JP2963292B2 - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、InGaPをクラッ
ド層に用いた半導体レーザに関する。
ド層に用いた半導体レーザに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体レーザの一例が文献1:
「Technical Digest of 12th International Semicondo
ctor Laser Conference,D-2,pp42(1991)」に開示されて
いる。この文献に開示の半導体レーザは、クラッド層に
アルミニウム(Al)化合物を用いずにInGaPを用
いている。InGaPをクラッド層に用いると、クラッ
ド層とその他の層とのエッチング選択比を大きくとるこ
とが出来、また、半導体レーザ製造工程中に、クラッド
層の酸化の虞が無いという利点がある。
「Technical Digest of 12th International Semicondo
ctor Laser Conference,D-2,pp42(1991)」に開示されて
いる。この文献に開示の半導体レーザは、クラッド層に
アルミニウム(Al)化合物を用いずにInGaPを用
いている。InGaPをクラッド層に用いると、クラッ
ド層とその他の層とのエッチング選択比を大きくとるこ
とが出来、また、半導体レーザ製造工程中に、クラッド
層の酸化の虞が無いという利点がある。
【0003】以下、図面を用いて、文献1に開示の従来
例につき簡単に説明する。図4は、従来の半導体レーザ
の構造の説明に供する断面図である。
例につき簡単に説明する。図4は、従来の半導体レーザ
の構造の説明に供する断面図である。
【0004】この半導体レーザは、基板10上に、n−
InGaPクラッド層12、InGaAs/GaAsの
歪み量子井戸層14、p−InGaP第1クラッド層1
6およびエッチングストップ層18を順に積層して設け
てある。このエッチングストップ層18の上の一部分に
は、p−InGaP第2クラッド層20およびp−Ga
Asのコンタクト層22をリッジ部分として設けてあ
る。このコンタクト層22の幅は約7μmである。コン
タクト層22上の一部分を除くリッジ上およびエッチン
グストップ層18上には、絶縁用のSiO2 膜24が設
けてある。
InGaPクラッド層12、InGaAs/GaAsの
歪み量子井戸層14、p−InGaP第1クラッド層1
6およびエッチングストップ層18を順に積層して設け
てある。このエッチングストップ層18の上の一部分に
は、p−InGaP第2クラッド層20およびp−Ga
Asのコンタクト層22をリッジ部分として設けてあ
る。このコンタクト層22の幅は約7μmである。コン
タクト層22上の一部分を除くリッジ上およびエッチン
グストップ層18上には、絶縁用のSiO2 膜24が設
けてある。
【0005】コンタクト層22上には、p型電極26、
GaAs基板底面にはn型電極28がそれぞれ設けてあ
り、リッジ部分に電流を注入すると、歪み量子井戸層1
4中のリッジ部分直下の活性層30でレーザ発振が起こ
る。歪み量子井戸層14のリッジ部分直下の活性層30
と、リッジ部分直下以外の部分の歪み量子井戸層14で
は、クラッド層の厚さが異なるため実効屈折率に僅かな
差が生じる。このため、基本横モ−ド発振を得ることが
できる。
GaAs基板底面にはn型電極28がそれぞれ設けてあ
り、リッジ部分に電流を注入すると、歪み量子井戸層1
4中のリッジ部分直下の活性層30でレーザ発振が起こ
る。歪み量子井戸層14のリッジ部分直下の活性層30
と、リッジ部分直下以外の部分の歪み量子井戸層14で
は、クラッド層の厚さが異なるため実効屈折率に僅かな
差が生じる。このため、基本横モ−ド発振を得ることが
できる。
【0006】しかし、従来例の半導体レーザにおいて
は、活性層30が、リッジ部分直下以外の歪み量子井戸
層14と繋がっている。このため、活性層30に電流が
注入された場合、活性層30以外の歪み量子井戸層14
に多くの電流が流れてしまう。その結果、半導体レーザ
の発振閾値電流が高くなってしまう。
は、活性層30が、リッジ部分直下以外の歪み量子井戸
層14と繋がっている。このため、活性層30に電流が
注入された場合、活性層30以外の歪み量子井戸層14
に多くの電流が流れてしまう。その結果、半導体レーザ
の発振閾値電流が高くなってしまう。
【0007】そこで、クラッド層にAlGaAs等のア
ルミニウム化合物を用いた半導体レーザにおいて、リッ
ジ部分直下にのみ量子井戸層の活性層を設け、この活性
層の両側に電流ブロック層を設けた活性層閉じ込め構造
の半導体レーザが提案されている。
ルミニウム化合物を用いた半導体レーザにおいて、リッ
ジ部分直下にのみ量子井戸層の活性層を設け、この活性
層の両側に電流ブロック層を設けた活性層閉じ込め構造
の半導体レーザが提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、活性層
の両側に電流ブロック層を設けた場合、量子井戸層のリ
ッジ部分直下の領域を活性層とした場合に比べて、活性
層と電流ブロック層との屈折率の差が大きくなる。この
ため、単一横モ−ド発振を得るためには活性層の幅を従
来の半導体レーザの活性層の幅よりも狭くしなければな
らない。その結果、半導体レーザの製造にあたり、活性
層の幅を精度良く制御する必要が生じ、さらに、通常の
エッチング技術を用いてリッジ部分を形成すると、リッ
ジ部分のコンタクト層の幅が活性層よりも狭くなり、コ
ンタクトが困難になるという問題が生じる。
の両側に電流ブロック層を設けた場合、量子井戸層のリ
ッジ部分直下の領域を活性層とした場合に比べて、活性
層と電流ブロック層との屈折率の差が大きくなる。この
ため、単一横モ−ド発振を得るためには活性層の幅を従
来の半導体レーザの活性層の幅よりも狭くしなければな
らない。その結果、半導体レーザの製造にあたり、活性
層の幅を精度良く制御する必要が生じ、さらに、通常の
エッチング技術を用いてリッジ部分を形成すると、リッ
ジ部分のコンタクト層の幅が活性層よりも狭くなり、コ
ンタクトが困難になるという問題が生じる。
【0009】従って、この発明の目的は、活性層および
コンタクト層を含むリッジ部分の幅を精度良く制御する
ことができる、低発振閾値の半導体レーザの製造方法を
提供することである。
コンタクト層を含むリッジ部分の幅を精度良く制御する
ことができる、低発振閾値の半導体レーザの製造方法を
提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の半導体レーザの製造方法によれば、第1
導電型GaAs基板上に、第1導電型InGaPクラッ
ド層、量子井戸層、第2導電型InGaPクラッド層お
よび第2導電型GaAsコンタクト層を順次に形成する
工程と、この第2導電型GaAsコンタクト層上にスト
ライプ状のエッチングマスクを形成する工程と、このエ
ッチングマスクを介して、第1エッチング液を用いて第
2導電型GaAsコンタクト層をエッチングし、エッチ
ングマスクの直下周辺部もサイドエッチングする工程
と、このエッチングマスクを介して、第2導電型InG
aPクラッド層を第2エッチング液を用いてエッチング
する工程と、このエッチングマスクを介して、第1エッ
チング液よりもGaAsに対するエッチング速度の遅い
エッチング液である第3エッチング液を用いて量子井戸
層をエッチングして活性層を形成する工程と、この活性
層の両側に電流ブロック層を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
め、この発明の半導体レーザの製造方法によれば、第1
導電型GaAs基板上に、第1導電型InGaPクラッ
ド層、量子井戸層、第2導電型InGaPクラッド層お
よび第2導電型GaAsコンタクト層を順次に形成する
工程と、この第2導電型GaAsコンタクト層上にスト
ライプ状のエッチングマスクを形成する工程と、このエ
ッチングマスクを介して、第1エッチング液を用いて第
2導電型GaAsコンタクト層をエッチングし、エッチ
ングマスクの直下周辺部もサイドエッチングする工程
と、このエッチングマスクを介して、第2導電型InG
aPクラッド層を第2エッチング液を用いてエッチング
する工程と、このエッチングマスクを介して、第1エッ
チング液よりもGaAsに対するエッチング速度の遅い
エッチング液である第3エッチング液を用いて量子井戸
層をエッチングして活性層を形成する工程と、この活性
層の両側に電流ブロック層を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
【0011】また、好ましくは、第1エッチング液をH
2 SO4 、H2 O2 およびH2 Oを4:1:1の割合で
混合したエッチング液とし、第2エッチング液をHCl
およびH2 Oを混合したエッチング液とし、第3エッチ
ング液をH2 SO4 、H2 O2 およびH2 Oを8:1:
100の割合で混合したエッチング液とすると良い。
2 SO4 、H2 O2 およびH2 Oを4:1:1の割合で
混合したエッチング液とし、第2エッチング液をHCl
およびH2 Oを混合したエッチング液とし、第3エッチ
ング液をH2 SO4 、H2 O2 およびH2 Oを8:1:
100の割合で混合したエッチング液とすると良い。
【0012】
【作用】この発明の半導体レーザの製造方法によれば、
リッジ部分直下にのみ活性層を設けて発振閾値電流を低
くした半導体レーザを製造することができる。
リッジ部分直下にのみ活性層を設けて発振閾値電流を低
くした半導体レーザを製造することができる。
【0013】リッジ部分形成時に、活性層およびコンタ
クト層の幅を精度良く制御するために、クラッド層の材
料に、活性層およびコンタクト層とのエッチング選択比
を大きくとることができるInGaPを使用し、かつ、
コンタクト層、クラッド層および活性層をそれぞれエッ
チングする際のエッチング液を変えて、クラッド層およ
び活性層のエッチング時にコンタクト層が必要以上にエ
ッチングされないようにしてある。また、コンタクト
層、クラッド層および活性層のエッチングに際しては、
エッチングマスクを介して各層の幅を確認することがで
きる。
クト層の幅を精度良く制御するために、クラッド層の材
料に、活性層およびコンタクト層とのエッチング選択比
を大きくとることができるInGaPを使用し、かつ、
コンタクト層、クラッド層および活性層をそれぞれエッ
チングする際のエッチング液を変えて、クラッド層およ
び活性層のエッチング時にコンタクト層が必要以上にエ
ッチングされないようにしてある。また、コンタクト
層、クラッド層および活性層のエッチングに際しては、
エッチングマスクを介して各層の幅を確認することがで
きる。
【0014】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の半導体レ
ーザの製造方法の一実施例について説明する。尚、以下
に参照する各図は、この発明が理解できる程度に各構成
成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあ
るにすぎない。従って、この発明はこの図示例にのみ限
定されないことは明らかである。
ーザの製造方法の一実施例について説明する。尚、以下
に参照する各図は、この発明が理解できる程度に各構成
成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあ
るにすぎない。従って、この発明はこの図示例にのみ限
定されないことは明らかである。
【0015】先ず、この発明の半導体レーザの製造方法
によれば、第1導電型GaAs基板40上に、第1導電
型InGaPクラッド層42、量子井戸層44、第2導
電型InGaPクラッド層46および第2導電型GaA
sコンタクト層48を順次形成する。このため、この実
施例では、n−GaAs基板40上に、厚さ1μm、キ
ャリア濃度1〜2×1018cm-3のn−InGaPクラ
ッド層42、量子井戸層44、厚さ1μm、キャリア濃
度1〜2×1018cm-3のInGaPクラッド層46お
よび厚さ100A°(10nm)(オングストロ−ム)
のp−GaAsコンタクト層48を順次形成する。尚、
量子井戸層44には、厚さ70A°のノンド−プのIn
GaAsの歪み量子井戸層50を設け、発振波長が98
0nmとなるように設計した。この歪み量子井戸層50
の上下には、それぞれ1000A°の厚さのGaAsの
閉じ込め層52および54を設けてある。この閉じ込め
層52および54は、後に形成する活性層に電流および
光を閉じ込める働きをする。以下、この閉じ込め層52
および54も含めて量子井戸層44と称する(図1の
(A))。
によれば、第1導電型GaAs基板40上に、第1導電
型InGaPクラッド層42、量子井戸層44、第2導
電型InGaPクラッド層46および第2導電型GaA
sコンタクト層48を順次形成する。このため、この実
施例では、n−GaAs基板40上に、厚さ1μm、キ
ャリア濃度1〜2×1018cm-3のn−InGaPクラ
ッド層42、量子井戸層44、厚さ1μm、キャリア濃
度1〜2×1018cm-3のInGaPクラッド層46お
よび厚さ100A°(10nm)(オングストロ−ム)
のp−GaAsコンタクト層48を順次形成する。尚、
量子井戸層44には、厚さ70A°のノンド−プのIn
GaAsの歪み量子井戸層50を設け、発振波長が98
0nmとなるように設計した。この歪み量子井戸層50
の上下には、それぞれ1000A°の厚さのGaAsの
閉じ込め層52および54を設けてある。この閉じ込め
層52および54は、後に形成する活性層に電流および
光を閉じ込める働きをする。以下、この閉じ込め層52
および54も含めて量子井戸層44と称する(図1の
(A))。
【0016】次に、このp−GaAsのコンタクト層4
8上にストライプ状のエッチングマスク56を形成す
る。この実施例では、SiO2 膜(図示せず)を化学蒸
気蒸着法(CVD法)を用いて形成し、通常のフォトリ
ソグラフィ手法により幅(Wm)約4〜5μmのストラ
イプ状のエッチングマスク56を形成する(図1の
(B))。
8上にストライプ状のエッチングマスク56を形成す
る。この実施例では、SiO2 膜(図示せず)を化学蒸
気蒸着法(CVD法)を用いて形成し、通常のフォトリ
ソグラフィ手法により幅(Wm)約4〜5μmのストラ
イプ状のエッチングマスク56を形成する(図1の
(B))。
【0017】次に、このエッチングマスク56を介し
て、第1エッチング液を用いてp−GaAsコンタクト
層48をエッチングし、エッチングマスク56の直下周
辺部もサイドエッチングする。このため、この実施例で
は、第1エッチング液として、H2 SO4 、H2 O2 お
よびH2 Oを4:1:1の割合で混合したエッチング液
を用いる。
て、第1エッチング液を用いてp−GaAsコンタクト
層48をエッチングし、エッチングマスク56の直下周
辺部もサイドエッチングする。このため、この実施例で
は、第1エッチング液として、H2 SO4 、H2 O2 お
よびH2 Oを4:1:1の割合で混合したエッチング液
を用いる。
【0018】このエッチング液は、GaAsのコンタク
ト層48をエッチングし、InGaPのクラッド層46
に達すると、深さ方向のエッチングは停止し、エッチン
グマスク56直下周辺部で横方向にサイドエッチングが
進む。このサイドエッチングの量は、光学顕微鏡でエッ
チングマスクを介して観察することができる。サイドエ
ッチングによって形成された、エッチングマスクのオ−
バ−ハング部の幅(Wu)が約0.5〜1μm、p−G
aAsのコンタクト層58の幅(Wc)が1〜2μm程
度となるように、エッチング時間を調整する(図1の
(C))。
ト層48をエッチングし、InGaPのクラッド層46
に達すると、深さ方向のエッチングは停止し、エッチン
グマスク56直下周辺部で横方向にサイドエッチングが
進む。このサイドエッチングの量は、光学顕微鏡でエッ
チングマスクを介して観察することができる。サイドエ
ッチングによって形成された、エッチングマスクのオ−
バ−ハング部の幅(Wu)が約0.5〜1μm、p−G
aAsのコンタクト層58の幅(Wc)が1〜2μm程
度となるように、エッチング時間を調整する(図1の
(C))。
【0019】次に、エッチングマスクを介して、p−I
nGaPクラッド層46を第2エッチング液を用いてエ
ッチングする。このため、この実施例では、第2エッチ
ング液として、HClおよびH2 Oを混合したエッチン
グ液を用いる。
nGaPクラッド層46を第2エッチング液を用いてエ
ッチングする。このため、この実施例では、第2エッチ
ング液として、HClおよびH2 Oを混合したエッチン
グ液を用いる。
【0020】このエッチング液は、p−InGaPクラ
ッド層46をエッチングし、量子井戸層44に達する
と、深さ方向のエッチングは停止し、エッチングマスク
56の直下周辺部のp−InGaPクラッド層60をサ
イドエッチングする。この場合も、光学顕微鏡を用い
て、エッチングマスクを介してp−InGaPクラッド
層60のサイドエッチングの量を観察することができ
る。この実施例では、p−InGaPクラッド層の下面
の幅(Wa)が1.5μm程度になるように制御する
(図2の(A))。
ッド層46をエッチングし、量子井戸層44に達する
と、深さ方向のエッチングは停止し、エッチングマスク
56の直下周辺部のp−InGaPクラッド層60をサ
イドエッチングする。この場合も、光学顕微鏡を用い
て、エッチングマスクを介してp−InGaPクラッド
層60のサイドエッチングの量を観察することができ
る。この実施例では、p−InGaPクラッド層の下面
の幅(Wa)が1.5μm程度になるように制御する
(図2の(A))。
【0021】次に、エッチングマスク56を介して、第
1エッチング液よりもGaAsに対するエッチング速度
の遅いエッチング液である第3エッチング液を用いて量
子井戸層をエッチングして活性層を形成する。このた
め、この実施例では、第3エッチング液として、H2 S
O4 、H2 O2 およびH2 Oを8:1:100の割合で
混合したエッチング液を用いて、量子井戸層44をエッ
チングする。
1エッチング液よりもGaAsに対するエッチング速度
の遅いエッチング液である第3エッチング液を用いて量
子井戸層をエッチングして活性層を形成する。このた
め、この実施例では、第3エッチング液として、H2 S
O4 、H2 O2 およびH2 Oを8:1:100の割合で
混合したエッチング液を用いて、量子井戸層44をエッ
チングする。
【0022】このエッチング液のGaAsに対するエッ
チング速度は、400A°/分程度(16%程度Inの
入ったInGaAsに対してもほぼ同じエッチング速
度)であり、p−GaAsコンタクト層58のサイドエ
ッチングはほとんどなく、量子井戸層44のみをエッチ
ングして活性層62を形成することができる(図2の
(B))。
チング速度は、400A°/分程度(16%程度Inの
入ったInGaAsに対してもほぼ同じエッチング速
度)であり、p−GaAsコンタクト層58のサイドエ
ッチングはほとんどなく、量子井戸層44のみをエッチ
ングして活性層62を形成することができる(図2の
(B))。
【0023】次に、活性層62の両側に電流ブロック層
64を形成する。この実施例では、MOVPE法を用い
てp−InGaP層66およびn−InGaP層68を
順に活性層30を含むリッジ部分の両側に選択的に成長
させて電流ブロック層64を形成する。各層の厚さおよ
びキャリア濃度は、p−InGaP層66の厚さ0.9
μm、キャリア濃度1×1018cm-3、n−InGaP
層68の厚さ0.6μm、キャリア濃度2×1018cm
-3とした。この電流ブロック層64は、p−InGaP
層66と、n−InGaP層68との界面で逆バイアス
となり、半導体レーザを動作させた場合に十分な耐圧で
ある5V程度の耐圧がある。電流ブロック層66は、好
ましくは、リッジ部分と同じ高さになるように形成する
のが望ましい(図2の(C))。
64を形成する。この実施例では、MOVPE法を用い
てp−InGaP層66およびn−InGaP層68を
順に活性層30を含むリッジ部分の両側に選択的に成長
させて電流ブロック層64を形成する。各層の厚さおよ
びキャリア濃度は、p−InGaP層66の厚さ0.9
μm、キャリア濃度1×1018cm-3、n−InGaP
層68の厚さ0.6μm、キャリア濃度2×1018cm
-3とした。この電流ブロック層64は、p−InGaP
層66と、n−InGaP層68との界面で逆バイアス
となり、半導体レーザを動作させた場合に十分な耐圧で
ある5V程度の耐圧がある。電流ブロック層66は、好
ましくは、リッジ部分と同じ高さになるように形成する
のが望ましい(図2の(C))。
【0024】通常は、電流ブロック層64形成後、エッ
チングマスク56を除去してから、従来例と同様に、p
−GaAsコンタクト層58上およびn−GaAs基板
底面にそれぞれ電極(図示せず)を形成し、劈開により
半導体レーザを製造する。
チングマスク56を除去してから、従来例と同様に、p
−GaAsコンタクト層58上およびn−GaAs基板
底面にそれぞれ電極(図示せず)を形成し、劈開により
半導体レーザを製造する。
【0025】次に、この実施例で得られた半導体レーザ
の室温、連続動作条件下における注入電流−光出力特性
を図3に示す。図3のグラフの横軸は注入電流、縦軸は
光出力を表している。グラフ中の曲線I〜III は、それ
ぞれ半導体レーザの共振器長が350、500および7
50μmの場合の特性を表している。例えば、曲線IIに
示すように、共振器長500μmの場合の半導体レーザ
の発振閾値電流は約3mAである。
の室温、連続動作条件下における注入電流−光出力特性
を図3に示す。図3のグラフの横軸は注入電流、縦軸は
光出力を表している。グラフ中の曲線I〜III は、それ
ぞれ半導体レーザの共振器長が350、500および7
50μmの場合の特性を表している。例えば、曲線IIに
示すように、共振器長500μmの場合の半導体レーザ
の発振閾値電流は約3mAである。
【0026】この値を従来の半導体レーザの発振閾値電
流と比べると、例えば文献2:「IEEE DENNSHI TOKYO,v
ol.30,pp21(1991)」には、共振器長600μmの活性層
が埋め込み構造になっていない半導体レーザにおいて、
発振閾値電流が12.5mAの例が記載されている。従
って、発振閾値電流を大幅に低減することができたこと
が確かめられた。
流と比べると、例えば文献2:「IEEE DENNSHI TOKYO,v
ol.30,pp21(1991)」には、共振器長600μmの活性層
が埋め込み構造になっていない半導体レーザにおいて、
発振閾値電流が12.5mAの例が記載されている。従
って、発振閾値電流を大幅に低減することができたこと
が確かめられた。
【0027】上述した実施例では、この発明を、特定の
材料を使用し、また、特定の条件で形成した例につき説
明したが、この発明は多くの変更および変形を行うこと
ができる。例えば、上述した実施例では、縦モ−ドが多
モ−ドであるファブリ・ペロ−タイプの半導体レーザの
製造方法について説明したが、この発明では、例えば、
n−InGaPクラッド層に波形のグレ−ティングを形
成して、縦モ−ドが単一な分布帰還型半導体レーザを製
造しても良い。また、上述した実施例では、第1導電型
をn型、第2導電型をp型としたが、この発明では、第
1導電型をp型、第2導電型をn型としても良い。
材料を使用し、また、特定の条件で形成した例につき説
明したが、この発明は多くの変更および変形を行うこと
ができる。例えば、上述した実施例では、縦モ−ドが多
モ−ドであるファブリ・ペロ−タイプの半導体レーザの
製造方法について説明したが、この発明では、例えば、
n−InGaPクラッド層に波形のグレ−ティングを形
成して、縦モ−ドが単一な分布帰還型半導体レーザを製
造しても良い。また、上述した実施例では、第1導電型
をn型、第2導電型をp型としたが、この発明では、第
1導電型をp型、第2導電型をn型としても良い。
【0028】
【発明の効果】この発明の半導体レーザの製造方法によ
れば、活性層およびコンタクト層を含むリッジ部分の幅
を精度良く制御することができ、低発振閾値の半導体レ
ーザを製造することができる。発振閾値電流を低減する
ことができるので、半導体レーザ動作時に発生する熱が
少なく、高出力動作が可能となる。
れば、活性層およびコンタクト層を含むリッジ部分の幅
を精度良く制御することができ、低発振閾値の半導体レ
ーザを製造することができる。発振閾値電流を低減する
ことができるので、半導体レーザ動作時に発生する熱が
少なく、高出力動作が可能となる。
【図1】(A)〜(C)は、この発明の半導体レーザの
製造方法の実施例の説明に供する前半の工程図である。
製造方法の実施例の説明に供する前半の工程図である。
【図2】(A)〜(C)は、図1の(C)に続く、後半
の工程図である。
の工程図である。
【図3】この発明の実施例で得られた半導体レーザの測
定値である。
定値である。
【図4】従来の半導体レーザの説明に供する構造図であ
る。
る。
10:基板 12:n−InG
aPクラッド層 14:歪み量子井戸層 16:p−InG
aP第1クラッド層 18:エッチングストップ層 20:p−InG
aP第2クラッド層 22:コンタクト層 24:SiO2 膜 26:p型電極 28:n型電極 30:活性層 40:第1導電型GaAs基板、n−GaAs基板 42:第1導電型InGaPクラッド層、n−InGa
Pクラッド層 44:量子井戸層 46:第2導電型InGaPクラッド層、p−InGa
Pクラッド層 48:第2導電型GaAsコンタクト層、p−GaAs
コンタクト層 50:歪み量子井戸層 52:閉じ込め層 54:閉じ込め層 56:エッチング
マスク 58:p−GaAsコンタクト層 60:p−InG
aAsクラッド層 62:活性層 64:電流ブロッ
ク層 66:p−InGaAs層 68:n−InG
aAs層
aPクラッド層 14:歪み量子井戸層 16:p−InG
aP第1クラッド層 18:エッチングストップ層 20:p−InG
aP第2クラッド層 22:コンタクト層 24:SiO2 膜 26:p型電極 28:n型電極 30:活性層 40:第1導電型GaAs基板、n−GaAs基板 42:第1導電型InGaPクラッド層、n−InGa
Pクラッド層 44:量子井戸層 46:第2導電型InGaPクラッド層、p−InGa
Pクラッド層 48:第2導電型GaAsコンタクト層、p−GaAs
コンタクト層 50:歪み量子井戸層 52:閉じ込め層 54:閉じ込め層 56:エッチング
マスク 58:p−GaAsコンタクト層 60:p−InG
aAsクラッド層 62:活性層 64:電流ブロッ
ク層 66:p−InGaAs層 68:n−InG
aAs層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−293286(JP,A) 特開 平4−241488(JP,A) 特開 平3−222488(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/18
Claims (2)
- 【請求項1】 第1導電型GaAs基板上に、第1導電
型InGaPクラッド層、量子井戸層、第2導電型In
GaPクラッド層および第2導電型GaAsコンタクト
層を順次に形成する工程と、 該第2導電型GaAsコンタクト層上にストライプ状の
エッチングマスクを形成する工程と、 該エッチングマスクを介して、第1エッチング液を用い
て前記第2導電型GaAsコンタクト層をエッチング
し、該エッチングマスクの直下周辺部もサイドエッチン
グする工程と、 該エッチングマスクを介して、第2導電型InGaPク
ラッド層を第2エッチング液を用いてエッチングする工
程と、 該エッチングマスクを介して、第1エッチング液よりも
GaAsに対するエッチング速度の遅いエッチング液で
ある第3エッチング液を用いて前記量子井戸層をエッチ
ングして活性層を形成する工程と、 該活性層の両側に電流ブロック層を形成する工程とを含
むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の半導体レーザの製造方
法において、 前記第1エッチング液をH2 SO4 、H2 O2 およびH
2 Oを4:1:1の割合で混合したエッチング液とし、 前記第2エッチング液をHClおよびH2 Oを混合した
エッチング液とし、 前記第3エッチング液をH2 SO4 、H2 O2 およびH
2 Oを8:1:100の割合で混合したエッチング液と
することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5004711A JP2963292B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5004711A JP2963292B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06216465A JPH06216465A (ja) | 1994-08-05 |
JP2963292B2 true JP2963292B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=11591476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5004711A Expired - Fee Related JP2963292B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2963292B2 (ja) |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP5004711A patent/JP2963292B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06216465A (ja) | 1994-08-05 |
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