JP2992380B2 - ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法 - Google Patents
ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ビアホールメタライズ
を有するセラミック焼結体の製造方法に関し、更に詳し
く言えば、ストレート状ビアホール内にのみ泥漿が充填
でき、導電性及び気密性に優れ、且つ焼成条件の厳密な
調整が必要ない、ビアホールメタライズを有するセラミ
ック焼結体の製造方法に関するものである。本発明は、
セラミック基板に設けられたビアホールのメタライズを
中継して、LSIと外部回路との間の電気的接続をとる
LSI搭載用基板等に利用される。
を有するセラミック焼結体の製造方法に関し、更に詳し
く言えば、ストレート状ビアホール内にのみ泥漿が充填
でき、導電性及び気密性に優れ、且つ焼成条件の厳密な
調整が必要ない、ビアホールメタライズを有するセラミ
ック焼結体の製造方法に関するものである。本発明は、
セラミック基板に設けられたビアホールのメタライズを
中継して、LSIと外部回路との間の電気的接続をとる
LSI搭載用基板等に利用される。
【0002】
【従来の技術】ビアホールメタライズを有するセラミッ
ク焼結体の製造方法としては、例えば、ガラスセラミッ
クとCuメタライズを組み合わせた基板において、Cu
メタライズの出発原料にCuO若しくはCu、又はCu
OとCuの混合物、あるいはCuOとCu2 Oの混合物
を使用し、一度大気中で脱バインダー焼成をしてシート
に含まれる有機バインダー成分を焼失させ、更に還元焼
成工程を通して、CuOをCuに還元してから中性雰囲
気中で焼成する方法が知られている。また、ストレート
状のビアホールを有するセラミック基板の製造方法とし
ては、パンチングによりビアホールを開孔し、次いでビ
アホール中へCuペーストを埋め込んだシートを所定の
枚数分積層し、焼成して、所定の板厚の基板を製造する
方法も知られている。
ク焼結体の製造方法としては、例えば、ガラスセラミッ
クとCuメタライズを組み合わせた基板において、Cu
メタライズの出発原料にCuO若しくはCu、又はCu
OとCuの混合物、あるいはCuOとCu2 Oの混合物
を使用し、一度大気中で脱バインダー焼成をしてシート
に含まれる有機バインダー成分を焼失させ、更に還元焼
成工程を通して、CuOをCuに還元してから中性雰囲
気中で焼成する方法が知られている。また、ストレート
状のビアホールを有するセラミック基板の製造方法とし
ては、パンチングによりビアホールを開孔し、次いでビ
アホール中へCuペーストを埋め込んだシートを所定の
枚数分積層し、焼成して、所定の板厚の基板を製造する
方法も知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記前者の製
造方法では、Cuの酸化及び還元による体積変動が生じ
るため、セラミックやメタライズにクラックが発生し、
そのため、メタライズ原料粉末を粒度配合したり、種々
の添加物を混合する必要があった。また、上記後者の製
造方法では、シートを積層した際のビアホールの位置ず
れ及びシート積層面でのCuペーストの接続性の低下、
更にはビアホール内へのCuペースト充填量の調整が必
要となり、過度に充填すると脱バインダー焼成工程でC
uが酸化したときの体積膨張によるセラミックのクラッ
クが発生し、逆に充填量が不足すると気密性の低下や導
通不良が発生するという問題があった。
造方法では、Cuの酸化及び還元による体積変動が生じ
るため、セラミックやメタライズにクラックが発生し、
そのため、メタライズ原料粉末を粒度配合したり、種々
の添加物を混合する必要があった。また、上記後者の製
造方法では、シートを積層した際のビアホールの位置ず
れ及びシート積層面でのCuペーストの接続性の低下、
更にはビアホール内へのCuペースト充填量の調整が必
要となり、過度に充填すると脱バインダー焼成工程でC
uが酸化したときの体積膨張によるセラミックのクラッ
クが発生し、逆に充填量が不足すると気密性の低下や導
通不良が発生するという問題があった。
【0004】本発明は、上記欠点を克服するものであ
り、半焼結体のストレート状ビアホール内にのみ泥漿を
選択的に充填することにより、導電性及び気密性に優れ
且つ焼成条件の厳密な調整が必要ない、ビアホールメタ
ライズを有するセラミック焼結体の製造方法を提供する
ことを目的とする。
り、半焼結体のストレート状ビアホール内にのみ泥漿を
選択的に充填することにより、導電性及び気密性に優れ
且つ焼成条件の厳密な調整が必要ない、ビアホールメタ
ライズを有するセラミック焼結体の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ビアホー
ルメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法につ
いて種々検討した結果、ビアホールを有する半焼結体を
用いて、この気孔中には浸透されることなくビアホール
内にのみ泥漿を充填することにより、上記欠点が解消さ
れることを見出して、本発明を完成するに至ったのであ
る。即ち、本発明のビアホールメタライズを有するセラ
ミック焼結体の製造方法は、500〜900℃にて加熱
して形成され多数の気孔を有し且つストレート状ビアホ
ールを備えるセラミック半焼結体を第1溶媒に浸漬して
該半焼結体の気孔中に該第1溶媒を浸透させ、その後、
該第1溶媒浸透後半焼結体を、上記第1溶媒と相溶性を
有しない第2溶媒中に導電性粉末を分散させた泥漿の中
に浸漬して、上記ビアホール内に該泥漿を充填し、次い
で、該泥漿充填後半焼結体を非酸化雰囲気下にて焼成し
てセラミック焼結体を製造することを特徴とする。
ルメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法につ
いて種々検討した結果、ビアホールを有する半焼結体を
用いて、この気孔中には浸透されることなくビアホール
内にのみ泥漿を充填することにより、上記欠点が解消さ
れることを見出して、本発明を完成するに至ったのであ
る。即ち、本発明のビアホールメタライズを有するセラ
ミック焼結体の製造方法は、500〜900℃にて加熱
して形成され多数の気孔を有し且つストレート状ビアホ
ールを備えるセラミック半焼結体を第1溶媒に浸漬して
該半焼結体の気孔中に該第1溶媒を浸透させ、その後、
該第1溶媒浸透後半焼結体を、上記第1溶媒と相溶性を
有しない第2溶媒中に導電性粉末を分散させた泥漿の中
に浸漬して、上記ビアホール内に該泥漿を充填し、次い
で、該泥漿充填後半焼結体を非酸化雰囲気下にて焼成し
てセラミック焼結体を製造することを特徴とする。
【0006】本発明において、「ストレート状ビアホー
ル」とは、曲がり部のない直線状のものであり、泥漿へ
の浸漬により泥漿がこのビアホール内へ充填可能のもの
である。上記「セラミック半焼結体」とは、いわゆる仮
焼体を示し、バインダとしての樹脂成分が除去され、適
度の気孔を有する多孔質体であるとともに、後工程で耐
えられる程度の機械的強度を有するものである。この半
焼結体の形成において500〜900℃の加熱とするの
は、これが500℃未満では、十分に脱脂(脱バインダ
ー)できない場合があるし、また後工程で耐えられる程
度の機械的強度を有しない場合があり、更に900℃を
越えては、気孔が生じない場合があり、また後工程の本
焼成をしても基板とビアホールメタライズとの接合が十
分でない場合があるからでなる。
ル」とは、曲がり部のない直線状のものであり、泥漿へ
の浸漬により泥漿がこのビアホール内へ充填可能のもの
である。上記「セラミック半焼結体」とは、いわゆる仮
焼体を示し、バインダとしての樹脂成分が除去され、適
度の気孔を有する多孔質体であるとともに、後工程で耐
えられる程度の機械的強度を有するものである。この半
焼結体の形成において500〜900℃の加熱とするの
は、これが500℃未満では、十分に脱脂(脱バインダ
ー)できない場合があるし、また後工程で耐えられる程
度の機械的強度を有しない場合があり、更に900℃を
越えては、気孔が生じない場合があり、また後工程の本
焼成をしても基板とビアホールメタライズとの接合が十
分でない場合があるからでなる。
【0007】また、上記「第2溶媒」は第1溶媒と相溶
性を有しないものである。ここで「相溶性を有しない」
とは、お互いにほとんど溶解し合わないものをいう。例
えば、水(A)とキシレン、トルエン、ベンゼン、αテ
ルピネオール、2ーブタノール等(B)との組合せとす
ることができ、どちらを第1溶媒としてもよい。更に、
上記「非酸化雰囲気」とは、中性雰囲気又は還元雰囲気
をいう。また、第2発明に示すように、上記第1溶媒は
水であり、上記泥漿は、80〜120℃の沸点を有する
炭化水素(例えば、トルエン、キシレン等)からなる第
2溶媒とCu粉末の組合せ、又はこの炭化水素とCu粉
末と昇華性を有する樹脂成分(例えば、カンフル等)と
の組合せからなるものとすることができる。
性を有しないものである。ここで「相溶性を有しない」
とは、お互いにほとんど溶解し合わないものをいう。例
えば、水(A)とキシレン、トルエン、ベンゼン、αテ
ルピネオール、2ーブタノール等(B)との組合せとす
ることができ、どちらを第1溶媒としてもよい。更に、
上記「非酸化雰囲気」とは、中性雰囲気又は還元雰囲気
をいう。また、第2発明に示すように、上記第1溶媒は
水であり、上記泥漿は、80〜120℃の沸点を有する
炭化水素(例えば、トルエン、キシレン等)からなる第
2溶媒とCu粉末の組合せ、又はこの炭化水素とCu粉
末と昇華性を有する樹脂成分(例えば、カンフル等)と
の組合せからなるものとすることができる。
【0008】
【作用】本セラミック半焼結体は多孔質であり、多くの
気孔を有するので、この半焼結体を、導電性粉末を分散
させた泥漿の中に浸漬した場合、ビアホールのみならず
この気孔中にもこの泥漿が浸透してしまい、そのため本
焼成後にセラミック焼結体が銅色に変色し、また隣接の
ビアホール間で絶縁低下を招くことになる。一方、本発
明では、まず半焼結体の気孔中に該第1溶媒を浸透さ
せ、その後、この第1溶媒と相溶性を有しない第2溶媒
中に導電性粉末を分散させた泥漿を浸漬、充填するの
で、この泥漿は気孔中に浸透することがなく、選択的に
ビアホール内へこの泥漿を充填させることができる。従
って、本発明では、導通と気密性に優れ、且つ隣接する
各ビアホールメタライズ間における絶縁性にも優れる。
気孔を有するので、この半焼結体を、導電性粉末を分散
させた泥漿の中に浸漬した場合、ビアホールのみならず
この気孔中にもこの泥漿が浸透してしまい、そのため本
焼成後にセラミック焼結体が銅色に変色し、また隣接の
ビアホール間で絶縁低下を招くことになる。一方、本発
明では、まず半焼結体の気孔中に該第1溶媒を浸透さ
せ、その後、この第1溶媒と相溶性を有しない第2溶媒
中に導電性粉末を分散させた泥漿を浸漬、充填するの
で、この泥漿は気孔中に浸透することがなく、選択的に
ビアホール内へこの泥漿を充填させることができる。従
って、本発明では、導通と気密性に優れ、且つ隣接する
各ビアホールメタライズ間における絶縁性にも優れる。
【0009】また、本発明では、泥漿中に浸漬させるセ
ラミック体としては、所謂、仮焼体である半焼結体を用
い、この半焼結体中にはほとんど(又は全く)樹脂成分
が消失しているので、本焼成後の焼結体中には脱脂不十
分に基づくカーボン残査が残ることもないし、更に脱脂
のための酸化雰囲気にて加熱する必要がないので、導電
性材料の酸化を抑止したり、酸化後に還元したりする面
倒がない。更に、本発明においては、積層後にストレー
ト状ビアホールを形成しているので、従来のようにCu
ペーストを埋め込んだシートを正確にビアホール位置を
合わせて積層して焼成するという必要がないので、ビア
ホールメタライズの位置がズレるという心配が全くない
し、シート積層面での接続性が低下する心配も全くな
い。特に、第2発明に示すように、泥漿として、80〜
120℃の沸点を有する炭化水素からなる第2溶媒、C
u粉末及び昇華性を有する樹脂成分のうちの少なくとも
該第2溶媒及びCu粉末からなるものを用いる場合は、
Cu以外は容易に完全に除去できるので、ビアホールメ
タライズ部分にカーボン等の有機残査が残ることがない
ので、大変高品質のメタライズとなる。
ラミック体としては、所謂、仮焼体である半焼結体を用
い、この半焼結体中にはほとんど(又は全く)樹脂成分
が消失しているので、本焼成後の焼結体中には脱脂不十
分に基づくカーボン残査が残ることもないし、更に脱脂
のための酸化雰囲気にて加熱する必要がないので、導電
性材料の酸化を抑止したり、酸化後に還元したりする面
倒がない。更に、本発明においては、積層後にストレー
ト状ビアホールを形成しているので、従来のようにCu
ペーストを埋め込んだシートを正確にビアホール位置を
合わせて積層して焼成するという必要がないので、ビア
ホールメタライズの位置がズレるという心配が全くない
し、シート積層面での接続性が低下する心配も全くな
い。特に、第2発明に示すように、泥漿として、80〜
120℃の沸点を有する炭化水素からなる第2溶媒、C
u粉末及び昇華性を有する樹脂成分のうちの少なくとも
該第2溶媒及びCu粉末からなるものを用いる場合は、
Cu以外は容易に完全に除去できるので、ビアホールメ
タライズ部分にカーボン等の有機残査が残ることがない
ので、大変高品質のメタライズとなる。
【0010】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。まず、積層グリーンシート(100m×100mm
×1.0〜1.4mmt)を準備し、所定の位置にパン
チングによりストレートビアホール(焼成後の寸法にて
径0.25mmφでビアホール間隔0.6mm、又は径
0.1mmφでビアホール間隔0.45mm)を形成し
た。尚、このグリーンシートは、以下のようにして製造
される。まず、グリーンシートの原料となる、ZnO、
MgCO3 、Al(OH)3 、SiO2 、H3 BO3 、
H3 PO4 を所定量秤量し、ライカイ機にて混合し、白
金ルツボ又はアルミナ質ルツボにて1400〜1500
℃の適当な温度で溶融する。この融液を水中に投入し、
急冷してガラス化し、その後アルミナ製ボールミルで粉
砕して、粒径が2〜3μmのフリット(ガラス粉末)を
形成する。この粉末とポリビニルブチラールと可塑剤
(ジエチレングリコール)とを用いて、定法に従って、
ドクターブレード法により所定のグリーンシートを作成
する。上記グリーンシートを複数枚積層し、そしてパン
チング後カッティングにより単一ブロックに分割する。
これを大気中で700℃〜900℃の温度で仮焼し、有
機バインダーを焼失させると同時に機械的強度を持つビ
アホールを有する多孔質状半焼結体(気孔率;25%)
を製造した。次に、この半焼結体を第1溶媒としての水
(純水がより好ましい。)に浸してこの気孔内に水を含
浸させる。
る。まず、積層グリーンシート(100m×100mm
×1.0〜1.4mmt)を準備し、所定の位置にパン
チングによりストレートビアホール(焼成後の寸法にて
径0.25mmφでビアホール間隔0.6mm、又は径
0.1mmφでビアホール間隔0.45mm)を形成し
た。尚、このグリーンシートは、以下のようにして製造
される。まず、グリーンシートの原料となる、ZnO、
MgCO3 、Al(OH)3 、SiO2 、H3 BO3 、
H3 PO4 を所定量秤量し、ライカイ機にて混合し、白
金ルツボ又はアルミナ質ルツボにて1400〜1500
℃の適当な温度で溶融する。この融液を水中に投入し、
急冷してガラス化し、その後アルミナ製ボールミルで粉
砕して、粒径が2〜3μmのフリット(ガラス粉末)を
形成する。この粉末とポリビニルブチラールと可塑剤
(ジエチレングリコール)とを用いて、定法に従って、
ドクターブレード法により所定のグリーンシートを作成
する。上記グリーンシートを複数枚積層し、そしてパン
チング後カッティングにより単一ブロックに分割する。
これを大気中で700℃〜900℃の温度で仮焼し、有
機バインダーを焼失させると同時に機械的強度を持つビ
アホールを有する多孔質状半焼結体(気孔率;25%)
を製造した。次に、この半焼結体を第1溶媒としての水
(純水がより好ましい。)に浸してこの気孔内に水を含
浸させる。
【0011】一方、導電性粉末としてのCu粉末(0.
5〜5μm)100重量部、第2溶剤としてのキシレン
5〜10重量部、樹脂カンフル0〜8重量部からなる泥
漿を作製した。そして、上記水を含浸させた半焼結体
を、この泥漿中に浸漬して、ビアホール内へこの泥漿
(即ちCu粉末)を充填(浸透)させて導通路を形成し
た。この時、泥漿に圧力を加えてビアホール内への充填
効果を高めても良い。次に、Cu泥漿への浸漬を終えた
半焼結体は、表面に付着した泥漿をペーパーで研磨し、
その後60℃〜120℃の温度で乾燥させ、水、キシレ
ン、カンフルを全て蒸発及び昇華させ、次いで、非酸化
性雰囲気(窒素ガス)下、900℃〜1100℃の温度
で本焼成を行った。
5〜5μm)100重量部、第2溶剤としてのキシレン
5〜10重量部、樹脂カンフル0〜8重量部からなる泥
漿を作製した。そして、上記水を含浸させた半焼結体
を、この泥漿中に浸漬して、ビアホール内へこの泥漿
(即ちCu粉末)を充填(浸透)させて導通路を形成し
た。この時、泥漿に圧力を加えてビアホール内への充填
効果を高めても良い。次に、Cu泥漿への浸漬を終えた
半焼結体は、表面に付着した泥漿をペーパーで研磨し、
その後60℃〜120℃の温度で乾燥させ、水、キシレ
ン、カンフルを全て蒸発及び昇華させ、次いで、非酸化
性雰囲気(窒素ガス)下、900℃〜1100℃の温度
で本焼成を行った。
【0012】以上より、仮焼工程を有するので有機樹脂
成分をほぼ完全に消失させることができ、カーボン残査
が全く(ほとんど)なかった。これは、赤外線吸収法に
より確認できた。また泥漿が気孔中に浸透されなかった
のでセラミック焼結体がCuの着色を示すこともなかっ
た。更に、各ビアホールメタライズ間での絶縁性を試験
した所、25×105 MΩ、25×105 MΩ(1つの
基板にて2か所測定)を示し、絶縁性が良好であった。
この絶縁性の試験は、測定器としてTOA ELECT
RONICS Ltd製「SUPER MEGOHMM
ETER MODEL SM−9E」、サンプル形状と
してビアー径;0.25mmφ、ビアホール間隔;0.
6mm、板厚;1.0mm、印加電圧として250Vを
用いて行った。尚、比較例として上記第1溶剤としての
水を先使用せずに、上記泥漿をそのまま用いて、同様に
して焼結体を製造した。この比較例においては、焼結体
全体に薄いCu色が生じ、上記絶縁性の試験結果では、
2×105 MΩ、5×105 MΩを示し、絶縁性はやや
低下傾向であった。
成分をほぼ完全に消失させることができ、カーボン残査
が全く(ほとんど)なかった。これは、赤外線吸収法に
より確認できた。また泥漿が気孔中に浸透されなかった
のでセラミック焼結体がCuの着色を示すこともなかっ
た。更に、各ビアホールメタライズ間での絶縁性を試験
した所、25×105 MΩ、25×105 MΩ(1つの
基板にて2か所測定)を示し、絶縁性が良好であった。
この絶縁性の試験は、測定器としてTOA ELECT
RONICS Ltd製「SUPER MEGOHMM
ETER MODEL SM−9E」、サンプル形状と
してビアー径;0.25mmφ、ビアホール間隔;0.
6mm、板厚;1.0mm、印加電圧として250Vを
用いて行った。尚、比較例として上記第1溶剤としての
水を先使用せずに、上記泥漿をそのまま用いて、同様に
して焼結体を製造した。この比較例においては、焼結体
全体に薄いCu色が生じ、上記絶縁性の試験結果では、
2×105 MΩ、5×105 MΩを示し、絶縁性はやや
低下傾向であった。
【0013】そして、板厚が1mm、ビアホール径が
0.25mmφの本発明品、及び板厚が0.6mm、ビ
アホール径が0.1mmφの本発明品を製造し、この焼
結体の気密性及び各ビアホールメタライズの導通に関し
て測定した。この焼結体の気密性は、いずれも3×10
-8std・cc/sec以下となり、気密性は良好であ
った。また各ビアホールメタライズの導通については不
良率(R=不良数/全数)でもって評価した所、順に0
/176、0/544となり、導通も良好であった。
0.25mmφの本発明品、及び板厚が0.6mm、ビ
アホール径が0.1mmφの本発明品を製造し、この焼
結体の気密性及び各ビアホールメタライズの導通に関し
て測定した。この焼結体の気密性は、いずれも3×10
-8std・cc/sec以下となり、気密性は良好であ
った。また各ビアホールメタライズの導通については不
良率(R=不良数/全数)でもって評価した所、順に0
/176、0/544となり、導通も良好であった。
【0014】尚、本発明においては、前記具体的実施例
に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範
囲内で種々変更した実施例とすることができる。即ち、
前記パンチング開孔部の大きさ、数、、開孔形状、また
グリーンシート積層の有無、その積層枚数、シート厚さ
等は、特に問わない。セラミック焼結体のセラミック材
料としては、上記以外に、アルミナ、ムライト、Al
N、Si3N4等を用いることができる。また、導電性
粉末としては上記以外にMo粉末、W粉末、Ni粉末、
Ag粉末又はPd粉末等を用いてもよい。
に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範
囲内で種々変更した実施例とすることができる。即ち、
前記パンチング開孔部の大きさ、数、、開孔形状、また
グリーンシート積層の有無、その積層枚数、シート厚さ
等は、特に問わない。セラミック焼結体のセラミック材
料としては、上記以外に、アルミナ、ムライト、Al
N、Si3N4等を用いることができる。また、導電性
粉末としては上記以外にMo粉末、W粉末、Ni粉末、
Ag粉末又はPd粉末等を用いてもよい。
【0015】
【発明の効果】本発明のビアホールメタライズを有する
セラミック焼結体の製造方法によれば、上記作用に示す
ように、導電性及び気密性に優れ、焼成条件の調整はほ
とんど必要なく、Cuの酸化、還元に伴う断線やセラミ
ックに発生するクラックの問題を考慮しなくても良い。
従って、不良品の減少、歩留りの向上及び製品の品質向
上を容易に図ることができる。
セラミック焼結体の製造方法によれば、上記作用に示す
ように、導電性及び気密性に優れ、焼成条件の調整はほ
とんど必要なく、Cuの酸化、還元に伴う断線やセラミ
ックに発生するクラックの問題を考慮しなくても良い。
従って、不良品の減少、歩留りの向上及び製品の品質向
上を容易に図ることができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 500〜900℃にて加熱して形成され
多数の気孔を有し且つストレート状ビアホールを備える
セラミック半焼結体を第1溶媒に浸漬して該半焼結体の
気孔中に該第1溶媒を浸透させ、その後、該第1溶媒浸
透後半焼結体を、上記第1溶媒と相溶性を有しない第2
溶媒中に導電性粉末を分散させた泥漿の中に浸漬して、
上記ビアホール内に該泥漿を充填し、次いで、該泥漿充
填後半焼結体を非酸化雰囲気下にて焼成してセラミック
焼結体を製造することを特徴とするビアホールメタライ
ズを有するセラミック焼結体の製造方法。 - 【請求項2】 上記第1溶媒は水であり、上記泥漿は、
80〜120℃の沸点を有する炭化水素からなる第2溶
媒、Cu粉末及び昇華性を有する樹脂成分のうちの少な
くとも該第2溶媒及び該Cu粉末を含む請求項1記載の
ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造
方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3240474A JP2992380B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法 |
US07/926,654 US5318744A (en) | 1991-08-27 | 1992-08-10 | Process for producing ceramic sintered body having metallized via hole |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3240474A JP2992380B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0558763A JPH0558763A (ja) | 1993-03-09 |
JP2992380B2 true JP2992380B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=17060058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3240474A Expired - Fee Related JP2992380B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5318744A (ja) |
JP (1) | JP2992380B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3165779B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2001-05-14 | 株式会社トクヤマ | サブマウント |
CN111633211B (zh) * | 2020-05-20 | 2022-08-05 | 东睦新材料集团股份有限公司 | 一种粉末冶金铬合金燃料电池连接件的封孔方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4671928A (en) * | 1984-04-26 | 1987-06-09 | International Business Machines Corporation | Method of controlling the sintering of metal particles |
US5011655A (en) * | 1989-12-22 | 1991-04-30 | Inco Alloys International, Inc. | Process of forming a composite structure |
FR2662222B1 (fr) * | 1990-05-18 | 1993-12-10 | Metafram Alliages Frittes | Procede de fabrication d'une garniture de frein a plots non jointifs, et garniture obtenue. |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP3240474A patent/JP2992380B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-08-10 US US07/926,654 patent/US5318744A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5318744A (en) | 1994-06-07 |
JPH0558763A (ja) | 1993-03-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |