JP2949651B2 - 電極基板及び記録媒体の製造方法 - Google Patents
電極基板及び記録媒体の製造方法Info
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- JP2949651B2 JP2949651B2 JP20225491A JP20225491A JP2949651B2 JP 2949651 B2 JP2949651 B2 JP 2949651B2 JP 20225491 A JP20225491 A JP 20225491A JP 20225491 A JP20225491 A JP 20225491A JP 2949651 B2 JP2949651 B2 JP 2949651B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録媒体に用い
られる電極基板及び記録媒体の製造方法に関する。更に
詳しくは、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を応用した
情報処理装置において、記録媒体を形成する電極基板の
製造方法及び記録媒体の製造法に関するものである。
られる電極基板及び記録媒体の製造方法に関する。更に
詳しくは、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を応用した
情報処理装置において、記録媒体を形成する電極基板の
製造方法及び記録媒体の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年情報化社会の発展につれ、大容量メ
モリの開発が極めて活発に行われている。メモリに要求
される性能は、一般に、 １）高密度で記録容量が大きい ２）記録再生の応答速度が速い ３）消費電力が少ない ４）生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。
モリの開発が極めて活発に行われている。メモリに要求
される性能は、一般に、 １）高密度で記録容量が大きい ２）記録再生の応答速度が速い ３）消費電力が少ない ４）生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。
【０００３】一方、最近では走査型トンネル顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）が開発され（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．４９，５７（１９８
２））、単結晶、非結晶を問わず実空間の高い分解能の
測定ができるようになった。
ＴＭ）が開発され（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．４９，５７（１９８
２））、単結晶、非結晶を問わず実空間の高い分解能の
測定ができるようになった。
【０００４】かかるＳＴＭは、金属の探針（プローブ電
極）と導電性物質の間に電圧を加えて１０Å程度の距離
まで近づけるとトンネル電流が流れることを利用してい
る。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、ト
ンネル電流を一定に保つ様に探針を走査することにより
実空間の表面構造を描くことができると同時に、表面原
子の全電子雲に関する種々の情報をも読み取ることがで
きる。この際の面内方向の分解能は１Å程度である。
極）と導電性物質の間に電圧を加えて１０Å程度の距離
まで近づけるとトンネル電流が流れることを利用してい
る。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、ト
ンネル電流を一定に保つ様に探針を走査することにより
実空間の表面構造を描くことができると同時に、表面原
子の全電子雲に関する種々の情報をも読み取ることがで
きる。この際の面内方向の分解能は１Å程度である。
【０００５】したがって、ＳＴＭの原理を応用すれば、
十分に原子オーダー（数Å）で高密度記録再生を行うこ
とが可能である。この際の記録再生方法として、粒子線
（電子線、イオン線）あるいはＸ線等の高エネルギー電
磁波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な
記録層の表面状態を変化させて記録を行いＳＴＭで再生
する方法や、記録層として電圧電流のスイッチング特性
に対するメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化
合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて記録再生をＳ
ＴＭを用いて行う方法等が提案されている（特開昭６３
−１６１５５２３号公報）。その他電圧パルスを印加す
ることで、基板上に分子を流体から捕捉し、選択的にデ
ータビットを書き込み、またそれを読み取り、消去を行
う方法、装置の提案がある（特開平１−１９６７５１号
公報）。
十分に原子オーダー（数Å）で高密度記録再生を行うこ
とが可能である。この際の記録再生方法として、粒子線
（電子線、イオン線）あるいはＸ線等の高エネルギー電
磁波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な
記録層の表面状態を変化させて記録を行いＳＴＭで再生
する方法や、記録層として電圧電流のスイッチング特性
に対するメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化
合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて記録再生をＳ
ＴＭを用いて行う方法等が提案されている（特開昭６３
−１６１５５２３号公報）。その他電圧パルスを印加す
ることで、基板上に分子を流体から捕捉し、選択的にデ
ータビットを書き込み、またそれを読み取り、消去を行
う方法、装置の提案がある（特開平１−１９６７５１号
公報）。
【０００６】ところで、実際に装置としてメモリ媒体へ
の記録再生を行うためには、いわゆるトラッキングとい
う位置決め及びデータ列への追跡を行う必要がある。こ
の種の高密度メモリのトラックを有した電極基板の製造
方法として １）電極基板上にリソグラフィ技術を用いてトラックを
形成する ２）結晶の原子配列を応用する ３）記録媒体に導電体のトラックを埋め込む ４）母材上に凹又は凸部を形成し、かかる母材上に金属
層を堆積し、しかる後、該金属を剥離しその剥離面を電
極面とする 等が提案されている。
の記録再生を行うためには、いわゆるトラッキングとい
う位置決め及びデータ列への追跡を行う必要がある。こ
の種の高密度メモリのトラックを有した電極基板の製造
方法として １）電極基板上にリソグラフィ技術を用いてトラックを
形成する ２）結晶の原子配列を応用する ３）記録媒体に導電体のトラックを埋め込む ４）母材上に凹又は凸部を形成し、かかる母材上に金属
層を堆積し、しかる後、該金属を剥離しその剥離面を電
極面とする 等が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来例に示され
た電極基板を用いた場合、レジスト残渣等の影響を受け
ずに母材の平滑面を維持するのは困難であった。
た電極基板を用いた場合、レジスト残渣等の影響を受け
ずに母材の平滑面を維持するのは困難であった。
【０００８】すなわち、本発明の目的とするところは、
上述のような従来技術における問題点を解決し得る電極
基板及び記録媒体の製造方法を提供することにある。
上述のような従来技術における問題点を解決し得る電極
基板及び記録媒体の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、第１に、母材上に金属を形成する工
程と、該金属を別途トラックパターンを形成した転写材
上に剥離し、しかる後にガス又はエアーの吹き付けもし
くは転写材裏面からの吸引によりトラックを形成する工
程を有することを特徴とする電極基板の製造方法、第２
に、前記電極基板が結晶基板の劈開面上に金属をエピタ
キシャル成長させることによって形成される工程を有す
ることを特徴とする前記第１に記載の電極基板の製造方
法、第３に、前記第１又は第２の電極基板の製造方法に
よって製造された電極基板上に記録層を設ける工程を有
することを特徴とする記録媒体の製造方法、第４に、記
録層を形成する工程が、ラングミュアーブロジェット法
であることを特徴とする前記第３に記載の記録媒体の製
造方法、としている点にある。
の本発明の構成は、第１に、母材上に金属を形成する工
程と、該金属を別途トラックパターンを形成した転写材
上に剥離し、しかる後にガス又はエアーの吹き付けもし
くは転写材裏面からの吸引によりトラックを形成する工
程を有することを特徴とする電極基板の製造方法、第２
に、前記電極基板が結晶基板の劈開面上に金属をエピタ
キシャル成長させることによって形成される工程を有す
ることを特徴とする前記第１に記載の電極基板の製造方
法、第３に、前記第１又は第２の電極基板の製造方法に
よって製造された電極基板上に記録層を設ける工程を有
することを特徴とする記録媒体の製造方法、第４に、記
録層を形成する工程が、ラングミュアーブロジェット法
であることを特徴とする前記第３に記載の記録媒体の製
造方法、としている点にある。
【００１０】すなわち、本発明によれば母材上に金属を
形成する工程と該金属を別途トラックパターンを形成し
た転写材上に剥離し、しかる後にガス又はエアーの吹き
付けもしくは転写材裏面からの吸引によりトラックを形
成する工程を有することにより、レジスト残渣の影響を
受けない母材から電極基板を製造することが可能となっ
た。
形成する工程と該金属を別途トラックパターンを形成し
た転写材上に剥離し、しかる後にガス又はエアーの吹き
付けもしくは転写材裏面からの吸引によりトラックを形
成する工程を有することにより、レジスト残渣の影響を
受けない母材から電極基板を製造することが可能となっ
た。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。図１は、
本発明に係るトラックを有する電極基板の各製造工程に
おける断面図を示したものである。１０１は母材、１０
２は電極層、１０３は転写材、１０４はトラックパター
ン、１０５は接着剤である。図１においてまず、ＳＴＭ
の特徴を生かした高速、高密度記録を行うには高いＳ／
Ｎ比、高速記録再生を実現できる電極基板が必要であ
る。本発明においては、母材から電極層を剥離した剥離
面を用いることも可能であり、かかる母材としてはその
表面が平滑であることが好ましく、例えば １）結晶の劈開面・・・マイカ、ＭｇＯ、ＴｉＣ、Ｓ
ｉ、グラファイト等 ２）溶融したガラス面・・・フロートガラス、コーニン
グ＃７０５９、溶融石英等が挙げられる。
本発明に係るトラックを有する電極基板の各製造工程に
おける断面図を示したものである。１０１は母材、１０
２は電極層、１０３は転写材、１０４はトラックパター
ン、１０５は接着剤である。図１においてまず、ＳＴＭ
の特徴を生かした高速、高密度記録を行うには高いＳ／
Ｎ比、高速記録再生を実現できる電極基板が必要であ
る。本発明においては、母材から電極層を剥離した剥離
面を用いることも可能であり、かかる母材としてはその
表面が平滑であることが好ましく、例えば １）結晶の劈開面・・・マイカ、ＭｇＯ、ＴｉＣ、Ｓ
ｉ、グラファイト等 ２）溶融したガラス面・・・フロートガラス、コーニン
グ＃７０５９、溶融石英等が挙げられる。
【００１２】これら各種材料の表面は、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）を用いて観察することができる。かかるＡＦ
Ｍは試料の導電性、絶縁性を問わず原子オーダーの分解
能で試料の表面形状を計測することが可能である。本発
明者らはＡＦＭを用いて各種材料の表面形状を観察した
ところ、１０μｍ□の領域において表面凹凸は１ｎｍ以
下であり、本発明に用いる母材として好適であることが
わかった。
（ＡＦＭ）を用いて観察することができる。かかるＡＦ
Ｍは試料の導電性、絶縁性を問わず原子オーダーの分解
能で試料の表面形状を計測することが可能である。本発
明者らはＡＦＭを用いて各種材料の表面形状を観察した
ところ、１０μｍ□の領域において表面凹凸は１ｎｍ以
下であり、本発明に用いる母材として好適であることが
わかった。
【００１３】また、剥離方法も接着剤を用いてひきはが
すほか、共晶結合、電鋳等を用いることができる。かか
る接着剤としては、無溶剤型の体積収縮のないものが好
ましく例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が
挙げられる。
すほか、共晶結合、電鋳等を用いることができる。かか
る接着剤としては、無溶剤型の体積収縮のないものが好
ましく例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が
挙げられる。
【００１４】次に、電極層１０２は高導電性を有するも
のが好ましい。例えば、Ａｕ、Ａｂ、Ｐｔ、Ｐｄなどの
金属及びＡｕ−Ｐｄ、Ｐｔ−Ｐｄなどの合金、更にはそ
れらの積層膜が挙げられる。このような材料を用いた電
極形成方法としても、従来公知の薄膜形成方法で充分で
ある。
のが好ましい。例えば、Ａｕ、Ａｂ、Ｐｔ、Ｐｄなどの
金属及びＡｕ−Ｐｄ、Ｐｔ−Ｐｄなどの合金、更にはそ
れらの積層膜が挙げられる。このような材料を用いた電
極形成方法としても、従来公知の薄膜形成方法で充分で
ある。
【００１５】一方転写材１０３にトラックパターン１０
４を形成する方法として、転写材上に光エネルギーを選
択的に照射する方法や、電解液中で放電させ、ガラスに
穴を開ける方法等がある。その他従来公知のリソグラフ
ィー技術を用いることも可能である。
４を形成する方法として、転写材上に光エネルギーを選
択的に照射する方法や、電解液中で放電させ、ガラスに
穴を開ける方法等がある。その他従来公知のリソグラフ
ィー技術を用いることも可能である。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１７】（実施例１）まず大気中でマイカを劈開
し、母材１０１とする。続いて、かかる基板１０１上に
真空蒸着法によりＡｕをエピタキシャル成長させ、電極
層１０２を形成する。該電極層１０２は基板温度４００
℃、蒸着速度１０Å／ｓｅｃ、到達圧力２×１０-6Ｔｏ
ｒｒ、膜厚２０００Åの条件で成膜した。
し、母材１０１とする。続いて、かかる基板１０１上に
真空蒸着法によりＡｕをエピタキシャル成長させ、電極
層１０２を形成する。該電極層１０２は基板温度４００
℃、蒸着速度１０Å／ｓｅｃ、到達圧力２×１０-6Ｔｏ
ｒｒ、膜厚２０００Åの条件で成膜した。
【００１８】一方、転写材料１０３としてＳｉＯ2が１
０００Å形成されたシリコン基板を用いた。図３に示す
ように、光エネルギー源として１０Ｊ／ｃｍ2のＸｅＣ
ｌエキシマレーザーを用い、１００Ｈｚで発振させレン
ズ４により１μｍ径に集光させると、転写材１０３上の
集光部のシリコンが蒸発除去し、貫通抗が形成される
（図１（ｂ））。引き続き、光を掃引することで所望の
トラックパターンを形成した。
０００Å形成されたシリコン基板を用いた。図３に示す
ように、光エネルギー源として１０Ｊ／ｃｍ2のＸｅＣ
ｌエキシマレーザーを用い、１００Ｈｚで発振させレン
ズ４により１μｍ径に集光させると、転写材１０３上の
集光部のシリコンが蒸発除去し、貫通抗が形成される
（図１（ｂ））。引き続き、光を掃引することで所望の
トラックパターンを形成した。
【００１９】かかる転写材上に接着剤１０５（商標名
ハイスーパー５ セメダイン製）を塗布した後、接着剤
１０５の上に母材１０１を対向配置し、電極層１０２を
転写材上に張り付ける（図１（ｃ））。接着は、３Ｋｇ
／ｃｍ2、室温、硬化時間２４時間で行った。続いて、
母材１０１を電極層１０２から引きはがし、転写材１０
３、電極層１０２、接着剤１０５からなる電極基板を得
た（図１（ｄ））。
ハイスーパー５ セメダイン製）を塗布した後、接着剤
１０５の上に母材１０１を対向配置し、電極層１０２を
転写材上に張り付ける（図１（ｃ））。接着は、３Ｋｇ
／ｃｍ2、室温、硬化時間２４時間で行った。続いて、
母材１０１を電極層１０２から引きはがし、転写材１０
３、電極層１０２、接着剤１０５からなる電極基板を得
た（図１（ｄ））。
【００２０】次に、剥離した、電極層上から、５Ｋｇ／
ｃｍ2のＮ2ガスを吹き付けることによって、凹状のトラ
ックパターンを形成した（図１（ｅ））。
ｃｍ2のＮ2ガスを吹き付けることによって、凹状のトラ
ックパターンを形成した（図１（ｅ））。
【００２１】上述した方法により形成した電極基板の表
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されておりトラックが明確に
判別できた。
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されておりトラックが明確に
判別できた。
【００２２】（実施例２）図２に示すように、溶融石英
基板を洗浄し、母材１０１とする。かかる母材上にＡｕ
を真空蒸着法により２０００Å成膜し、電極層１０２と
する。この時の蒸着条件は基板温度４００℃、蒸着速度
１０Å／ｓｅｃ、到達圧力２×１０-6Ｔｏｒｒであっ
た。
基板を洗浄し、母材１０１とする。かかる母材上にＡｕ
を真空蒸着法により２０００Å成膜し、電極層１０２と
する。この時の蒸着条件は基板温度４００℃、蒸着速度
１０Å／ｓｅｃ、到達圧力２×１０-6Ｔｏｒｒであっ
た。
【００２３】一方、転写材１０３としてＳｉＯ2が１μ
ｍ形成されているＳｉ基板を用いた。かかる転写材を洗
浄した後、ＥＢレジスト（商標名ＯＥＢＲ−１０００東
京応化製）を塗布し、露光、現像をへて所望のトラック
パターン１０４を形成した（図２（ｂ））。ＥＢ描画条
件は加速電圧２０ｋＶ、ドーズ量５０μＣ／ｃｍ2であ
った。続いて、かかるレジストパターンをマスクとし
て、ＳｉＯ2のエッチングを行った。エッチング深さは
１０００Å、エッチングガスにＣＦ4を用いて圧力５Ｐ
ａ、放電電力１５０Ｗの条件であった。その後、メチル
エチルケトンを使ってレジストを剥離し、凹状のトラッ
クパターン１０４を形成した。その後、実施例１と同様
にして電極層の剥離、トラックパターンの形成を行っ
た。ただし、この時は５ｋｇ／ｃｍ2の圧縮空気を電極
面上から吹き付けた。
ｍ形成されているＳｉ基板を用いた。かかる転写材を洗
浄した後、ＥＢレジスト（商標名ＯＥＢＲ−１０００東
京応化製）を塗布し、露光、現像をへて所望のトラック
パターン１０４を形成した（図２（ｂ））。ＥＢ描画条
件は加速電圧２０ｋＶ、ドーズ量５０μＣ／ｃｍ2であ
った。続いて、かかるレジストパターンをマスクとし
て、ＳｉＯ2のエッチングを行った。エッチング深さは
１０００Å、エッチングガスにＣＦ4を用いて圧力５Ｐ
ａ、放電電力１５０Ｗの条件であった。その後、メチル
エチルケトンを使ってレジストを剥離し、凹状のトラッ
クパターン１０４を形成した。その後、実施例１と同様
にして電極層の剥離、トラックパターンの形成を行っ
た。ただし、この時は５ｋｇ／ｃｍ2の圧縮空気を電極
面上から吹き付けた。
【００２４】上述した方法により形成した電極基板の表
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。更に、転写材が繰り返し使用可能である
ことがわかった。
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。更に、転写材が繰り返し使用可能である
ことがわかった。
【００２５】（実施例３）実施例２と同様に、溶融石英
基板を母材とし、電極層としてＡｕを２０００Å成膜し
た。ただし、蒸着時の基板温度は室温とし、電極層形成
後に、母材を６００℃に１分間加熱した。その後、室温
に戻した。
基板を母材とし、電極層としてＡｕを２０００Å成膜し
た。ただし、蒸着時の基板温度は室温とし、電極層形成
後に、母材を６００℃に１分間加熱した。その後、室温
に戻した。
【００２６】次に、実施例１と同様にして形成した転写
材に、上記電極層を実施例１と同様にして剥離した。そ
の後、転写材の裏面から吸引器を用いて電極層を吸引
し、凹状のトラックパターンを形成した。この時の吸引
圧は５ｋｇ／ｃｍ2であった。
材に、上記電極層を実施例１と同様にして剥離した。そ
の後、転写材の裏面から吸引器を用いて電極層を吸引
し、凹状のトラックパターンを形成した。この時の吸引
圧は５ｋｇ／ｃｍ2であった。
【００２７】上述した方法により形成した電極基板の表
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。
面をＳＴＭで観察したところ、１０μｍ□において凹状
のトラックパターンが形成されており、トラックが明確
に判別できた。
【００２８】（実施例４）実施例１と同様にして電極基
板を形成した。次に、かかる電極基板上に４層のポリイ
ミドＬＢ膜を成膜し、記録層１０７とした（図４
（ｆ））。以下、ポリイミドＬＢ膜の形成方法を述べ
る。
板を形成した。次に、かかる電極基板上に４層のポリイ
ミドＬＢ膜を成膜し、記録層１０７とした（図４
（ｆ））。以下、ポリイミドＬＢ膜の形成方法を述べ
る。
【００２９】まず、ポリアミド酸をＮ，Ｎ’−ジメチル
アセトアミドに溶解させ（単量体換算濃度１×１０
-3Ｍ）、別途用意したＮ、Ｎ’−ジメチルオクタデシル
アミンの同溶媒による１×１０-3Ｍ溶媒とを１：２（Ｖ
／Ｖ）に混合して、ポリアミド酸オクタデシルアミン塩
溶液を調製した。
アセトアミドに溶解させ（単量体換算濃度１×１０
-3Ｍ）、別途用意したＮ、Ｎ’−ジメチルオクタデシル
アミンの同溶媒による１×１０-3Ｍ溶媒とを１：２（Ｖ
／Ｖ）に混合して、ポリアミド酸オクタデシルアミン塩
溶液を調製した。
【００３０】かかる溶液を水温２０℃の純水からなる水
相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発
除去後、表面圧を２５ｍＮ／ｍにまで高めた。表面圧を
一定に保ちながら、上述電極基板を水面を横切る方向に
速度５ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬した後、続いて５ｍｍ
／ｍｉｎで静かに引き上げて２層のＹ型単分子累積膜を
作成した。かかる操作を繰り返して、４層のポリアミド
酸オクタデシルアミン塩の単分子累積膜を形成した。こ
の基板を減圧下、３００℃で１０分間加熱焼成してポリ
アミド酸オクタデシルアミン塩をイミド化し、４層のポ
リイミド単分子膜を得た。
相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発
除去後、表面圧を２５ｍＮ／ｍにまで高めた。表面圧を
一定に保ちながら、上述電極基板を水面を横切る方向に
速度５ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬した後、続いて５ｍｍ
／ｍｉｎで静かに引き上げて２層のＹ型単分子累積膜を
作成した。かかる操作を繰り返して、４層のポリアミド
酸オクタデシルアミン塩の単分子累積膜を形成した。こ
の基板を減圧下、３００℃で１０分間加熱焼成してポリ
アミド酸オクタデシルアミン塩をイミド化し、４層のポ
リイミド単分子膜を得た。
【００３１】次に、上述した方法により作成した記録媒
体を用いて、図５に示す情報処理装置により表面形状を
調べたところ、記録媒体表面が電極の平滑面を反映して
おり、１０μｍ□において表面凹凸は１ｎｍ以下であっ
た。
体を用いて、図５に示す情報処理装置により表面形状を
調べたところ、記録媒体表面が電極の平滑面を反映して
おり、１０μｍ□において表面凹凸は１ｎｍ以下であっ
た。
【００３２】次に、図５に示す装置を用いて、記録再生
の実験を行った。プローブ電極２０２として白金−ロジ
ウム製のプローブ電極を用いた。このプローブ電極は記
録層１０７の表面との距離Ｚを制御するものによって、
電流を一定に保つように圧電素子によりその距離Ｚが微
動制御されている。更に、リニアアクチュエータ２０
４、２０５、２０６は距離Ｚを一定に保ったまま面内
（Ｘ、Ｙ）方向にも微動制御できるように設計されてい
る。また、プローブ電極は直接、記録再生、消去を行う
ことができる。
の実験を行った。プローブ電極２０２として白金−ロジ
ウム製のプローブ電極を用いた。このプローブ電極は記
録層１０７の表面との距離Ｚを制御するものによって、
電流を一定に保つように圧電素子によりその距離Ｚが微
動制御されている。更に、リニアアクチュエータ２０
４、２０５、２０６は距離Ｚを一定に保ったまま面内
（Ｘ、Ｙ）方向にも微動制御できるように設計されてい
る。また、プローブ電極は直接、記録再生、消去を行う
ことができる。
【００３３】一方、記録媒体は、高精度のＸＹステージ
２０１上におかれ、任意の位置に移動させることができ
る。かかるＸＹステージ上に、前述した記録媒体を置
き、プローブ電極と記録媒体の電極層１０２との間に＋
１．５Ｖの電圧を印加し、電流をモニターしながらプロ
ーブ電極２０２と記録層１０７表面との距離Ｚを制御す
るためのプローブ電極ＩPを１０-10Ａ≧ＩP≧１０-11Ａ
になるように設定した。
２０１上におかれ、任意の位置に移動させることができ
る。かかるＸＹステージ上に、前述した記録媒体を置
き、プローブ電極と記録媒体の電極層１０２との間に＋
１．５Ｖの電圧を印加し、電流をモニターしながらプロ
ーブ電極２０２と記録層１０７表面との距離Ｚを制御す
るためのプローブ電極ＩPを１０-10Ａ≧ＩP≧１０-11Ａ
になるように設定した。
【００３４】次に、プローブ電極２０２を記録層１０７
上で走査させながら、１００Åピッチで情報の記録を行
った。かかる情報の記録は、プローブ電極２０２を＋
側、電極層１０２を−側にして、電流・電圧特性のスイ
ッチング特性に対するメモリ効果を有する材料（電気メ
モリ材料：ポリイミドＬＢ膜４層）が低抵抗状態（ＯＮ
状態）に変化する図６に示す三角波パルス電圧を加え
た。
上で走査させながら、１００Åピッチで情報の記録を行
った。かかる情報の記録は、プローブ電極２０２を＋
側、電極層１０２を−側にして、電流・電圧特性のスイ
ッチング特性に対するメモリ効果を有する材料（電気メ
モリ材料：ポリイミドＬＢ膜４層）が低抵抗状態（ＯＮ
状態）に変化する図６に示す三角波パルス電圧を加え
た。
【００３５】その後、プローブ電極を記録開始点に戻
し、再び、記録層１０７上を走査させた。この時、記録
の読みだし時においては、Ｚ＝一定になる様に調整し
た。その結果、データビットにおいては１０ｎＡ程度の
プローブ電流が流れ、ＯＮ状態となっていることが示さ
れた。
し、再び、記録層１０７上を走査させた。この時、記録
の読みだし時においては、Ｚ＝一定になる様に調整し
た。その結果、データビットにおいては１０ｎＡ程度の
プローブ電流が流れ、ＯＮ状態となっていることが示さ
れた。
【００３６】また、プローブ電圧を電気メモリー材料が
ＯＮ状態から、ＯＦＦ状態に変化する図７に示すパルス
電圧を印加した後、再び、記録位置をトレースした結
果、すべての記録状態が消去され、ＯＦＦ状態に遷移し
たことも確認した。
ＯＮ状態から、ＯＦＦ状態に変化する図７に示すパルス
電圧を印加した後、再び、記録位置をトレースした結
果、すべての記録状態が消去され、ＯＦＦ状態に遷移し
たことも確認した。
【００３７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、母
材上に形成した電極面をあらかじめトラックパターンを
形成してある転写材上にうつしとり、ガス又はエアーの
吹き付け又は吸引によって、転写材上にトラックパター
ンを形成し、トラックを有する電極基板を形成するの
で、母材がレジスト残渣等の影響を受けることがなく、
母材の平滑性を損なわずにトラックを有する電極基板を
形成することが可能となった。
材上に形成した電極面をあらかじめトラックパターンを
形成してある転写材上にうつしとり、ガス又はエアーの
吹き付け又は吸引によって、転写材上にトラックパター
ンを形成し、トラックを有する電極基板を形成するの
で、母材がレジスト残渣等の影響を受けることがなく、
母材の平滑性を損なわずにトラックを有する電極基板を
形成することが可能となった。
【図１】本発明に係る電極基板製造方法の工程図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例における製造工程図である。
【図３】本発明の実施例に用いた装置の概略図である。
【図４】本発明の実施例における製造工程図である。
【図５】ＳＴＭを応用した情報処理装置の構成図であ
る。
る。
【図６】本発明の製造方法により形成された記録媒体の
記録層を、高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移させるのに
必要な電気パルスの波形を示す図である。
記録層を、高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移させるのに
必要な電気パルスの波形を示す図である。
【図７】本発明の製造方法により形成された記録媒体の
記録層上の低抵抗状態部位を、再び高抵抗状態へ戻すの
に必要な電気パルスの波形を示す図である。
記録層上の低抵抗状態部位を、再び高抵抗状態へ戻すの
に必要な電気パルスの波形を示す図である。
１ 光エネルギー源 ２ 光 ３ ミラー ４ レンズ １０１ 母材 １０２ 電極層 １０３ 転写材 １０４ トラックパターン １０５ 接着剤 １０６ 剥離基板 １０７ 記録層 ２０１ ＸＹステージ ２０２ プローブ電極 ２０３ プローブ電極の支持体 ２０４ プローブ電極をＺ方向に駆動するＺ軸リニアア
クチュエータ ２０５ ＸＹステージをＸ方向に駆動するリニアアクチ
ュエータ ２０６ ＸＹステージをＹ方向に駆動するリニアアクチ
ュエータ ３０１ 増幅器 ３０２ 対数圧縮器 ３０３ 低域通過フィルタ ３０４ 誤差増幅器 ３０５ ドライバー ３０６ 駆動回路 ３０７ 高速通過フィルタ
クチュエータ ２０５ ＸＹステージをＸ方向に駆動するリニアアクチ
ュエータ ２０６ ＸＹステージをＹ方向に駆動するリニアアクチ
ュエータ ３０１ 増幅器 ３０２ 対数圧縮器 ３０３ 低域通過フィルタ ３０４ 誤差増幅器 ３０５ ドライバー ３０６ 駆動回路 ３０７ 高速通過フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳沢 芳浩 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 河田 春紀 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−156749（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−199252（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 9/00
Claims (4)
- 【請求項１】 母材上に金属を形成する工程と、該金属
を別途トラックパターンを形成した転写材上に剥離し、
しかる後にガス又はエアーの吹き付けもしくは転写材裏
面からの吸引によりトラックを形成する工程を有するこ
とを特徴とする電極基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記電極基板が結晶基板の劈開面上に金
属をエピタキシャル成長させることによって形成される
工程を有することを特徴とする請求項１記載の電極基板
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２の電極基板の製造方法に
よって製造された電極基板上に記録層を設ける工程を有
することを特徴とする記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 記録層を形成する工程が、ラングミュア
ーブロジェット法であることを特徴とする請求項３記載
の記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20225491A JP2949651B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 電極基板及び記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20225491A JP2949651B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 電極基板及び記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528547A JPH0528547A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2949651B2 true JP2949651B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=16454504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20225491A Expired - Fee Related JP2949651B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 電極基板及び記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2949651B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2531491B2 (ja) * | 1993-11-19 | 1996-09-04 | 憲造 稲葉 | 液面上層の浮揚汚物の吸収濾過装置 |
| JP3262472B2 (ja) * | 1994-04-22 | 2002-03-04 | キヤノン株式会社 | ラングミュアーブロジェット膜の製造装置 |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP20225491A patent/JP2949651B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528547A (ja) | 1993-02-05 |
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