JP2969788B2 - イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置 - Google Patents

イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置

Info

Publication number
JP2969788B2
JP2969788B2 JP2127230A JP12723090A JP2969788B2 JP 2969788 B2 JP2969788 B2 JP 2969788B2 JP 2127230 A JP2127230 A JP 2127230A JP 12723090 A JP12723090 A JP 12723090A JP 2969788 B2 JP2969788 B2 JP 2969788B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
scanning
ion
target
waveform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2127230A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0422900A (ja
Inventor
倫郎 礒部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP2127230A priority Critical patent/JP2969788B2/ja
Priority to US07/700,451 priority patent/US5180918A/en
Priority to DE69124136T priority patent/DE69124136T2/de
Priority to EP91107947A priority patent/EP0457321B1/en
Priority to KR1019910008027A priority patent/KR940009197B1/ko
Publication of JPH0422900A publication Critical patent/JPH0422900A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2969788B2 publication Critical patent/JP2969788B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イオンビームを電気的に平行走査(パラ
レルスキャン)する方式のイオン注入装置におけるイオ
ンビームの平行度測定方法、同イオンビームの走査波形
整形方法およびそのような方法を実施することができる
イオン注入装置に関する。
〔従来の技術〕
第11図は、従来のイオン注入装置の一例を部分的に示
す概略図である。
このイオン注入装置は、図示しないイオン源から引き
出され、かつ必要に応じて質量分析、加速等が行われた
スポット状のイオンビーム2を、走査電源12から互いに
180度位相の異なる走査電圧が印加される二組の走査電
極4および6の協働によってX方向(例えば水平方向。
以下同じ)に静電的に平行走査し、これをホルダ10に保
持されたターゲット(例えばウェーハ)8に照射するよ
う構成されている。
走査電源12は、この例では、互いに180度位相の異な
る三角波形の走査電圧+Vおよび−Vを出力する。
なお、ホルダ10およびターゲット8は、例えば、図示
しないホルダ駆動装置によって前記X方向と実質的に直
交するY方向(例えば垂直方向。以下同じ)に機械的に
走査され、これとイオンビーム2の前記走査との協働
(ハイブリッドスキャン)によってターゲット8の全面
に均一にイオン注入が行われるようにしている。
また、従来は、イオンビーム2のX方向の走査領域の
一端部に、イオンビーム2を受けてそのビーム電流Iを
計測するビームモニタ14を設け、このビーム電流Iを表
示装置15のY軸に、前記走査電圧(例えば+V)をX軸
にそれぞれ入力し、これによってイオン注入中のイオン
ビーム2の走査状況をモニタするようにしている。第12
図にその波形の一例を示す。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のようなイオン注入装置においては、走査電源12
の故障・劣化、走査電源12と走査電極4および6とを接
続するリード線の断線・劣化、あるいはビームライン構
成の予期せざる変動等によって、イオンビーム2の平行
度に異常を来す可能性がある。
ちなみに、イオンビーム2の平行度に異常が生じると
(即ち平行度が悪くなると)、例えばターゲット8上で
のイオンビーム2の走査速度や入射角が一定でなくな
り、ターゲット8上での注入均一性が低下する等の不具
合が生じる。
そのため従来は、当該イオン注入装置のオペレータが
第12図の波形を元に平行度の異常を判断しているが、こ
れには多くの経験が必要になるという問題がある。
また、例え十分に経験を積んでいたとしても、イオ
ンビーム2の平行度の長期的な変動は分りにくい、下
流側の走査電極6の働きが完全に無効になった場合、ビ
ーム電流波形のピークの位置が若干ずれるとしても正常
時のものと全く相似な波形が得られる、上記波形はイ
オン種、ビーム量、イオン源の条件等によっても、平行
度の異常時と良く似た変化をする、異常があっても走
査電源12のオフセット電圧を変化させてビーム走査の中
心をずらすことで、正常な波形に近いものが得られるこ
とがある、等の理由で、平行度の異常を発見することは
難しい。
そこでこの発明の一つの目的は、イオンビームの平行
度の異常を簡単にかつ確実に検知することができるイオ
ンビームの平行度測定方法を提供することである。
この発明の他の目的は、更に進んでターゲット上での
イオンビームの走査速度が一定に近づくようにイオンビ
ームの走査波形を整形するイオンビームの走査波形整形
方法を提供することである。
この発明の更に他の目的は、上記のようなイオンビー
ムの平行度測定方法およびイオンビームの走査波形整形
方法を簡単に実施することができるイオン注入装置を提
供することである。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、この発明に係るイオンビー
ムの平行度測定方法は、電気的に平行走査されるイオン
ビームを電気的に検出してその走査位置の時間的変化を
表す関数をイオンビームの上流側および下流側について
それぞれ求め、この関数に基づいて、互いに対応する時
刻におけるイオンビームの前記上流側での位置および前
記下流側での位置を求め、そしてこの両方の位置の関係
によってイオンビームの平行度を定量的に求めることを
特徴とする。
また、この発明に係るイオンビームの走査波形整形方
法は、電気的に平行走査されるイオンビームを電気的に
検出してその走査位置の時間的変化をイオンビームの上
流側および下流側についてそれぞれ求め、その結果に基
づいて、イオンビームの上流側および下流側での計測位
置とターゲットとの位置関係からターゲット上でのイオ
ンビームの走査位置の時間的変化を求め、そしてこのタ
ーゲット上でのイオンビームの走査位置の時間的変化が
一定になるように、イオンビームの走査波形を整形する
ことを特徴とする。
また、この発明に係る第1のイオン注入装置は、電気
的に平行走査されるイオンビームを電気的に検出してそ
の走査位置の時間的変化を表す関数をイオンビームの上
流側および下流側についてそれぞれ求める処理と、この
関数に基づいて、互いに対応する時刻におけるイオンビ
ームの前記上流側での位置および前記下流側での位置を
求める処理と、この両方の位置の関係によってイオンビ
ームの平行度を定量的に求める処理とを行う制御装置を
備えることを特徴とする。
更に、この発明に係る第2のイオン注入装置は、電気
的に平行走査されるイオンビームを電気的に検出してそ
の走査位置の時間的変化を表す関数をイオンビームの上
流側および下流側についてそれぞれ求める処理と、この
関数に基づいて、イオンビームの上流側および下流側で
の計測位置とターゲットとの位置関係からターゲット上
でのイオンビームの走査位置の時間的変化を表す関数を
求める処理と、このターゲット上でのイオンビームの走
査位置の時間的変化が一定になるように、イオンビーム
の走査波形を整形する処理とを行う制御装置を備えるこ
とを特徴とする。
〔実施例〕
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置
を部分的に示す概略図である。第2図は、第1図の装置
における走査電極周りを側方から見て示す概略図であ
る。
この実施例のイオン注入装置も、図示しないイオン源
から引き出され、かつ必要に応じて質量分析、加速等が
行われたスポット状のイオンビーム2を、走査電源22か
ら互いに180度位相の異なる走査電圧が印加される二組
の走査電極4および6の協働によってX方向に静電的に
平行走査し、これをホルダ10に保持されたターゲット8
に照射するよう構成されている。
上流側の走査電極4と下流側の走査電極6との間に
は、この例では、イオンビーム2をY方向に所定の角度
偏向させ、直進する中性ビームを分離して目的とするイ
オンビーム2がターゲット8に入射するように、一組の
偏向電極5が設けられている。この偏向電極5は、それ
に印加する電圧を変えて(具体的には下げて)、イオン
ビーム2が後述する多点ビームモニタ24へ入射するよう
にすることにも用いられる。
ホルダ10およびターゲット8の、前記X方向と実質的
に直交するY方向の機械的走査は、この例では、ホルダ
10を支えるアーム18を可逆転式のモータ(例えばダイレ
クトドライブモータ)16によって矢印Rのように揺動回
転させることによって行うようにしているが、必ずしも
これに限られるものではない。
二つの多点ビームモニタ24および26が、この例では、
ターゲット8の上流側および下流側にそれぞれ設けられ
ており、しかもこの例では、上流側の多点ビームモニタ
24はターゲット8に照射されるイオンビーム2を遮らな
いように上方にずらして配置されており、下流側の多点
ビームモニタ26はターゲット8の後方に配置されている
(第2図参照)。
各多点ビームモニタ24、26は、イオンビーム2を電気
的に検出する複数のビーム検出点がイオンビーム2の走
査方向であるX方向に並設されかつ各ビーム検出点の位
置が予め分かっているものである。例えば、各多点ビー
ムモニタ24、26は、イオンビーム2を受けてそのビーム
電流Iをそれぞれ計測する複数の独立したビーム電流計
測器(例えばファラデーカップ)をイオンビーム2の走
査方向であるX方向に並べたものでも良いし、X方向に
長い単一のビーム電流計測器の前方に、複数の孔がX方
向に並んだマスクを設けたものでも良い。
いずれにしても、この多点ビームモニタ24および26
は、後述するようにイオンビーム2のビーム電流Iのピ
ークを検出することが目的であるため、絶対値としての
ビーム電流Iの計測精度は必ずしも必要ではない。即
ち、各多点ビームモニタ24、26内のビーム電流検出点間
の検出量や感度等のばらつきは問題にならない。
両多点ビームモニタ24および26によって計測したビー
ム電流Iは、データロガー28によって収集かつ記録され
る。
またこの実施例では、このデータロガー28によって収
集したデータに基づいて、後述するような演算処理等を
行う制御装置30がこのデータロガー28に接続されてい
る。
またこの実施例では、走査電極4および6に走査電圧
+Vおよび−Vを供給する走査電源22を、次のような構
成にしている。
即ちこの走査電源22は、外部から与えられる走査波形
データ(例えば上記制御装置30から与えられる走査波形
データDS)に基づいて当該走査波形データに対応する波
形の走査信号VSを発生する任意波形発生器221と、それ
からの走査信号VSを昇圧して互いに逆極性の走査電圧+
Vおよび−Vをそれぞれ出力する高圧増幅器222および2
23とを備えている。
任意波形発生器221は、プログラム設定することによ
って、あるいは外部から入力される走査波形データに基
づいて、任意波形の信号を発生することができるもので
あり、公知のものである。
またこの任意波形発生器221は、データロガー28に対
して、上流側および下流側の多点ビームモニタ24および
26のデータ収集を同期させるための同期信号(例えばク
ロック信号)SYを供給する。
次に、上記のようなイオン注入装置において、イオン
ビーム2の平行度を測定する方法の例を説明する。この
測定は、この実施例では、ターゲット8が搬送中か、イ
オン注入中であってもY方向の機械的走査動作が方向転
換中である等、ターゲット8およびホルダ10が注入位置
にないときに(即ち下流側の多点ビームモニタ26へイオ
ンビーム2が入射するときに)行うことができる。
まず、偏向電極5への印加電圧を適当に切り換えて、
上流側の多点ビームモニタ24および下流側の多点ビーム
モニタ26にイオンビーム2が入射する状態で最低1往復
ずつ走査を行う。この走査は、計測を正確に行う観点か
ら、ターゲット8に対するイオン注入時と同じ条件で行
うのが好ましい。
このとき、データロガー28は、任意波形発生器221か
らの同期信号(クロック信号)SYを用いて、任意波形発
生器221の1クロック分の動作に対応して、両多点ビー
ムモニタ24および26への入射イオンビーム2のビーム電
流Iのサンプリングを行う。
上記サンプリングにより、任意波形発生器221からの
同期信号SYのクロック数で数えた時間t(=クロック数
×周期)とビーム電流Iとの関係を表すデータが、上流
側の多点ビームモニタ24および下流側の多点ビームモニ
タ26についてそれぞれ得られる。この上、下流側のデー
タは、例えば第3図(A)に示すように、多点ビームモ
ニタ24、26の複数のビーム検出点の中心にイオンビーム
2が入射している状態に対応する複数のピークを持つ
(ちなみに第3図(A)は、多点ビームモニタ24、26が
前述した単一のビーム電流計測器の前方に多孔マスクを
設けたタイプの場合の例である)。
この各ピークの位置の時間t1、t2、・・・は、そのと
きの同期信号SYのクロック数から求めることができる。
また、両多点ビームモニタ24および26の各ビーム検出
点の位置は予め分かっている。例えば、第1図中に示す
ように、多点ビームモニタ24のビーム検出点a、bの位
置は、それぞれ、−xa、−xbである。
このようにして求めた離散的な位置と時間の関係を示
すデータに適当な内挿および外挿を行うことにより、例
えば第3図(B)に示すように、イオンビーム2の走査
位置xの連続的な時間的変化を示す関数を、上流側の多
点ビームモニタ24および下流側の多点ビームモニタ26に
ついてそれぞれ求める。この場合、イオンビーム2の平
行度が全走査領域において一定である場合は、上記関数
は例えば第3図(B)に示すようなきれいな三角波にな
り、平行度が一定でない場合は歪んだ三角波になる。
上記二つの(即ち上流側および下流側についての)関
数から、互いに対応する時刻tにおけるイオンビーム2
の上流側の多点ビームモニタ24での走査位置xu(t)お
よび下流側の多点ビームモニタ26での走査位置xd(t)
を求め、この両方の位置関係によって、イオンビーム2
の時刻tにおける平行度を求める。
例えば、両多点ビームモニタ24および26間の距離をL
とした場合、第4図を参照して、イオンビーム2の走査
方向Xに直交する方向をZとした場合、イオンビーム2
のこのZ方向に対する角度θを平行度と定義すれば、時
刻tにおける平行度θ(t)は、 θ(t)=tan-1{(xu(t)−xd(t))/L} …(1) で定量的に求めることができる。例えば、ある時刻にお
けるイオンビーム2がZ方向に完全に平行な場合は、θ
=0゜となる。また、この注目する時刻tを換えること
により、イオンビーム2の走査領域内での複数点の平行
度を、即ち平行度の分布を、きめ細かく求めることがで
きる。
あるいは、上記θ(t)を求める代わりに、単にx
u(t)−xd(t)またはxu(t)/xd(t)を求めるこ
とによってもイオンビーム2の平行度を求めることがで
きる。
以上により、イオンビーム2の平行度の測定は完了す
る。
なお、データロガー28で収集したビーム電流Iのデー
タに基づいてイオンビーム2の平行度を求める上記のよ
うな処理は、この実施例では制御装置30によって行うよ
うにしているが、人が行っても良い。
上記のような平行度測定方法によれば、オペレータの
経験とか勘というようなものに頼らずに、定量的に精度
良く、イオンビーム2の平行度やその走査方向における
分布を求めることができる。従って、前述したような原
因によるイオンビーム2の平行度の異常を簡単にかつ確
実に検知することができる。
なお、イオンビーム2の平行度の測定には、多孔マス
クと紙のようなものを使用し、多孔マスクの各孔を通過
したイオンビームが紙につける焼跡の位置と孔との関係
で平行度を測定する方法もあるが、この方法だと、測定
の度ごとに、当該イオン注入装置を構成する真空容器の
真空を破って多孔マスクや紙を真空容器内に持ち込まな
ければならず、非常に手間や時間がかかるという問題が
ある。
これに対して上記測定方法では、イオンビーム2を電
気的に検出する、より具体的には多点ビームモニタ24お
よび26で検出するようにしているので、真空容器の真空
を破る必要は全くなく、必要なときにそのままで簡単に
測定することができる。
また、イオンビーム2の電気的検出には必ずしも上記
例のように二つの多点ビームモニタ24および26を用いる
必要はなく、例えば一つの多点ビームモニタをZ方向に
移動させても良いし、あるいは単一のビーム電流計測器
がX方向に、あるいは更にZ方向に、移動するようなも
のを用いても良いが、上記例のように二つの多点ビーム
モニタ24および26を用いれば、可動機構が不要になり簡
単な構成でしかも時間をかけずにイオンビーム2の平行
度を測定することができる。このことは、後述する波形
整形方法においても同様である。
次に、上記のようなイオン注入装置において、イオン
ビーム2の平行度測定から更に進んで、イオンビーム2
の走査波形を整形する方法の例を説明する。
第5図に、大振幅および小振幅の場合のイオンビーム
の軌道の例を示す。軌道A、A′、B、B′は、それぞ
れ、一方の走査電極4およびこれと反対側の走査電極6
に+VA、+VA′、+VB、+VB′を印加し、他方の走査電
極4およびこれと反対側の走査電極6に−VA、−VA′、
−VB、−VB′を印加した場合である。
ターゲット位置への入射点xA、xA′、xB、xB′は、
VA′−VA=VB′−VBのとき、通常は、 xA′−xA>xB′−xB となる。即ち、イオンビーム2は中心へ向かって集束す
る傾向になる。従って、dV/dt=一定の三角波による走
査では、小振幅の部分ではターゲット上での走査速度が
速くなり、大振幅の部分では走査速度は遅くなる。この
結果、ターゲットへのイオン注入量は、周辺へ行くほど
多くなることになる。
このような現象が起こるのは、ビーム軌道BやB′の
ような大振幅の場合、イオンビーム2が下流側の走査電
極6を通過中に電位(正電位)の高い電極近傍を通るた
めにイオンビーム2が減速されて曲げ戻しの作用が大き
くなるためである。
このような注入量の不均一性を補正するためには、大
振幅の部分ではイオンビーム2の走査速度が速くなるよ
うな走査電圧波形が必要である。
走査波形の整形を行うこれまでの方法としては、 (A)ビームライン上に設けた多点ビームモニタや、イ
オンビーム2の走査方向に移動可能な単一のビームモニ
タを用いて、イオンビーム2の走査方向の幾つかの点で
のビーム電流量を計測して、その値を元にして走査波形
の整形を行うものや、 (B)ビームライン上の電位分布のシミュレーション計
算から波形を生成するものがある。
ところが上記(A)の方法の場合、ビームモニタをタ
ーゲットと同一位置に設けないと、両者間の位置の差Δ
Zにより、例えば第5図に示すように、 (XB′−XB:XA′−XA)≠(xB′−xB:xA′−xA) となるため、計測が不正確になり、ターゲット上での走
査速度が一定となるような波形を正確に作り出すことが
できない。これを避けるためには、ビームモニタをター
ゲットと同一位置に正確に位置決めし、ターゲットに対
するイオン注入時はその邪魔にならない位置に移動させ
る可動機構が必要になり、構造が複雑化するという問題
がある。
また、上記(B)の方法の場合、シミュレーションモ
デルが複雑であり、特に走査電極端部の影響の評価が難
しく、そのため正確な計算を行うには多大な時間がかか
る。また、好ましい走査波形データを作って走査電源
(例えば走査電源22の任意波形発生器221)に入力して
も、同電源の高圧増幅器222、224等における非直線性等
により、その出力である走査電圧は必ずしも入力波形デ
ータと一致せず、装置ごとのばらつきが出るため、正確
な波形整形は困難であるという問題がある。
これに対して、以下に述べるこの実施例の走査波形整
形方法によれば、上記のような問題点を全て解消するこ
とができる。
この実施例の走査波形整形方法も、構成的には、第1
図および第2図等に示したのと同様のものを用いて行う
ことができる。
また波形整形のためのデータ収集等は、上記平行度測
定の場合と同様、ターゲット8およびホルダ10が注入位
置にない場合(即ち下流側の多点ビームモニタ26へイオ
ンビーム2が入射するときに)行うことができる。
波形整形の手順の例を以下に示す。
(1)まず、イオンビーム2の平行度測定の場合に説明
した上記〜の手順と同様の手順により、イオンビー
ム2の上流側の多点ビームモニタ24および下流側の多点
ビームモニタ26での、連続的な時間の関数としての走査
位置を求める。
(2)次に、両多点ビームモニタ24、26とターゲット8
との位置関係および上記(1)で求めた関数により、タ
ーゲット8上での時刻tにおけるイオンビーム2の走査
位置を求める。
即ち第6図を参照して、ターゲット8と多点ビームモ
ニタ24および26との間の距離をそれぞれL1、L2とした場
合、時刻tでの多点ビームモニタ24上での走査位置x
u(t)および多点ビームモニタ26上での走査位置x
d(t)から、ターゲット8上での走査位置xt(t)
は、 xt(t)=(L2xu(t)+L1xd(t))÷(L1+L2) …(2) で求まる。
上記(2)式によるターゲット8上での走査位置xt
時間的変化の例を第7図に示す。ターゲット8上でのイ
オンビーム2の走査速度が一定であれば、例えば破線C
で示すような直線となり、例えばターゲット8の周辺部
で走査速度が遅い場合は(例えば第5図に示したように
イオンビーム2が中心に向かって集束しているような場
合は)、実線Dで示すように直線から歪んだものとな
る。
(3)上記により、ターゲット8上での走査速度が一定
であれば、走査波形整形の必要はないので、処理は終了
する。
(4)一定でない場合、イオンビーム2のビーム電流I
のサンプリングを行ったときに任意波形発生器221から
出力した走査信号VSのデータ(例えば第8図中の実線E
で示すような波形)は分かっているので、これと第7図
で説明した関数とから、走査信号VSとターゲット8上で
のイオンビーム2の走査位置xtとの対応を求める。その
結果、上記例では第9図に示すような関数が得られる。
これから、走査電源22の任意波形発生器221からどのよ
うな値の走査信号VSを出力したら、ターゲット8上でイ
オンビーム2がどこに来るかが分る。
(5)この第9図のような関数を元に、走査信号VSの波
形を整形して、第7図のカーブが直線化するようにす
る。例えば上記例では、第8図中に破線Fで示すよう
に、走査信号VSのピーク付近を少し持ち上げれば良い。
この実施例では、制御装置30においてこの走査信号VSに
対応する走査波形データDSを作り直してこれを任意波形
発生器221に与えるようにしている。
(6)その後は、必要に応じて上記(1)に戻って、タ
ーゲット8上において必要とする一定の走査速度が得ら
れるまで、即ち第7図の実線Dで示すカーブが所望の直
線になるまで、上記と同様の処理を繰り返せば良い。
上記のような走査波形整形方法によれば、従来のビー
ムモニタ上での走査速度を計測する方法と違って、ター
ゲット8上でのイオンビーム2の走査速度を計算により
求めるようにしており、しかもイオンビーム2は電極通
過中を除いては直進するのでターゲット8上での走査速
度は正確に求めることができるので、多点ビームモニタ
24、26とターゲット8との間の位置の差を無視すること
ができ、ターゲット8上でのイオンビーム2の走査速度
が一定になるような、即ちターゲット8上の走査方向の
イオン注入量が均一になるような走査波形を正確に作り
出すことができる。
しかも、多点ビームモニタ24、26は可動にする必要が
ないので、構造的にも簡単なもので済む。
また、イオンビーム2のビーム電流Iのサンプリング
は、他に異常がない限り、上、下流側の多点ビームモニ
タ24、26で1往復ずつの合計2往復の走査で良いため、
従来の電位分布のシミュレーションを行う方法と違っ
て、波形整形を高速で行うことができる。
しかも、この実施例の方法では、走査電源22の高圧増
幅器222、223等における非直線性をも含めて波形整形す
ることになるので、高圧増幅器222、223等の特性のばら
つきに影響されることなく正確な波形整形が可能であ
る。
なお、以上においては、多点ビームモニタ24および26
がターゲット8を挟んで配置されている場合を例に説明
したが、必ずしもそのようにする必要はなく、基本的に
は両多点ビームモニタ24、26をイオンビーム2の上流側
と下流側とに配置すれば良い。
また、一方または両方の多点ビームモニタ24、26を、
ターゲット8に対するイオン注入の際のビーム軌道から
上下方向(Y方向)にずらしても、X方向に走査される
イオンビーム2の走査位置の時間的変化の計測に支障は
ない。
また、走査電源22を、例えば第10図に示すように、前
述した制御装置30から走査波形データDS1およびDS2を受
けて互いに逆極性の走査信号+VSおよび−VSをそれぞれ
発生する二つの任意波形発生器221および224と、それら
をそれぞれ昇圧して互いに逆極性の走査電圧+Vおよび
−Vを出力する二つの高圧増幅器222および225とで構成
し、この各任意波形発生器221および224に制御装置30か
ら前記と同様にして算出した走査波形データDS1およびD
S2をそれぞれ与えるようにしても良く、そのようにすれ
ば走査電極4および6に供給する走査電圧の波形を+V
側と−V側とで互いに独立して変えることができるの
で、よりきめ細かな補正を行うことができるようにな
る。
また、この発明は、上記例のようにイオンビーム2を
静電的に平行走査する場合だけではなく、磁場による偏
向を併用する等して平行走査する場合にも適用すること
ができる。
また、この明細書においてX方向およびY方向は、直
交する2方向を表すだけであり、従って例えば、X方向
を水平方向と見ても、垂直方向と見ても、更にはそれら
から傾いた方向と見ても良い。
〔発明の効果〕
以上のように請求項1および5記載の発明によれば、
オペレータの経験とか勘に頼ることなく、イオンビーム
の平行度を、またその走査方向における分布を、定量的
に精度良く測定することができる。従って、種々の原因
によるイオンビームの平行度の異常を簡単にかつ確実に
検知することができる。しかも、イオン注入装置を構成
する真空容器の真空を破る必要がないので、必要なとき
に簡単に平行度を測定することができる。
また、請求項1記載の平行度測定方法において、イオ
ンビームの電気的検出に二つの多点ビームモニタを用い
れば、簡単な構成でしかも時間をかけずに平行度を測定
することができるようになる。
また、請求項3および6記載の発明によれば、ターゲ
ット上でのイオンビームの走査速度を計算により求める
ようにしているので、ターゲット上でのイオンビームの
走査速度が一定になるような、即ちターゲット上の走査
方向のイオン注入量が均一になるような走査波形を正確
に作り出すことができる。しかも、イオンビームの計測
は、上流側および下流側において最低限1往復走査分ず
つで良いため、従来の電位分布のシュミレーションを行
う方法と違って、波形整形を高速で行うことができる。
また、この発明では、走査電源における非直線性をも含
めて波形整形するようになるので、走査電源の特性のば
らつきに影響されることなく正確な波形整形が可能にな
る。
また、請求項3記載の波形整形方法において、イオン
ビームの電気的検出に二つの多点ビームモニタを用いれ
ば、簡単な構成でしかも時間をかけずに波形整形を行う
ことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示す概略図である。第2図は、第1図の装置に
おける走査電極周りを側方から見て示す概略図である。
第3図(A)は多点ビームモニタで計測したビーム電流
波形の一例を示すものであり、同図(B)はこの波形に
基づいて得られるイオンビームの走査位置の時間的変化
の一例を示すグラフである。第4図は、上流側の多点ビ
ームモニタ上および下流側の多点ビームモニタ上でのイ
オンビームの走査位置の関係の一例を示す図である。第
5図は、大振幅および小振幅の場合のイオンビームの軌
道の例を示す図である。第6図は、上流側の多点ビーム
モニタ上、下流側の多点ビームモニタ上およびターゲッ
ト上でのイオンビームの走査位置の関係の一例を示す図
である。第7図は、イオンビームの走査位置の時間的変
化の一例を示すグラフである。第8図は、走査信号の時
間的変化の一例を示すグラフである。第9図は、走査信
号とイオンビームの走査位置との関係の一例を示すグラ
フである。第10図は、走査電源の他の例を示すブロック
図である。第11図は、従来のイオン注入装置の一例を部
分的に示す概略図である。第12図は、イオン注入中のビ
ーム電流波形の一例を示す図である。 2……イオンビーム、4……走査電極、5……偏向電
極、6……走査電極、8……ターゲット、22……走査電
源、221……任意波形発生器、222,223……高圧増幅器、
24,26……多点ビームモニタ、28……データロガー、30
……制御装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G21K 5/04 G01T 1/29 H01J 37/04 H01L 21/265

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電気的に平行走査されるイオンビームを電
    気的に検出してその走査位置の時間的変化を表す関数を
    イオンビームの上流側および下流側についてそれぞれ求
    め、この関数に基づいて、互いに対応する時刻における
    イオンビームの前記上流側での位置および前記下流側で
    の位置を求め、そしてこの両方の位置の関係によってイ
    オンビームの平行度を定量的に求めることを特徴とする
    イオンビームの平行度測定方法。
  2. 【請求項2】前述したイオンビームの電気的検出に、イ
    オンビームの上流側と下流側とに設けられていて、イオ
    ンビームを電気的に検出する複数のビーム検出点がイオ
    ンビームの走査方向に並設されかつ各ビーム検出点の位
    置が予め分かっている二つの多点ビームモニタを用いる
    ことを特徴とする請求項1記載のイオンビームの平行度
    測定方法。
  3. 【請求項3】電気的に平行走査されるイオンビームを電
    気的に検出してその走査位置の時間的変化をイオンビー
    ムの上流側および下流側についてそれぞれ求め、その結
    果に基づいて、イオンビームの上流側および下流側での
    計測位置とターゲットとの位置関係からターゲット上で
    のイオンビームの走査位置の時間的変化を求め、そして
    このターゲット上でのイオンビームの走査位置の時間的
    変化が一定になるように、イオンビームの走査波形を整
    形することを特徴とするイオンビームの走査波形整形方
    法。
  4. 【請求項4】前述したイオンビームの電気的検出に、イ
    オンビームの上流側と下流側とに設けられていて、イオ
    ンビームを電気的に検出する複数のビーム検出点がイオ
    ンビームの走査方向に並設されかつ各ビーム検出点の位
    置が予め分かっている二つの多点ビームモニタを用いる
    ことを特徴とする請求項3記載のイオンビームの走査波
    形整形方法。
  5. 【請求項5】電気的に平行走査されるイオンビームを電
    気的に検出してその走査位置の時間的変化を表す関数を
    イオンビームの上流側および下流側についてそれぞれ求
    める処理と、この関数に基づいて、互いに対応する時刻
    におけるイオンビームの前記上流側での位置および前記
    下流側での位置を求める処理と、この両方の位置の関係
    によってイオンビームの平行度を定量的に求める処理と
    を行う制御装置を備えることを特徴とするイオン注入装
    置。
  6. 【請求項6】電気的に平行走査されるイオンビームを電
    気的に検出してその走査位置の時間的変化を表す関数を
    イオンビームの上流側および下流側についてそれぞれ求
    める処理と、この関数に基づいて、イオンビームの上流
    側および下流側での計測位置とターゲットとの位置関係
    からターゲット上でのイオンビームの走査位置の時間的
    変化を表す関数を求める処理と、このターゲット上での
    イオンビームの走査位置の時間的変化が一定になるよう
    に、イオンビームの走査波形を整形する処理とを行う制
    御装置を備えることを特徴とするイオン注入装置。
JP2127230A 1990-05-17 1990-05-17 イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置 Expired - Fee Related JP2969788B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2127230A JP2969788B2 (ja) 1990-05-17 1990-05-17 イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置
US07/700,451 US5180918A (en) 1990-05-17 1991-05-15 Method and apparatus for measuring ion beam collimation, shaping the ion beam and controlling scanning thereof
DE69124136T DE69124136T2 (de) 1990-05-17 1991-05-16 Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Bündelung eines Ionenstrahls zur Formung und Kontrolle der Ablenkung desselben
EP91107947A EP0457321B1 (en) 1990-05-17 1991-05-16 Method and apparatus for measuring ion beam collimation, shaping the ion beam and controlling scanning thereof
KR1019910008027A KR940009197B1 (ko) 1990-05-17 1991-05-17 이온비임의 평행도 측정방법, 주사파형 정형방법 및 이온주입장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2127230A JP2969788B2 (ja) 1990-05-17 1990-05-17 イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0422900A JPH0422900A (ja) 1992-01-27
JP2969788B2 true JP2969788B2 (ja) 1999-11-02

Family

ID=14954949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2127230A Expired - Fee Related JP2969788B2 (ja) 1990-05-17 1990-05-17 イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5180918A (ja)
EP (1) EP0457321B1 (ja)
JP (1) JP2969788B2 (ja)
KR (1) KR940009197B1 (ja)
DE (1) DE69124136T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235006A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオンビームの進行角修正方法およびイオン注入装置
US7435976B2 (en) 2003-12-04 2008-10-14 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion beam device
US7655929B2 (en) 2006-05-23 2010-02-02 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion beam measuring method and ion implanting apparatus

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5319212A (en) * 1992-10-07 1994-06-07 Genus, Inc. Method of monitoring ion beam current in ion implantation apparatus for use in manufacturing semiconductors
JP3288554B2 (ja) * 1995-05-29 2002-06-04 株式会社日立製作所 イオン注入装置及びイオン注入方法
US6827824B1 (en) * 1996-04-12 2004-12-07 Micron Technology, Inc. Enhanced collimated deposition
US5898179A (en) 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
US6480278B1 (en) * 1997-12-16 2002-11-12 Stephen Douglas Fuerstenau Method and apparatus for detection of charge on ions and particles
JP3567749B2 (ja) * 1998-07-22 2004-09-22 日新電機株式会社 荷電粒子ビームの分布測定方法およびそれに関連する方法
JP4207307B2 (ja) 1999-04-26 2009-01-14 日新イオン機器株式会社 チャージアップ測定装置
US6791094B1 (en) 1999-06-24 2004-09-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method and apparatus for determining beam parallelism and direction
GB2355337B (en) * 1999-10-12 2004-04-14 Applied Materials Inc Ion implanter and beam stop therefor
US6323497B1 (en) * 2000-06-02 2001-11-27 Varian Semiconductor Equipment Assoc. Method and apparatus for controlling ion implantation during vacuum fluctuation
US6437350B1 (en) * 2000-08-28 2002-08-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for adjusting beam parallelism in ion implanters
US6573518B1 (en) 2000-10-30 2003-06-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Bi mode ion implantation with non-parallel ion beams
US6690022B2 (en) 2001-01-17 2004-02-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion beam incidence angle and beam divergence monitor
US7323700B1 (en) 2001-04-02 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling beam scanning in an ion implantation device
US7300922B2 (en) 2001-05-25 2007-11-27 Duke University Modulators of pharmacological agents
JP3692999B2 (ja) 2001-10-26 2005-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入方法およびその装置
US6911660B2 (en) * 2002-10-02 2005-06-28 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method of measuring ion beam angles
US6677598B1 (en) * 2003-04-29 2004-01-13 Axcelis Technologies, Inc. Beam uniformity and angular distribution measurement system
US7105839B2 (en) * 2003-10-15 2006-09-12 White Nicholas R Method and fine-control collimator for accurate collimation and precise parallel alignment of scanned ion beams
JP4251453B2 (ja) 2004-02-23 2009-04-08 日新イオン機器株式会社 イオン注入方法
JP2006019048A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Toshiba Corp イオン注入装置および半導体装置の製造方法
US6989545B1 (en) * 2004-07-07 2006-01-24 Axcelis Technologies, Inc. Device and method for measurement of beam angle and divergence
JP5431634B2 (ja) * 2005-05-14 2014-03-05 エフ・イ−・アイ・カンパニー 帯電粒子ビームの偏向信号補償
JP4561690B2 (ja) * 2005-05-24 2010-10-13 日新イオン機器株式会社 イオンビーム計測方法およびイオン注入装置
US7397049B2 (en) * 2006-03-22 2008-07-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Determining ion beam parallelism using refraction method
US7663125B2 (en) * 2006-06-09 2010-02-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion beam current uniformity monitor, ion implanter and related method
JP4872603B2 (ja) * 2006-10-31 2012-02-08 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
US7547900B2 (en) * 2006-12-22 2009-06-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for providing a ribbon-shaped gas cluster ion beam
JP4784544B2 (ja) * 2007-04-03 2011-10-05 日新イオン機器株式会社 イオンビームのビーム幅、発散角の測定方法およびイオン注入装置
US8164068B2 (en) * 2009-07-30 2012-04-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Mask health monitor using a faraday probe
WO2011025998A2 (en) 2009-08-28 2011-03-03 Fei Company Pattern modification schemes for improved fib patterning
JP5970394B2 (ja) * 2013-02-27 2016-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
JP6195538B2 (ja) * 2014-04-25 2017-09-13 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入方法及びイオン注入装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4021675A (en) * 1973-02-20 1977-05-03 Hughes Aircraft Company System for controlling ion implantation dosage in electronic materials
US4011449A (en) * 1975-11-05 1977-03-08 Ibm Corporation Apparatus for measuring the beam current of charged particle beam
JPS56126918A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Hitachi Ltd Injecting device for ion
US4922106A (en) * 1986-04-09 1990-05-01 Varian Associates, Inc. Ion beam scanning method and apparatus
US4751393A (en) * 1986-05-16 1988-06-14 Varian Associates, Inc. Dose measurement and uniformity monitoring system for ion implantation
JPS6386340A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Fujitsu Ltd 一次粒子線照射装置
US4724324A (en) * 1986-11-24 1988-02-09 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for ion beam centroid location
JPS63152844A (ja) * 1986-12-16 1988-06-25 Nec Corp イオンビ−ムスキヤン制御装置
US4967380A (en) * 1987-09-16 1990-10-30 Varian Associates, Inc. Dual channel signal processor using weighted integration of log-ratios and ion beam position sensor utilizing the signal processor
US4851693A (en) * 1988-06-03 1989-07-25 Varian Associates, Inc. Compensated scan wave form generator for ion implantation equipment
JPH0770296B2 (ja) * 1989-05-15 1995-07-31 日新電機株式会社 イオン注入装置
JPH077658B2 (ja) * 1989-05-15 1995-01-30 日新電機株式会社 イオン注入装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7435976B2 (en) 2003-12-04 2008-10-14 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion beam device
US7655929B2 (en) 2006-05-23 2010-02-02 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion beam measuring method and ion implanting apparatus
JP2008235006A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオンビームの進行角修正方法およびイオン注入装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0457321A3 (en) 1992-03-18
KR940009197B1 (ko) 1994-10-01
DE69124136T2 (de) 1997-04-24
US5180918A (en) 1993-01-19
JPH0422900A (ja) 1992-01-27
EP0457321B1 (en) 1997-01-15
KR910020793A (ko) 1991-12-20
EP0457321A2 (en) 1991-11-21
DE69124136D1 (de) 1997-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2969788B2 (ja) イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置
KR930005735B1 (ko) 이온주입장치
US6690022B2 (en) Ion beam incidence angle and beam divergence monitor
KR920010133B1 (ko) 이온비임 주입(注入)디스플레이의 방법 및 장치
JPS63503340A (ja) イオン注入のための注入量の測定及び均一性のモニタリング装置
JPS5822854B2 (ja) カデンリユウシソウサケンビキヨウ
JP2625292B2 (ja) イオン注入均一性予測方法
JP3407468B2 (ja) イオンビームの平行化調整方法
JP2870924B2 (ja) イオンビームのモニタ方法およびその装置
CN111263972B (zh) 监测离子束的装置、控制离子束的装置及方法
JP3456318B2 (ja) ビーム走査波形整形方法
JP2722835B2 (ja) イオン注入装置
JP3257205B2 (ja) イオン注入装置
JPH0317947A (ja) イオン注入装置
JPH056665U (ja) イオン注入装置
JPH04301345A (ja) イオンビームの平行走査方法
KR930005736B1 (ko) 이온주입장치
JPH0817196B2 (ja) 電子ビームプローブ装置
JP2674356B2 (ja) イオン注入装置
JPS6028151A (ja) 走査形ストロボイオン顕微鏡
JPH02312152A (ja) イオン注入装置
JPH04319241A (ja) イオン注入装置
JP2004014320A (ja) イオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置
JPH0589819A (ja) イオン注入装置
JPH0736351U (ja) イオン注入装置

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees