JP2960819B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学式情報再生装置に関
し、より詳しくは光磁気ディスク装置などに好適に用い
られる光ピックアップなど、特に光学系の小型集積化に
係るものである。
し、より詳しくは光磁気ディスク装置などに好適に用い
られる光ピックアップなど、特に光学系の小型集積化に
係るものである。
【０００２】
【従来の技術】高密度で多大の情報を記録することがで
きる光ディスクは、近年多くの分野において利用が進め
られている。このような光学式情報再生装置において、
光ピックアップの小型軽量化は重要な問題である。この
問題を解決するため、光ピックアップの光学系に回折素
子を用いることは大変有効でこれまでにも幾つかの提案
がなされている。
きる光ディスクは、近年多くの分野において利用が進め
られている。このような光学式情報再生装置において、
光ピックアップの小型軽量化は重要な問題である。この
問題を解決するため、光ピックアップの光学系に回折素
子を用いることは大変有効でこれまでにも幾つかの提案
がなされている。
【０００３】図９はY.Yoshida et al.:"Three Beam CD
Optical Pickup using a Holographic Optical Elemen
t,"Proc. Optical Data Strage Technologies, SPIE 14
01,(1990),p58.に記載の従来の光ピックアップに於ける
光学系の概略を示す図である。図において、半導体レー
ザ１０１から出射される発散光は第１の回折素子１０２
によって０次回折光（メインビーム）とトラッキングず
れを検出するための±１次回折光（サブビーム）とに分
割される。分割された発散光は第２の回折素子１０３を
透過し、コリメートレンズ１０４、対物レンズ１０５に
よって情報記録媒体１０６（以下光ディスク１０６と称
する）上に集光される。この発散光のメインビームは光
ディスク１０６上で集光スポット１０８ａを形成し、サ
ブビームは２個の集光スポット１０８ｂ、１０８ｃを形
成する。光ディスク１０６からの反射光は、対物レンズ
１０５によって再び光学系に取り込まれ、コリメートレ
ンズ１０４を通過し第２の回折素子１０３によって回折
されて、回折光は光検出器１０７上集光される。第１の
回折素子１０２のパターンは直線が一定の間隔で並べら
れたもので、第２の回折素子１０３のパターンは反射光
を光検出器１０７上に集光するのに適した曲線となって
いる。
Optical Pickup using a Holographic Optical Elemen
t,"Proc. Optical Data Strage Technologies, SPIE 14
01,(1990),p58.に記載の従来の光ピックアップに於ける
光学系の概略を示す図である。図において、半導体レー
ザ１０１から出射される発散光は第１の回折素子１０２
によって０次回折光（メインビーム）とトラッキングず
れを検出するための±１次回折光（サブビーム）とに分
割される。分割された発散光は第２の回折素子１０３を
透過し、コリメートレンズ１０４、対物レンズ１０５に
よって情報記録媒体１０６（以下光ディスク１０６と称
する）上に集光される。この発散光のメインビームは光
ディスク１０６上で集光スポット１０８ａを形成し、サ
ブビームは２個の集光スポット１０８ｂ、１０８ｃを形
成する。光ディスク１０６からの反射光は、対物レンズ
１０５によって再び光学系に取り込まれ、コリメートレ
ンズ１０４を通過し第２の回折素子１０３によって回折
されて、回折光は光検出器１０７上集光される。第１の
回折素子１０２のパターンは直線が一定の間隔で並べら
れたもので、第２の回折素子１０３のパターンは反射光
を光検出器１０７上に集光するのに適した曲線となって
いる。
【０００４】現在の光学式情報再生装置では円盤状の光
ディスク１０６上で光束を直径１μｍ程度のスポットに
集光し、かつ、情報トラック１１２に追従させる必要が
ある。このため、いわゆるフォーカス検出機構とトラッ
キング機構とが必要不可欠である。
ディスク１０６上で光束を直径１μｍ程度のスポットに
集光し、かつ、情報トラック１１２に追従させる必要が
ある。このため、いわゆるフォーカス検出機構とトラッ
キング機構とが必要不可欠である。
【０００５】まず、フォーカス検出機構について述べ
る。
る。
【０００６】（フォーカス検出機構）図９に示すように
第２の回折素子１０３はほぼ円形をなし、分割線ＤＬで
２分割された２個の半円形領域１０３ａ、１０３ｂを有
する。一方、光検出器１０７は４本の分割線Ａ、Ｂ、
Ｃ、及びＤによって分割された５個の光検出部１０７
ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ、及び１０７ｅを有
する。
第２の回折素子１０３はほぼ円形をなし、分割線ＤＬで
２分割された２個の半円形領域１０３ａ、１０３ｂを有
する。一方、光検出器１０７は４本の分割線Ａ、Ｂ、
Ｃ、及びＤによって分割された５個の光検出部１０７
ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ、及び１０７ｅを有
する。
【０００７】図９に示すように、第１の回折素子１０２
によって回折され、光ディスク１０６に集光された後反
射されるメインビームの反射光のうち、第２の回折素子
１０３の一方の半円形領域１０３ａで回折された光は光
検出器１０７に集光され、分割線Ａ上に集光スポット１
１１ａを形成する。他方の半円形領域１０３ｂによって
回折された光は光検出部１０７ｃ上に集光スポット１１
１ａ’を形成する。
によって回折され、光ディスク１０６に集光された後反
射されるメインビームの反射光のうち、第２の回折素子
１０３の一方の半円形領域１０３ａで回折された光は光
検出器１０７に集光され、分割線Ａ上に集光スポット１
１１ａを形成する。他方の半円形領域１０３ｂによって
回折された光は光検出部１０７ｃ上に集光スポット１１
１ａ’を形成する。
【０００８】また、光ディスク１０６に集光され集光点
１０８ｂを形成した後反射されるサブビームの反射光は
光検出部１０７ｄ上に二つの集光スポット１１１ｂ、１
１１ｂ’を形成する。光ディスク１０６に集光され集光
点１０８ｃを形成した後反射されるサブビームの反射光
は光検出部１０７ｅ上に二つの集光スポット１１１ｃ、
１１１ｃ’を形成する。
１０８ｂを形成した後反射されるサブビームの反射光は
光検出部１０７ｄ上に二つの集光スポット１１１ｂ、１
１１ｂ’を形成する。光ディスク１０６に集光され集光
点１０８ｃを形成した後反射されるサブビームの反射光
は光検出部１０７ｅ上に二つの集光スポット１１１ｃ、
１１１ｃ’を形成する。
【０００９】このような構成においては、半導体レーザ
１０１からの発散光が対物レンズ１０５によって光ディ
スク１０６上に適確に焦点を結んでいるとき、即ち、合
焦点のときには、第２の回折素子１０３の半円形領域１
０３ａからの回折光の集光スポット１１１ａが図１０
（ｂ）に示すように光検出器１０７の分割線Ａ上の一点
に形成される。このため光検出部１０７ａ、１０７ｂの
出力が等しくなる。
１０１からの発散光が対物レンズ１０５によって光ディ
スク１０６上に適確に焦点を結んでいるとき、即ち、合
焦点のときには、第２の回折素子１０３の半円形領域１
０３ａからの回折光の集光スポット１１１ａが図１０
（ｂ）に示すように光検出器１０７の分割線Ａ上の一点
に形成される。このため光検出部１０７ａ、１０７ｂの
出力が等しくなる。
【００１０】一方、何らかの理由で光ディスク１０６が
対物レンズ１０５に近付いたときには、回折光の集光点
は光検出器１０７の後方に形成される。このためこの場
合には、図１０（ａ）に示すように、集光スポット１１
１ａは光検出部１０７ａに半円形に広がる。また、逆に
光ディスク１０６が対物レンズ１０５から遠ざかったと
きには、回折光の集光点は光検出器１０７の前方に形成
される。このためこの場合には、図１０（ｃ）に示すよ
うに、集光スポット１１１ａは光検出部１０７ｂに半円
形に広がる。
対物レンズ１０５に近付いたときには、回折光の集光点
は光検出器１０７の後方に形成される。このためこの場
合には、図１０（ａ）に示すように、集光スポット１１
１ａは光検出部１０７ａに半円形に広がる。また、逆に
光ディスク１０６が対物レンズ１０５から遠ざかったと
きには、回折光の集光点は光検出器１０７の前方に形成
される。このためこの場合には、図１０（ｃ）に示すよ
うに、集光スポット１１１ａは光検出部１０７ｂに半円
形に広がる。
【００１１】従って、光検出部１０７ａ、１０７ｂの出
力信号をそれぞれＳ１、Ｓ２とすると、フォーカス誤差
信号ＦＥＳは下記式の演算を行えば得られる。
力信号をそれぞれＳ１、Ｓ２とすると、フォーカス誤差
信号ＦＥＳは下記式の演算を行えば得られる。
【００１２】ＦＥＳ＝Ｓ１−Ｓ２・・・ この演算は引き算器によって行われる。
【００１３】上記のようにしてフォーカス誤差信号ＦＥ
Ｓが得られると、このサーボ信号に基づき、図示しない
アクチュエータが対物レンズ１０５を駆動し、これによ
り情報トラック１１２上に集光スポット１０８ａが結ば
れるようになっている。
Ｓが得られると、このサーボ信号に基づき、図示しない
アクチュエータが対物レンズ１０５を駆動し、これによ
り情報トラック１１２上に集光スポット１０８ａが結ば
れるようになっている。
【００１４】（トラッキング検出機構）次に、上記光ピ
ックアップにおけるトラッキング検出機構について説明
する。図１１は光ディスク１０６上の集光スポットと情
報トラック１１２の位置関係を示す。図１１（ｂ）に示
すように、２つのサブビームの集光スポット１０８ｂ、
１０８ｃはメインビームの集光スポット１０８ａを中心
に情報トラック１１２の方向において対称な位置関係に
あり、かつ情報トラック１１２に対して互いに反対の方
向に僅かにずれて位置している。
ックアップにおけるトラッキング検出機構について説明
する。図１１は光ディスク１０６上の集光スポットと情
報トラック１１２の位置関係を示す。図１１（ｂ）に示
すように、２つのサブビームの集光スポット１０８ｂ、
１０８ｃはメインビームの集光スポット１０８ａを中心
に情報トラック１１２の方向において対称な位置関係に
あり、かつ情報トラック１１２に対して互いに反対の方
向に僅かにずれて位置している。
【００１５】もし、図１１（ａ）の示すように、何らか
の理由で情報トラック１１２が集光スポット１０８ａに
対して図上左にずれたときには、集光スポット１０８ｂ
はほぼ情報トラック１１２の上に位置するので、その反
射光の強度は低下する。これに対して集光スポット１０
８ｃは情報トラック１１２から外れるので、反射光の強
度は増加する。
の理由で情報トラック１１２が集光スポット１０８ａに
対して図上左にずれたときには、集光スポット１０８ｂ
はほぼ情報トラック１１２の上に位置するので、その反
射光の強度は低下する。これに対して集光スポット１０
８ｃは情報トラック１１２から外れるので、反射光の強
度は増加する。
【００１６】一方、図１１（ｃ）の示すように、情報ト
ラック１１２が集光スポット１０８ａに対して図上右に
ずれたときには、上記と逆の現象が生じる。集光スポッ
ト１０８ｂは情報トラック１１２から外れるので、反射
光の強度は増加し、集光スポット１０８ｃはほぼ情報ト
ラック１１２の上に位置するので反射光の強度は増加す
る。
ラック１１２が集光スポット１０８ａに対して図上右に
ずれたときには、上記と逆の現象が生じる。集光スポッ
ト１０８ｂは情報トラック１１２から外れるので、反射
光の強度は増加し、集光スポット１０８ｃはほぼ情報ト
ラック１１２の上に位置するので反射光の強度は増加す
る。
【００１７】上記のように集光スポット１０８ｂ、１０
８ｃの反射光はそれぞれ光検出部１０７ｄ、１０７ｅ上
に集光されるので、光検出部１０７ｄ、１０７ｅの出力
信号をＳ４、Ｓ５とするとトラッキング誤差信号ＴＥＳ
は下記式で示される演算を行えば得られる。
８ｃの反射光はそれぞれ光検出部１０７ｄ、１０７ｅ上
に集光されるので、光検出部１０７ｄ、１０７ｅの出力
信号をＳ４、Ｓ５とするとトラッキング誤差信号ＴＥＳ
は下記式で示される演算を行えば得られる。
【００１８】ＴＥＳ＝Ｓ４−Ｓ５・・・ この演算は引き算器によって行われる。
【００１９】上記のようにしてトラッキング誤差信号Ｔ
ＥＳが得られると、このサーボ信号ＴＥＳに基づき、図
示しないアクチュエータが対物レンズ１０５を駆動し、
これにより情報トラック１１２上に集光スポット１０８
ａが結ばれるようになっている。
ＥＳが得られると、このサーボ信号ＴＥＳに基づき、図
示しないアクチュエータが対物レンズ１０５を駆動し、
これにより情報トラック１１２上に集光スポット１０８
ａが結ばれるようになっている。
【００２０】図１２は図９に示した従来の光ピックアッ
プを更に具体的にした実施例である。第１の回折素子１
０２及び第２の回折素子１０３はガラス基板１０９の下
面及び上面にそれぞれエッチングによって形成されてい
る。半導体レーザ１０１と光検出器１０７は箱状のキャ
ンパッケージ１１０内に取り付けられ、気密封止されて
いる。
プを更に具体的にした実施例である。第１の回折素子１
０２及び第２の回折素子１０３はガラス基板１０９の下
面及び上面にそれぞれエッチングによって形成されてい
る。半導体レーザ１０１と光検出器１０７は箱状のキャ
ンパッケージ１１０内に取り付けられ、気密封止されて
いる。
【００２１】また、図１３は回折素子を用いたいわゆる
１ビーム方式の光ピックアップの従来例である。簡単の
ため、図１２と共通の要素には同一の番号を付した。本
従来例と前記従来例との差異はガラス１１４基板の下面
にのみ回折素子１１３が形成されている点と、光検出器
１１５は４分割されている点である。本従来例のフォー
カス、及びトラッキング検出機構は前記の従来例のそれ
と重複する部分もあるのでここでは省略する。詳しくは
Y.Kurata et al.:"CD Optical Pickup Using aComputer
Generated Holographic Optical Element," Proc. Opt
ical Data Strage and Scanning Technogies, SPIE 113
9,(1989),p161.を参照されたい。
１ビーム方式の光ピックアップの従来例である。簡単の
ため、図１２と共通の要素には同一の番号を付した。本
従来例と前記従来例との差異はガラス１１４基板の下面
にのみ回折素子１１３が形成されている点と、光検出器
１１５は４分割されている点である。本従来例のフォー
カス、及びトラッキング検出機構は前記の従来例のそれ
と重複する部分もあるのでここでは省略する。詳しくは
Y.Kurata et al.:"CD Optical Pickup Using aComputer
Generated Holographic Optical Element," Proc. Opt
ical Data Strage and Scanning Technogies, SPIE 113
9,(1989),p161.を参照されたい。
【００２２】以上に述べたような回折素子を用いて集積
化された光ピックアップは光源と光検出器が同一パッケ
ージ内にあるため耐環境性能に優れ、また小型軽量、低
価格である特徴を有する。
化された光ピックアップは光源と光検出器が同一パッケ
ージ内にあるため耐環境性能に優れ、また小型軽量、低
価格である特徴を有する。
【００２３】一方、最近では光ディスクの普及に伴い、
書き換え可能な光ディスクとして光磁気ディスクが注目
されている。図１４は回折素子を応用した従来の光磁気
ディスク用ピックアップの光学系の例を示したものであ
る。半導体レーザ２０１から出射される発散光は回折素
子２０２を０次光として透過しコリメートレンズ２０３
によって平行光に変換され、さらに複合プリズム２０４
を透過した後、４５°ミラー２０５、対物レンズ２０６
を経て光磁気ディスク２０７上に集光される。光磁気デ
ィスク２０７からの反射光は対物レンズ２０６によって
再び光学系内に取り込まれて、その一部は複合プリズム
２０４とコリメートレンズ２０３を透過した後回折素子
２０２によって回折されて光検出器２０９上に集光さ
れ、フォーカスずれ、及びトラッキングずれの検出に供
される。回折素子２０２のパターンはここには図示しな
いが回折光を光検出器２０９上に集光させるのに適した
曲線となってる。フォーカス、及びトラッキング検出機
構は前記の従来例のそれと重複する部分が多いのでここ
では省略する。詳しくは佐藤 他：”３.５インチ光磁
気ディスク用ピックアップ，”シャープ技報，第50号,
pp20-24(1991).を参照されたい。
書き換え可能な光ディスクとして光磁気ディスクが注目
されている。図１４は回折素子を応用した従来の光磁気
ディスク用ピックアップの光学系の例を示したものであ
る。半導体レーザ２０１から出射される発散光は回折素
子２０２を０次光として透過しコリメートレンズ２０３
によって平行光に変換され、さらに複合プリズム２０４
を透過した後、４５°ミラー２０５、対物レンズ２０６
を経て光磁気ディスク２０７上に集光される。光磁気デ
ィスク２０７からの反射光は対物レンズ２０６によって
再び光学系内に取り込まれて、その一部は複合プリズム
２０４とコリメートレンズ２０３を透過した後回折素子
２０２によって回折されて光検出器２０９上に集光さ
れ、フォーカスずれ、及びトラッキングずれの検出に供
される。回折素子２０２のパターンはここには図示しな
いが回折光を光検出器２０９上に集光させるのに適した
曲線となってる。フォーカス、及びトラッキング検出機
構は前記の従来例のそれと重複する部分が多いのでここ
では省略する。詳しくは佐藤 他：”３.５インチ光磁
気ディスク用ピックアップ，”シャープ技報，第50号,
pp20-24(1991).を参照されたい。
【００２４】他方、複合プリズム２０４内で二度反射さ
れてウォラストンプリズム２１０に達する残りの反射光
は、該ウォラストンプリズム２１０で異なる二つの偏光
に分離された後、集光レンズ２１１によって２分割フォ
トダイオード２１２上に集光され、この２分割フォトダ
イオード２１２の出力の差を取ることによって情報信号
が再生される。
れてウォラストンプリズム２１０に達する残りの反射光
は、該ウォラストンプリズム２１０で異なる二つの偏光
に分離された後、集光レンズ２１１によって２分割フォ
トダイオード２１２上に集光され、この２分割フォトダ
イオード２１２の出力の差を取ることによって情報信号
が再生される。
【００２５】周知のように光磁気ディスクでは例えばＰ
偏光の光を媒体に照射すると照射位置の磁化の方向に応
じて偏光方位がθｋまたは−θｋだけ回転されて反射さ
れる（図１５）。この偏光面の回転方向が情報信号にな
るのであるが、これを検出するために一般には反射光を
図１５に示すような±４５°方位の偏光成分に分離しこ
の２偏光成分の強度の差をとることがなされており、こ
れに適したように前記のウォラストンプリズム２１０の
結晶方位が決められている。
偏光の光を媒体に照射すると照射位置の磁化の方向に応
じて偏光方位がθｋまたは−θｋだけ回転されて反射さ
れる（図１５）。この偏光面の回転方向が情報信号にな
るのであるが、これを検出するために一般には反射光を
図１５に示すような±４５°方位の偏光成分に分離しこ
の２偏光成分の強度の差をとることがなされており、こ
れに適したように前記のウォラストンプリズム２１０の
結晶方位が決められている。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】第１並びに第２の従来
例は小型軽量であり再生専用及び追記型ディスク装置に
好適であるが、光磁気信号を検出する機能が無いため、
書き換え可能な光磁気ディスク装置には適用できない。
第３の従来例で示した光磁気ディスク用ピックアップは
回折素子の採用により小型軽量化が図られてはいるが、
まだ光磁気信号を検出する光学系にプリズムが用いられ
ているおり、これがピックアップの根本的な小型軽量化
の妨げとなっている。また、偏光分離に用いられるウォ
ラストンプリズムは高価な水晶から作られるためピック
アップの低価格化の障害になっている。
例は小型軽量であり再生専用及び追記型ディスク装置に
好適であるが、光磁気信号を検出する機能が無いため、
書き換え可能な光磁気ディスク装置には適用できない。
第３の従来例で示した光磁気ディスク用ピックアップは
回折素子の採用により小型軽量化が図られてはいるが、
まだ光磁気信号を検出する光学系にプリズムが用いられ
ているおり、これがピックアップの根本的な小型軽量化
の妨げとなっている。また、偏光分離に用いられるウォ
ラストンプリズムは高価な水晶から作られるためピック
アップの低価格化の障害になっている。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明は、光源と、該光
源からの光を記録担体上に集光させると共に記録担体か
らの反射光を集光する光学系と、上記反射光の光軸上に
設けられ、上記反射光の入射位置に応じて上記反射光を
分割し回折する、回折素子と、該回折素子からの回折光
の光路上に配置された光導波路と、該光導波路上に設け
られ、上記回折光の一部を上記光導波路内に導く光結合
器と、上記光導波路を透過した上記回折光を検出して、
トラッキング誤差信号検出及びフォーカス誤差信号検出
を行う第１の光検出器と、上記光導波路内に導かれた光
を検出して、光磁気信号検出を行う第２の光検出器と、
を具備したことを特徴とする。
源からの光を記録担体上に集光させると共に記録担体か
らの反射光を集光する光学系と、上記反射光の光軸上に
設けられ、上記反射光の入射位置に応じて上記反射光を
分割し回折する、回折素子と、該回折素子からの回折光
の光路上に配置された光導波路と、該光導波路上に設け
られ、上記回折光の一部を上記光導波路内に導く光結合
器と、上記光導波路を透過した上記回折光を検出して、
トラッキング誤差信号検出及びフォーカス誤差信号検出
を行う第１の光検出器と、上記光導波路内に導かれた光
を検出して、光磁気信号検出を行う第２の光検出器と、
を具備したことを特徴とする。
【００２８】
【作用】光源とすべての光検出器を同一パッケージ内に
配置することにより、光学部品点数の大幅な低減が図
れ、小型軽量、低価格、かつ耐環境性能に優れた光磁気
ディスク用ピックアップを提供することができる。
配置することにより、光学部品点数の大幅な低減が図
れ、小型軽量、低価格、かつ耐環境性能に優れた光磁気
ディスク用ピックアップを提供することができる。
【００２９】
【実施例】図１は本発明による光ピックアップの一実施
例の断面図、図２はその斜視図を示すものである。
例の断面図、図２はその斜視図を示すものである。
【００３０】半導体レーザ１から出射される発散光はガ
ラス基板２の下面に設けられた第１の回折素子によって
０次回折光（メインビーム）とトラッキングずれを検出
するための±１次回折光（サブビーム）とに分割され
る。分割された発散光はガラス基板２の上面に設けられ
た第２の回折素子４を透過し、コリメートレンズ５、対
物レンズ６によって光磁気ディスク７上に集光される。
光磁気ディスク７からの反射光は対物レンズ６によって
再び光学系に取り込まれてコリメートレンズ５を透過し
て第２の回折素子４によって回折され、図３に示すよう
な光導波路素子８上に集光される。光導波路素子８上に
集光された回折光の一部は光結合器９によって光導波路
１０内に導かれ該光導波路１０内を伝搬した後、第２の
光検出器１６に入射し、他は光導波路１０を透過して第
１の光検出器１１に入射する。第２の回折素子４は図２
に示すようにほぼ円形をなし、半円状に２分割されてお
り、光磁気ディスク７からの反射光を光導波路素子８内
の第１の光検出器１１上に集光するのに適した曲線パタ
ーンを有している。また、第１の回折素子３のパターン
は直線が一定の間隔で並べられたものである。
ラス基板２の下面に設けられた第１の回折素子によって
０次回折光（メインビーム）とトラッキングずれを検出
するための±１次回折光（サブビーム）とに分割され
る。分割された発散光はガラス基板２の上面に設けられ
た第２の回折素子４を透過し、コリメートレンズ５、対
物レンズ６によって光磁気ディスク７上に集光される。
光磁気ディスク７からの反射光は対物レンズ６によって
再び光学系に取り込まれてコリメートレンズ５を透過し
て第２の回折素子４によって回折され、図３に示すよう
な光導波路素子８上に集光される。光導波路素子８上に
集光された回折光の一部は光結合器９によって光導波路
１０内に導かれ該光導波路１０内を伝搬した後、第２の
光検出器１６に入射し、他は光導波路１０を透過して第
１の光検出器１１に入射する。第２の回折素子４は図２
に示すようにほぼ円形をなし、半円状に２分割されてお
り、光磁気ディスク７からの反射光を光導波路素子８内
の第１の光検出器１１上に集光するのに適した曲線パタ
ーンを有している。また、第１の回折素子３のパターン
は直線が一定の間隔で並べられたものである。
【００３１】図３は光導波路素子８の平面図（ａ）と断
面図（ｂ）、（ｃ）を示すものである。光導波路素子８
は第１、第２の光検出器１１、１６が形成されたシリコ
ン基板１３の上に、導波層１５およびクラッド層１４か
らなる光導波路１０が形成され、更にその表面に光結合
器９が形成されている。第１の光検出器１１は５つの光
検出部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅを有
し、第２の光検出器１６は４つの光検出部１６ａ、１６
ｂ、１６ｃ、１６ｄを有する。光結合器９は２つの領域
９ａ、９ｂを有し、光検出器１１ａ、ｂ、ｃの上にのみ
形成されている。また光導波路１０内には光導波路１０
を伝搬する２つの偏光、即ち、ＴＥ偏光とＴＭ偏光を分
離する偏光分離素子１８ａ、ｂが形成されている。
面図（ｂ）、（ｃ）を示すものである。光導波路素子８
は第１、第２の光検出器１１、１６が形成されたシリコ
ン基板１３の上に、導波層１５およびクラッド層１４か
らなる光導波路１０が形成され、更にその表面に光結合
器９が形成されている。第１の光検出器１１は５つの光
検出部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅを有
し、第２の光検出器１６は４つの光検出部１６ａ、１６
ｂ、１６ｃ、１６ｄを有する。光結合器９は２つの領域
９ａ、９ｂを有し、光検出器１１ａ、ｂ、ｃの上にのみ
形成されている。また光導波路１０内には光導波路１０
を伝搬する２つの偏光、即ち、ＴＥ偏光とＴＭ偏光を分
離する偏光分離素子１８ａ、ｂが形成されている。
【００３２】第１の回折素子３によって回折され、光磁
気ディスク７上に集光された後、反射されるメインビー
ムのうち、第２の回折素子４の一方の領域４ａで回折さ
れた光は光結合器９に入射し一部が光導波路１０内に導
かれ残りが、光導波路１０を透過して図３（ａ）に示す
ように分割線Ａ上に集光スポット１９ａを形成する。ま
た、他方の領域４ｂによって回折された光は同様にして
光検出部１１ｃ上に集光スポット１９ａ’を形成する。
また、二つのサブビームのうち一方のサブビームの反射
光は光検出部１１ｄ上に二つの集光スポット１９ｃ、１
９ｃ’を形成し、他方のサブビームの反射光は光検出部
１１ｅ上に二つの集光スポット１９ｂ、１９ｂ’を形成
する。
気ディスク７上に集光された後、反射されるメインビー
ムのうち、第２の回折素子４の一方の領域４ａで回折さ
れた光は光結合器９に入射し一部が光導波路１０内に導
かれ残りが、光導波路１０を透過して図３（ａ）に示す
ように分割線Ａ上に集光スポット１９ａを形成する。ま
た、他方の領域４ｂによって回折された光は同様にして
光検出部１１ｃ上に集光スポット１９ａ’を形成する。
また、二つのサブビームのうち一方のサブビームの反射
光は光検出部１１ｄ上に二つの集光スポット１９ｃ、１
９ｃ’を形成し、他方のサブビームの反射光は光検出部
１１ｅ上に二つの集光スポット１９ｂ、１９ｂ’を形成
する。
【００３３】ここまでの説明で明らかなように、本実施
例のフォーカス検出機構は、上記のようにメインビーム
の反射光の一部が光結合器９によって光導波路１０内に
導かれる他は、前記、第１の従来例と同様である。従っ
て、本実施例においても、光検出部１１ａと１１ｂの出
力の差を検出し前記式同様の演算を実行すればフォー
カス誤差信号ＦＥＳを得ることができる。また、トラッ
キング検出機構についても前記第１の従来例と同様であ
るので光検出部１１ｄと１１ｅの出力の差を検出し前記
式同様の演算を実行すればトラッキング誤差信号ＴＥ
Ｓを得ることができる。
例のフォーカス検出機構は、上記のようにメインビーム
の反射光の一部が光結合器９によって光導波路１０内に
導かれる他は、前記、第１の従来例と同様である。従っ
て、本実施例においても、光検出部１１ａと１１ｂの出
力の差を検出し前記式同様の演算を実行すればフォー
カス誤差信号ＦＥＳを得ることができる。また、トラッ
キング検出機構についても前記第１の従来例と同様であ
るので光検出部１１ｄと１１ｅの出力の差を検出し前記
式同様の演算を実行すればトラッキング誤差信号ＴＥ
Ｓを得ることができる。
【００３４】くわえて、本実施例によれば、メインビー
ムの反射光の一部が光導波路１０に導かれるのでこれよ
り光磁気ディスクに記録された情報信号も光導波路素子
８上で検出することができる。即ち、光導波路素子８に
設けられた光結合器９によって光磁気ディスク７で反射
されたメインビームの一部が光導波路１０内に導かれて
導波光１７となるので、この導波光１７の偏光成分を知
ることにより光磁気信号も検出できる。
ムの反射光の一部が光導波路１０に導かれるのでこれよ
り光磁気ディスクに記録された情報信号も光導波路素子
８上で検出することができる。即ち、光導波路素子８に
設けられた光結合器９によって光磁気ディスク７で反射
されたメインビームの一部が光導波路１０内に導かれて
導波光１７となるので、この導波光１７の偏光成分を知
ることにより光磁気信号も検出できる。
【００３５】以下に、光磁気信号の検出原理を述べる。
【００３６】光磁気ディスク７で反射されたメインビー
ムのうち、第２の回折素子４の一方の領域４ａで回折さ
れた光は図３（ａ）に示すように光結合器９の領域９ａ
によってその一部が導波路１０に導かれ導波光１７ａと
して伝搬し偏光分離素子１８ａによってＴＥ偏光とＴＭ
偏光に分離されＴＥ偏光は第２の光検出器１６の光検出
部１６ａによって、ＴＭ偏光は光検出部１６ｂによって
検出される。また、他方の領域４ｂによって回折された
光は光結合器９の領域９ｂによってその一部が導波路１
０に導かれ導波光１７ｂとして伝搬し偏光分離素子１８
ｂによってＴＥ偏光とＴＭ偏光に分離されＴＥ偏光は第
２の光検出器１６の光検出部１６ｃによって、ＴＭ偏光
は光検出部１６ｄによって検出される。
ムのうち、第２の回折素子４の一方の領域４ａで回折さ
れた光は図３（ａ）に示すように光結合器９の領域９ａ
によってその一部が導波路１０に導かれ導波光１７ａと
して伝搬し偏光分離素子１８ａによってＴＥ偏光とＴＭ
偏光に分離されＴＥ偏光は第２の光検出器１６の光検出
部１６ａによって、ＴＭ偏光は光検出部１６ｂによって
検出される。また、他方の領域４ｂによって回折された
光は光結合器９の領域９ｂによってその一部が導波路１
０に導かれ導波光１７ｂとして伝搬し偏光分離素子１８
ｂによってＴＥ偏光とＴＭ偏光に分離されＴＥ偏光は第
２の光検出器１６の光検出部１６ｃによって、ＴＭ偏光
は光検出部１６ｄによって検出される。
【００３７】このとき、第２の回折素子４からの回折光
の偏光方位と導波光１７ａ、ｂの偏光状態の関係は次の
ようになる。図６に光導波路素子８に入射する回折光の
偏光方位と導波光１７ａ、ｂの偏光の関係を示す。図６
においてＸ−Ｚ平面は光導波路１０に平行である。第２
の回折素子４からの回折光がＸ−Ｙ平面内にあってＹ軸
に対してθの角をなし、かつ、該回折光がこれが光結合
器９によってＸ−Ｚ平面内を進む導波光に変換されると
すれば、このとき導波光がＸ軸に対して所定の角、φを
なして伝搬するようにしてやることによって、図７に示
した回折光の＋４５°偏光が導波光のＴＥ偏光に対応
し、回折光の−４５°偏光が導波光のＴＭ偏光に対応す
るようになる。反対に導波光が伝搬する方向を−φとす
れば、今度は回折光の＋４５°偏光が導波光のＴＭ偏光
に対応し、回折光の−４５°偏光が導波光のＴＥ偏光に
対応するようになる。
の偏光方位と導波光１７ａ、ｂの偏光状態の関係は次の
ようになる。図６に光導波路素子８に入射する回折光の
偏光方位と導波光１７ａ、ｂの偏光の関係を示す。図６
においてＸ−Ｚ平面は光導波路１０に平行である。第２
の回折素子４からの回折光がＸ−Ｙ平面内にあってＹ軸
に対してθの角をなし、かつ、該回折光がこれが光結合
器９によってＸ−Ｚ平面内を進む導波光に変換されると
すれば、このとき導波光がＸ軸に対して所定の角、φを
なして伝搬するようにしてやることによって、図７に示
した回折光の＋４５°偏光が導波光のＴＥ偏光に対応
し、回折光の−４５°偏光が導波光のＴＭ偏光に対応す
るようになる。反対に導波光が伝搬する方向を−φとす
れば、今度は回折光の＋４５°偏光が導波光のＴＭ偏光
に対応し、回折光の−４５°偏光が導波光のＴＥ偏光に
対応するようになる。
【００３８】しかるに光検出部１６ａ、１６ｂ、１６
ｃ、１６ｄの出力をそれぞれＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４と
すれば光磁気信号ＭＯは下記式で示される演算を行え
ば得られる。
ｃ、１６ｄの出力をそれぞれＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４と
すれば光磁気信号ＭＯは下記式で示される演算を行え
ば得られる。
【００３９】 ＭＯ＝Ｍ１＋Ｍ４−（Ｍ２＋Ｍ３）・・・ この演算は図示しない加算器と引算器によって行われ
る。
る。
【００４０】即ち、本実施例では導波光を三次元的に適
切な方向に伝搬させることによって偏光を回転・分離
し、従来のウォラストンプリズムと同様の効果を得てい
る。なお、図８に示すようにＴＥ偏光とは導波光１７の
電界成分が光導波層１５に平行な状態を言い、ＴＭ偏光
とは電界成分が光導波路層１５に略垂直な状態を言う。
切な方向に伝搬させることによって偏光を回転・分離
し、従来のウォラストンプリズムと同様の効果を得てい
る。なお、図８に示すようにＴＥ偏光とは導波光１７の
電界成分が光導波層１５に平行な状態を言い、ＴＭ偏光
とは電界成分が光導波路層１５に略垂直な状態を言う。
【００４１】また、図７の＋４５°偏光をＴＥ偏光に対
応させるには、導波光の伝搬方向が＋４５°偏光のＸ−
Ｚ平面への写影に直交するようにφを定めれば良く、回
折光の入射角θが決まればφは下記式で示される計算
を行えば得られる。
応させるには、導波光の伝搬方向が＋４５°偏光のＸ−
Ｚ平面への写影に直交するようにφを定めれば良く、回
折光の入射角θが決まればφは下記式で示される計算
を行えば得られる。
【００４２】φ＝Ｔａｎ-1（１/ｃｏｓ θ）・・・ 導波光の伝搬方向は例えば光結合器９としてグレーティ
ングカップラーを用いればその格子線の傾きを変えるこ
とで自由に設定できる。
ングカップラーを用いればその格子線の傾きを変えるこ
とで自由に設定できる。
【００４３】尚、本実施例では図４に示した±４５°偏
光とＴＥ偏光が対応するように導波光の伝搬方向を定め
たが、対象とする光ディスクの特性に応じて、例えば、
Ｚ軸と±３０°の角をなす偏光とＴＥ偏光が対応するよ
うに導波光の伝搬方向を定めても良い。
光とＴＥ偏光が対応するように導波光の伝搬方向を定め
たが、対象とする光ディスクの特性に応じて、例えば、
Ｚ軸と±３０°の角をなす偏光とＴＥ偏光が対応するよ
うに導波光の伝搬方向を定めても良い。
【００４４】また、光結合器９の領域９ａ、９ｂから生
成される導波光１７ａ、ｂの伝搬方向は図３に示したよ
うに交差する方向とするのが望ましい。なぜならば導波
光の伝搬方向を互いに異なる向きにしておけば、入射光
の偏光方位と導波光の偏光方位とが互いに交差するので
例えば偏光分離素子などに作製誤差による特性のバラツ
キが生じても演算の結果相殺され、重大な影響が及ぼさ
れることがない。また、伝搬方向が異なることで、領域
９ａからの導波光１７ａやそれに派生する導波光が光検
出部１６ｃ、１６ｄに入射したり、光検出器１６の配置
が難しくなることを回避できる。
成される導波光１７ａ、ｂの伝搬方向は図３に示したよ
うに交差する方向とするのが望ましい。なぜならば導波
光の伝搬方向を互いに異なる向きにしておけば、入射光
の偏光方位と導波光の偏光方位とが互いに交差するので
例えば偏光分離素子などに作製誤差による特性のバラツ
キが生じても演算の結果相殺され、重大な影響が及ぼさ
れることがない。また、伝搬方向が異なることで、領域
９ａからの導波光１７ａやそれに派生する導波光が光検
出部１６ｃ、１６ｄに入射したり、光検出器１６の配置
が難しくなることを回避できる。
【００４５】尚、図３に示した光導波路素子８は以下の
ようにして作製できる。
ようにして作製できる。
【００４６】光導波路１０はシリコン基板上に光検出器
を形成した後、例えば熱酸化法によって酸化シリコンよ
りなるクラッド層１４を成長させ、更にスパッタ法など
によりコーニング＃７０５９ガラスなどを堆積させて光
導波路層１５を形成して作製する。光結合器９は例えば
グレーティングカプラであって電子ビーム描画法などで
レジスト上にパターニングした後、光導波路層１５と同
様スパッタ法で作製される。偏光分離素子１８は例えば
グレーティング型であって前記のグレーティングカプラ
と同様にしてパターニングした後、例えばリアクティブ
イオンエッチングにより作製される。
を形成した後、例えば熱酸化法によって酸化シリコンよ
りなるクラッド層１４を成長させ、更にスパッタ法など
によりコーニング＃７０５９ガラスなどを堆積させて光
導波路層１５を形成して作製する。光結合器９は例えば
グレーティングカプラであって電子ビーム描画法などで
レジスト上にパターニングした後、光導波路層１５と同
様スパッタ法で作製される。偏光分離素子１８は例えば
グレーティング型であって前記のグレーティングカプラ
と同様にしてパターニングした後、例えばリアクティブ
イオンエッチングにより作製される。
【００４７】図４は光導波路素子８の第２の実施例であ
る。簡単のため図３と共通の要素には同一の番号を付し
た。図３と比較すると偏光分離素子が検光子２０に置き
換えられ、第２の光検出器１６の光検出部が１６ａ、１
６ｃの２個になっている。検光子２０は例えばＡｌなど
の金属膜を導波層１５の上に装荷することで作製でき、
この場合、ＴＭ偏光が吸収されてＴＥ偏光のみが透過す
る。しかるに光磁気信号ＭＯは光検出部１６ａ、１６ｃ
の出力信号をＭ１、Ｍ３とすれば、下記式で示される
演算を行えば得られる。
る。簡単のため図３と共通の要素には同一の番号を付し
た。図３と比較すると偏光分離素子が検光子２０に置き
換えられ、第２の光検出器１６の光検出部が１６ａ、１
６ｃの２個になっている。検光子２０は例えばＡｌなど
の金属膜を導波層１５の上に装荷することで作製でき、
この場合、ＴＭ偏光が吸収されてＴＥ偏光のみが透過す
る。しかるに光磁気信号ＭＯは光検出部１６ａ、１６ｃ
の出力信号をＭ１、Ｍ３とすれば、下記式で示される
演算を行えば得られる。
【００４８】ＭＯ＝Ｍ１−Ｍ３・・・ この演算は図示しない引算器によって行われる。
【００４９】で得られる。フォーカス、及びトラッキン
グ検出機構は前記に同じである。
グ検出機構は前記に同じである。
【００５０】また、導波光１７の広がりが大きい場合に
は図５に示すように光導波路１０上に集光レンズ２１
ａ、２１ｂを付加して導波光１７を収束光に変換してや
れば良い。尚、簡単のため図５では図３と共通な要素に
は同一の番号を付した。
は図５に示すように光導波路１０上に集光レンズ２１
ａ、２１ｂを付加して導波光１７を収束光に変換してや
れば良い。尚、簡単のため図５では図３と共通な要素に
は同一の番号を付した。
【００５１】このとき、光結合器９から集光レンズ２１
ａ（又は２１ｂ）までの距離ｌ１と集光レンズ２１ａ
（または２１ｂ）から第２の光検出器１６ａ、１６ｂ
（又は１６ｃ、１６ｄ）までの距離ｌ２をｌ２＜ｌ１と
なるようにしてやれば組み立て誤差などによって光導波
路素子８上での回折光の集光位置がずれて導波光１７
ａ’、１７ｂ’が伝搬したとしても、集光レンズ２１ａ
（または２１ｂ）の収束作用により小さな光検出部２２
ａ、２２ｂ（または２２ｃ、２２ｄ）上に導波光を収束
させることができるので周波数の高い光磁気信号の検出
も可能となる。集光レンズ２１ａ、２１ｂは例えばルネ
ブルグレンズ、ジオデシックレンズ、グレーティングレ
ンズ、及び屈折率分布レンズなどで実現できる。
ａ（又は２１ｂ）までの距離ｌ１と集光レンズ２１ａ
（または２１ｂ）から第２の光検出器１６ａ、１６ｂ
（又は１６ｃ、１６ｄ）までの距離ｌ２をｌ２＜ｌ１と
なるようにしてやれば組み立て誤差などによって光導波
路素子８上での回折光の集光位置がずれて導波光１７
ａ’、１７ｂ’が伝搬したとしても、集光レンズ２１ａ
（または２１ｂ）の収束作用により小さな光検出部２２
ａ、２２ｂ（または２２ｃ、２２ｄ）上に導波光を収束
させることができるので周波数の高い光磁気信号の検出
も可能となる。集光レンズ２１ａ、２１ｂは例えばルネ
ブルグレンズ、ジオデシックレンズ、グレーティングレ
ンズ、及び屈折率分布レンズなどで実現できる。
【００５２】尚、本発明はフォーカス検出機構やトラッ
キング検出機構に制限されるものでなく、よって第２の
回折素子４の分割線の仕方や各領域内での格子線の方
向、あるいは第１の光検出器の形状などは自由に選択し
得る。即ち図１３に示したような、いわゆる１ビーム法
でトラッキングずれの検出を行うものにも適用できる。
さらに、上記の実施例では図示しなっかたが、光検出器
と共に例えば、電流−電圧変換や信号増幅の為の電子回
路をシリコン基板上に作製すれば、外来雑音に影響され
にくくなるなどの効果が期待できる。
キング検出機構に制限されるものでなく、よって第２の
回折素子４の分割線の仕方や各領域内での格子線の方
向、あるいは第１の光検出器の形状などは自由に選択し
得る。即ち図１３に示したような、いわゆる１ビーム法
でトラッキングずれの検出を行うものにも適用できる。
さらに、上記の実施例では図示しなっかたが、光検出器
と共に例えば、電流−電圧変換や信号増幅の為の電子回
路をシリコン基板上に作製すれば、外来雑音に影響され
にくくなるなどの効果が期待できる。
【００５３】
【発明の効果】以上述べてきたように、光導波路を用い
ることによって光磁気信号検出の為の光学系をフォーカ
ス、及びトラッキング検出の為の光検出器と一体に作製
することができ、更には光源とを同一パッケージ内に配
置することが可能となって光磁気ディスク用ピックアッ
プの大幅な小型軽量化と光学部品点数の削減が図れる。
また、同時に耐環境性能も優れたものにすることができ
る。
ることによって光磁気信号検出の為の光学系をフォーカ
ス、及びトラッキング検出の為の光検出器と一体に作製
することができ、更には光源とを同一パッケージ内に配
置することが可能となって光磁気ディスク用ピックアッ
プの大幅な小型軽量化と光学部品点数の削減が図れる。
また、同時に耐環境性能も優れたものにすることができ
る。
【００５４】また、高価な水晶を使用するウォラストン
プリズムが不要なので安価な光磁気ディスク用ピックア
ップを提供することができる。
プリズムが不要なので安価な光磁気ディスク用ピックア
ップを提供することができる。
【図１】本発明によるピックアップの光学系の断面図を
示すものである。
示すものである。
【図２】本発明によるピックアップの光学系の斜視図を
示すものである。
示すものである。
【図３】本発明に基づく光導波路素子の平面図と断面図
を示すものである。
を示すものである。
【図４】本発明に基づく他の光導波路素子の平面図を示
すものである。
すものである。
【図５】本発明に基づく更に他の光導波路素子の平面図
を示すものである。
を示すものである。
【図６】光導波路素子に入射する光の偏光方位と導波光
の偏光の関係を示すものである。
の偏光の関係を示すものである。
【図７】光導波路素子に入射する光の偏光方位を説明す
る図である。
る図である。
【図８】光導波路内の偏光を示す図である。
【図９】光ピックアップの第１の従来例の光学系を示す
ものである。
ものである。
【図１０】光ピックアップの第１の従来例の光学系を示
すものである。
すものである。
【図１１】光ピックアップの第１の従来例の光学系を示
すものである。
すものである。
【図１２】光ピックアップの第１の従来例の光学系を示
すものである。
すものである。
【図１３】光ピックアップの第２の従来例の光学系を示
すものである。
すものである。
【図１４】光磁気ディスク用ピックアップの従来例の光
学系を示すものである。
学系を示すものである。
【図１５】光磁気信号の検出原理を説明する図である。
１ 半導体レーザ ２ ホログラム素子 ３ 第１の回折素子 ４ 第２の回折素子 ５ コリメートレンズ ６ 対物レンズ ７ 光磁気ディスク ８ 光導波路素子 ９ 光結合器 １０ 光導波路 １１ 光検出器 １６ 光検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 訓明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 南 功治 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 倉田 幸夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−216642（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−149850（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−261557（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−237146（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10
Claims (1)
- 【請求項１】 光源と、 該光源からの光を記録担体上に集光させると共に記録担
体からの反射光を集光する光学系と、 上記反射光の光軸上に設けられ、上記反射光の入射位置
に応じて上記反射光を分割し回折する、回折素子と、 該回折素子からの回折光の光路上に配置された光導波路
と、 該光導波路上に設けられ、上記回折光の一部を上記光導
波路内に導く光結合器と、上記光導波路を透過した上記回折光を検出して、トラッ
キング誤差信号検出及びフォーカス誤差信号検出を行う
第１の光検出器と 、上記光導波路内に導かれた光を検出して、光磁気信号検
出を行う第２の光検出器と 、を具備したことを特徴とす
る光ピックアップ装置。
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