端子
位置の変形例の説明図、 第20図（ａ）〜（ｄ）は、ディスクリードタイプに形成
された積層型LC素子の一例を示す説明図、 第21図は、従来の一般的なLCノイズフィルタの一例を示
す説明図、 第22図（ａ）〜（ｆ）は、従来の積層型LC素子の製造工
程の一例を示す説明図、 第23図は、第22図に示すLC素子の等価回路図である。 30……積層体、32……絶縁板、 34……層間絶縁シート、36……層間、 40……第１の導体、42……入出力端子、 44……第１のスパイラル導体、 50……第２の導体、52……アース端子、 54……第２のスパイラル導体、 60……シールド導体、70……磁芯挿通孔、 100……基板、200……絶縁薄膜。

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の絶縁層が積層された積層体と、 前記絶縁層の１の層間から他の層間にかけて同方向に周
   回し所定ターン数のコイルを形成する第１の導体と、 前記第１の導体と絶縁層を介して相対向するように、前
   記絶縁層の１の層間から他の層間にかけて同方向に周回
   し所定ターン数のコイルを形成する第２の導体と、 を含み、 前記第１の導体は、 前記絶縁層の複数の層間に、複数の絶縁層を介して相対
   向するように配置された同一パターンの第１のスパイラ
   ル導体を含み、各層間に配置された第１のスパイラル導
   体が、１の層間から他の層間にかけて同方向に周回し前
   記所定ターン数のコイルとして機能するように接続さ
   れ、 前記第２の導体は、 前記絶縁層の複数の層間に、絶縁層を介して両側に位置
   する前記第１のスパイラル導体と相対向するように設け
   られ、前記両側の第１のスパイラル導体との間でキャパ
   シタンスを形成する第２のスパイラル導体を含み、各層
   間に配置された第２のスパイラル導体が、１の層間から
   他の層間にかけて同方向に周回し所定ターン数のコイル
   を形成するように接続されたことを特徴とする積層型LC
   ノイズフィルタ。
2. 【請求項２】請求項（１）において、 前記第２の導体は、アース端子が設けられたキャパシタ
   導体として形成され、 前記第１の導体は、その両端に入出力端子が設けられた
   インダクタ導体として形成され、 ノーマルモード型のLCノイズフィルタとして形成された
   ことを特徴とする積層型LCノイズフィルタ。
3. 【請求項３】請求項（１）において、 前記第１の導体は、互いに相隣接する少なくとも２組の
   インダクタ導体として形成され、 前記第２の導体は、絶縁層を介し前記各インダクタ導体
   と相対向し、各インダクタ導体との間でキャパシタを形
   成する少なくとも２組のキャパシタ導体として形成さ
   れ、 前記各インダクタ導体は、その両端がそれぞれ入出力端
   子に接続され、前記各キャパシタ導体は接地されること
   を特徴とする積層型LCノイズフィルタ。
4. 【請求項４】請求項（１）〜（３）のいずれかにおい
   て、 前記絶縁層の層間に、第１の導体の線間に位置して設け
   られ、第１の導体の線間短絡を防止するシールド導体を
   設けたことを特徴とする積層型LCノイズフィルタ。
5. 【請求項５】請求項（１）において、 前記第１および第２の導体は、その両端に入出力端子が
   設けられたインダクタ導体として形成されたことを特徴
   とする積層型LCノイズフィルタ。
6. 【請求項６】請求項（１）〜（５）のいずれかにおい
   て、 前記積層体は、 複数の絶縁板を絶縁層として積層したことを特徴とする
   積層型LCノイズフィルタ。
7. 【請求項７】請求項（６）において、 前記絶縁板は、 その両面に第１のスパイラル導体および第２のスパイラ
   ル導体が相対向するように設けられ、 各絶縁板は、層間絶縁層を介して積層されることを特徴
   とする積層型LCノイズフィルタ。
8. 【請求項８】請求項（１）〜（６）のいずれかにおい
   て、 前記積層体は、 表面に第１のスパイラル導体が設けらた第１の絶縁板
   と、 表面に第２のスパイラル導体が設けられた第２の絶縁板
   と、 を含み、前記第１のスパイラル導体と第２のスパイラル
   導体とが相対向するよう前記第１および第２の絶縁体を
   交互に積層したことを特徴とする積層型LCノイズフィル
   タ。
9. 【請求項９】請求項（１）〜（８）のいずれかにおい
   て、 前記絶縁層の層間に設けられた第１および第２のスパイ
   ラル導体は、 他の層間に設けられた第１および第２のスパイラル導体
   と、導電性キャップ、導電性メッキ層、または絶縁層に
   形成されたスルーホールを介して電気的に接続されるこ
   とを特徴とする積層型LCノイズフィルタ。
10. 【請求項１０】請求項（１）〜（５）のいずれかにおい
    て、 前記積層体は、 スパイラル導体の接続用の端部露出部が設けられた絶縁
    薄膜を絶縁層として積層することにより形成され、 前記第１および第２のスパイラル導体は、 前記露出部を介して次の層間の第１および第２のスパイ
    ラル導体へ接続されることを特徴とする積層型LCノイズ
    フィルタ。
11. 【請求項１１】請求項（１）〜（10）のいずれかにおい
    て、 前記第１の導体は、 絶縁層の各層間に設けられた第１のスパイラル導体が、
    他の層間に設けられた第１のスパイラル導体と、第２の
    スパイラル導体を介して相対向するよう形成されたこと
    を特徴とする積層型LCノイズフィルタ。
12. 【請求項１２】請求項（１）〜（10）のいずれかにおい
    て、 前記第１および第２の導体は、 １の層間のスパイラル導体と他の層間のスパイラル導体
    との接続導体が磁路を横切ることが無いよう形成された
    ことを特徴とする積層型LCノイズフィルタ。
13. 【請求項１３】基板上に複数の絶縁薄膜層を順次積層し
    ていく膜積層工程と、 前記各絶縁膜層の層間に、層間接続される所定ターン数
    の第１の導体および所定ターン数の第２の導体を形成す
    る導体形成工程と、 とを含み、 前記導体形成工程では、 前記絶縁膜層の複数の層間に、複数の絶縁膜層を介して
    相対向するように配置された同一パターンの第１のスパ
    イラル導体を含み、各層間に配置された第１のスパイラ
    ル導体が、１の層間から他の層間にかけて同方向に周回
    し前記所定ターン数のコイルとして機能するように接続
    されてなる第１の導体を形成すると共に、 前記絶縁層間の複数の層間に、絶縁膜層を介して両側に
    位置する前記第１のスパイラル導体と相対向するように
    設けられ、前記両側の第１のスパイラル導体との間でキ
    ャパシタンスを形成する第２のスパイラル導体を含み、
    各層間に配置された第２のスパイラル導体が、１の層間
    から他の層間にかけて同方向に周回し所定ターン数のコ
    イルとして機能するように接続されてなる前記第２の導
    体を形成することを特徴とする積層型LCノイズフィルタ
    の製造方法。