JP2958004B2 - 分極反転領域を有するＬｉＮｂＯ▲下３▼基板を利用したデバイス - Google Patents
分極反転領域を有するＬｉＮｂＯ▲下３▼基板を利用したデバイスInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は圧電デバイス，殊に電気機械結合係数が大き
くしかも圧電単結晶内部に分極反転領域を有するLiNbO3
基板の各種デバイスへの応用に関する。 （従来技術） 水晶等の圧電単結晶はその結晶内部に分極反転領域を
形成することは不可能であり圧電セラミック等も基板内
に分極の方向が相互に反転した層を均一な二層として形
成することは極めて困難であること周知の通りである。 この為ポーリングが一方向に揃ったこれに圧電体を用
いるデバイス，励えば厚み振動子は奇数次オーバートー
ン振動しか励振できず，屈曲振動子はポーリングを逆に
した圧電体の貼り合わせ或は分割電極によらねば実現不
可能であり更にねじり振動は，水晶等単結晶では極めて
困難又圧電セラミクスを用いる場合には基板の貼り合わ
せを要する為製造がめんどうな上基板貼着に起因する振
動子としてのＱの低下，アクチュエータとしての動作の
ヒステリシスの発生及び高温下での使用困難等の欠陥が
あった。 （発明の目的） 本発明は上述した如き従来の圧電材料では実質的に実
現不可能或は構造上幾多の困難な操作を敢えて行いその
結果不満足な性能しか得られなかった各種デバイスの欠
陥を一挙に解決すべくなされたものであって偶数次オー
バートーン振動の励振可能な厚み振動子，貼着も分割電
極も不要な屈曲，輪郭或はねじり変位を生ぜしめる振動
子又はアクチュエータ等の各種デバイスを提供すること
を目的とする。 （発明の概要） 上述の目的を達成する為，本発明に於いては、LiNbO3
単結晶基板のＺ′面に深さがほぼｎλ/2（但しｎ＝１、
２、３、・・であって基板の全厚みに対しｍλ/2、ｍ＝
１、２、３・・、ｍ＞ｎ、λは所望の波長）の分極反転
層あるいは自発分極層を形成すると共に前記基板の面に
電極を付すことによってｍ次オーバートーン厚み振動の
強い励振を可能としたものである。 また、LiNbO3単結晶基板のＺ′面に深さが基板厚さの
ほぼ1/2の分極反転層を形成すると共に前記基板の面に
電極を付すことによって屈曲変位或いは分極方向への縦
変位を生じるようにしたものである。 また、LiNbO3単結晶基板の回転Ｙ板のＹ′面に所定の
深さの分極反転層を形成し、この基板からそのＹ′面内
においてＺ′軸とほぼ45度をなす方向に切り出したもの
に電極を付したことにより、ねじれ変位を生じるように
したものである。 （実施例） 以下本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。 実施例の説明に先立って本発明の理解を容易にする為
本発明に係る各種デバイスが利用する分極反転領域を有
するLiNbO3圧電基板の製法について簡単に説明する。 本願発明者は光デバイスの分野で問題となっていたTi
熱拡散LiNbO3光導波路がその製造条件によっては分極反
転を生じるという現象を研究している中でLiNbO3基板＋
Ｃ面にTiを1000Å程度蒸着しこれを空気或は水蒸気を含
むArガス中で基板のキュリー点温度より若干低い温度に
て数時間熱処理すると＋Ｃ面に深さ12〜15μｍ程度の自
発分極の反転する分極反転した層が形成されることを発
見した。 更にTi熱拡散によらずとも単にLiNbO3基板を空気或い
は水蒸気を含むArガス中でそのキュリー点温度より若干
低い温度（約1,110℃）中で数時間熱処理すると処理時
間によって基板々厚の1/2まで分極反転層が形成される
ことを見出した。 又，この現象は＋Ｃ軸が基板々面から傾いた，例えば
回転Ｙ板にも発生することが確認された。 本発明に係るデバイスは上述の如くして製造したLiNb
O3基板を利用したものであり，以下デバイスの種類毎に
その応用例を説明する。 （１） 厚み振動子 第１図は本発明に係る厚み振動子の動作を説明する図
であって（ａ）に示したような通常の水晶等圧電基板１
では図に示す如きモードの振動，即ち２倍のオーバート
ーン振動は，発生電荷の正負（矢印）を勘案すれば明ら
かな如く電極2,2が同符号となる故発生し得ない。 一方，同図（ｂ）に示す如くポーリングPsが基板の厚
さの中央を境に互いに反転しているLiNbO3基板３にあっ
ては電極2,2に於ける発生電荷の符号が表裏相異なる
故，実線の如き波動が生じ従って２倍オーバートーン振
動が励起されることになる。 これを一般化して考えると基板の厚さ方向全体にｍ・
λ/2,分極反転層にｎ・λ/2（但しλは所望の振動の波
長,m,n＝1,2,3,…,m＞ｎ）なる波動を生ぜしめるものと
しｍを奇数に選べば奇数オーバートーン振動が，又ｍを
偶数に選べば偶数次オーバートーンが励起されることに
なるのでｍの値及び分極反転層の深さを適当に選べばい
かなる次数のオーバートーン振動をも得ることが可能で
あることが理解されよう。 このような振動の解析は各層をメイソン（Mason）の
等価回路で表し，機械端子を縦続接続し電気端子を直列
に接続した回路を用いて行うことが可能であるが，概略
の見積りを行う上では弱結合近似で充分である。 即ち,n次オーバートーン振動の変位をＵ及び実効的電
気機械結合係数Keは， Ｕ＝coskn y（但しkn t＝ｎπ、ｔは基板全厚さ） ……（１） Ke2＝（An・kt）２（但しktは厚み振動の電気機械結合
係数、Anは係数） ……（２） 従ってAn 2＝２（１＋cosKn t−2cosKn tI）2/（πｎ）
２（但しtIは分極反転層の深さ） 第２図（ａ）は前記係数Anの値をt/tI＝２について又
同図（ｂ）はt/tI＝40について計算したもので分極反転
層の厚さtIに約半波長（λ/2）又はその奇数倍の定在波
が立つような高次モードが強く励振されることが判る。
殊に分極の境界が基板々厚の中央（t/tI＝２）の場合に
は２次,6次,10次，……の高次オーバートーンのみが励
振され板厚が半分の振動子と等価に動作することが理解
できよう。 尚，第３図はLiNbO3Z板であってTi熱拡散によってt/t
I＝40としたものの共振レスポンスの実験結果を示すも
のであり，低次では通常の振動子と同様奇数次モードが
励振され，次数が高くなると分極反転層に約半波長の定
在波が立つような高次モードが極めて強く励振されるこ
とが判る。従って従来一般の振動子では不可能であった
超高次オーバートーン発振子として使用しうる可能性が
ある。 又、第４図は128゜回転Ｙ板（t/tI＝２）の共振レス
ポンスを測定した結果を示すもので前記第２図（ａ）の
計算結果と良好な一致を示す。 以上説明した如く本発明に係る分極反転層を有するLi
NbO3基板を用いた厚み振動子は従来不可能であった偶数
次のオーバートーン振動の励振も可能であるのみならず
極めて高い次数のオーバートーン振動を実現しうる可能
性がある。 （２） 屈曲或は縦振動子及びアクチュエータ 従来の屈曲振動子は一般に２毎の圧電基板をそのポー
リングを逆にして接着剤で貼り合わせるものであった為
接着層の存在に起因する共振周波数のバラツキ或はＱの
向上困難といった問題があり，これをアクチュエータと
して使用すると動作にヒステリシスを伴うのみならず高
温下での使用が困難であるという欠陥があったこと前述
の通りである。 然るにこれらの問題は分極反転層を有するLiNbO3基板
を用いればいずれも容易に解消される。 第５図は本発明に係る屈曲振動子の構成を示す図であ
ってLiNbO3基板４の板厚の1/2を極正反転させ表裏に電
極2,2を付しこれに交番電界を印加すれば屈曲振動する
ことについては説明の必要はあるまい。 尚，屈曲振動子として使用するLiNbO3基板４はその励
振強度が横効果電気機械結合係数に比例するところから
最良のカット角を選ぶべきである。 第６図は回転Ｙ板についてワーナ（Warner）等の定数
を用い電気機械結合係数Ｋ′23の回転角依存性を計算し
たもので130゜乃至150゜回転Ｙ板が適していることを示
す。 又，第７図は128゜回転Ｙ板を用いて試作した屈曲振
動子の特性を示す実験結果の図であって容量比Co/C1が1
2程度と屈曲振動子としてはかなり小さな値を示すので
低周波フィルタを構成する場合には好都合であろう。 尚，上記の試作屈曲振動子は単一全面電極を用いたも
のであるがこれを第８図に示す如く基板４の長手Ｚ′方
向の約70％程度の部分電極5,5とすれば更に容量比を下
げることができよう。 又，第９図（ａ）及び（ｂ）は夫々分極反転領域を有
するLiNbO3基板を用いた縦振動子及び輪郭振動子の例を
示す図であってこれらはいずれも対になる３組の面のい
ずれかに電極を付せばよいことは自明であろう。 以上説明した屈曲振動子或は縦振動子はその電極に印
加する電界を直流としてON/OFFすれば夫々回転或は直進
運動するアクチュエータとなることはいうまでもない。 而してこのようなアクチュエータは圧電基板を接着す
る必要がないので安価となるのみならず接着層の存在に
起因する動作のヒステリシスも発生せず高温下での使用
にも耐えるから精密微細駆動部に使用する上で極めて効
果的である。 （３） ねじり振動子及び光偏向デバイス 分極反転層を有するLiNbO3基板として回転Ｙの面内45
゜回転板を利用すればねじり振動子を得ることができ
る。 例えば第10図（ａ）に示す如く128゜回転Ｙ板をその
主面内で既ね45゜回転した基板６の主面に全面電極7,7
を貼着すれば（同図（ｂ）参照）主面がその厚さ方向に
歪むねじり振動子となる。 第11図（ａ），（ｂ）はその特性を示す実験結果の図
であって周波数の低い部分に弱い屈曲振動が発生するが
ねじり振動は強く励起していることがわかる。 このようなねじり振動子は従来圧電セラミックの貼り
合わせによって構成していたチャンネル・フィルタ用ト
ランスジューサを代替することが可能であり貼り合わせ
に起因する周波数のバラツキ,Qの劣悪を大幅に改善する
ことができる。 又，前記電極７を鏡面仕上げしておけば光挺子の如き
光偏向デバイスとして利用することも可能である。 （発明の効果） 本発明は以上説明した如く構成するものであるから従
来一般の圧電共振子を以っては実現不可能であった偶数
次オーバートーン厚み振動子を提供し，従来貼り上わせ
構造に起因し周波数のバラツキが大きくＱが劣悪であっ
た屈曲或はねじり振動子の特性を改善し更に屈曲或は縦
変位を利用するアクチュエータに於いて動作のヒステリ
シスを除去し高温下での使用を可能とするものである
故，斯るデバイスのコスト低減，特性の向上並びにその
使用条件の自由度拡張に著しい効果を発揮する。
くしかも圧電単結晶内部に分極反転領域を有するLiNbO3
基板の各種デバイスへの応用に関する。 （従来技術） 水晶等の圧電単結晶はその結晶内部に分極反転領域を
形成することは不可能であり圧電セラミック等も基板内
に分極の方向が相互に反転した層を均一な二層として形
成することは極めて困難であること周知の通りである。 この為ポーリングが一方向に揃ったこれに圧電体を用
いるデバイス，励えば厚み振動子は奇数次オーバートー
ン振動しか励振できず，屈曲振動子はポーリングを逆に
した圧電体の貼り合わせ或は分割電極によらねば実現不
可能であり更にねじり振動は，水晶等単結晶では極めて
困難又圧電セラミクスを用いる場合には基板の貼り合わ
せを要する為製造がめんどうな上基板貼着に起因する振
動子としてのＱの低下，アクチュエータとしての動作の
ヒステリシスの発生及び高温下での使用困難等の欠陥が
あった。 （発明の目的） 本発明は上述した如き従来の圧電材料では実質的に実
現不可能或は構造上幾多の困難な操作を敢えて行いその
結果不満足な性能しか得られなかった各種デバイスの欠
陥を一挙に解決すべくなされたものであって偶数次オー
バートーン振動の励振可能な厚み振動子，貼着も分割電
極も不要な屈曲，輪郭或はねじり変位を生ぜしめる振動
子又はアクチュエータ等の各種デバイスを提供すること
を目的とする。 （発明の概要） 上述の目的を達成する為，本発明に於いては、LiNbO3
単結晶基板のＺ′面に深さがほぼｎλ/2（但しｎ＝１、
２、３、・・であって基板の全厚みに対しｍλ/2、ｍ＝
１、２、３・・、ｍ＞ｎ、λは所望の波長）の分極反転
層あるいは自発分極層を形成すると共に前記基板の面に
電極を付すことによってｍ次オーバートーン厚み振動の
強い励振を可能としたものである。 また、LiNbO3単結晶基板のＺ′面に深さが基板厚さの
ほぼ1/2の分極反転層を形成すると共に前記基板の面に
電極を付すことによって屈曲変位或いは分極方向への縦
変位を生じるようにしたものである。 また、LiNbO3単結晶基板の回転Ｙ板のＹ′面に所定の
深さの分極反転層を形成し、この基板からそのＹ′面内
においてＺ′軸とほぼ45度をなす方向に切り出したもの
に電極を付したことにより、ねじれ変位を生じるように
したものである。 （実施例） 以下本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。 実施例の説明に先立って本発明の理解を容易にする為
本発明に係る各種デバイスが利用する分極反転領域を有
するLiNbO3圧電基板の製法について簡単に説明する。 本願発明者は光デバイスの分野で問題となっていたTi
熱拡散LiNbO3光導波路がその製造条件によっては分極反
転を生じるという現象を研究している中でLiNbO3基板＋
Ｃ面にTiを1000Å程度蒸着しこれを空気或は水蒸気を含
むArガス中で基板のキュリー点温度より若干低い温度に
て数時間熱処理すると＋Ｃ面に深さ12〜15μｍ程度の自
発分極の反転する分極反転した層が形成されることを発
見した。 更にTi熱拡散によらずとも単にLiNbO3基板を空気或い
は水蒸気を含むArガス中でそのキュリー点温度より若干
低い温度（約1,110℃）中で数時間熱処理すると処理時
間によって基板々厚の1/2まで分極反転層が形成される
ことを見出した。 又，この現象は＋Ｃ軸が基板々面から傾いた，例えば
回転Ｙ板にも発生することが確認された。 本発明に係るデバイスは上述の如くして製造したLiNb
O3基板を利用したものであり，以下デバイスの種類毎に
その応用例を説明する。 （１） 厚み振動子 第１図は本発明に係る厚み振動子の動作を説明する図
であって（ａ）に示したような通常の水晶等圧電基板１
では図に示す如きモードの振動，即ち２倍のオーバート
ーン振動は，発生電荷の正負（矢印）を勘案すれば明ら
かな如く電極2,2が同符号となる故発生し得ない。 一方，同図（ｂ）に示す如くポーリングPsが基板の厚
さの中央を境に互いに反転しているLiNbO3基板３にあっ
ては電極2,2に於ける発生電荷の符号が表裏相異なる
故，実線の如き波動が生じ従って２倍オーバートーン振
動が励起されることになる。 これを一般化して考えると基板の厚さ方向全体にｍ・
λ/2,分極反転層にｎ・λ/2（但しλは所望の振動の波
長,m,n＝1,2,3,…,m＞ｎ）なる波動を生ぜしめるものと
しｍを奇数に選べば奇数オーバートーン振動が，又ｍを
偶数に選べば偶数次オーバートーンが励起されることに
なるのでｍの値及び分極反転層の深さを適当に選べばい
かなる次数のオーバートーン振動をも得ることが可能で
あることが理解されよう。 このような振動の解析は各層をメイソン（Mason）の
等価回路で表し，機械端子を縦続接続し電気端子を直列
に接続した回路を用いて行うことが可能であるが，概略
の見積りを行う上では弱結合近似で充分である。 即ち,n次オーバートーン振動の変位をＵ及び実効的電
気機械結合係数Keは， Ｕ＝coskn y（但しkn t＝ｎπ、ｔは基板全厚さ） ……（１） Ke2＝（An・kt）２（但しktは厚み振動の電気機械結合
係数、Anは係数） ……（２） 従ってAn 2＝２（１＋cosKn t−2cosKn tI）2/（πｎ）
２（但しtIは分極反転層の深さ） 第２図（ａ）は前記係数Anの値をt/tI＝２について又
同図（ｂ）はt/tI＝40について計算したもので分極反転
層の厚さtIに約半波長（λ/2）又はその奇数倍の定在波
が立つような高次モードが強く励振されることが判る。
殊に分極の境界が基板々厚の中央（t/tI＝２）の場合に
は２次,6次,10次，……の高次オーバートーンのみが励
振され板厚が半分の振動子と等価に動作することが理解
できよう。 尚，第３図はLiNbO3Z板であってTi熱拡散によってt/t
I＝40としたものの共振レスポンスの実験結果を示すも
のであり，低次では通常の振動子と同様奇数次モードが
励振され，次数が高くなると分極反転層に約半波長の定
在波が立つような高次モードが極めて強く励振されるこ
とが判る。従って従来一般の振動子では不可能であった
超高次オーバートーン発振子として使用しうる可能性が
ある。 又、第４図は128゜回転Ｙ板（t/tI＝２）の共振レス
ポンスを測定した結果を示すもので前記第２図（ａ）の
計算結果と良好な一致を示す。 以上説明した如く本発明に係る分極反転層を有するLi
NbO3基板を用いた厚み振動子は従来不可能であった偶数
次のオーバートーン振動の励振も可能であるのみならず
極めて高い次数のオーバートーン振動を実現しうる可能
性がある。 （２） 屈曲或は縦振動子及びアクチュエータ 従来の屈曲振動子は一般に２毎の圧電基板をそのポー
リングを逆にして接着剤で貼り合わせるものであった為
接着層の存在に起因する共振周波数のバラツキ或はＱの
向上困難といった問題があり，これをアクチュエータと
して使用すると動作にヒステリシスを伴うのみならず高
温下での使用が困難であるという欠陥があったこと前述
の通りである。 然るにこれらの問題は分極反転層を有するLiNbO3基板
を用いればいずれも容易に解消される。 第５図は本発明に係る屈曲振動子の構成を示す図であ
ってLiNbO3基板４の板厚の1/2を極正反転させ表裏に電
極2,2を付しこれに交番電界を印加すれば屈曲振動する
ことについては説明の必要はあるまい。 尚，屈曲振動子として使用するLiNbO3基板４はその励
振強度が横効果電気機械結合係数に比例するところから
最良のカット角を選ぶべきである。 第６図は回転Ｙ板についてワーナ（Warner）等の定数
を用い電気機械結合係数Ｋ′23の回転角依存性を計算し
たもので130゜乃至150゜回転Ｙ板が適していることを示
す。 又，第７図は128゜回転Ｙ板を用いて試作した屈曲振
動子の特性を示す実験結果の図であって容量比Co/C1が1
2程度と屈曲振動子としてはかなり小さな値を示すので
低周波フィルタを構成する場合には好都合であろう。 尚，上記の試作屈曲振動子は単一全面電極を用いたも
のであるがこれを第８図に示す如く基板４の長手Ｚ′方
向の約70％程度の部分電極5,5とすれば更に容量比を下
げることができよう。 又，第９図（ａ）及び（ｂ）は夫々分極反転領域を有
するLiNbO3基板を用いた縦振動子及び輪郭振動子の例を
示す図であってこれらはいずれも対になる３組の面のい
ずれかに電極を付せばよいことは自明であろう。 以上説明した屈曲振動子或は縦振動子はその電極に印
加する電界を直流としてON/OFFすれば夫々回転或は直進
運動するアクチュエータとなることはいうまでもない。 而してこのようなアクチュエータは圧電基板を接着す
る必要がないので安価となるのみならず接着層の存在に
起因する動作のヒステリシスも発生せず高温下での使用
にも耐えるから精密微細駆動部に使用する上で極めて効
果的である。 （３） ねじり振動子及び光偏向デバイス 分極反転層を有するLiNbO3基板として回転Ｙの面内45
゜回転板を利用すればねじり振動子を得ることができ
る。 例えば第10図（ａ）に示す如く128゜回転Ｙ板をその
主面内で既ね45゜回転した基板６の主面に全面電極7,7
を貼着すれば（同図（ｂ）参照）主面がその厚さ方向に
歪むねじり振動子となる。 第11図（ａ），（ｂ）はその特性を示す実験結果の図
であって周波数の低い部分に弱い屈曲振動が発生するが
ねじり振動は強く励起していることがわかる。 このようなねじり振動子は従来圧電セラミックの貼り
合わせによって構成していたチャンネル・フィルタ用ト
ランスジューサを代替することが可能であり貼り合わせ
に起因する周波数のバラツキ,Qの劣悪を大幅に改善する
ことができる。 又，前記電極７を鏡面仕上げしておけば光挺子の如き
光偏向デバイスとして利用することも可能である。 （発明の効果） 本発明は以上説明した如く構成するものであるから従
来一般の圧電共振子を以っては実現不可能であった偶数
次オーバートーン厚み振動子を提供し，従来貼り上わせ
構造に起因し周波数のバラツキが大きくＱが劣悪であっ
た屈曲或はねじり振動子の特性を改善し更に屈曲或は縦
変位を利用するアクチュエータに於いて動作のヒステリ
シスを除去し高温下での使用を可能とするものである
故，斯るデバイスのコスト低減，特性の向上並びにその
使用条件の自由度拡張に著しい効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明に係る厚み振動子の動
作を説明する図，第２図（ａ）及び（ｂ）はその特性解
析結果を示す計算結果の図，第３図及び第４図は夫々本
発明に係る異った厚み振動子特性の実験結果を示す図，
第５図は本発明に係る屈曲振動子の構成を示す図，第６
図はその最適切断角を求める為の計算結果を示す図，第
７図はその一実験結果を示す特性図，第８図は本発明に
係る屈曲振動子の他の実施例を示す斜視図，第９図
（ａ）及び（ｂ）は夫々本発明に係る縦振動子及び輪郭
振動子用基板の構成を示す斜視図，第10図（ａ）は本発
明に係るねじり振動子の切断角を示す図，同図（ｂ）は
そのＡ−Ａ断面図，第11図（ａ）及び（ｂ）はその実験
結果を示す特性図である。 3,4及び６……分極反転領域を有するLiNbO3基板,2,5及
び７……電極。
作を説明する図，第２図（ａ）及び（ｂ）はその特性解
析結果を示す計算結果の図，第３図及び第４図は夫々本
発明に係る異った厚み振動子特性の実験結果を示す図，
第５図は本発明に係る屈曲振動子の構成を示す図，第６
図はその最適切断角を求める為の計算結果を示す図，第
７図はその一実験結果を示す特性図，第８図は本発明に
係る屈曲振動子の他の実施例を示す斜視図，第９図
（ａ）及び（ｂ）は夫々本発明に係る縦振動子及び輪郭
振動子用基板の構成を示す斜視図，第10図（ａ）は本発
明に係るねじり振動子の切断角を示す図，同図（ｂ）は
そのＡ−Ａ断面図，第11図（ａ）及び（ｂ）はその実験
結果を示す特性図である。 3,4及び６……分極反転領域を有するLiNbO3基板,2,5及
び７……電極。
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フロントページの続き
(72)発明者 安藤 晴康
宮城県仙台市荒巻字青葉（番地なし）
東北大学工学部通信工学科内
(56)参考文献 特開 昭60−66483（ＪＰ，Ａ)
特公 昭52−34196（ＪＰ，Ｂ２)
特公 昭54−18385（ＪＰ，Ｂ２)
電子通信学会技術研究報告 ＵＳ86−
18Ｌ Ｌ▲下１▼ＮｂＯ▲下３▼単結晶
における分極反転層の成形とその互電値
と動子への応用」（1986），Ｐ39−44
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．LiNbO3基板を空気あるいは水蒸気を含む不活性ガス
中で前記基板材料のキュリー点温度よりわずかに低い温
度で所定の時間熱処理し、LiNbO3単結晶基板のＺ′面に
深さがほぼｎλ/2（但しｎ＝１、２、３、・・であって
基板の全厚みに対しｍλ/2、ｍ＝１、２、３・・、ｍ＞
ｎ、λは所望の波長）の分極反転層あるいは自発分極層
を形成すると共に前記基板の面に電極を付すことによっ
てｍ次オーバートーン厚み振動の強い励振を可能とした
ことを特徴とする分極反転領域を有するLiNbO3基板を利
用したデバイス。 ２．前記ｍの値を偶数に選ぶことによって偶数次オーバ
ートーン厚み振動の強い励振を可能にしたことを特徴と
した特許請求の範囲（１）記載のデバイス。 ３．LiNbO3基板を空気あるいは水蒸気を含む不活性ガス
中で前記基板材料のキュリー点温度よりわずかに低い温
度で所定の時間熱処理し、LiNbO3単結晶基板のＺ′面に
深さが基板厚さのほぼ1/2の分極反転層を形成すると共
に前記基板の面に電極を付すことによって屈曲変位ある
いは分極方向への縦変位を生じるようにしたことを特徴
とする分極反転領域を有するLiNbO3基板を利用したデバ
イス。 ４．LiNbO3基板を空気あるいは水蒸気を含む不活性ガス
中で前記基板材料のキュリー点温度よりわずかに低い温
度で所定の時間熱処理し、LiNbO3単結晶基板の回転Ｙ板
のＹ′面に所定の深さの分極反転層を形成し、この基板
からそのＹ′面内においてＺ′軸とほぼ45度をなす方向
に切り出したものに電極を付したことにより、ねじれ変
位を生じるようにしたことを特徴とした分極反転領域を
有するLiNbO3基板を利用したデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206608A JP2958004B2 (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 分極反転領域を有するＬｉＮｂＯ▲下３▼基板を利用したデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206608A JP2958004B2 (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 分極反転領域を有するＬｉＮｂＯ▲下３▼基板を利用したデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6471207A JPS6471207A (en) | 1989-03-16 |
| JP2958004B2 true JP2958004B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=16526204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61206608A Expired - Fee Related JP2958004B2 (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 分極反転領域を有するＬｉＮｂＯ▲下３▼基板を利用したデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2958004B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160149208A (ko) * | 2014-05-09 | 2016-12-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 압전성 산화물 단결정 기판 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|---|---|---|
| CA1062144A (en) * | 1975-09-09 | 1979-09-11 | Gerard J. C. A. Pauluis | Interconnection arrangement for a dual temperature isotope exchange process |
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| JPS61197905A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ロ−タリカツプバ−ナ |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP61206608A patent/JP2958004B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 電子通信学会技術研究報告 ＵＳ８６−１８Ｌ Ｌ▲下１▼ＮｂＯ▲下３▼単結晶における分極反転層の成形とその互電値と動子への応用」（１９８６），Ｐ３９−４４ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160149208A (ko) * | 2014-05-09 | 2016-12-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 압전성 산화물 단결정 기판 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6471207A (en) | 1989-03-16 |
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