JP2950275B2 - 部分一括露光マスク及び部分一括露光パターンの形成方法 - Google Patents
部分一括露光マスク及び部分一括露光パターンの形成方法Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線露光技術にお
ける部分一括露光マスク及び部分一括露光パターンの形
成方法に関するものである。
ける部分一括露光マスク及び部分一括露光パターンの形
成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年半導体集積回路は、高集積化を推し
進めている。ダイナミックランダムアクセスメモリ(D
RAM)を例にとると、16メガ→64メガ→256メ
ガと4倍の集積化を約3年毎に行っている。この高集積
化に伴い設計寸法も0.5μm→0.35μm→0.2
5μmと移り変わっている。
進めている。ダイナミックランダムアクセスメモリ(D
RAM)を例にとると、16メガ→64メガ→256メ
ガと4倍の集積化を約3年毎に行っている。この高集積
化に伴い設計寸法も0.5μm→0.35μm→0.2
5μmと移り変わっている。
【0003】さて256メガDRAMの次世代にあたる
1ギガDRAMでは、設計寸法が0.16μm程度であ
り256メガで用いられた光露光技術ではパターン解像
度の限界を超えている。このためより微細なパターン形
成が可能である電子線露光技術が注目されている。
1ギガDRAMでは、設計寸法が0.16μm程度であ
り256メガで用いられた光露光技術ではパターン解像
度の限界を超えている。このためより微細なパターン形
成が可能である電子線露光技術が注目されている。
【0004】電子線露光技術はパターンを一つ一つ形成
していく可変矩形露光方式と、繰り返しパターンを複数
個切り出した露光用遮蔽板(マスク)を作製しそのマス
クに直接電子線を当てて複数個の繰り返しパターンを一
括して形成していく部分一括露光方式が検討されてい
る。
していく可変矩形露光方式と、繰り返しパターンを複数
個切り出した露光用遮蔽板(マスク)を作製しそのマス
クに直接電子線を当てて複数個の繰り返しパターンを一
括して形成していく部分一括露光方式が検討されてい
る。
【0005】ここで部分一括露光について簡単に説明す
る。例えば図25に示すような部分一括用マスク90を
作成する。図25中の斜線部がマスクの開口部91、す
なわちパターン91であり、この開口部を通り抜けた電
子線が半導体基板(ウエハ)上に塗布されているフォト
レジスト膜を感光させることにより所望のパターンを形
成する。
る。例えば図25に示すような部分一括用マスク90を
作成する。図25中の斜線部がマスクの開口部91、す
なわちパターン91であり、この開口部を通り抜けた電
子線が半導体基板(ウエハ)上に塗布されているフォト
レジスト膜を感光させることにより所望のパターンを形
成する。
【0006】そして図26に示すように図25の部分一
括マスクを用いて横方向及び縦方向に連続的に繰り返し
露光を行ってフォトレジスト膜に、マスクの開口部91
に対応する、所望のパターン92(現像前の潜像パター
ン)を形成していく。
括マスクを用いて横方向及び縦方向に連続的に繰り返し
露光を行ってフォトレジスト膜に、マスクの開口部91
に対応する、所望のパターン92(現像前の潜像パター
ン)を形成していく。
【0007】この場合、繰り返しのピッチは図27に示
してある点線で囲まれた範囲で定められ、横方向(図で
横方向)の接続部94および縦方向(図で縦方向)の接
続部95を有して図27の斜線部に示すような線幅の、
部分一括による繰り返し露光により形成されたパターン
93が得られる。
してある点線で囲まれた範囲で定められ、横方向(図で
横方向)の接続部94および縦方向(図で縦方向)の接
続部95を有して図27の斜線部に示すような線幅の、
部分一括による繰り返し露光により形成されたパターン
93が得られる。
【0008】しかしながら、繰り返し露光での位置合わ
せ精度に限界があるために部分一括露光単位パターンど
うしの接続部において位置ずれが起こる。図28にその
ようすを示す。
せ精度に限界があるために部分一括露光単位パターンど
うしの接続部において位置ずれが起こる。図28にその
ようすを示す。
【0009】図28(A)は、フォトレジスト膜のパタ
ーンに、位置ずれによりパターン接続不良96およびパ
ターン重なり不良97が発生した場合の位置ずれ露光の
模式図である。
ーンに、位置ずれによりパターン接続不良96およびパ
ターン重なり不良97が発生した場合の位置ずれ露光の
模式図である。
【0010】このような位置ずれの発生したフォトレジ
スト膜のパターンを現像後マスクにして例えばワード線
等の配線を形成すると、図28(B)に示すように、パ
ターン接続不良96により線幅の細い箇所98が形成さ
れさらにこのずれが大きいと断線が発生する。また、パ
ターン重なり不良97により線幅の太い箇所99が形成
されてしまう。
スト膜のパターンを現像後マスクにして例えばワード線
等の配線を形成すると、図28(B)に示すように、パ
ターン接続不良96により線幅の細い箇所98が形成さ
れさらにこのずれが大きいと断線が発生する。また、パ
ターン重なり不良97により線幅の太い箇所99が形成
されてしまう。
【0011】断線に対しては、重なる領域を設けて断線
を防ぐという考えが特開昭62−206829号公報に
開示されている。
を防ぐという考えが特開昭62−206829号公報に
開示されている。
【0012】これに対し、隣接する線幅間のこの重なる
領域近傍でショートが発生するのを回避するために重ね
合わせる端部をずらすという考えが特開平2−1704
11号公報に開示されている。
領域近傍でショートが発生するのを回避するために重ね
合わせる端部をずらすという考えが特開平2−1704
11号公報に開示されている。
【0013】また接続部と接続部でない部分とをほぼ同
じ線幅にするために、接続部において所望の線幅よりも
細い突起部を備える形状にし、突起部で2重露光するこ
とに寸法偏差を抑制するという方法が特開平2−715
09号公報により開示されている。
じ線幅にするために、接続部において所望の線幅よりも
細い突起部を備える形状にし、突起部で2重露光するこ
とに寸法偏差を抑制するという方法が特開平2−715
09号公報により開示されている。
【0014】上記した様々な方法により、断線をある程
度抑制することは出来る。
度抑制することは出来る。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらいずれの
方法においても接続部での寸法偏差はある程度は発生す
ると考えており、完全な解決策はない。
方法においても接続部での寸法偏差はある程度は発生す
ると考えており、完全な解決策はない。
【0016】例えばDRAMのメモリセルを例にとって
考察してみる。図29に、上記特開平2−170411
号公報に示されている線幅の部分一括用マスクパターン
101を有する部分一括マスク100を示す。
考察してみる。図29に、上記特開平2−170411
号公報に示されている線幅の部分一括用マスクパターン
101を有する部分一括マスク100を示す。
【0017】このマスクパターンをワード線用部分一括
マスクとして下地のフィールドパターンに露光を行った
場合、位置ずれによりトランジスタのゲート長がばらつ
いてしまう。図30はそのような不都合を示す概略図で
ある。
マスクとして下地のフィールドパターンに露光を行った
場合、位置ずれによりトランジスタのゲート長がばらつ
いてしまう。図30はそのような不都合を示す概略図で
ある。
【0018】わかりやすくするために図28に示したと
同じ方向に位置ずれを起こしたとする。図30中の点線
(素子領域以外の横方向に描いた点線)は部分一括単位
パターンどうしの接続部110を示している。
同じ方向に位置ずれを起こしたとする。図30中の点線
(素子領域以外の横方向に描いた点線)は部分一括単位
パターンどうしの接続部110を示している。
【0019】また、図30において、素子領域1とワー
ド線2が交差した部分(斜線で示してある部分)がセル
トランジスタのゲート電極の部分であり、この横方向の
長さ(図で横方向の長さ)がセルトランジスタのゲート
長となる。
ド線2が交差した部分(斜線で示してある部分)がセル
トランジスタのゲート電極の部分であり、この横方向の
長さ(図で横方向の長さ)がセルトランジスタのゲート
長となる。
【0020】この部分に注目してみると、セルトランジ
スタのゲート長が寸法通りの箇所103の他に、細いゲ
ート長の箇所102や太いゲート長の箇所104の不良
個所が発生してしまう。
スタのゲート長が寸法通りの箇所103の他に、細いゲ
ート長の箇所102や太いゲート長の箇所104の不良
個所が発生してしまう。
【0021】つまり、素子領域上にワード線層の接続が
あるとトランジスタのゲート長のばらつきが発生する。
あるとトランジスタのゲート長のばらつきが発生する。
【0022】DRAMのメモリセルトランジスタのゲー
ト長が細くなるとトランジスタオフ時のリーク電流が増
加するためにメモリセルのホールド特性が劣化するとい
う問題がある。逆にゲート長が太くなると、トランジス
タのチャネル抵抗が高くなりそれに伴いトランジスタオ
ン時の電流が低下するため、メモリセルへの書き込み能
力が低下するという問題もある。このメモリセルトラン
ジスタの特性ばらつきがチップ良品率の低下を招いてし
まう。
ト長が細くなるとトランジスタオフ時のリーク電流が増
加するためにメモリセルのホールド特性が劣化するとい
う問題がある。逆にゲート長が太くなると、トランジス
タのチャネル抵抗が高くなりそれに伴いトランジスタオ
ン時の電流が低下するため、メモリセルへの書き込み能
力が低下するという問題もある。このメモリセルトラン
ジスタの特性ばらつきがチップ良品率の低下を招いてし
まう。
【0023】また先に述べた公開公報のほとんどは、断
線を防ぐためにある程度重なる露光領域を設けながら接
続部の隣接する配線間のショートを解決するというもの
であるが、DRAM等では配線間隔よりもワード線とビ
ットコンタクト孔との間隔の方がより狭く、この近傍の
接続部で局所的に位置ずれが発生し配線幅が太く形成せ
れると隣接配線どうしよりもビットコンタクト孔とワー
ド線とがショートする可能性が高い。
線を防ぐためにある程度重なる露光領域を設けながら接
続部の隣接する配線間のショートを解決するというもの
であるが、DRAM等では配線間隔よりもワード線とビ
ットコンタクト孔との間隔の方がより狭く、この近傍の
接続部で局所的に位置ずれが発生し配線幅が太く形成せ
れると隣接配線どうしよりもビットコンタクト孔とワー
ド線とがショートする可能性が高い。
【0024】図31は、ビットコンタクト孔に注目した
平面図であり、位置ずれによりワード線とコンタクト孔
とがショートすることを説明する概略図であり、同図で
斜線で示した丸がビットコンタクト孔7である。また図
30と同様に、図31において点線(素子領域以外の横
方向に描いた点線)は部分一括単位パターン同士の接続
部110を示している。
平面図であり、位置ずれによりワード線とコンタクト孔
とがショートすることを説明する概略図であり、同図で
斜線で示した丸がビットコンタクト孔7である。また図
30と同様に、図31において点線(素子領域以外の横
方向に描いた点線)は部分一括単位パターン同士の接続
部110を示している。
【0025】この図31からワード線が太く形成された
部分の近傍にコンタクト孔があるとコンタクト孔とワー
ド線とがショートしていることがわかる。
部分の近傍にコンタクト孔があるとコンタクト孔とワー
ド線とがショートしていることがわかる。
【0026】すなわち同図において、部分105はマス
ク寸法通りだあるからコンタクト孔7とワード線2とが
ショートしていないが、部分106は不都合な2重露光
によりワード線2が太く形成されているからコンタクト
孔7とワード線2とのショート事故が発生する。
ク寸法通りだあるからコンタクト孔7とワード線2とが
ショートしていないが、部分106は不都合な2重露光
によりワード線2が太く形成されているからコンタクト
孔7とワード線2とのショート事故が発生する。
【0027】図32は、図31を切断線A−Aで切断し
矢印の方向を視た拡大断面図である。ウエハ状態の半導
体基板100の素子分離領域113の主面に選択的に厚
いフイールド絶縁膜114が設けられ、この素子分離領
域113に区画された素子領域1に拡散層111が形成
され、拡散層111に達するビットコンタクト孔7が層
間絶縁膜112に形成されている。
矢印の方向を視た拡大断面図である。ウエハ状態の半導
体基板100の素子分離領域113の主面に選択的に厚
いフイールド絶縁膜114が設けられ、この素子分離領
域113に区画された素子領域1に拡散層111が形成
され、拡散層111に達するビットコンタクト孔7が層
間絶縁膜112に形成されている。
【0028】そして多数のワード線2が部分106にお
いて太く形成されてしまっているからビットコンタクト
孔7にその側面が露出しショート、すなわちビットコン
タクト孔7を充填するビット線とワード線とがショート
してしまう。これが原因でワード線とビットコンタクト
孔とのショートが起こる。このこともチップ良品率の低
下を招く原因となる。
いて太く形成されてしまっているからビットコンタクト
孔7にその側面が露出しショート、すなわちビットコン
タクト孔7を充填するビット線とワード線とがショート
してしまう。これが原因でワード線とビットコンタクト
孔とのショートが起こる。このこともチップ良品率の低
下を招く原因となる。
【0029】つまり部分一括露光をDRAM等の集積回
路に適用する場合、接続部の線幅と接続部でないところ
の線幅との寸法偏差を抑制することが重要である上に、
ある層とそれ以外の層との関係、例えばゲート層とフィ
ールド層との関係或いは配線層とコンタクト層との関係
についても考慮しなければならない。先に示した幾つか
の公開公報においては、この異なる層どうしの関係につ
いては何の配慮もされていない。
路に適用する場合、接続部の線幅と接続部でないところ
の線幅との寸法偏差を抑制することが重要である上に、
ある層とそれ以外の層との関係、例えばゲート層とフィ
ールド層との関係或いは配線層とコンタクト層との関係
についても考慮しなければならない。先に示した幾つか
の公開公報においては、この異なる層どうしの関係につ
いては何の配慮もされていない。
【0030】以上の点に鑑みて本発明は、接続部での位
置合わせずれにより寸法偏差が生じたとしてもトランジ
スタのゲート寸法偏差が生じないレイアウトを有する部
分一括マスク、及び接続部での位置合わせずれにより配
線幅が太く形成されてもコンタクト層とのショートが起
こらないレイアウトを有する部分一括露光マスク及び部
分一括露光パターンの形成方法を提供することを目的と
する。
置合わせずれにより寸法偏差が生じたとしてもトランジ
スタのゲート寸法偏差が生じないレイアウトを有する部
分一括マスク、及び接続部での位置合わせずれにより配
線幅が太く形成されてもコンタクト層とのショートが起
こらないレイアウトを有する部分一括露光マスク及び部
分一括露光パターンの形成方法を提供することを目的と
する。
【0031】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、繰り返
しパターンを露光する部分一括露光用マスクパターンの
境界が素子分離領域上のみにある部分一括露光マスクに
ある。ここでこの露光用マスクパターンがワード線用パ
ターンであることができる。この場合、ワード線に垂直
にパターン境界を形成することができる。あるいは、素
子領域に平行にパターン境界を形成することができる。
しパターンを露光する部分一括露光用マスクパターンの
境界が素子分離領域上のみにある部分一括露光マスクに
ある。ここでこの露光用マスクパターンがワード線用パ
ターンであることができる。この場合、ワード線に垂直
にパターン境界を形成することができる。あるいは、素
子領域に平行にパターン境界を形成することができる。
【0032】あるいは本発明の特徴は、複数のパターン
からなる繰り返しパターンを露光する部分一括露光用マ
スクパターンであり、次工程で形成する接続孔が、この
複数のパターンの境界を結ぶ位置の内側にある部分一括
露光マスクにある。
からなる繰り返しパターンを露光する部分一括露光用マ
スクパターンであり、次工程で形成する接続孔が、この
複数のパターンの境界を結ぶ位置の内側にある部分一括
露光マスクにある。
【0033】本発明の他の特徴は、半導体素子パターン
中から、単位パターンの繰り返しからなるパターンを抽
出する工程と、このパターンの境界が素子領域上にある
場合、繰り返しパターンを維持しながら該境界を素子分
離領域に移動する工程とを有する部分一括露光パターン
の形成方法にある。
中から、単位パターンの繰り返しからなるパターンを抽
出する工程と、このパターンの境界が素子領域上にある
場合、繰り返しパターンを維持しながら該境界を素子分
離領域に移動する工程とを有する部分一括露光パターン
の形成方法にある。
【0034】あるいは本発明の他の特徴は、半導体素子
パターン中から、単位パターンの繰り返しからなるパタ
ーンを抽出する工程と、このパターンの境界が次工程で
形成する接続孔を横切る場合、繰り返しパターンを維持
しながらこの境界を接続孔を横切らない位置に移動する
工程とを有する部分一括露光パターンの形成方法にあ
る。
パターン中から、単位パターンの繰り返しからなるパタ
ーンを抽出する工程と、このパターンの境界が次工程で
形成する接続孔を横切る場合、繰り返しパターンを維持
しながらこの境界を接続孔を横切らない位置に移動する
工程とを有する部分一括露光パターンの形成方法にあ
る。
【0035】このような本発明によれば、部分一括ショ
ットどうしの接続部で位置ずれが生じ接続部での線幅寸
法が変化しても、素子領域上に接続部がないのでトラン
ジスタのゲート長が変化することがない。
ットどうしの接続部で位置ずれが生じ接続部での線幅寸
法が変化しても、素子領域上に接続部がないのでトラン
ジスタのゲート長が変化することがない。
【0036】また本発明によれば、部分一括ショットど
うしの接続部で位置ずれが生じ接続部での線幅寸法が太
く形成されたとしても、接続面延在方向最小寸法半分以
内にコンタクト孔が存在しないので配線とのコンタクト
孔のとのショートが発生しない。
うしの接続部で位置ずれが生じ接続部での線幅寸法が太
く形成されたとしても、接続面延在方向最小寸法半分以
内にコンタクト孔が存在しないので配線とのコンタクト
孔のとのショートが発生しない。
【0037】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。
する。
【0038】図1〜図7は本発明の第1の実施の形態に
おいて、どのようにワード線用部分一括マスクのレイア
ウトをするかを示すための図面である。また図8は本実
施の形態の手順を示すためのフローチャート図である。
おいて、どのようにワード線用部分一括マスクのレイア
ウトをするかを示すための図面である。また図8は本実
施の形態の手順を示すためのフローチャート図である。
【0039】図1は1/4ピッチ最密充填折り返しビッ
トセルレイアウト及び最大露光領域を示す説明図であ
り、素子領域1のパターンは、1/4ピッチ最密充填
(CPF)折り返しビット線セルレイアウト35であ
り、ワード線2のパターンを重ねている。この1/4ピ
ッチセルレイアウト35は、4本のワード線と4本のビ
ット線とで繰り返しの単位が構成されているレイアウト
である。そして図1で点線で示す素子領域1は、厚いフ
ィールド絶縁膜を有する素子分離領域20により区画さ
れて囲まれている。
トセルレイアウト及び最大露光領域を示す説明図であ
り、素子領域1のパターンは、1/4ピッチ最密充填
(CPF)折り返しビット線セルレイアウト35であ
り、ワード線2のパターンを重ねている。この1/4ピ
ッチセルレイアウト35は、4本のワード線と4本のビ
ット線とで繰り返しの単位が構成されているレイアウト
である。そして図1で点線で示す素子領域1は、厚いフ
ィールド絶縁膜を有する素子分離領域20により区画さ
れて囲まれている。
【0040】また図1中の枠は電子線強度の均一性が保
てる最大の領域(最大露光領域3)を示している。つま
りこの枠が部分一括マスクで一回に露光可能な最大サイ
ズとなる。
てる最大の領域(最大露光領域3)を示している。つま
りこの枠が部分一括マスクで一回に露光可能な最大サイ
ズとなる。
【0041】この図1が図8に示すフローチャート図の
ステップ11に相当する。
ステップ11に相当する。
【0042】次に、1/4ピッチ最密充填折り返しビッ
トセルレイアウトでのワード線最小繰り返し単位を示す
ための説明図である図2に示すように、本セルレイアウ
トで最小となる繰り返しの単位(最小繰り返し単位4)
を選択する。この大きさはセルサイズ及びセルレイアウ
トにより決まるものである。
トセルレイアウトでのワード線最小繰り返し単位を示す
ための説明図である図2に示すように、本セルレイアウ
トで最小となる繰り返しの単位(最小繰り返し単位4)
を選択する。この大きさはセルサイズ及びセルレイアウ
トにより決まるものである。
【0043】この図2が図8に示すフローチャート図の
ステップ12に相当する。
ステップ12に相当する。
【0044】次に、1/4ピッチ最密充填折り返しビッ
トセルレイアウトでのワード線繰り返し露光ピッチ枠を
示すための図3に示すように、最大露光領域3の中に収
まるように最小繰り返し単位4を縦横に並べる。この図
3に示したように、最大露光領域3内にはワード線繰り
返し露光ピッチ枠に囲まれた4個の最小繰り返し単位4
を配列することができる。この個数は最大露光領域の面
積と最小繰り返し単位の面積との関係により決まり、例
えば最大露光領域面積を一定と考えると最小繰り返し単
位4を4個配列したものが繰り返し露光ピッチ5であ
る。
トセルレイアウトでのワード線繰り返し露光ピッチ枠を
示すための図3に示すように、最大露光領域3の中に収
まるように最小繰り返し単位4を縦横に並べる。この図
3に示したように、最大露光領域3内にはワード線繰り
返し露光ピッチ枠に囲まれた4個の最小繰り返し単位4
を配列することができる。この個数は最大露光領域の面
積と最小繰り返し単位の面積との関係により決まり、例
えば最大露光領域面積を一定と考えると最小繰り返し単
位4を4個配列したものが繰り返し露光ピッチ5であ
る。
【0045】この図3が図8に示すフローチャート図の
ステップ13に相当する。
ステップ13に相当する。
【0046】また繰り返し露光ピッチ5内に8本あるワ
ード線部分(斜線部)を分割ワード線パターン6とす
る。
ード線部分(斜線部)を分割ワード線パターン6とす
る。
【0047】次に、1/4ピッチ最密充填折り返しビッ
トセルレイアウトで素子領域と繰り返し露光ピッチ枠の
関係を示すための説明図である図4に示すように、繰り
返し露光ピッチ5内のワード線部、つまり分割ワード線
パターン6と下地となる素子領域1のパターンとを重ね
る。図4から8本中×印のついている4本の分割ワード
線パターン6の長手方向端部6Aが素子領域1のパター
ン上に存在することがわかる。
トセルレイアウトで素子領域と繰り返し露光ピッチ枠の
関係を示すための説明図である図4に示すように、繰り
返し露光ピッチ5内のワード線部、つまり分割ワード線
パターン6と下地となる素子領域1のパターンとを重ね
る。図4から8本中×印のついている4本の分割ワード
線パターン6の長手方向端部6Aが素子領域1のパター
ン上に存在することがわかる。
【0048】次に分割ワード線パターン6の長手方向端
部6Aが素子領域1のパターンと重ならないように配列
し直す。図5に配列し直したものを示す。
部6Aが素子領域1のパターンと重ならないように配列
し直す。図5に配列し直したものを示す。
【0049】すなわち図5は素子領域上に分割ワード線
パターンの長辺方向端部が配置されないようにレイアウ
トを変更したことを示す説明図であり、同図において、
8本の分割ワード線パターン6の長手方向端部6Aの全
てが素子分離領域20上に位置している。
パターンの長辺方向端部が配置されないようにレイアウ
トを変更したことを示す説明図であり、同図において、
8本の分割ワード線パターン6の長手方向端部6Aの全
てが素子分離領域20上に位置している。
【0050】図5は図8に示すフローチャート図のステ
ップ14を行った結果である。図5の外側の枠が最大露
光領域3であり、内側の枠が繰り返し露光ピッチ5であ
る。この内側の枠が繰り返し露光を行う際の繰り返しピ
ッチにあたる。
ップ14を行った結果である。図5の外側の枠が最大露
光領域3であり、内側の枠が繰り返し露光ピッチ5であ
る。この内側の枠が繰り返し露光を行う際の繰り返しピ
ッチにあたる。
【0051】また図5では、移動した分割ワード線パタ
ーンが最大露光領域内に収まっているが、最大露光領域
を越えてしまった場合は、図8に示すフローチャート図
のステップ15→ステップ16の工程を行ってステップ
14に戻ることになる。
ーンが最大露光領域内に収まっているが、最大露光領域
を越えてしまった場合は、図8に示すフローチャート図
のステップ15→ステップ16の工程を行ってステップ
14に戻ることになる。
【0052】図6に本実施の形態を用いた、分割ワード
線形成用マスクパターン31(斜線部分)を有する部分
一括マスク30のレイアウトを示す。この部分一括マス
クを形成する工程が図8に示すフローチャート図のステ
ップ17である。
線形成用マスクパターン31(斜線部分)を有する部分
一括マスク30のレイアウトを示す。この部分一括マス
クを形成する工程が図8に示すフローチャート図のステ
ップ17である。
【0053】尚、図5において、分割ワード線パターン
6の長手方向端部6Aが隣接する素子領域パターン1ど
うしのほぼ中央部に配置されているが、素子領域1のパ
ターン上でなければ問題はない。また端部の断面形状が
分割ワード線パターンの長手方向に対して垂直になって
いるが、これも素子領域1のパターン上でなければ問題
なく、例えば素子領域長辺に対し平行でもよい。
6の長手方向端部6Aが隣接する素子領域パターン1ど
うしのほぼ中央部に配置されているが、素子領域1のパ
ターン上でなければ問題はない。また端部の断面形状が
分割ワード線パターンの長手方向に対して垂直になって
いるが、これも素子領域1のパターン上でなければ問題
なく、例えば素子領域長辺に対し平行でもよい。
【0054】また接続部で線幅が太くなったとしてもセ
ルトランジスタのゲート長に影響を与えないで断線を防
ぐために、例えば図7(A)〜(D)に示すように接続
部においてパターンの微少な重なりを持つレイアウトに
してもよい。
ルトランジスタのゲート長に影響を与えないで断線を防
ぐために、例えば図7(A)〜(D)に示すように接続
部においてパターンの微少な重なりを持つレイアウトに
してもよい。
【0055】すなわち図7では配線パターン6どうしの
オーバーラップ(重なり部分)を斜線で示しおり、図7
(A)は単純オーバーラップ19aを例示し、図7
(B)は素子領域1に平行な単純オーバーラップ19b
を例示し、図7(C)は突起部オーバーラップ19cを
例示し、図7(D)は素子領域1に平行な突起部オーバ
ーラップ19dを例示している。
オーバーラップ(重なり部分)を斜線で示しおり、図7
(A)は単純オーバーラップ19aを例示し、図7
(B)は素子領域1に平行な単純オーバーラップ19b
を例示し、図7(C)は突起部オーバーラップ19cを
例示し、図7(D)は素子領域1に平行な突起部オーバ
ーラップ19dを例示している。
【0056】次に図9および図10を参照して本発明の
第2の実施の形態を説明する。尚、図9および図10に
おいて図1乃至図7と同一もしくは類似の箇所は同じ符
号を伏してあるから重複する説明は省略する。
第2の実施の形態を説明する。尚、図9および図10に
おいて図1乃至図7と同一もしくは類似の箇所は同じ符
号を伏してあるから重複する説明は省略する。
【0057】先の第1の実施の形態では1/4ピッチC
PFセルレイアウトを用いて説明したが、この第2の実
施の形態のようにダッシュ型と呼ばれる素子領域を有す
る1/2ピッチセルレイアウト等でも同様の方法により
部分一括マスクのレイアウトが可能である。
PFセルレイアウトを用いて説明したが、この第2の実
施の形態のようにダッシュ型と呼ばれる素子領域を有す
る1/2ピッチセルレイアウト等でも同様の方法により
部分一括マスクのレイアウトが可能である。
【0058】この1/2ピッチセルレイアウトは、4本
のワード線と2本のビット線とで繰り返しの単位が構成
されているレイアウトである。図9にダッシュ型素子領
域を有するセルレイアウトの素子領域パターン1及びワ
ード線パターン2を示す。ここで図中の繰り返し露光ピ
ッチ6は最小繰り返し単位が6個により構成されてい
る。
のワード線と2本のビット線とで繰り返しの単位が構成
されているレイアウトである。図9にダッシュ型素子領
域を有するセルレイアウトの素子領域パターン1及びワ
ード線パターン2を示す。ここで図中の繰り返し露光ピ
ッチ6は最小繰り返し単位が6個により構成されてい
る。
【0059】図10に同様の方法を用いて形成したダッ
シュ型素子領域を有するセルレイアウトでのワード線用
部分一括マスク40のパターンレイアウト41を示す。
シュ型素子領域を有するセルレイアウトでのワード線用
部分一括マスク40のパターンレイアウト41を示す。
【0060】次に図11乃至図14を参照して本発明の
第3の実施の形態を説明する。尚、図11乃至図14図
において先に示した第1、第2の実施の形態の図面と同
一もしくは類似の箇所は同じ符号を伏してあるから重複
する説明は省略する。
第3の実施の形態を説明する。尚、図11乃至図14図
において先に示した第1、第2の実施の形態の図面と同
一もしくは類似の箇所は同じ符号を伏してあるから重複
する説明は省略する。
【0061】第2の実施の形態では本発明を用いた場合
のダッシュ型素子領域でのレイアウトを示したが、この
第3の実施の形態では同じ1/2ピッチレイアウトでも
素子領域パターンの違いで異なるレイアウトになる。
のダッシュ型素子領域でのレイアウトを示したが、この
第3の実施の形態では同じ1/2ピッチレイアウトでも
素子領域パターンの違いで異なるレイアウトになる。
【0062】本第3の実施の形態では、凸型形状の素子
領域を有するセルレイアウト及び矩形型の素子領域を有
するセルレイアウトで本発明を用いた場合について示
す。
領域を有するセルレイアウト及び矩形型の素子領域を有
するセルレイアウトで本発明を用いた場合について示
す。
【0063】先ず図11に凸部型素子領域1を有するセ
ルレイアウトの素子領域1のパターン及びワード線2の
パターンを示す。
ルレイアウトの素子領域1のパターン及びワード線2の
パターンを示す。
【0064】図11の繰り返し露光ピッチ5は最小繰り
返し単位が6個により構成されている。図11からわか
るように凸型素子領域上にパターンでは、分割ワード線
パターン6の長手方向端部をすべて素子分離領域20上
に配置すると繰り返し露光ピッチ5内に収めることがで
きる。従って本実施の形態の場合、凸型素子領域を有す
るセルレイアウトでのワード線用部分一括マスク50は
図12に示すようなワード線形成用マスクパターン51
を有するようになる。
返し単位が6個により構成されている。図11からわか
るように凸型素子領域上にパターンでは、分割ワード線
パターン6の長手方向端部をすべて素子分離領域20上
に配置すると繰り返し露光ピッチ5内に収めることがで
きる。従って本実施の形態の場合、凸型素子領域を有す
るセルレイアウトでのワード線用部分一括マスク50は
図12に示すようなワード線形成用マスクパターン51
を有するようになる。
【0065】次に図13に示すように、矩形型素子領域
1を有するセルレイアウトも、図11の凸型素子領域の
場合と同様に、分割ワード線パターンをすべて繰り返し
露光ピッチ5内に収めることができる。従ってこの実施
の形態の場合、矩形型素子領域を有するセルレイアウト
でのワード線用部分一括マスク60は図14に示すよう
なワード形成用マスクパターン61を有するようにな
る。
1を有するセルレイアウトも、図11の凸型素子領域の
場合と同様に、分割ワード線パターンをすべて繰り返し
露光ピッチ5内に収めることができる。従ってこの実施
の形態の場合、矩形型素子領域を有するセルレイアウト
でのワード線用部分一括マスク60は図14に示すよう
なワード形成用マスクパターン61を有するようにな
る。
【0066】次に図15乃至図22を参照して本発明の
第4の実施の形態を説明する。図15〜図21はどのよ
うにワード線用部分一括マスクのレイアウトをするかを
示すための図面であり、図22は本実施の形態の手順を
示すためのフローチャート図である。またこの第4の実
施の形態の図面において先の実施の形態のと同一もしく
は類似の箇所は同じ符号を伏してあるから重複する説明
は省略する。
第4の実施の形態を説明する。図15〜図21はどのよ
うにワード線用部分一括マスクのレイアウトをするかを
示すための図面であり、図22は本実施の形態の手順を
示すためのフローチャート図である。またこの第4の実
施の形態の図面において先の実施の形態のと同一もしく
は類似の箇所は同じ符号を伏してあるから重複する説明
は省略する。
【0067】第1の実施の形態から第3の実施の形態に
おいて、ワード線と素子領域との関係について説明して
きた。ワード線に関しては、素子領域以外にも素子領域
とビット線とを接続するビットコンタクト孔或いは素子
領域とキャパシタとを接続するキャパシタコンタクト孔
との関係を考慮する必要がある。
おいて、ワード線と素子領域との関係について説明して
きた。ワード線に関しては、素子領域以外にも素子領域
とビット線とを接続するビットコンタクト孔或いは素子
領域とキャパシタとを接続するキャパシタコンタクト孔
との関係を考慮する必要がある。
【0068】図15は、凸型素子領域を有する1/2ピ
ッチセルレイアウト36においてワード線とコンタクト
を示す説明図であり、ワード線2のパターン及びビット
コンタクト7のパターン及びキャパシタコンタクト8の
パターンを重ねている。
ッチセルレイアウト36においてワード線とコンタクト
を示す説明図であり、ワード線2のパターン及びビット
コンタクト7のパターン及びキャパシタコンタクト8の
パターンを重ねている。
【0069】先ず、凸型素子領域を有する1/2ピッチ
セルレイアウト36において最大露光領域と最小繰り返
し単位を示すための説明図である図16に示すように、
最大露光領域3内で本セルレイアウトでの最小となる繰
り返し単位4を選択する。
セルレイアウト36において最大露光領域と最小繰り返
し単位を示すための説明図である図16に示すように、
最大露光領域3内で本セルレイアウトでの最小となる繰
り返し単位4を選択する。
【0070】この図16の工程が図22に示すフローチ
ャート図のステップ21および22に相当する。
ャート図のステップ21および22に相当する。
【0071】次に凸型素子領域を有する1/2ピッチセ
ルレイアウト36において繰り返し露光のピッチを示す
ための説明図である図17に示すように、最大露光領域
3内に収まるように縦方向及び横方向に最小繰り返し単
位4を並べる。本図では、6個の最小繰り返し単位4が
配列されている。これをまとめたものが繰り返し露光ピ
ッチ5となる。また図17内の斜線部分を分割ワード線
パターン6とする。
ルレイアウト36において繰り返し露光のピッチを示す
ための説明図である図17に示すように、最大露光領域
3内に収まるように縦方向及び横方向に最小繰り返し単
位4を並べる。本図では、6個の最小繰り返し単位4が
配列されている。これをまとめたものが繰り返し露光ピ
ッチ5となる。また図17内の斜線部分を分割ワード線
パターン6とする。
【0072】この工程が図22に示すフローチャート図
のステップ23および24に相当する。
のステップ23および24に相当する。
【0073】次に、凸型素子領域を有する1/2ピッチ
セルレイアウトにおいてコンタクト孔と分割ワード線の
配置を示す図18に示すように、ビットコンタクト7及
びキャパシタコンタクト8のパターンを重ねる。図18
から8本中×印のついている4本の分割ワード線パター
ン6の長辺方向端部6Aがコンタクト孔の近傍に存在し
ていることがわかる。
セルレイアウトにおいてコンタクト孔と分割ワード線の
配置を示す図18に示すように、ビットコンタクト7及
びキャパシタコンタクト8のパターンを重ねる。図18
から8本中×印のついている4本の分割ワード線パター
ン6の長辺方向端部6Aがコンタクト孔の近傍に存在し
ていることがわかる。
【0074】ここで述べているコンタクト近傍とは、接
続面延在方向にコンタクトが存在しかつ最小設計寸法の
半分未満であることを意味している。つまり、配線パタ
ーンの線幅が最小設計寸法であるとすると図21内に示
す状態a、b、eおよびfがコンタクト近傍の状態であ
り、c、d、gおよびhがコンタクト近傍ではないこと
になる。
続面延在方向にコンタクトが存在しかつ最小設計寸法の
半分未満であることを意味している。つまり、配線パタ
ーンの線幅が最小設計寸法であるとすると図21内に示
す状態a、b、eおよびfがコンタクト近傍の状態であ
り、c、d、gおよびhがコンタクト近傍ではないこと
になる。
【0075】そして、分割ワード線パターン6の長手方
向端部6Aがコンタクト近傍に存在しないように配列し
直す。図19に配列し直したものを示す。
向端部6Aがコンタクト近傍に存在しないように配列し
直す。図19に配列し直したものを示す。
【0076】すなわち図19は分割ワード線パターンが
長辺方向部断面の延長方向にコンタクト孔がこないよう
に配置したことを示す説明図であり、これは図22のに
示すフローチャート図のステップ25を行った結果であ
る。
長辺方向部断面の延長方向にコンタクト孔がこないよう
に配置したことを示す説明図であり、これは図22のに
示すフローチャート図のステップ25を行った結果であ
る。
【0077】図19の外側の枠が最大露光領域3であ
り、内側の枠が繰り返し露光ピッチ5である。また図1
9では移動した分割ワード線パターンが最大露光領域内
に収まっているが、最大露光領域を越えてしまった場合
は、図22に示すフローチャート図のステップ26→ス
テップ27の工程を行ってステップ27に戻ることにな
る。
り、内側の枠が繰り返し露光ピッチ5である。また図1
9では移動した分割ワード線パターンが最大露光領域内
に収まっているが、最大露光領域を越えてしまった場合
は、図22に示すフローチャート図のステップ26→ス
テップ27の工程を行ってステップ27に戻ることにな
る。
【0078】図19を基にして形成したワード線形成用
マスクパターン71を有する部分一括マスク70のレイ
アウトを図20に示し、図22に示すフローチャート図
のステップ28で形成する。
マスクパターン71を有する部分一括マスク70のレイ
アウトを図20に示し、図22に示すフローチャート図
のステップ28で形成する。
【0079】本実施の形態では、凸部素子領域を有する
1/2ピッチ折り返しビットセルについて説明してきた
が、他のセルについても同様の手法を用いてレイアウト
することができる。例えば、先に示したCPFセル及び
ダッシュ型素子領域を有するセル及び矩形型素子領域を
有するセルなどは、それぞれ第1の実施の形態、第2の
実施の形態2及び第3の実施の形態に示したのと同じ部
分一括マスクのレイアウトになる。
1/2ピッチ折り返しビットセルについて説明してきた
が、他のセルについても同様の手法を用いてレイアウト
することができる。例えば、先に示したCPFセル及び
ダッシュ型素子領域を有するセル及び矩形型素子領域を
有するセルなどは、それぞれ第1の実施の形態、第2の
実施の形態2及び第3の実施の形態に示したのと同じ部
分一括マスクのレイアウトになる。
【0080】次に図23および図24を参照して本発明
の第5の実施の形態を説明する。尚、図23および図2
4において先の実施の形態の図面と同一もしくは類似の
箇所は同じ符号を伏してあるから重複する説明は省略す
る。
の第5の実施の形態を説明する。尚、図23および図2
4において先の実施の形態の図面と同一もしくは類似の
箇所は同じ符号を伏してあるから重複する説明は省略す
る。
【0081】第4の実施の形態において、ワード線とコ
ンタクト孔の関係について説明してきたが、DRAMの
ビット線とキャパシタコンタクトとの関係において同じ
ように考える必要がある。
ンタクト孔の関係について説明してきたが、DRAMの
ビット線とキャパシタコンタクトとの関係において同じ
ように考える必要がある。
【0082】図23に1/4ピッチセルレイアウトでの
キャパシタコンタクト8とビット線9との配置を示す。
また、第4の実施の形態と同様の手法を用いて最大露光
領域3内に収まるように最小繰り返し単位4を配列して
繰り返し露光ピッチ5を決定する。この繰り返し露光ピ
ッチ5内にあるビット線9のパターンを分割ビット線パ
ターン10とする。図中の分割ビット線パターン10
は、キャパシタコンタクト8の近傍にない配列になって
いるのでこれが本発明による部分一括マスクのレイアウ
トになる。図24に図23を基にして形成したビット線
形成用マスクパターン81を有する部分一括マスク80
のレイアウトを示す。
キャパシタコンタクト8とビット線9との配置を示す。
また、第4の実施の形態と同様の手法を用いて最大露光
領域3内に収まるように最小繰り返し単位4を配列して
繰り返し露光ピッチ5を決定する。この繰り返し露光ピ
ッチ5内にあるビット線9のパターンを分割ビット線パ
ターン10とする。図中の分割ビット線パターン10
は、キャパシタコンタクト8の近傍にない配列になって
いるのでこれが本発明による部分一括マスクのレイアウ
トになる。図24に図23を基にして形成したビット線
形成用マスクパターン81を有する部分一括マスク80
のレイアウトを示す。
【0083】
【発明の効果】本発明によれば、部分一括ショット同士
の接続部で位置ずれが生じ接続部での線幅寸法が変化し
ても、素子領域上に接続部がないのでトランジスタのゲ
ート長が変化することがない。これによりDRAM等に
おいてはセルトランジスタの特性ばらつきが抑制できる
のでチップ良品率が向上し、歩留まりが上がる。
の接続部で位置ずれが生じ接続部での線幅寸法が変化し
ても、素子領域上に接続部がないのでトランジスタのゲ
ート長が変化することがない。これによりDRAM等に
おいてはセルトランジスタの特性ばらつきが抑制できる
のでチップ良品率が向上し、歩留まりが上がる。
【0084】また本発明によれば、部分一括ショットど
うしの接続部で位置ずれが生じ接続部での線幅寸法が太
く形成されたとしても、接続面延在方向最小寸法半分以
内にコンタクト孔が存在しないので配線とコンタクト孔
とのショートが発生しない。これにより、配線ショート
が原因で不良となっていたチップが良品となるので歩留
まりが向上する。
うしの接続部で位置ずれが生じ接続部での線幅寸法が太
く形成されたとしても、接続面延在方向最小寸法半分以
内にコンタクト孔が存在しないので配線とコンタクト孔
とのショートが発生しない。これにより、配線ショート
が原因で不良となっていたチップが良品となるので歩留
まりが向上する。
【図1】本発明の第1の実施の形態において、1/4ピ
ッチ最密充填折り返しビット線セルレイアウトを示す図
である。
ッチ最密充填折り返しビット線セルレイアウトを示す図
である。
【図2】本発明の第1の実施の形態において、1/4ピ
ッチ最密充填折り返しビット線セルレイアウトでの最小
繰り返し単位を示す図である。
ッチ最密充填折り返しビット線セルレイアウトでの最小
繰り返し単位を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態において、最大露光
領域と繰り返し露光ピッチとの関係を示す図である。
領域と繰り返し露光ピッチとの関係を示す図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態において、分割ワー
ド線パターンと素子領域との位置関係を示す図である。
ド線パターンと素子領域との位置関係を示す図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態において、素子領域
を考慮し分割ワード線パターンの配置を変更した場合の
一例を示す図である。
を考慮し分割ワード線パターンの配置を変更した場合の
一例を示す図である。
【図6】図5を基にして形成した本発明の第1の実施の
形態における部分一括マスクを示す図である。
形態における部分一括マスクを示す図である。
【図7】本発明の第1の実施の形態によるワード線部分
一括マスクパターン長辺方向端部での形状の例をそれぞ
れ示す図である。
一括マスクパターン長辺方向端部での形状の例をそれぞ
れ示す図である。
【図8】本発明の第1の実施の形態における方法の工程
ステップのフローを示す図である。
ステップのフローを示す図である。
【図9】本発明の第2の実施の形態におけるダッシュ型
素子領域を有する1/2ピッチ折り返しビット線セルレ
イアウトを示す図である。
素子領域を有する1/2ピッチ折り返しビット線セルレ
イアウトを示す図である。
【図10】図9を基にして形成した本発明の第2の実施
の形態における部分一括マスクを示す図である。
の形態における部分一括マスクを示す図である。
【図11】本発明の第3の実施の形態において、凸型素
子領域を有する1/2ピッチ折り返しビット線セルレイ
アウトを示す図である。
子領域を有する1/2ピッチ折り返しビット線セルレイ
アウトを示す図である。
【図12】図11を基にして形成した本発明の第3の実
施の形態における部分一括マスクを示す図である。
施の形態における部分一括マスクを示す図である。
【図13】本発明の第3の実施の形態において、矩形型
素子領域を有する1/2ピッチ折り返しビット線セルレ
イアウトを示す図である。
素子領域を有する1/2ピッチ折り返しビット線セルレ
イアウトを示す図である。
【図14】図13を基にして形成した本発明の第3の実
施の形態における部分一括マスクを示す図である。
施の形態における部分一括マスクを示す図である。
【図15】本発明の第4の実施の形態において、凸形型
素子領域を有する1/2 ピッチ折り返しビット線セル
レイアウトを示す図である。
素子領域を有する1/2 ピッチ折り返しビット線セル
レイアウトを示す図である。
【図16】本発明の第4の実施の形態において、凸型素
子領域を有する1/2ピッチ折り返しビット線セルレイ
アウトでの最小繰り返し単位を示す図である。
子領域を有する1/2ピッチ折り返しビット線セルレイ
アウトでの最小繰り返し単位を示す図である。
【図17】本発明の第4の実施の形態において、最大露
光領域と繰り返し露光ピッチとの関係を示す図である。
光領域と繰り返し露光ピッチとの関係を示す図である。
【図18】本発明の第4の実施の形態において、分割ワ
ード線パターンとビットコンタクト及びキャパシタコン
タクトとの位置関係を示す図である。
ード線パターンとビットコンタクト及びキャパシタコン
タクトとの位置関係を示す図である。
【図19】本発明の第4の実施の形態において、コンタ
クトパターンの配置を考慮し分割ワード線パターンの配
置を変更した一例を示す図である。
クトパターンの配置を考慮し分割ワード線パターンの配
置を変更した一例を示す図である。
【図20】図19を基にして形成した本発明の第4の実
施の形態における部分一括マスクを示す図である。
施の形態における部分一括マスクを示す図である。
【図21】本発明で述べているコンタクト近傍の定義を
示すための図である。
示すための図である。
【図22】本発明の第4の実施の形態における方法の工
程ステップのフローを示す図である。
程ステップのフローを示す図である。
【図23】本発明の第5の実施の形態において、1/4
ピッチ最密充填折り返しビット線セルレイアウトを示す
図である。
ピッチ最密充填折り返しビット線セルレイアウトを示す
図である。
【図24】図23を基にして形成した本発明の第5の実
施の形態における部分一括マスクを示す図である。
施の形態における部分一括マスクを示す図である。
【図25】部分一括露光を説明するために、部分一括用
マスクを示す図である。
マスクを示す図である。
【図26】部分一括露光を説明するために、部分一括に
よる繰り返し露光を示す図である。
よる繰り返し露光を示す図である。
【図27】部分一括露光を説明するために、部分一括に
よる繰り返し露光により形成されたパターンを示す図で
ある。
よる繰り返し露光により形成されたパターンを示す図で
ある。
【図28】従来技術において、部分一括ショットどうし
で位置ずれ露光が起こった場合どのようにレジストパタ
ーンが形成されるかを示すための図である。
で位置ずれ露光が起こった場合どのようにレジストパタ
ーンが形成されるかを示すための図である。
【図29】他の従来技術における部分一括マスクレイア
ウトを示す図である。
ウトを示す図である。
【図30】従来技術における部分一括マスクを用いて露
光を行った場合、位置ずれによりトランジスタのゲート
長の寸法が変動することを示す図である。
光を行った場合、位置ずれによりトランジスタのゲート
長の寸法が変動することを示す図である。
【図31】従来技術における部分一括マスクを用いて露
光を行った場合、位置ずれによりワード線とビットコン
タクトがショートすることを示す図である。
光を行った場合、位置ずれによりワード線とビットコン
タクトがショートすることを示す図である。
【図32】図31を切断線A−Aで切断し矢印の方向を
視て拡大して示した断面図である。
視て拡大して示した断面図である。
1 素子領域 2 ワード線 3 最大露光領域 4 最小繰り返し単位 5 繰り返し露光ピッチ(枠) 6 分割ワード線パターン(配線) 6A 分割ワード線パターンの長手方向端部 7 ビットコンタクト 8 キャパシタコンタクト 9 ビット線 10 分割ビット線パターン 11〜17 第1の実施の形態におけるステップ(工
程) 19a〜19d オーバーラップ(重なり部) 20 素子分離領域 21〜28 第4の実施の形態におけるステップ(工
程) 30,40,50,60,70 部分一括マスク 31,41,51,61,71 部分一括マスクのパ
ターン 35 1/4ピッチ最密充填折り返しビットセルレイ
アウト 36 凸部素子領域を有する1/2ピッチセルレイア
ウト 90,100 部分一括用マスク 91,101 部分一括マスクのパターン 92 パターン 93 部分一括による繰り返し露光により形成された
パターン 94 横方向の接続部 95 縦方向の接続部 96 パターン接続不良 97 パターン重なり不良 98 線幅の細い箇所 99 線幅の太い箇所 100 半導体基板 102 細いゲート長の箇所 103 ゲート長が寸法通りの箇所 104 太いゲート長の箇所 105 マスク寸法通りの箇所 106 ワード線が太く形成されている箇所(ショー
トする箇所) 110 接続部 111 拡散層 112 層間絶縁膜 113 素子分離領域 114 フイールド絶縁膜
程) 19a〜19d オーバーラップ(重なり部) 20 素子分離領域 21〜28 第4の実施の形態におけるステップ(工
程) 30,40,50,60,70 部分一括マスク 31,41,51,61,71 部分一括マスクのパ
ターン 35 1/4ピッチ最密充填折り返しビットセルレイ
アウト 36 凸部素子領域を有する1/2ピッチセルレイア
ウト 90,100 部分一括用マスク 91,101 部分一括マスクのパターン 92 パターン 93 部分一括による繰り返し露光により形成された
パターン 94 横方向の接続部 95 縦方向の接続部 96 パターン接続不良 97 パターン重なり不良 98 線幅の細い箇所 99 線幅の太い箇所 100 半導体基板 102 細いゲート長の箇所 103 ゲート長が寸法通りの箇所 104 太いゲート長の箇所 105 マスク寸法通りの箇所 106 ワード線が太く形成されている箇所(ショー
トする箇所) 110 接続部 111 拡散層 112 層間絶縁膜 113 素子分離領域 114 フイールド絶縁膜
Claims (7)
- 【請求項1】 繰り返しパターンを露光する部分一括露
光用マスクパターンの境界が素子分離領域上のみにある
ことを特徴とする部分一括露光マスク。 - 【請求項2】 前記露光用マスクパターンがワード線用
パターンであることを特徴とする請求項1記載の部分一
括露光マスク。 - 【請求項3】 ワード線に垂直にパターン境界を形成し
たことを特徴とする請求項2記載の部分一括露光マス
ク。 - 【請求項4】 素子領域に平行にパターン境界を形成し
たことを特徴とする請求項2記載の部分一括露光マス
ク。 - 【請求項5】 複数のパターンからなる繰り返しパター
ンを露光する部分一括露光用マスクパターンであり、次
工程で形成する接続孔が、該複数のパターンの境界を結
ぶ位置の内側にあることを特徴とする部分一括露光マス
ク。 - 【請求項6】 半導体素子パターン中から、単位パター
ンの繰り返しからなるパターンを抽出する工程と、該パ
ターンの境界が素子領域上にある場合、繰り返しパター
ンを維持しながら該境界を素子分離領域に移動する工程
とを有する部分一括露光パターンの形成方法。 - 【請求項7】 半導体素子パターン中から、単位パター
ンの繰り返しからなるパターンを抽出する工程と、該パ
ターンの境界が次工程で形成する接続孔を横切る場合、
繰り返しパターンを維持しながら該境界を接続孔を横切
らない位置に移動する工程とを有することを特徴とする
部分一括露光パターンの形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9023591A JP2950275B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 部分一括露光マスク及び部分一括露光パターンの形成方法 |
US09/019,204 US6020092A (en) | 1997-02-06 | 1998-02-05 | Partial one-shot electron beam exposure mask and method of forming a partial one-shot electron beam exposure pattern |
CN98100196A CN1193183A (zh) | 1997-02-06 | 1998-02-06 | 部分一次射束电子束曝光的掩摸与方法 |
KR1019980003478A KR100275021B1 (ko) | 1997-02-06 | 1998-02-06 | 부분단일주사전자선노출마스크및부분단일주사전자선노출패턴을형성하는방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9023591A JP2950275B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 部分一括露光マスク及び部分一括露光パターンの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10223508A JPH10223508A (ja) | 1998-08-21 |
JP2950275B2 true JP2950275B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=12114835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9023591A Expired - Lifetime JP2950275B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 部分一括露光マスク及び部分一括露光パターンの形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6020092A (ja) |
JP (1) | JP2950275B2 (ja) |
KR (1) | KR100275021B1 (ja) |
CN (1) | CN1193183A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6675368B2 (en) | 2000-09-27 | 2004-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for and method of preparing pattern data of electronic part |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3159163B2 (ja) | 1998-04-06 | 2001-04-23 | 日本電気株式会社 | 走査露光方法及び走査露光装置 |
US6725440B2 (en) | 2000-03-27 | 2004-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device comprising a plurality of semiconductor devices formed on a substrate |
KR100848087B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 기판 위에 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용한 액정표시 장치용 기판의 제조 방법 |
KR20030073875A (ko) * | 2002-03-13 | 2003-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 소자분리패턴 형성방법 |
KR101974350B1 (ko) | 2012-10-26 | 2019-05-02 | 삼성전자주식회사 | 활성 영역을 한정하는 라인 형 트렌치들을 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5849437A (en) * | 1994-03-25 | 1998-12-15 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure mask and method of manufacturing the same and electron beam exposure method |
-
1997
- 1997-02-06 JP JP9023591A patent/JP2950275B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-05 US US09/019,204 patent/US6020092A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-06 CN CN98100196A patent/CN1193183A/zh active Pending
- 1998-02-06 KR KR1019980003478A patent/KR100275021B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6675368B2 (en) | 2000-09-27 | 2004-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for and method of preparing pattern data of electronic part |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980071147A (ko) | 1998-10-26 |
JPH10223508A (ja) | 1998-08-21 |
US6020092A (en) | 2000-02-01 |
CN1193183A (zh) | 1998-09-16 |
KR100275021B1 (ko) | 2001-01-15 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990608 |