JP2974700B2 - 導電性接着剤 - Google Patents

導電性接着剤

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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体ペレットとタブを接合（ダイボンデ
ィング）するための導電性接着剤（導電性ダイボンディ
ング剤）に関するものである。
［従来の技術］ 半導体装置は、例えば、シリコンからなる半導体ペレ
ットがその支持体であるタブに導電性エポキシ樹脂、導
電性ポリイミド樹脂等の導電性接着剤等により接合さ
れ、さらに半導体ペレットと金属製内部リードフレーム
を金属製ワイヤで電気的に接合し、これらの一体化物が
エポキシ樹脂などの封止樹脂により封止されてなる構造
体である。このように、半導体装置は各種の素材により
構成されているので、封止樹脂による封止時の加熱、ま
たは半導体ペレットの温度上昇に伴う素材の熱膨張率の
差や機械的応力に起因する内部歪の増大により、半導体
ペレットや封止樹脂にクラックが発生し、半導体装置と
しての性能に変動をきたし、その信頼性が低下するとい
う欠点があった。
特に、最近は半導体ペレットの集積度や実装密度の向
上が要求されており、それに伴って半導体ペレットの大
型化により内部歪が助長され、また半導体装置の熱伝導
性、加工性の向上およびコスト低下のため、タブ、金属
製内部リードフレーム材料においても、熱膨張係数の比
較的小さいNi−Fe合金から、比較的熱膨張係数の大きい
銅合金に移行する傾向にあるので、上記のような欠点が
益々問題視されるようになってきた。
即ち、シリコンの大型半導体ペレットを導電性エポキ
シ樹脂や導電性ポリイミド樹脂接着剤のような従来の導
電性接着剤により銅製タブに固着すると、この銅製タブ
と半導体ペレットとの熱膨張率の差により、応力が発生
し、半導体ペレットの反りが大となり、その特性が変動
し、はなはだしい場合は半導体ペレットにクラックが発
生し、半導体装置としての信頼性が従来にまして低下す
るからである。
従来、かかる問題点を解決するため、導電性シリコー
ンゴムからなる導電性接着剤により半導体ペレットとタ
ブとを接着した半導体装置が提案されている（特開昭58
−86732号公報参照）。これは半導体ペレットとタブと
の熱膨張率の差に起因する内部歪を導電性シリコーンゴ
ム弾性体により緩和しようとしたものである。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記特開昭58−86732号公報で提案された発
明においては、導電性接着剤で半導体ペレットをタブに
接着した後、半導体ペレットと銅製内部リードフレーム
とを、金製ワイヤからなるボンディングワイヤで接続す
る際に、半導体ペレットとボンディングワイヤあるいは
銅製内部リードフレームとボンディングワイヤとの接合
性（ワイヤボンダビリティ）が低下して半導体装置の信
頼性が低下するという欠点があった。また、半導体ペレ
ット，タブ，銅製内部リードフレームと封止樹脂との接
着性不良による耐湿性の低下等が発生するという問題点
があった。
本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意研究し
た結果、特定の導電性シリコーンゴム組成物を導電性接
着剤として使用すれば、上記のような問題点は一挙に解
消されることを見出し本発明に到達した。
即ち、本発明の目的は半導体ペレットとタブを接合
後、ワイヤボンダビリティが阻害されず、かつ、半導体
ペレット，タブ，銅製内部リードフレームなど半導体部
材と封止樹脂との接着性不良による耐湿性を低下させな
いという特徴を有する、半導体ペレットとタブを接合す
るための導電性接着剤を提供することにある。
［課題を解決するための手段およびその作用］ 本発明は、200℃で10mmHg以上の蒸気圧を有する低分
子シロキサンの含有量が500ppm以下であり、金、銀、ニ
ッケル、または銅からなる金属微粉末、またはこれらの
金属を蒸着もしくはメッキした微粉末を含有する導電性
付加反応硬化型シリコーンゴム組成物からなることを特
徴とする半導体ペレットとタブとを接合するための導電
性接着剤に関する。
これを説明するに、本発明に使用される導電性付加反
応硬化型シリコーンゴム組成物は、ケイ素原子結合アル
ケニル基を有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子
結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロ
シリル化反応触媒、および金、銀、ニッケル、または銅
からなる金属微粉末、またはこれらの金属を蒸着もしく
はメッキした微粉末を主成分とするものであり、常温あ
るいは加熱下に硬化して導電性シリコーンゴムになり得
るものである。本発明においては、この導電性付加反応
硬化型シリコーンゴム組成物に含まれる、200℃で10mmH
g以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が500
ppm以下であることが必要である。この低分子シロキサ
ンの含有量が、500ppmを越えるとワイヤボンダビリティ
および耐湿性が低下する。かかる低分子シロキサンとし
ては、直鎖状のものと環状のものがあり、例えば、式、 （式中、ｎは３〜25の整数である。）で表される環状シ
ロキサン、または、式、 （CH3）3SiO［（CH3）2SiO］mSi（CH3）３ （式中、ｍは１〜25の整数である。）で表される直鎖状
シロキサンがある。かかる低分子シロキサンの含有量
は、オルガノポリシロキサン類および導電性付加反応硬
化型シリコーンゴム組成物から低分子シロキサンを有機
溶媒にて抽出し、その抽出量をガスクロマトグラフによ
り分析することにより容易に測定できる。また、導電性
付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の加熱時に発生す
るガス類をガスクロマトグラフにて分析することによっ
ても測定できる。
本発明の導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物
は次のようなものが好ましい。
すなわち、 （Ａ）200℃で10mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロ
キサンの含有量が500ppm以下である、１分子中に２個以
上のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリ
シロキサン 100重量部、 （Ｂ）１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を
有するオルガノポリシロキサン、（Ａ）成分のケイ素原
子結合アルケニル基１個に対し本成分のケイ素原子結合
水素原子を0.5〜３個供給し得るに充分な量、 （Ｃ）式、 −SiOR1（式中、R1は１価炭化水素基である。）で表さ
れる官能基を有し、かつ、ケイ素原子結合低級アルケニ
ル基もしくはケイ素原子結合水素原子を有する有機ケイ
素化合物 ０〜10重量部、 （Ｄ）白金系触媒 触媒量、 （Ｅ）シリカ微粉末系フィラー ０〜100重量部、 および （Ｆ）金、銀、ニッケル、または銅からなる金属微粉
末、またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉
末 50〜2000重量部 からなるものである。
ここで、（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基を
有するオルガノポリシロキサンは、平均単位式、 R2 aSiO４−a/2 （式中、R2は、メチル基，エチル基，プロピル基等のア
ルキル基；フェニル基，トリル基等のアリール基；ビニ
ル基，アリル基，プロペニル基，ヘキセニル基等のアル
ケニル基で例示される１価炭化水素基であり、ａは１〜
３である。）で表され、１分子中に２個以上のケイ素原
子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンで
ある。
かかるオルガノポリシロキサンは、当業界において公
知の方法で製造されるが、通常は、オクタメチルテトラ
シクロシロキサン，デカメチルペンタシクロシロキサ
ン，ドデカメチルヘキシクロシロキサン等の200℃で10m
mHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンを副生成物
として約２〜７重量％含有している。
本発明に使用される（Ａ）成分のオルガノポリシロキ
サンは、かかる低分子シロキサンを前記のようなオルガ
ノポリシロキサンから除去することによって製造され
る。低分子シロキサンの除去方法としては数多くの方法
があるが、その１例を挙げれば、オルガノポリシロキサ
ンを薄膜化して、例えば0.5mmHg以下の減圧下において1
80〜300℃の加熱条件下でストリッピングするか、また
はオルガノポリシロキサンにメタノール、エタノール、
プロパノール、ブタノールもしくはアセトンなどの溶剤
を加えて低分子シロキサンを抽出除去する方法等が採用
できる。
なお、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、通
常、その粘度が25℃において50〜500,000センチストー
クスの範囲内にあるものが使用されるが、特に、400〜1
00,000センチストークスの範囲内にあるものが好適に使
用される。
（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンは、（Ａ）成分
の架橋剤として作用するものであり、これは１分子中に
２個以上のケイ素原子結合水素原子を含有するものであ
って、その分子構造は直鎖状、分枝状、環状のいずれの
構造であってもよい。
かかるオルガノポリシロキサンの配合量は（Ａ）成分
のアルケニル基１個に対して本成分のケイ素原子結合水
素原子を0.5〜３個供給し得るに十分な量であり、好ま
しくは１〜２個供給するに十分な量である。この量は、
通常、（Ａ）成分の２重量％以下である。かかる（Ｂ）
成分も（Ａ）成分と同様に低分子シロキサンを含有して
いるため、例えば、0.5mmHg以下の減圧下において180〜
300℃の加熱条件下にストリッピングして、反応副生成
物である低分子シロキサンを除去したものを用いた方が
好ましい。
かかるオルガノポリシロキサンとしては、例えば、次
のようなものが例示される。
（式中、b,c,d,e,gは０または性の整数を表し、ｆは２
以上の整数を表す。） （Ｃ）成分は本発明の導電性接着剤に接着性を付与す
るための成分であり、式、 −SiOR1（式中、R1はメチル基，エチル基，プロピル
基，プロペニル基等の１価炭化水素基である。）で表さ
れる官能基を有し、かつ、低級アルケニル基もしくはケ
イ素原子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物であ
る。かかる有機ケイ素化合物の具体例としては、 CH2＝CH−Si（OCH3）３ CH2＝CH−CH2−Si（OC2H5）３ が例示される。
また、その配合量は（Ａ）成分100重量部に対し、０
〜10重量部の範囲であり、好ましくは0.5〜3.0重量部の
範囲である。
（Ｄ）成分の白金系触媒は、本発明の導電性接着剤を
硬化させるための触媒であり、一般にヒドロシリル化反
応に用いられる付加反応用触媒として公知のものが使用
でき、かかるものとしては白金黒，アルミナ，シリカな
どの担体に固体白金を担持させたもの，塩化白金酸，ア
ルコール変性塩化白金酸，塩化白金酸とオレフィンの錯
体あるいは白金とビニルシロキサンとの錯体等が例示さ
れる。これらの触媒の使用に当たっては、それが固体触
媒であるときは分散性をよくするために細かく砕いた
り、その担体を粒径が小さく、比表面積の大きいものと
することが好ましく、塩化白金酸または、そのオレフィ
ンとの錯体については、これをアルコール，ケトン，エ
ーテルあるいは炭化水素系等の溶剤に溶解して使用する
ことが望ましい。なお、この触媒の添加量は所望の硬化
速度が得られるように適宜調節すればよいが、良好な硬
化物を得るために、塩化白金酸等のようにシロキサンと
相溶するものについては、前述した（Ａ）成分と（Ｂ）
成分の合計量に対し白金量で１〜100ppmの範囲とするこ
とが望ましい。
（Ｅ）成分のシリカ微粉末系フィラーは本発明の導電
性接着剤に適当な硬度と強度と作業性を付与するために
配合されるもので、通常の付加反応硬化型シリコーンゴ
ム組成物に使用されているものが使用可能である。かか
るシリカ微粉末系フィラーとしては、例えば、ヒューム
ドシリカ，沈降性シリカ，疎水化処理したシリカ等が挙
げられる。また、その配合量は、（Ａ）成分の100重量
部に対し100重量部以下とされる。
（Ｆ）成分の金、銀、ニッケル、または銅からなる金
属微粉末、またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキし
た微粉末は、本発明の導電性接着剤に導電性を付与する
ための必須の成分である。本発明の導電性接着剤におい
て使用できる微粉末としては、金，銀，ニッケル，また
は銅からなる金属微粉末；セラミック，ガラス，石英，
有機樹脂等の微粉末表面に金，銀，ニッケル，または銅
からなる金属を蒸着またはメッキした微粉末が挙げられ
る。本発明において、導電性シリコーンゴムの体積抵抗
率が01Ω・cm以下である導電性を得るために、使用でき
る微粉末としては、金または銀微粉末であるが、実用的
には銀微粉末である。銀粉末として球状，フレーク状，
フレーク樹枝状等の銀粉末が挙げられる。導電性シリコ
ーンゴムが１×10-3Ω・cm以下の導電性を得るために
は、フレーク状またはフレーク樹枝状の銀粉末が好まし
く、特にフレーク状の銀粉末とフレーク樹枝状の粉末を
混合して用いる場合、フレーク状の銀粉末の混合比は、
フレーク樹枝状の銀粉末に対して80/20〜20/80が好まし
い。また、銀粉末の粒径は１〜10μｍであり、好ましく
は１〜５μｍである。本発明において（Ｆ）成分の添加
量は、（Ａ）成分100重量部に対して50〜2000重量部で
あり、好ましくは300〜600重量部である。これは50重量
部未満であると、本発明の目的である導電性が付与され
ず、また2000重量部を越えると、導電性接着剤の作業性
が悪化するためである。
［実施例］ 次に本発明を実施例にて説明する。実施例中、粘度は
25℃における値である。
尚、実施例において、低分子シロキサンの量の測定お
よび導電性接着剤の特性は次に記載する方法により従っ
て行なった。
○低分子シロキサンの含有量の測定 原料のオルガノポリシロキサンについては低分子シロ
キサンをアセトンにより抽出し、その抽出量をガスクロ
マトグラフのFID法により測定した。
○半導体ペレットクラックの評価 導電性接着剤８を半導体ペレット２とタブ１の間に介
在させ、200℃で１分間加熱した。得られた半導体ペレ
ット２とタブ１が導電性接着剤８により接合されてなる
一体化物を冷却した後、その半導体ペレット２の表面を
顕微鏡にて観察した。
○ワイヤボンダビリティの評価 上記半導体ペレットクラックの評価で得られた一体化
物上のアルミニウム製ボンディングパッド３と銅製内部
リードフレーム４とを金製ワイヤ５で接合（ワイヤボン
ディング）して一体化物を作成した。なお、金製ワイヤ
５の接合は超音波熱圧着法により接合した。次いで、こ
の一体化物について、金製ワイヤ５とアルミニウム製ボ
ンディングパッド３または金製ワイヤ５と銅製内部リー
ドフレーム４との接合点を観察し、併せてこの金製ワイ
ヤ５を引張り、金製ワイヤ５の浮き上がったものを接合
不良品とし、接合試験の全数に対する接点不良品の数を
数えた。
○耐湿性の評価 上記ワイヤボンダビリティの評価で得られた一体化物
をエポキシ樹脂６により封止して半導体装置を作成し
た。次いで、この半導体装置を121℃、２気圧の飽和水
蒸気中で所定時間加熱した。加熱後の半導体装置に電流
を流し銅製内部リードフレーム４間のリーク電流を測定
した。そしてリーク電流の増加および導通不良のあった
半導体装置を不良品とし、この半導体装置の全数に対す
る不良品の数を数えた。
○導電率の測定 厚さ1mm以上のシート状の導電性シリコーンゴム硬化
物を作成し、抵抗率測定装置［（有）共和理研製、Ｋ−
705RL］にて測定を行なった。
参考例１ で示されるジシロキサンと、 で示される環状シロキサンとをカリウムシラノレート触
媒を用いて重合した後、中和することにより、ビニル基
を有するジメチルポリシロキサン（Ｉ）を得た。
このビニル基を有するジメチルポリシロキサン（Ｉ）
を圧力10mmHg、温度180℃の加熱条件下で５時間ストリ
ップ処理を行い、低分子シロキサンを除去して、粘度2,
000センチストークスのビニル基を有するジメチルポリ
シロキサン（II）を得た。
このジメチルポリシロキサン（Ｉ）および（II）中に
含まれる低分子シロキサンの量をガスクロマトグラフ
［（株）島津製作所製、GC−9A、FID仕様］を用いて定
量したところ、200℃で10mmHg以上の蒸気圧を有する低
分子シロキサンの主成分は環状のジメチルポリシロキサ
ンの10量体（D10）であり、その含有量はジメチルポリ
シロキサン（Ｉ）では20.5重量％、ジメチルポリシロキ
サン（II）では、1.3重量％であった。
更に、ジメチルポリシロキサン（II）を圧力0.01mmH
g、温度260℃の加熱条件下で８時間分子上流処理を行
い、低分子シロキサンを除去し、10量体（D10）までの
低分子シロキサンの含有量が0.01重量％のビニル基を有
するジメチルポリシロキサン（III）を得た。
また、ジメチルポリシロキサン（III）100重量部とエ
タノール300重量部とを３時間攪拌混合し、静置後エタ
ノールを分離した。更に、同様のエタノール抽出操作を
４回繰り返し、低分子シロキサンを除去した後、このジ
メチルポリシロキサン中のエタノール分を圧力10mmHg、
温度180℃の加熱条件下で５時間ストリップ処理を行い
除去して、10量体（D10）までの低分子シロキサンの含
有量が10ppmのビニル基を有するジメチルポリシロキサ
ン（IV）を得た。
参考例２ 参考例１で得られたビニル基を有するジメチルポリシ
ロキサン（III）65重量部と、SiO2単位と（CH3）3SiO
1/2単位と（CH3）２（CH2＝CH）SiO1/2単位からなる共
重合体（ビニル基含有量25モル％）35重量部とを混合し
た。この混合物100部とエタノール300部とを３時間攪拌
混合し、静置後エタノールを分離した。更に、同様のエ
タノール抽出操作を４回繰り返し、低分子シロキサンを
除去した後、このジメチルポリシロキサン中のエタノー
ルを圧力10mmHg、温度180℃の加熱条件下で５時間スト
リップ処理を行い除去して、粘度9,000センチストーク
スのビニル基を有するジメチルポリシロキサンレジン
（Ｖ）を得た。このジメチルポリシロキサンレジン
（Ｖ）中に含まれる10量体（D10）までの低分子シロキ
サンの含有量は、10ppmであった。
参考例３ で示されるジシロキサンと、 で示される環状シロキサンと、 で示される環状シロキサンを硫酸触媒の存在下に重合し
た後、中和することにより、平均組成式、 で示されるケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキ
サン（VI）を得た。このポリシロキサン（VI）を0.5mmH
gの減圧下、温度180℃の加熱条件下、３時間ストリップ
処理を行い、低分子シロキサン含有量の減少したケイ素
原子結合水素原子を有するポリシロキサン（VII）を得
た。これらポリシロキサン（VI）、（VII）中に含まれ
る10量体（D10）までの低分子シロキサンの含有量は、
（VI）は17.0重量％、（VII）は100ppmであった。
実施例１ 参考例１で製造したビニル基を有するポリシロキサン
（IV）100重量部、フレーク状の銀粉末［（株）徳力化
学研究所製、商品名TC20E］200重量部、フレーク状の銀
粉末［（株）徳力化学研究所製、商品名TCG7］200重量
部、参考例３で製造したケイ素原子結合水素原子を有す
るポリシロキサン（VII）1.5重量部、塩化白金酸とオレ
フィンの錯体を白金として5ppmを均一に混合して導電性
付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を得た。この組成
物中に含まれる低分子シロキサンの含有量は10ppmであ
った。また、この組成物の硬化時（200℃/10分間）に発
生する揮発成分をガスクロマトグラフを用いて測定した
ところ60ppmであった。このものの硬化後の導電性シリ
コーンゴムの抵抗率は４×10-4Ω・cmであった。次い
で、この組成物を導電性接着剤として用いて、半導体装
置を製造し、半導体ペレットクラック、ワイヤボンダビ
リティ及び耐湿性を測定した。これらの結果を第１表に
示した。
比較例 実施例１において、ビニル基を有するジメチルポリシ
ロキサン（IV）の代わりに、ビニル基を有するジメチル
ポリシロキサン（II）を用い、また参考例３で製造した
ケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサン（VI
I）の代わりに、ケイ素原子結合水素原子を有するポリ
シロキサン（VI）を用いた以外は実施例１と同様にして
導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を得た。こ
の組成物中に含まれる低分子シロキサンの含有量は2800
ppmであった。また、この組成物の硬化時（200℃/10分
間）に発生する揮発成分をガスクロマトグラフを用いて
測定したところ3560ppmであった。このものの硬化後の
導電性シリコーンゴムの抵抗率は４×10-4Ω・cmであっ
た。次いで、この組成物を導電性接着剤として用いて、
半導体装置を製造し、半導体ペレットクラック、ワイヤ
ボンダビリティおよび耐湿性を実施例１と同様にして測
定した。これらの結果を第１表に併記した。
実施例２ 参考例２で製造したビニル基を有したジメチルポリシ
ロキサン（Ｖ）100重量部、結晶性シリカ10重量部、実
施例１同様のフレーク状の銀粉末300重量部、参考例３
で製造したケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキ
サン（VII）を2.5重量部、接着付与剤として次式で表さ
れる有機ケイ素化合物2.0重量部、 塩化白金酸とメチルビニルシロキサンダイマーとの錯体
を白金として5ppm均一に混合して導電性付加反応硬化型
シリコーンゴム組成物を得た。この組成物中に含まれる
低分子シロキサンの含有量を実施例１同様に測定したと
ころ低分子シロキサンの含有量は10ppmであった。ま
た、この組成物の硬化時（200℃/10分間）に発生する揮
発成分をガスクロマトグラフを用いて測定したところ43
ppmであった。このものの硬化後の導電性シリコーンゴ
ムの抵抗率は１×10-4Ω・cmであった。更に、この組成
物を導電性接着剤として、半導体装置を製造し、半導体
ペレットクラック、ワイヤボンダビリティおよび耐湿性
を測定したところ、不良品は発生しなかった。これらの
結果を第２表に示した。
［発明の効果］ 本発明の導電性接着剤は、200℃で10mmHg以上の蒸気
圧を有する低分子シロキサンの含有量が500ppm以下であ
り、金、銀、ニッケル、または銅からなる金属微粉末、
またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉末を
含有する導電性付加反応効果型シリコーンゴム組成物か
らなるので、これを半導体ペレットとタブとを接合する
ための導電性接着剤（導電性ダイボンド剤）として使用
した場合には、通常の導電性付加反応硬化型シリコーン
ゴム組成物に比べてワイヤボンダビリティが低下せず、
更に、半導体ペレット表面およびリードフレームと封止
樹脂との密着性が低下しないと共に、半導体装置の耐湿
性が低下しない。また、熱膨張係数が異なる半導体ペレ
ットと、タブを接合しても、両者の間に発生する応力を
吸収、低減することが可能なため、半導体ペレットの屈
曲、半導体ペレットクラックを防止し、半導体装置とし
ての特性の変動を低減し得るという特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例において、導電性接着剤の特
性を評価するために使用した評価用半導体装置の概略断
面図である。 １……タブ、２……半導体ペレット、３……アルミニウ
ム製ボンディングパッド、４……銅製内部リードフレー
ム、５……金製ワイヤ、６……エポキシ樹脂、７……銅
製外部リードフレーム、８……導電性接着剤
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｒ 4/04 Ｈ０１Ｒ 4/04 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09J 1/00 - 201/10 C08L 1/00 - 101/14 ＣＡＳ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】200℃で10mmHg以上の蒸気圧を有する低分
    子シロキサンの含有量が500ppm以下であり、金、銀、ニ
    ッケル、または銅からなる金属微粉末、またはこれらの
    金属を蒸着もしくはメッキした微粉末を含有する導電性
    付加反応硬化型シリコーンゴム組成物からなることを特
    徴とする、半導体ペレットとタブとを接合するための導
    電性接着剤。
  2. 【請求項２】導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成
    物が、 （Ａ） 200℃で10mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シ
    ロキサンの含有量が500ppm以下である、１分子中に２個
    以上のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポ
    リシロキサン 100重量部、 （Ｂ） １分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子
    を有するオルガノポリシロキサン、（Ａ）成分のアルケ
    ニル基１個に対し本成分のケイ素原子結合水素原子を0.
    5〜３個供給し得るに充分な量、 （Ｃ） 式、 −SiOR1（式中、R1は１価炭化水素基である。）で表さ
    れる官能基を有し、かつ、ケイ素原子結合低級アルケニ
    ル基もしくはケイ素原子結合水素原子を有する有機ケイ
    素化合物 ０〜10重量部、 （Ｄ） 白金系触媒 触媒量、 （Ｅ） シリカ微粉末系フィラー ０〜100重量部、 および （Ｆ） 金、銀、ニッケル、または銅からなる金属微粉
    末、またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉
    末 50〜2000重量部 からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    導電性接着剤。
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970008355B1 (ko) * 1992-09-29 1997-05-23 가부시키가이샤 도시바 수지밀봉형 반도체장치
US5441726A (en) * 1993-04-28 1995-08-15 Sunsmart, Inc. Topical ultra-violet radiation protectants
US5391432A (en) * 1993-04-28 1995-02-21 Mitchnick; Mark Antistatic fibers
AU6627394A (en) * 1993-04-28 1994-11-21 Mark Mitchnick Conductive polymers
US5384284A (en) * 1993-10-01 1995-01-24 Micron Semiconductor, Inc. Method to form a low resistant bond pad interconnect
EP0647682B1 (en) * 1993-10-06 1997-12-03 Dow Corning Toray Silicone Company, Limited Silver-filled electrically conductive organosiloxane compositions
JP3950490B2 (ja) * 1995-08-04 2007-08-01 東レ・ダウコーニング株式会社 導電性シリコーンゴム組成物および半導体装置
TW334469B (en) * 1995-08-04 1998-06-21 Doconitele Silicon Kk Curable organosiloxane compositions and semiconductor devices
US5611884A (en) * 1995-12-11 1997-03-18 Dow Corning Corporation Flip chip silicone pressure sensitive conductive adhesive
JPH09286971A (ja) * 1996-04-19 1997-11-04 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シリコーン系ダイボンディング剤、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP3950493B2 (ja) * 1996-04-26 2007-08-01 東レ・ダウコーニング株式会社 導電性シリコーンゴム組成物、半導体装置の製造方法およびその半導体装置
DE69715504T2 (de) * 1996-04-26 2003-06-05 Dow Corning Toray Silicone Elektrisch leitfähige Silikonkautschukzusammensetzung und ihre Anwendung zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
JP3417247B2 (ja) * 1996-05-28 2003-06-16 株式会社デンソー 樹脂封止型電子装置の製造方法
JP3928753B2 (ja) * 1996-08-06 2007-06-13 日立化成工業株式会社 マルチチップ実装法、および接着剤付チップの製造方法
JP3436464B2 (ja) * 1996-10-31 2003-08-11 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 付加反応硬化型導電性シリコーン組成物および導電性シリコーン硬化物の製造方法
JPH11254670A (ja) 1998-03-10 1999-09-21 Nec Corp インクジェットヘッド
JP3173586B2 (ja) * 1998-03-26 2001-06-04 日本電気株式会社 全モールド型固体撮像装置およびその製造方法
TWI257410B (en) 1999-03-25 2006-07-01 Shinetsu Chemical Co Conductive silicone rubber composition and low-resistance connector
WO2001064807A1 (fr) * 2000-02-29 2001-09-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Adhesif conducteur, appareil de montage de composant electronique, et procede de montage d'un tel composant
US6361716B1 (en) * 2000-07-20 2002-03-26 Dow Corning Corporation Silicone composition and electrically conductive silicone adhesive formed therefrom
JP2003031028A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 導電性組成物
US6784555B2 (en) * 2001-09-17 2004-08-31 Dow Corning Corporation Die attach adhesives for semiconductor applications utilizing a polymeric base material with inorganic insulator particles of various sizes
DE60231232D1 (de) * 2001-11-28 2009-04-02 Dow Corning Toray Co Ltd Anisotrop elektroleitfaehiger klebefilm, verfahren zu seiner herstellung und halbleitervorrichtungen
JP3999994B2 (ja) * 2002-04-03 2007-10-31 東レ・ダウコーニング株式会社 導電性シリコーンゴム組成物
JP4597508B2 (ja) * 2003-12-10 2010-12-15 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 半導体ペレットと半導体ペレット取付部材とを接合するためのシリコーン接着剤
JP2006073950A (ja) 2004-09-06 2006-03-16 Kansai Electric Power Co Inc:The 高耐熱半導体装置
US20060094809A1 (en) * 2004-11-02 2006-05-04 Simone Davide L Electrically and thermally conductive silicone adhesive compositions
JP2007035965A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法、ならびにそれに使用される接着材料およびその製造方法
JP5060074B2 (ja) * 2006-05-11 2012-10-31 東レ・ダウコーニング株式会社 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置
US20070284758A1 (en) * 2006-05-22 2007-12-13 General Electric Company Electronics package and associated method
CN103237863B (zh) * 2010-12-20 2015-07-08 施敏打硬株式会社 导电性粘接剂
JP5854522B2 (ja) * 2013-07-16 2016-02-09 国立研究開発法人産業技術総合研究所 接着材組成物
JP6348434B2 (ja) * 2014-03-28 2018-06-27 信越化学工業株式会社 シリコーン粘着剤組成物、その製造法及び粘着フィルム
KR20150112851A (ko) * 2014-03-28 2015-10-07 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 실리콘 점착제 조성물, 그의 제조 방법 및 점착 필름
JP6870258B2 (ja) 2016-09-23 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 導電性接着剤および導電性材料
CN108102578A (zh) * 2017-12-21 2018-06-01 上海市合成树脂研究所有限公司 一种导电胶的制备方法
CN111138836B (zh) * 2020-01-02 2022-03-08 深圳先进技术研究院 一种柔性电磁屏蔽复合材料及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2882823B2 (ja) 1989-11-15 1999-04-12 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 接着剤

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2307776C3 (de) * 1973-02-16 1979-08-30 Wacker-Chemie Gmbh, 8000 Muenchen Verwendung von Gemischen auf Basis von OrganopolysUoxanen als Klebstoffe
JPS5886732A (ja) * 1981-11-18 1983-05-24 Clarion Co Ltd 半導体素子
JPS61296749A (ja) * 1985-06-25 1986-12-27 Toray Silicone Co Ltd 半導体装置用リードフレームの製造方法
JPS62240361A (ja) * 1986-04-11 1987-10-21 Toray Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
FR2605326A1 (fr) * 1986-10-20 1988-04-22 Rhone Poulenc Multi Tech Composition potentiellement adhesive electriquement conductrice.
FR2606784B1 (fr) * 1986-11-14 1989-03-03 Rhone Poulenc Multi Tech Composition potentiellement adhesive electriquement conductrice
JP2585006B2 (ja) * 1987-07-22 1997-02-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2882823B2 (ja) 1989-11-15 1999-04-12 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 接着剤

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