JP2944668B2 - 透明導電性フイルムの製造法 - Google Patents
透明導電性フイルムの製造法Info
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- JP2944668B2 JP2944668B2 JP63176545A JP17654588A JP2944668B2 JP 2944668 B2 JP2944668 B2 JP 2944668B2 JP 63176545 A JP63176545 A JP 63176545A JP 17654588 A JP17654588 A JP 17654588A JP 2944668 B2 JP2944668 B2 JP 2944668B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はポリエチレンテレフタレートフイルムを基
材とする透明導電性フイルムの製造法に関する。
材とする透明導電性フイルムの製造法に関する。
一般に、可視光線領域で透明であり、かつ導電性を有
する薄膜は、液晶デイスプレイ、エレクトロルミネツセ
ンスデイスプレイなどの新しいデイスプレイ方式におけ
る透明電極のほか、透明物品の帯電防止や電磁波遮断な
どのために用いられている。
する薄膜は、液晶デイスプレイ、エレクトロルミネツセ
ンスデイスプレイなどの新しいデイスプレイ方式におけ
る透明電極のほか、透明物品の帯電防止や電磁波遮断な
どのために用いられている。
従来、このような透明導電性薄膜として、ガラス上に
酸化インジウム薄膜を形成した、いわゆる導電性ガラス
がよく知られているが、基材がガラスであるために、可
撓性、加工性に劣り、用途によつては好ましくない場合
がある。
酸化インジウム薄膜を形成した、いわゆる導電性ガラス
がよく知られているが、基材がガラスであるために、可
撓性、加工性に劣り、用途によつては好ましくない場合
がある。
このため、近年では、可撓性、加工性に加えて、耐衝
撃性にすぐれ、軽量であるなどの利点から、合成樹脂を
基材とする透明導電性薄膜が使用されるようになり、中
でもポリエチレンテレフタレートフイルムが耐熱性，強
度などにすぐれることから、基材フイルムとして特に好
ましく用いられている。
撃性にすぐれ、軽量であるなどの利点から、合成樹脂を
基材とする透明導電性薄膜が使用されるようになり、中
でもポリエチレンテレフタレートフイルムが耐熱性，強
度などにすぐれることから、基材フイルムとして特に好
ましく用いられている。
しかるに、ポリエチレンテレフタレートフイルムを基
材とした透明導電性フイルムは、耐擦傷性に劣り、使用
中に傷がついて電気抵抗が増大したり、断線を生じるな
どの欠点を有していた。
材とした透明導電性フイルムは、耐擦傷性に劣り、使用
中に傷がついて電気抵抗が増大したり、断線を生じるな
どの欠点を有していた。
また、この種の導電性フイルムは、これをたとえば透
明電極として使用する場合、所定の形状を有するように
パターン化されるが、その際酸やアルカリが多く用いら
れるため、基材としてのポリエチレンテレフタレートフ
イルムが上記の試薬によつて加水分解されて、その表面
が粗面化されやすい。このため、この基材フイルムと導
電性薄膜との密着性に劣るときには、上記パターン化の
過程やその後においてフイルムの透明性が失われたり、
導電性薄膜の部分的あるいは全体的な剥離が生じて、電
気抵抗の増大や透明電極としての使用が困難となるなど
の弊害を招く結果となる。
明電極として使用する場合、所定の形状を有するように
パターン化されるが、その際酸やアルカリが多く用いら
れるため、基材としてのポリエチレンテレフタレートフ
イルムが上記の試薬によつて加水分解されて、その表面
が粗面化されやすい。このため、この基材フイルムと導
電性薄膜との密着性に劣るときには、上記パターン化の
過程やその後においてフイルムの透明性が失われたり、
導電性薄膜の部分的あるいは全体的な剥離が生じて、電
気抵抗の増大や透明電極としての使用が困難となるなど
の弊害を招く結果となる。
この発明は、上記従来の透明導電性フイルムの問題点
に鑑み、ポリエチレンテレフタレートフイルムからなる
基材と導電性薄膜との密着性にすぐれて非常に良好な耐
薬品性、特に耐アルカリ性を有するとともに、改善され
た耐擦傷性を有し、しかもこの種フイルムに望まれる高
い透明性をも備えた透明導電性フイルムの製造法を提供
することを目的としている。
に鑑み、ポリエチレンテレフタレートフイルムからなる
基材と導電性薄膜との密着性にすぐれて非常に良好な耐
薬品性、特に耐アルカリ性を有するとともに、改善され
た耐擦傷性を有し、しかもこの種フイルムに望まれる高
い透明性をも備えた透明導電性フイルムの製造法を提供
することを目的としている。
この発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検
討した結果、ポリエチレンテレフタレートフイルム上に
透明な導電性薄膜を形成するに先立つて、予め上記フイ
ルムの表面に特定のエツチング処理を施しておき、この
処理面に上記薄膜を形成する一方、この薄膜上にさらに
特定膜厚の誘導体薄膜を形成することにより、上記フイ
ルムと導電性薄膜との密着性にすぐれて良好な耐薬品
性、特に耐アルカリ性を有するとともに、耐擦傷性にも
すぐれ、そのうえ高い透明性を備えた透明導電性フイル
ムが得られるものであることを知り、この発明を完成す
るに至つた。
討した結果、ポリエチレンテレフタレートフイルム上に
透明な導電性薄膜を形成するに先立つて、予め上記フイ
ルムの表面に特定のエツチング処理を施しておき、この
処理面に上記薄膜を形成する一方、この薄膜上にさらに
特定膜厚の誘導体薄膜を形成することにより、上記フイ
ルムと導電性薄膜との密着性にすぐれて良好な耐薬品
性、特に耐アルカリ性を有するとともに、耐擦傷性にも
すぐれ、そのうえ高い透明性を備えた透明導電性フイル
ムが得られるものであることを知り、この発明を完成す
るに至つた。
すなわち、この発明は、ポリエチレンテレフタレート
フイルム（以下、PBTフイルムという）の表面に、アル
ゴンガスを少なくとも50％含有する１×10-3〜１×10-1
Torrの雰囲気において、0.1〜30W・秒/cm2の範囲の放電
処理量で高周波スパツタエツチング処理を施したのち
に、透明な導電性薄膜を形成し、ついでこの薄膜上にこ
の薄膜の屈折率より小さい、1.3〜1.6の屈折率を有する
膜厚100〜2,000Åの透明な誘電体薄膜を形成することを
特徴とする透明導電性フイルムの製造法に係るものであ
る。
フイルム（以下、PBTフイルムという）の表面に、アル
ゴンガスを少なくとも50％含有する１×10-3〜１×10-1
Torrの雰囲気において、0.1〜30W・秒/cm2の範囲の放電
処理量で高周波スパツタエツチング処理を施したのち
に、透明な導電性薄膜を形成し、ついでこの薄膜上にこ
の薄膜の屈折率より小さい、1.3〜1.6の屈折率を有する
膜厚100〜2,000Åの透明な誘電体薄膜を形成することを
特徴とする透明導電性フイルムの製造法に係るものであ
る。
この発明において基材として使用するPETフイルム
は、既述のように耐熱性や強度さらには表面平滑性など
にすぐれるものとして各種用途の基材フイルムとして汎
用されており、市販品として容易に入手可能なものであ
る。その厚さは特に限定するものではないが、一般に２
〜300μｍ程度のものを用いるのが好ましい。
は、既述のように耐熱性や強度さらには表面平滑性など
にすぐれるものとして各種用途の基材フイルムとして汎
用されており、市販品として容易に入手可能なものであ
る。その厚さは特に限定するものではないが、一般に２
〜300μｍ程度のものを用いるのが好ましい。
また、この発明では、上記PETフイルムの単体からな
るもののほか、透明な導電性薄膜を形成するべき表面側
がポリエチレンテレフタレートとされたもの、つまりポ
リエチレンテレフタレートを表面層として有する複合フ
イルム、たとえば上記PETフイルムと他の樹脂フイルム
との積層フイルムなどを使用することもできる。
るもののほか、透明な導電性薄膜を形成するべき表面側
がポリエチレンテレフタレートとされたもの、つまりポ
リエチレンテレフタレートを表面層として有する複合フ
イルム、たとえば上記PETフイルムと他の樹脂フイルム
との積層フイルムなどを使用することもできる。
この発明においては、まずこのPETフイルムの表面に
高周波スパツタエツチング処理を施すが、この処理にお
ける第１の特徴は、アルゴンガスを少なくとも50％、好
ましくは80％以上含有する雰囲気とすることである。す
なわち、このようなアルゴンガスを主体とする雰囲気と
することにより、PETフイルムと導電性薄膜との密着性
の改善が図れて耐薬品性、特に耐アルカリ性にすぐれた
透明導電性フイルムが得られるもので、アルゴンガスと
同じく不活性な窒素ガスやヘリウムガスなどを主体とし
た雰囲気では上述の効果は得られない。
高周波スパツタエツチング処理を施すが、この処理にお
ける第１の特徴は、アルゴンガスを少なくとも50％、好
ましくは80％以上含有する雰囲気とすることである。す
なわち、このようなアルゴンガスを主体とする雰囲気と
することにより、PETフイルムと導電性薄膜との密着性
の改善が図れて耐薬品性、特に耐アルカリ性にすぐれた
透明導電性フイルムが得られるもので、アルゴンガスと
同じく不活性な窒素ガスやヘリウムガスなどを主体とし
た雰囲気では上述の効果は得られない。
なお、アルゴンガスが少なくとも50％を占める限り
は、残余のガス組成は窒素ガス、ヘリウムガス、ネオン
ガス、水素ガス、空気など通常のスパツタエツチング処
理に用いられるガスであつてもよい。また、雰囲気ガス
中に水蒸気が含まれていてもよい。
は、残余のガス組成は窒素ガス、ヘリウムガス、ネオン
ガス、水素ガス、空気など通常のスパツタエツチング処
理に用いられるガスであつてもよい。また、雰囲気ガス
中に水蒸気が含まれていてもよい。
また、第２の特徴は、上記ガス組成からなる雰囲気圧
を１×10-3〜１×10-1Torrの範囲に設定することであ
る。これは、上記範囲より高真空ではグロー放電が不安
定となりやすく、一方上記範囲より低真空では基材フイ
ルムと導電性薄膜との密着性向上に基づく耐アルカリ性
改善効果が充分に発現されないためである。
を１×10-3〜１×10-1Torrの範囲に設定することであ
る。これは、上記範囲より高真空ではグロー放電が不安
定となりやすく、一方上記範囲より低真空では基材フイ
ルムと導電性薄膜との密着性向上に基づく耐アルカリ性
改善効果が充分に発現されないためである。
さらに、第３の特徴として、電極単位面積当たりの高
周波出力（W/cm2）と放電処理時間との積で表される放
電処理量を、0.1〜30W・秒/cm2の範囲に設定することが
重要である。これは、上記範囲より小さくなると処理効
果が充分に得られず、逆に上記範囲より大きくなるとフ
イルムが変形したり、着色したりするためである。
周波出力（W/cm2）と放電処理時間との積で表される放
電処理量を、0.1〜30W・秒/cm2の範囲に設定することが
重要である。これは、上記範囲より小さくなると処理効
果が充分に得られず、逆に上記範囲より大きくなるとフ
イルムが変形したり、着色したりするためである。
このように、この発明においては、PETフイルムの表
面に上述の如き第１〜第３の特徴を有する特定の高周波
スパツタエツチング処理を施すものであるが、この処理
法自体は公知の方法に準じて行うことができ、その際の
高周波電源としては、実用上、工業用割当周波数である
13.56MHzを使用するのが好都合である。
面に上述の如き第１〜第３の特徴を有する特定の高周波
スパツタエツチング処理を施すものであるが、この処理
法自体は公知の方法に準じて行うことができ、その際の
高周波電源としては、実用上、工業用割当周波数である
13.56MHzを使用するのが好都合である。
この発明においては、上記の如き高周波スパツタエツ
チング処理を施したのち、その処理面に透明な導電性薄
膜を形成する。この形状は、上記処理後一旦大気中に取
り出し、その後再度上記処理時とほぼ同じ雰囲気圧に戻
して行つてもよいし、上記処理時の雰囲気圧を実質的に
保持したまま、つまり１×10-3〜１×10-1Torrの真空度
を破ることなくそのままの状態で連続して行つてもよ
く、いずれの場合も耐アルカリ性などの改善効果が得ら
れる。しかし、後者つまり雰囲気圧を維持したままで行
つた方がより好ましい結果が得られるため、特に推奨さ
れる。
チング処理を施したのち、その処理面に透明な導電性薄
膜を形成する。この形状は、上記処理後一旦大気中に取
り出し、その後再度上記処理時とほぼ同じ雰囲気圧に戻
して行つてもよいし、上記処理時の雰囲気圧を実質的に
保持したまま、つまり１×10-3〜１×10-1Torrの真空度
を破ることなくそのままの状態で連続して行つてもよ
く、いずれの場合も耐アルカリ性などの改善効果が得ら
れる。しかし、後者つまり雰囲気圧を維持したままで行
つた方がより好ましい結果が得られるため、特に推奨さ
れる。
なお、導電性薄膜を形成する際の雰囲気ガス組成は、
高周波スパツタエツチング処理時と必ずしも同一である
必要はなく、採用する導電性薄膜の形成方法にしたがつ
て適宜に変更されてよい。
高周波スパツタエツチング処理時と必ずしも同一である
必要はなく、採用する導電性薄膜の形成方法にしたがつ
て適宜に変更されてよい。
導電性薄膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパツ
タリング法、イオンプレーテイング法などの従来公知の
技術をいずれも採用できる。また、用いる薄膜材料も特
に制限されるものではなく、たとえば酸化スズを含有す
る酸化インジウム、アンチモンを含有する酸化スズなど
が好ましく用いられる。この導電性薄膜の厚さとして
は、一般に100〜2,000Å程度である。
タリング法、イオンプレーテイング法などの従来公知の
技術をいずれも採用できる。また、用いる薄膜材料も特
に制限されるものではなく、たとえば酸化スズを含有す
る酸化インジウム、アンチモンを含有する酸化スズなど
が好ましく用いられる。この導電性薄膜の厚さとして
は、一般に100〜2,000Å程度である。
この発明においては、上記の如く透明な導電性薄膜を
形成したのち、さらにこの薄膜上に透明な誘電体薄膜を
形成する。この誘電体薄膜の形成により、主に耐擦傷性
が向上するとともに、透明性の改善も図られる。この観
点から、誘電体薄膜の材料としては、上記透明な導電性
薄膜の屈折率より小さい、1.3〜1.6の屈折率を有するも
のがよく、たとえばSiO2（屈折率1.46）、CaF2（屈折率
1.4）、MgF2（屈折率1.38）、Na3AlF6（屈折率1.35）、
ThF4（屈折率1.5）などが好ましく、この中でもSiO2が
最も好適である。なお、これら材料は一種に限らず、二
種以上を併用してもよい。
形成したのち、さらにこの薄膜上に透明な誘電体薄膜を
形成する。この誘電体薄膜の形成により、主に耐擦傷性
が向上するとともに、透明性の改善も図られる。この観
点から、誘電体薄膜の材料としては、上記透明な導電性
薄膜の屈折率より小さい、1.3〜1.6の屈折率を有するも
のがよく、たとえばSiO2（屈折率1.46）、CaF2（屈折率
1.4）、MgF2（屈折率1.38）、Na3AlF6（屈折率1.35）、
ThF4（屈折率1.5）などが好ましく、この中でもSiO2が
最も好適である。なお、これら材料は一種に限らず、二
種以上を併用してもよい。
誘電体薄膜の膜厚は、100〜2,000Å、好ましくは200
〜1,000Åの範囲とするのがよい。100Å未満では連続膜
とならないため、耐擦傷性や透明性の向上効果を期待で
きない。また、厚くなりすぎると、膜表面の導電性や透
明性が悪くなつたり、クラツクを生じるおそれがあり、
好ましくない。
〜1,000Åの範囲とするのがよい。100Å未満では連続膜
とならないため、耐擦傷性や透明性の向上効果を期待で
きない。また、厚くなりすぎると、膜表面の導電性や透
明性が悪くなつたり、クラツクを生じるおそれがあり、
好ましくない。
誘電体薄膜の形成方法としては、たとえば真空蒸着
法、スパツタリング法、イオンプレーテイング法、塗工
法などがあり、上記材料の種類および必要とする膜厚に
応じて適宜の方法を採用することができる。
法、スパツタリング法、イオンプレーテイング法、塗工
法などがあり、上記材料の種類および必要とする膜厚に
応じて適宜の方法を採用することができる。
以上のように、この発明においては、PETフイルムの
表面に特定の高周波スパツタエツチング処理を施したち
に透明な導電性薄膜を形成し、さらにこの上に特定膜厚
の誘電体薄膜を形成するようにしたことにより、良好な
耐薬品性、特に耐アルカリ性を有するとともに、耐擦傷
性にもすぐれ、そのうえ高い透明性を備えて、かつ導電
性をも満足する透明導電性フイルムを提供することがで
きる。
表面に特定の高周波スパツタエツチング処理を施したち
に透明な導電性薄膜を形成し、さらにこの上に特定膜厚
の誘電体薄膜を形成するようにしたことにより、良好な
耐薬品性、特に耐アルカリ性を有するとともに、耐擦傷
性にもすぐれ、そのうえ高い透明性を備えて、かつ導電
性をも満足する透明導電性フイルムを提供することがで
きる。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説
明する。
明する。
実施例１ 厚さ75μｍのPETフイルムの表面をアルゴンガス80％
と酸素ガス20％とからなる４×10-3Torrの雰囲気中で、
放電処理量3W・秒/cm2にて高周波スパツタエツチング処
理した。その後、この処理面上に、上記真空度を破るこ
となく同一の雰囲気ガス中で、インジウム−スズ合金を
用いた反応性スパツタリング法により、厚さ400Åの酸
化インジウムと酸化スズとの複合酸化物からなる透明な
導電性薄膜（以下、ITO薄膜という）を形成した。
と酸素ガス20％とからなる４×10-3Torrの雰囲気中で、
放電処理量3W・秒/cm2にて高周波スパツタエツチング処
理した。その後、この処理面上に、上記真空度を破るこ
となく同一の雰囲気ガス中で、インジウム−スズ合金を
用いた反応性スパツタリング法により、厚さ400Åの酸
化インジウムと酸化スズとの複合酸化物からなる透明な
導電性薄膜（以下、ITO薄膜という）を形成した。
つぎに、上記のITO薄膜上に、SiO2を電子ビーム加熱
法により、１〜２×10-4Torrの真空度で真空蒸着して、
厚さ約400ÅのSiO2からなる透明な誘電体薄膜（以下、S
iO2薄膜という）を形成し、この発明の透明導電性フイ
ルムを得た。
法により、１〜２×10-4Torrの真空度で真空蒸着して、
厚さ約400ÅのSiO2からなる透明な誘電体薄膜（以下、S
iO2薄膜という）を形成し、この発明の透明導電性フイ
ルムを得た。
実施例2,3 SiO2薄膜の厚さをそれぞれ200Å（実施例２）、1,000
Å（実施例３）に変更した以外は、実施例１と全く同様
にして透明導電性フイルムを作製した。
Å（実施例３）に変更した以外は、実施例１と全く同様
にして透明導電性フイルムを作製した。
比較例１ SiO2薄膜の厚さを50Åに変更した以外は、実施例１と
同様にして透明導電性フイルムを作製した。
同様にして透明導電性フイルムを作製した。
比較例２ 高周波スパツタエツチング処理時の雰囲気ガスを、窒
素ガス80％と酸素ガス20％とに変更した以外は、実施例
１と同様にして透明導電性フイルムを作製した。
素ガス80％と酸素ガス20％とに変更した以外は、実施例
１と同様にして透明導電性フイルムを作製した。
比較例３ 高周波スパツタエツチング処理時の雰囲気圧を、３×
10-1Torrに変更した以外は、実施例１と同様にして透明
導電性フイルムを作製した。
10-1Torrに変更した以外は、実施例１と同様にして透明
導電性フイルムを作製した。
比較例４ 高周波スパツタエツチング処理時の放電処理量を0.05
W・秒/cm2に変更した以外は、実施例１と同様にして透
明導電性フイルムを作製した。
W・秒/cm2に変更した以外は、実施例１と同様にして透
明導電性フイルムを作製した。
比較例５ 高周波スパツタエツチング処理とSiO2薄膜の形成とを
共に省いた以外は、実施例１と同様にして透明導電性フ
イルムを作製した。
共に省いた以外は、実施例１と同様にして透明導電性フ
イルムを作製した。
比較例６ 高周波スパツタエツチング処理だけを省いた以外は、
実施例１と同様にして透明導電性フイルムを作製した。
実施例１と同様にして透明導電性フイルムを作製した。
比較例７ SiO2薄膜の形成を省いた以外は、実施例１と同様にし
て透明導電性フイルムを作製した。
て透明導電性フイルムを作製した。
つぎに、以上の実施例および比較例の各透明導電性フ
イルムにつき、フイルム抵抗、透過率、耐アルカリ性お
よび耐擦傷性を下記の要領で測定評価した。
イルムにつき、フイルム抵抗、透過率、耐アルカリ性お
よび耐擦傷性を下記の要領で測定評価した。
＜フイルム抵抗＞ 四端子法を用いて、フイルムの表面電気抵抗（Ω／
□）を測定した。
□）を測定した。
＜透過率＞ 島津製作所製の分光分析装置UV−240を用いて、光波
長550nmにおける可視光線透過率を測定した。
長550nmにおける可視光線透過率を測定した。
＜耐アルカリ性＞ 透明導電性フイルムを幅1cmの短冊状に切断し、５重
量％KOH水溶液（20℃）に20分間浸漬したのち、フイル
ム抵抗（Ra）を測定し、初期のフイルム抵抗（Ro）に対
する変化率（Ra/Ro）を求めて、耐アルカリ性を評価し
た。
量％KOH水溶液（20℃）に20分間浸漬したのち、フイル
ム抵抗（Ra）を測定し、初期のフイルム抵抗（Ro）に対
する変化率（Ra/Ro）を求めて、耐アルカリ性を評価し
た。
＜耐擦傷性＞ 新東科学社製のヘイドン表面性測定機TYPE−HEIDON14
を用いて、擦傷子：ガーゼ（基本薬局方タイプＩ）、
荷重:100g/cm2、擦傷速度:30cm/分、擦傷回数:10
0回（往復50回）の条件で、薄膜表面を擦つたのちにフ
イルム抵抗（Rs）を測定し、初期のフイルム抵抗（Ro）
に対する変化率（Rs/Ro）を求めて、耐擦傷性を評価し
た。
を用いて、擦傷子：ガーゼ（基本薬局方タイプＩ）、
荷重:100g/cm2、擦傷速度:30cm/分、擦傷回数:10
0回（往復50回）の条件で、薄膜表面を擦つたのちにフ
イルム抵抗（Rs）を測定し、初期のフイルム抵抗（Ro）
に対する変化率（Rs/Ro）を求めて、耐擦傷性を評価し
た。
上記表の結果から明らかなように、この発明の方法に
よれば、透明性、耐薬品性特に耐アルカリ性、耐擦傷性
のいずれの特性にもすぐれた、SiO2薄膜の膜厚に応じた
導電性フイルムとして適用可能な種々のフイルム抵抗を
有する透明導電性フイルムが得られるものであることが
判る。
よれば、透明性、耐薬品性特に耐アルカリ性、耐擦傷性
のいずれの特性にもすぐれた、SiO2薄膜の膜厚に応じた
導電性フイルムとして適用可能な種々のフイルム抵抗を
有する透明導電性フイルムが得られるものであることが
判る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊岡 正英 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電気工業株式会社内 (72)発明者 川口 正明 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−56313（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−263610（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−279004（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ポリエチレンテレフタレートフイルムの表
面に、アルゴンガスを少なくとも50％含有する１×10-3
〜１×10-1Torrの雰囲気において、0.1〜30W・秒/cm2の
範囲の放電処理量で高周波スパツタエツチング処理を施
したのちに、透明な導電性薄膜を形成し、ついでこの薄
膜上にこの薄膜の屈折率より小さい、1.3〜1.6の屈折率
を有する膜厚100〜2,000Åの透明な誘電体薄膜を形成す
ることを特徴とする透明導電性フイルムの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176545A JP2944668B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 透明導電性フイルムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176545A JP2944668B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 透明導電性フイルムの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227617A JPH0227617A (ja) | 1990-01-30 |
| JP2944668B2 true JP2944668B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=16015460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63176545A Expired - Lifetime JP2944668B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 透明導電性フイルムの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944668B2 (ja) |
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-
1988
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Also Published As
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|---|---|
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