JP2997578B2 - 半導体光電変換装置 - Google Patents
半導体光電変換装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体光電変換装置に係
わり、フォトインタラプタの改良に関するもので、特に
カメラ、ＯＡ機器等に内蔵され、物体検出する場合に使
用されるものである。
わり、フォトインタラプタの改良に関するもので、特に
カメラ、ＯＡ機器等に内蔵され、物体検出する場合に使
用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の装置において、発光チップ（Ｌ
ＥＤ）と受光チップをそれぞれリードに搭載し、赤外光
に透明な樹脂で一次モールドし、これら一次モールドさ
れた発光素子と受光素子を、隙間をおき、光軸を一致さ
せ、対向させて遮光性樹脂で二次モールドし、一体化さ
れた透過型フォトインタラプタを図１２と図１３に示
す。ここで図１２（ａ）は発光素子１側の上面図、図１
２（ｂ）は同平面図、図１２（ｃ）は受光素子２側の上
面図、図１２（ｄ）は同平面図である。ここで３−１，
３−２は一次モールド樹脂、４−１，４−２はスリット
形成部（光が出入するところ）、５はリードフレーム、
９は二次モールド樹脂である。
ＥＤ）と受光チップをそれぞれリードに搭載し、赤外光
に透明な樹脂で一次モールドし、これら一次モールドさ
れた発光素子と受光素子を、隙間をおき、光軸を一致さ
せ、対向させて遮光性樹脂で二次モールドし、一体化さ
れた透過型フォトインタラプタを図１２と図１３に示
す。ここで図１２（ａ）は発光素子１側の上面図、図１
２（ｂ）は同平面図、図１２（ｃ）は受光素子２側の上
面図、図１２（ｄ）は同平面図である。ここで３−１，
３−２は一次モールド樹脂、４−１，４−２はスリット
形成部（光が出入するところ）、５はリードフレーム、
９は二次モールド樹脂である。
【０００３】図１２のものを得るには、発光素子（ＬＥ
Ｄチップ）１、受光素子（受光チップ）２をリードフレ
ーム５の所定の位置のベッド上にダイボンディング、ワ
イヤー７−１，７−２のボンディングを行ない、赤外光
に透明な樹脂３−１，３−２で、光が出入するスリット
形成部４−１，４−２をそなえた形状に一次モールドす
る。次に図１３に示すように、発光素子１と受光素子２
を、リード端子を同一方向に向けて、光軸８が一致する
ように対向させて二次モールド用の金型に設置する。こ
の二次モールド用金型は、発光素子１と受光素子２を一
つのパッケージに組み込んで遮光性の樹脂９でモールド
するためのもので、このモールドでフォトインタラプタ
１０の外囲器（パッケージ）９とスリット４−１，４−
２と被検出物通過ギャップ１１が形成される。
Ｄチップ）１、受光素子（受光チップ）２をリードフレ
ーム５の所定の位置のベッド上にダイボンディング、ワ
イヤー７−１，７−２のボンディングを行ない、赤外光
に透明な樹脂３−１，３−２で、光が出入するスリット
形成部４−１，４−２をそなえた形状に一次モールドす
る。次に図１３に示すように、発光素子１と受光素子２
を、リード端子を同一方向に向けて、光軸８が一致する
ように対向させて二次モールド用の金型に設置する。こ
の二次モールド用金型は、発光素子１と受光素子２を一
つのパッケージに組み込んで遮光性の樹脂９でモールド
するためのもので、このモールドでフォトインタラプタ
１０の外囲器（パッケージ）９とスリット４−１，４−
２と被検出物通過ギャップ１１が形成される。
【０００４】図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）は上記二次
モールド後、リードカットされた最終形状の斜視図、縦
断面図、横断面図であるが、フォトインタラプタ１０が
実装される基板１２に対し、光軸８が平行な位置関係の
パッケージ構造になっていた。１３は金型への一次モー
ルド素子セット時に素子を押さえつける穴（スリット部
４−２に樹脂９が囲り込まないように一次モールド素子
を押さえつけるピンが出入する穴）である。
モールド後、リードカットされた最終形状の斜視図、縦
断面図、横断面図であるが、フォトインタラプタ１０が
実装される基板１２に対し、光軸８が平行な位置関係の
パッケージ構造になっていた。１３は金型への一次モー
ルド素子セット時に素子を押さえつける穴（スリット部
４−２に樹脂９が囲り込まないように一次モールド素子
を押さえつけるピンが出入する穴）である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１４，図１５は従来
例の不具合を説明するためのもので、図１４（ａ）は被
検出物１４の通過検出側、図１４（ｂ）は被検出物１５
の通過とその孔１６の数を検出する例である。即ち一般
的には、フォトインタラプタ１０が基板１２に実装され
た場合、図１３の光軸８が基板１２に対して平行にな
り、被検出物１４または１５が光軸を横切って検出され
るためには、基板１２に対して被検出物１４または１５
が垂直に立って平行移動または垂直に立って円弧状の動
きをすることになる。このため機器の部品セット構成
上、被検出物が基板１２に対し垂直に位置するのではな
く、水平に位置せざるを得ない場合、従来のフォトイン
タラプタ１０の形状は不便で、図１５の如くユーザ側で
インタラプタ１０を横寝せ（光軸を基板に対し垂直）に
して使わざるを得ない。そのため余分なスペースを確保
してインタラプタ１０用に別基板１７を設けたり、フレ
キシブル基板（基板１７がフレキシブルの場合）に半田
実装して引き廻したりしていた。１８は被検出物１４の
移動方向を示す記号である。
例の不具合を説明するためのもので、図１４（ａ）は被
検出物１４の通過検出側、図１４（ｂ）は被検出物１５
の通過とその孔１６の数を検出する例である。即ち一般
的には、フォトインタラプタ１０が基板１２に実装され
た場合、図１３の光軸８が基板１２に対して平行にな
り、被検出物１４または１５が光軸を横切って検出され
るためには、基板１２に対して被検出物１４または１５
が垂直に立って平行移動または垂直に立って円弧状の動
きをすることになる。このため機器の部品セット構成
上、被検出物が基板１２に対し垂直に位置するのではな
く、水平に位置せざるを得ない場合、従来のフォトイン
タラプタ１０の形状は不便で、図１５の如くユーザ側で
インタラプタ１０を横寝せ（光軸を基板に対し垂直）に
して使わざるを得ない。そのため余分なスペースを確保
してインタラプタ１０用に別基板１７を設けたり、フレ
キシブル基板（基板１７がフレキシブルの場合）に半田
実装して引き廻したりしていた。１８は被検出物１４の
移動方向を示す記号である。
【０００６】図１６〜図１９は、受光素子２が、シュミ
ット回路を含む受光ＩＣチップの場合の従来例である。
即ち受光ＩＣチップでは、物体の通過検出をオン，オフ
（論理値）判定で行なう。つまり物体の通過検出したこ
とを一方の論理に対応させ、通過非検出を他方の論理に
対応させる判定を行なうが、この判定に、シュミット回
路などによりヒステリシス特性をもたせておくと、上記
検出、非検出間のチャンタリングが防止できる。
ット回路を含む受光ＩＣチップの場合の従来例である。
即ち受光ＩＣチップでは、物体の通過検出をオン，オフ
（論理値）判定で行なう。つまり物体の通過検出したこ
とを一方の論理に対応させ、通過非検出を他方の論理に
対応させる判定を行なうが、この判定に、シュミット回
路などによりヒステリシス特性をもたせておくと、上記
検出、非検出間のチャンタリングが防止できる。
【０００７】図１６（ａ）は発光素子１側の上面図、図
１６（ｂ）は同平面図、図１６（ｃ）は受光素子（受光
ＩＣチップ）２側の上面図、図１６（ｄ）は同平面図で
ある。図１７（ａ），（ｂ），（ｃ）は二次モールド
後、リードカットされた最終形状の斜視図、縦断面図、
横断面図である。図１８，図１９はこの従来例の不具合
点の説明図である。
１６（ｂ）は同平面図、図１６（ｃ）は受光素子（受光
ＩＣチップ）２側の上面図、図１６（ｄ）は同平面図で
ある。図１７（ａ），（ｂ），（ｃ）は二次モールド
後、リードカットされた最終形状の斜視図、縦断面図、
横断面図である。図１８，図１９はこの従来例の不具合
点の説明図である。
【０００８】図１２〜図１５の従来例と図１６〜図１９
の従来例の相異点は、後者の従来例では受光側に３本の
リード５が必要であり、これらリード５と受光ＩＣチッ
プ２の主表面間をつなぐボンディングワイヤ７−２も３
本必要となる点であるが、欠点は、前者の従来例と同様
である。
の従来例の相異点は、後者の従来例では受光側に３本の
リード５が必要であり、これらリード５と受光ＩＣチッ
プ２の主表面間をつなぐボンディングワイヤ７−２も３
本必要となる点であるが、欠点は、前者の従来例と同様
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段と作用】そこで本発明の目
的は、フォトインタラプタの実装基板に対し、光軸を垂
直にして簡単に実装できる半導体光電変換装置を提供す
ることにある。
的は、フォトインタラプタの実装基板に対し、光軸を垂
直にして簡単に実装できる半導体光電変換装置を提供す
ることにある。
【００１０】本発明は、発光素子、受光素子と、これら
各素子を、これら各素子間の光軸を一致させた状態でそ
れぞれ搭載する第１，第２のリード、及び前記各素子に
それぞれ電気的に接続する第３，第４のリードと、前記
各素子を、これら各素子間に被検出物体が通過可能にそ
れぞれ被覆する透明性樹脂と、該樹脂及び前記第１ない
し第４のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有した
フォトインタラプタと；該フォトインタラプタを、前記
光軸がフォトインタラプタ取付面に交差する方向に取り
付けるフォトインタラプタ取付体とを具備したことを特
徴としている。また本発明は、発光素子、受光素子と、
これら各素子を、これら各素子間の光軸を一致させた状
態でそれぞれ搭載する第１及び第２のリード、前記各素
子にそれぞれ電気的に接続された第３及び第４，第５の
リードと、前記各素子を、これら各素子間に被検出物体
が通過可能にそれぞれ被覆する透明性樹脂と、該樹脂及
び前記第１ないし第５のリードの一部を被覆する遮光性
樹脂とを有したフォトインタラプタと；該フォトインタ
ラプタを、前記光軸がフォトインタラプタ取付面に交差
する方向に取り付けるフォトインタラプタ取付体とを具
備したことを特徴としている。
各素子を、これら各素子間の光軸を一致させた状態でそ
れぞれ搭載する第１，第２のリード、及び前記各素子に
それぞれ電気的に接続する第３，第４のリードと、前記
各素子を、これら各素子間に被検出物体が通過可能にそ
れぞれ被覆する透明性樹脂と、該樹脂及び前記第１ない
し第４のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有した
フォトインタラプタと；該フォトインタラプタを、前記
光軸がフォトインタラプタ取付面に交差する方向に取り
付けるフォトインタラプタ取付体とを具備したことを特
徴としている。また本発明は、発光素子、受光素子と、
これら各素子を、これら各素子間の光軸を一致させた状
態でそれぞれ搭載する第１及び第２のリード、前記各素
子にそれぞれ電気的に接続された第３及び第４，第５の
リードと、前記各素子を、これら各素子間に被検出物体
が通過可能にそれぞれ被覆する透明性樹脂と、該樹脂及
び前記第１ないし第５のリードの一部を被覆する遮光性
樹脂とを有したフォトインタラプタと；該フォトインタ
ラプタを、前記光軸がフォトインタラプタ取付面に交差
する方向に取り付けるフォトインタラプタ取付体とを具
備したことを特徴としている。
【００１１】即ち本発明は、パッケージの樹脂内でリー
ド形状を工夫することにより、フォトインタラプタの実
装基板に対し光軸を垂直にして簡単に実装でき、かつ図
１５，図１９の別基板１７等を用いる必要をなくし、実
装スペースの縮小化も可能とした形状で、前記基板に対
し平行化された状態で移動してくる被検出物を容易に検
出できるようにしたものである。
ド形状を工夫することにより、フォトインタラプタの実
装基板に対し光軸を垂直にして簡単に実装でき、かつ図
１５，図１９の別基板１７等を用いる必要をなくし、実
装スペースの縮小化も可能とした形状で、前記基板に対
し平行化された状態で移動してくる被検出物を容易に検
出できるようにしたものである。
【００１２】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１（ａ）は同実施例の斜視図、図１（ｂ）は同断
面図、図１（ｃ）は同正面図である。図２は図１の実施
例の１次モールド後の構成で、図２（ａ）は同構成の発
光側の上面図、図２（ｂ）は同平面図、図２（ｃ）は受
光側の上面図、図２（ｄ）は同平面図である。これら図
において前記従来例と対応する箇所には同一符号を用い
る。５−１，５−２は発光素子１、受光素子２間の光軸
８を一致させた状態でそれぞれ搭載するリード、５−
３，５−４は素子１，２にそれぞれワイヤボンディング
で接続されたリードである。リード５−１〜５−４は、
はじめはリードフレーム５として一体化されている。リ
ード５−２，５−４間の末端側の間隔（例えば３．８１
mm）２１はリード５−１，５−３間の末端側の間隔（例
えば１．２７mm）２２より大で、リード５−２，５−４
は遮光性樹脂９内で、第１図（ｂ）の如く下方にフォー
ミングされ、リード５−１〜５−４はインタプラグ取付
基板１２の表面に沿い、樹脂９の表面の同方向から取り
出されている。またリード５−１〜５−４はその末端付
近で基板１２面に沿うようにフォーミングされ、インタ
ラプタ１０と共に基板面に取着されている。
る。図１（ａ）は同実施例の斜視図、図１（ｂ）は同断
面図、図１（ｃ）は同正面図である。図２は図１の実施
例の１次モールド後の構成で、図２（ａ）は同構成の発
光側の上面図、図２（ｂ）は同平面図、図２（ｃ）は受
光側の上面図、図２（ｄ）は同平面図である。これら図
において前記従来例と対応する箇所には同一符号を用い
る。５−１，５−２は発光素子１、受光素子２間の光軸
８を一致させた状態でそれぞれ搭載するリード、５−
３，５−４は素子１，２にそれぞれワイヤボンディング
で接続されたリードである。リード５−１〜５−４は、
はじめはリードフレーム５として一体化されている。リ
ード５−２，５−４間の末端側の間隔（例えば３．８１
mm）２１はリード５−１，５−３間の末端側の間隔（例
えば１．２７mm）２２より大で、リード５−２，５−４
は遮光性樹脂９内で、第１図（ｂ）の如く下方にフォー
ミングされ、リード５−１〜５−４はインタプラグ取付
基板１２の表面に沿い、樹脂９の表面の同方向から取り
出されている。またリード５−１〜５−４はその末端付
近で基板１２面に沿うようにフォーミングされ、インタ
ラプタ１０と共に基板面に取着されている。
【００１３】図３は本発明の他の実施例で、図３（ａ）
は斜視図、図３（ｂ）は同断面図である。リード５−
２，５−４は樹脂９内でフォーミングされ樹脂９の一方
から外部へ導出され、リード５−１，５−３は樹脂９の
他方から外部へ導出されている。リード５−１と５−３
の間隔２２、リード５−２と５−４の間隔２１は図２の
ままでもよいが、いずれか一方に統一してもよい。リー
ド５−１〜５−４の樹脂外部でのフォーミング及び基板
１２への取付は前実施例と同様である。
は斜視図、図３（ｂ）は同断面図である。リード５−
２，５−４は樹脂９内でフォーミングされ樹脂９の一方
から外部へ導出され、リード５−１，５−３は樹脂９の
他方から外部へ導出されている。リード５−１と５−３
の間隔２２、リード５−２と５−４の間隔２１は図２の
ままでもよいが、いずれか一方に統一してもよい。リー
ド５−１〜５−４の樹脂外部でのフォーミング及び基板
１２への取付は前実施例と同様である。
【００１４】図４（ａ）は図１，図２の構成を得る方法
を示す。まず発光素子１，受光素子２をリード５−１，
５−２の所定位置にダイボンディング、ワイヤボンディ
ングし、赤外光に透明な樹脂３−１，３−２で一次モー
ルドする。このとき後の二次モールドでＬＥＤ光が出入
するスリットを形成できるように所望の一次モールドす
る。インナーリード部がフォーミングされた発光、受光
側は図４（ａ）の如く金型３１に設置され、ピン３２，
３３で一次モールド体３−１，３−２が相近づく方向に
押しつけられた状態で遮光性樹脂９の二次モールドが行
われる。この場合はリード５−１〜５−４はその隣接相
互間が等ピッチになるように同列に並べられ外部に取り
出されており、かつ外部でも面実装しやすいようにフォ
ーミングされている。
を示す。まず発光素子１，受光素子２をリード５−１，
５−２の所定位置にダイボンディング、ワイヤボンディ
ングし、赤外光に透明な樹脂３−１，３−２で一次モー
ルドする。このとき後の二次モールドでＬＥＤ光が出入
するスリットを形成できるように所望の一次モールドす
る。インナーリード部がフォーミングされた発光、受光
側は図４（ａ）の如く金型３１に設置され、ピン３２，
３３で一次モールド体３−１，３−２が相近づく方向に
押しつけられた状態で遮光性樹脂９の二次モールドが行
われる。この場合はリード５−１〜５−４はその隣接相
互間が等ピッチになるように同列に並べられ外部に取り
出されており、かつ外部でも面実装しやすいようにフォ
ーミングされている。
【００１５】図４（ｂ）は図３の構成を得る方法で、図
４（ａ）と異なる点は、リード５−１，５−３と５−
２，５−３とが互いに逆方向に導出されるように金型３
１内の配置を行う点である。
４（ａ）と異なる点は、リード５−１，５−３と５−
２，５−３とが互いに逆方向に導出されるように金型３
１内の配置を行う点である。
【００１６】図５は本発明の更に異なる実施例で、アウ
ターリードがフォーミングされないで平面実装される場
合を示す。この場合インタラプタ１０は基板１２の穴４
１内に嵌合されている。図５はリードを一方のみから取
り出す場合の実施例と、一方、他方の双方から取り出す
場合の実施例との両方を示している。
ターリードがフォーミングされないで平面実装される場
合を示す。この場合インタラプタ１０は基板１２の穴４
１内に嵌合されている。図５はリードを一方のみから取
り出す場合の実施例と、一方、他方の双方から取り出す
場合の実施例との両方を示している。
【００１７】図６は本発明の更に異なる実施例で、アウ
ターリードを基板１２の孔に挿通して半田５１で接続を
行って実装される場合である。この図６もリードを樹脂
９の一方のみから取り出す場合と、一方、他方の双方か
ら取り出す場合の実施例の両方を示している。
ターリードを基板１２の孔に挿通して半田５１で接続を
行って実装される場合である。この図６もリードを樹脂
９の一方のみから取り出す場合と、一方、他方の双方か
ら取り出す場合の実施例の両方を示している。
【００１８】以上説明した如き実施例によれば、基板１
２の実装取付面に対し、光軸８を垂直にして実装できる
構造のフォトインタラプタ１０を、部品点数の削減、実
装スペースの縮小化を図った状態で実現できるものであ
る。図７〜図１１は、受光素子２が、シュミット回路を
含む受光ＩＣチップの場合の実施例で、図１６〜図１９
の従来例を改良したものである。
２の実装取付面に対し、光軸８を垂直にして実装できる
構造のフォトインタラプタ１０を、部品点数の削減、実
装スペースの縮小化を図った状態で実現できるものであ
る。図７〜図１１は、受光素子２が、シュミット回路を
含む受光ＩＣチップの場合の実施例で、図１６〜図１９
の従来例を改良したものである。
【００１９】図７（ａ）は同実施例の斜視図、図７
（ｂ）は同断面図、図７（ｃ）は同正面図である。図８
は図７の実施例の一次モールド後の構成で、図８（ａ）
は同構成の発光側の上面図、図８（ｂ）は同平面図、図
８（ｃ）は受光側の上面図、図８（ｄ）は同平面図であ
る。これら図において前記実施例と対応する箇所には同
一符号を用いる。５−１，５−２は発光素子１、受光素
子（受光ＩＣチップ）２間の光軸８を一致させた状態で
それぞれ搭載するリード、５−３，５−４，５−５は素
子１，２にそれぞれワイヤボンディングで接続されたリ
ードである。リード５−２，５−４，５−５と受光素子
２の主表面間をつなぐボンディングワイヤ７−２が３本
必要となる点等は図１６〜図１９の従来例の場合と同様
である。リード５−１〜５−５は、はじめにリードフレ
ームとして一体化されている。リード５−２，５−５間
の末端側の間隔（例えば１．６mm）２１はリード５−
１，５−３間の末端側の間隔（例えば３．２０mm) ２２
より小で、リード５−２，５−４，５−５は遮光性樹脂
９内で、図７（ｂ）の如く下方にフォーミングされ、リ
ード５−１〜５−５はインタラプタ取付基板１２の表面
に沿い、樹脂９の表面の同方向から取り出されている。
またリード５−１〜５−５はその末端付近で基板１２面
に沿うようにフォーミングされ、インタラプタ１０の下
面と共に基板面に取着されている。
（ｂ）は同断面図、図７（ｃ）は同正面図である。図８
は図７の実施例の一次モールド後の構成で、図８（ａ）
は同構成の発光側の上面図、図８（ｂ）は同平面図、図
８（ｃ）は受光側の上面図、図８（ｄ）は同平面図であ
る。これら図において前記実施例と対応する箇所には同
一符号を用いる。５−１，５−２は発光素子１、受光素
子（受光ＩＣチップ）２間の光軸８を一致させた状態で
それぞれ搭載するリード、５−３，５−４，５−５は素
子１，２にそれぞれワイヤボンディングで接続されたリ
ードである。リード５−２，５−４，５−５と受光素子
２の主表面間をつなぐボンディングワイヤ７−２が３本
必要となる点等は図１６〜図１９の従来例の場合と同様
である。リード５−１〜５−５は、はじめにリードフレ
ームとして一体化されている。リード５−２，５−５間
の末端側の間隔（例えば１．６mm）２１はリード５−
１，５−３間の末端側の間隔（例えば３．２０mm) ２２
より小で、リード５−２，５−４，５−５は遮光性樹脂
９内で、図７（ｂ）の如く下方にフォーミングされ、リ
ード５−１〜５−５はインタラプタ取付基板１２の表面
に沿い、樹脂９の表面の同方向から取り出されている。
またリード５−１〜５−５はその末端付近で基板１２面
に沿うようにフォーミングされ、インタラプタ１０の下
面と共に基板面に取着されている。
【００２０】図９は本発明の他の実施例で、図９（ａ）
は斜視図、図９（ｂ）は同断面図である。リード５−
２，５−４，５−５は樹脂９内でフォーミングされ樹脂
９の一方から外部へ導出され、リード５−１，５−３は
樹脂９の他方から外部へ導出されている。リード５−１
と５−３の間隔２２、リード５−２と５−５の間隔２１
は図８のままでもよいが、いずれか一方に統一してもよ
い。リード５−１〜５−５の樹脂外部でのフォーミング
及び基板１２への取り付けは前実施例と同様である。
は斜視図、図９（ｂ）は同断面図である。リード５−
２，５−４，５−５は樹脂９内でフォーミングされ樹脂
９の一方から外部へ導出され、リード５−１，５−３は
樹脂９の他方から外部へ導出されている。リード５−１
と５−３の間隔２２、リード５−２と５−５の間隔２１
は図８のままでもよいが、いずれか一方に統一してもよ
い。リード５−１〜５−５の樹脂外部でのフォーミング
及び基板１２への取り付けは前実施例と同様である。
【００２１】図１０は本発明の更に異なる実施例で、ア
ウターリードがフォーミングされないで平面実装される
場合を示す。この場合インタラプタ１０は基板１２の穴
４１内に嵌合されている。図１０はリードを一方からの
み取り出す場合の実施例と、一方、他方の双方から取り
出す場合の実施例との両方を示している。
ウターリードがフォーミングされないで平面実装される
場合を示す。この場合インタラプタ１０は基板１２の穴
４１内に嵌合されている。図１０はリードを一方からの
み取り出す場合の実施例と、一方、他方の双方から取り
出す場合の実施例との両方を示している。
【００２２】図１１は本発明の更に異なる実施例で、ア
ウターリードを基板１２の孔に挿通して半田５１で接続
を行って実装される場合である。この図１１もリードを
樹脂９の一方のみから取り出す場合と、一方、他方の双
方から取り出す場合の実施例の両方を示している。
ウターリードを基板１２の孔に挿通して半田５１で接続
を行って実装される場合である。この図１１もリードを
樹脂９の一方のみから取り出す場合と、一方、他方の双
方から取り出す場合の実施例の両方を示している。
【００２３】なお、本発明は実施例のみに限られること
無く、種々の応用が可能である。例えば、図８（ａ）〜
（ｄ）において、リード５−１、５−３間の間隔は図の
ようには広げず、リード５−２、５−５間の間隔を図の
ものより広くすることにより、リード５−２、５−５間
の間隔をリード５−１、５−３間の間隔より大として、
樹脂内で少なくともリード５−１、５−３とリード５−
２、５−４、５−５との一方をフォーミングして遮光性
樹脂の表面の同方向から、リード５−１〜５−５を、フ
ォトインタラプタ取付体の表面に沿って同列状に並べて
外部へ取り出すようにしてもよい。この場合例えば、リ
ード５−１はリード５−５、５−４間に配置され、リー
ド５−３はリード５−４、５−２間に配置される。
無く、種々の応用が可能である。例えば、図８（ａ）〜
（ｄ）において、リード５−１、５−３間の間隔は図の
ようには広げず、リード５−２、５−５間の間隔を図の
ものより広くすることにより、リード５−２、５−５間
の間隔をリード５−１、５−３間の間隔より大として、
樹脂内で少なくともリード５−１、５−３とリード５−
２、５−４、５−５との一方をフォーミングして遮光性
樹脂の表面の同方向から、リード５−１〜５−５を、フ
ォトインタラプタ取付体の表面に沿って同列状に並べて
外部へ取り出すようにしてもよい。この場合例えば、リ
ード５−１はリード５−５、５−４間に配置され、リー
ド５−３はリード５−４、５−２間に配置される。
【００２４】
【発明の効果】以上説明した如く本発明によれば、実装
取付面に対し、光軸を垂直にして実装できる構造のフォ
トインタラプタを、部品点数の削減、実装スペースの縮
小化を図った状態で実現できるものである。
取付面に対し、光軸を垂直にして実装できる構造のフォ
トインタラプタを、部品点数の削減、実装スペースの縮
小化を図った状態で実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例の構成図。
【図２】本発明の一実施例の構成図。
【図３】本発明の他の実施例の構成図。
【図４】上記各実施例の製造方法を示す断面図。
【図５】本発明の更に異なる実施例の断面図。
【図６】本発明の更に異なる実施例の断面図。
【図７】本発明の更に異なる実施例の構成図。
【図８】本発明の更に異なる実施例の構成図。
【図９】本発明の更に異なる実施例の構成図。
【図１０】本発明の更に異なる実施例の断面図。
【図１１】本発明の更に異なる実施例の断面図。
【図１２】従来のインタラプタの構成図。
【図１３】従来のインタラプタの構成図。
【図１４】従来のフォトインタラプタの動作、構成説明
図。
図。
【図１５】従来のフォトインタラプタの動作、構成説明
図。
図。
【図１６】従来のインタラプタの構成図。
【図１７】従来のインタラプタの構成図。
【図１８】従来のフォトインタラプタの動作、構成説明
図。
図。
【図１９】従来のフォトインタラプタの動作、構成説明
図。
図。
１…発光素子、２…受光素子、３−１，３−２…透明モ
ールド樹脂、４−１，４−２…スリット、５−１〜５−
５…リード、８…光軸、９…遮光モールド樹脂、１０…
フォトインタラプタ、１１…被検出物通過ギャップ、１
２…基板（取付体）。
ールド樹脂、４−１，４−２…スリット、５−１〜５−
５…リード、８…光軸、９…遮光モールド樹脂、１０…
フォトインタラプタ、１１…被検出物通過ギャップ、１
２…基板（取付体）。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−167491（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−245116（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−229883（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−24079（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−72869（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭54−103763（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭51−92060（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−90462（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/12
Claims (16)
- 【請求項１】発光素子、受光素子と、これら各素子を、
これら各素子間の光軸を一致させた状態でそれぞれ搭載
する第１，第２のリード、及び前記各素子にそれぞれ電
気的に接続された第３，第４のリードと、前記各素子
を、これら各素子間に被検出物体が通過可能にそれぞれ
被覆する透明性樹脂と、該樹脂及び前記第１ないし第４
のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有したフォト
インタラプタと；該フォトインタラプタを、前記光軸が
フォトインタラプタ取付面に交差する方向に取付けるフ
ォトインタラプタ取付体とを具備し；樹脂内で少なくと
も第１，第３のリードと第２，第４のリードとの一方を
フォーミングして遮光性樹脂の表面の同方向から、第１
ないし第４のリードを、フォトインタラプタ取付体の表
面に沿って同列状に並べて外部へ取り出したことを特徴
とする半導体光電変換装置。 - 【請求項２】発光素子、受光素子と、これら各素子を、
これら各素子間の光軸を一致させた状態でそれぞれ搭載
する第１，第２のリード、及び前記各素子にそれぞれ電
気的に接続された第３，第４のリードと、前記各素子
を、これら各素子間に被検出物体が通過可能にそれぞれ
被覆する透明性樹脂と、該樹脂及び前記第１ないし第４
のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有したフォト
インタラプタと；該フォトインタラプタを、前記光軸が
フォトインタラプタ取付面に交差する方向に取り付ける
フォトインタラプタ取付体とを具備し；第１，第３のリ
ード間の間隔と第２，第４のリード間の間隔との一方を
他方より大として、樹脂内で少なくとも第１，第３のリ
ードと第２，第４のリードとの一方をフォーミングして
遮光性樹脂の表面の同方向から、第１ないし第４のリー
ドを、フォトインタラプタ取付体の表面に沿って同列状
に並べて外部へ取り出したことを特徴とする半導体光電
変換装置。 - 【請求項３】発光素子、受光素子と、これら各素子を、
これら各素子間の光軸を一致させた状態でそれぞれ搭載
する第１，第２のリード、及び前記各素子にそれぞれ電
気的に接続された第３，第４のリードと、前記各素子
を、これら各素子間に被検出物体が通過可能にそれぞれ
被覆する透明性樹脂と、該樹脂及び前記第１ないし第４
のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有したフォト
インタラプタと；該フォトインタラプタを、前記光軸が
フォトインタラプタ取付面に交差する方向に取り付ける
フォトインタラプタ取付体とを具備し；樹脂内で少なく
とも第１，第３のリードと第２，第４のリードとの一方
をフォーミングして、遮光性樹脂の表面の一方から第
１，第３のリードを、遮光性樹脂の表面の他方から第
２，第４のリードを、外部へ取り出したことを特徴とす
る半導体光電変換装置。 - 【請求項４】前記第１ないし第４のリードの先端側は、
遮光性樹脂の外部でフォトインタラプタ取付体の取付面
に平行になるようにフォーミングされている請求項１な
いし３のいずれか１項に記載の半導体光電変換装置。 - 【請求項５】前記第１ないし第４のリードの先端側は、
遮光性樹脂の外側でフォトインタラプタ取付体の取付面
側の表面に交差した状態で接続された請求項１ないし３
のいずれか１項に記載の半導体光電変換装置。 - 【請求項６】前記フォトインタラプタ取付体には、その
取付面側の表面に第１ないし第４のリードが平行状態で
取り付けられるまでフォトインタラプタが挿入される穴
を有した請求項１または３に記載の半導体光電変換装
置。 - 【請求項７】前記透明性樹脂は、少なくとも赤外光に対
し透明性を有するものである請求項１ないし３のいずれ
か１項に記載の半導体光電変換装置。 - 【請求項８】発光素子、受光素子と、これら各素子を、
これら各素子間の光軸を一致させた状態でそれぞれ搭載
する第１及び第２のリード、前記各素子にそれぞれ電気
的に接続された第３及び第４，第５のリードと、前記各
素子を、これら各素子間に被検出物体が、通過可能にそ
れぞれ被覆する透明性樹脂と、該樹脂及び前記第１ない
し第５のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有した
フォトインタラプタと；該フォトインタラプタを、前記
光軸がフォトインタラプタ取付面に交差する方向に取り
付けるフォトインタラプタ取付体とを具備し；樹脂内で
少なくとも第１，第３のリードと第２，第４，第５のリ
ードとの一方をフォーミングして遮光性樹脂の表面の同
方向から、第１ないし第５のリードを、フォトインタラ
プタ取付体の表面に沿って同列状に並べて外部へ取り出
したことを特徴とする半導体光電変換装置。 - 【請求項９】発光素子、受光素子と、これら各素子を、
これら各素子間の光軸を一致させた状態でそれぞれ搭載
する第１及び第２のリード、前記各素子にそれぞれ電気
的に接続された第３及び第４，第５のリードと、前記各
素子を、これら各素子間に被検出物体が通過可能にそれ
ぞれ被覆する透明性樹脂と、該樹脂及び前記第１ないし
第５のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有したフ
ォトインタラプタと；該フォトインタラプタを、前記光
軸がフォトインタラプタ取付面に交差する方向に取り付
けるフォトインタラプタ取付体とを具備し；第１，第３
のリード間の間隔を第２，第５のリード間の間隔より大
として、樹脂内で少なくとも第１，第３のリードと第
２，第４，第５のリードとの一方をフォーミングして遮
光性樹脂の表面の同方向から、第１ないし第５のリード
を、フォトインタラプタ取付体の表面に沿って同列状に
並べて外部へ取り出したことを特徴とする半導体光電変
換装置。 - 【請求項１０】発光素子、受光素子と、これら各素子
を、これら各素子間の光軸を一致させた状態でそれぞれ
搭載する第１及び第２のリード、前記各素子にそれぞれ
電気的に接続された第３及び第４，第５のリードと、前
記各素子を、これら各素子間に被検出物体が通過可能に
それぞれ被覆する透明性樹脂と、該樹脂及び前記第１な
いし第５のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有し
たフォトインタラプタと；該フォトインタラプタを、前
記光軸がフォトインタラプタ取付面に交差する方向に取
り付けるフォトインタラプタ取付体とを具備し；樹脂内
で少なくとも第１，第３のリードと第２，第４のリード
との一方をフォーミングして、遮光性樹脂の表面の一方
から第１，第３のリードを、遮光性樹脂の表面の他方か
ら第２，第４，第５のリードを、外部へ取り出したこと
を特徴とする半導体光電変換装置。 - 【請求項１１】前記第１ないし第５のリードの先端側
は、遮光性樹脂の外部でフォトインタラプタ取付体の取
付面に平行になるようにフォーミングされている請求項
８ないし１０のいずれか１項に記載の半導体光電変換装
置。 - 【請求項１２】前記第１ないし第５のリードの先端側
は、遮光性樹脂の外側でフォトインタラプタ取付体の取
付面側の表面に交差した状態で接続された請求項８ない
し１０のいずれか１項に記載の半導体光電変換装置。 - 【請求項１３】前記フォトインタラプタ取付体には、そ
の取付面側の表面に第１ないし第５のリードが平行状態
で取り付けられるまでフォトインタラプタが挿入される
穴を有した請求項８または１０に記載の半導体光電変換
装置。 - 【請求項１４】前記透明性樹脂は、少なくとも赤外光に
対し透明性を有するものである請求項８ないし１０のい
ずれか１項に記載の半導体光電変換装置。 - 【請求項１５】前記受光素子は、シュミット回路を含む
受光ＩＣチップである請求項８ないし１０のいずれか１
項に記載の半導体光電変換装置。 - 【請求項１６】発光素子、受光素子と、これら各素子
を、これら各素子間の光軸を一致させた状態でそれぞれ
搭載する第１及び第２のリード、前記各素子にそれぞれ
電気的に接続された第３及び第４，第５のリードと、前
記各素子を、これら各素子間に被検出物体が通過可能に
それぞれ被覆する透明性樹脂と、該樹脂及び前記第１な
いし第５のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有し
たフォトインタラプタと；該フォトインタラプタを、前
記光軸がフォトインタラプタ取付面に交差する方向に取
り付けるフォトインタラプタ取付体とを具備し；第２，
第５のリード間の間隔を第１，第３のリード間の間隔よ
り大として、樹脂内で少なくとも第１，第３のリードと
第２，第４，第５のリードとの一方をフォーミングして
遮光性樹脂の表面の同方向から、第１ないし第５のリー
ドを、フォトインタラプタ取付体の表面に沿って同列状
に並べて外部へ取り出したことを特徴とする半導体光電
変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23952691A JP2997578B2 (ja) | 1990-11-13 | 1991-09-19 | 半導体光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30678490 | 1990-11-13 | ||
| JP2-306784 | 1990-11-13 | ||
| JP23952691A JP2997578B2 (ja) | 1990-11-13 | 1991-09-19 | 半導体光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521834A JPH0521834A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2997578B2 true JP2997578B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=26534292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23952691A Expired - Fee Related JP2997578B2 (ja) | 1990-11-13 | 1991-09-19 | 半導体光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2997578B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4611472B2 (ja) * | 1999-08-04 | 2011-01-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 投受光装置 |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP23952691A patent/JP2997578B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521834A (ja) | 1993-01-29 |
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|---|---|---|---|
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