JPH0447405B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0447405B2 JPH0447405B2 JP57167400A JP16740082A JPH0447405B2 JP H0447405 B2 JPH0447405 B2 JP H0447405B2 JP 57167400 A JP57167400 A JP 57167400A JP 16740082 A JP16740082 A JP 16740082A JP H0447405 B2 JPH0447405 B2 JP H0447405B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductive thin
- thin film
- vacuum
- atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 17
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 17
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 17
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 17
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 description 11
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電性薄膜の製造方法に関し、特に、
耐アルカリ性にすぐれたポリエチレンテレフタレ
ートフイルム基材透明導電性薄膜の製造方法に関
する。
耐アルカリ性にすぐれたポリエチレンテレフタレ
ートフイルム基材透明導電性薄膜の製造方法に関
する。
一般に可視光線領域で透明であり、且つ、導電
性を有する薄膜は、液晶デイスプレイ、エレクト
ロルミネツセンスデイスプレイ等の新しいデイス
プイ方式における透明電極のほか、透明物品の帯
電防止や電極波遮断等のために用いられている。
性を有する薄膜は、液晶デイスプレイ、エレクト
ロルミネツセンスデイスプレイ等の新しいデイス
プイ方式における透明電極のほか、透明物品の帯
電防止や電極波遮断等のために用いられている。
従来、このような透明導電性薄膜として、ガラ
ス上に酸化インジウム膜を形成した所謂導電性ガ
ラスがよく知られているが、基材がガラスである
ために、可撓性、加工性に劣り、用途によつては
好ましくない場合がある。従つて、近年、可撓
性、加工性に加えて、耐衝撃性にすぐれ、軽量で
ある等の利点により、合成樹脂を基材とする透明
導電性薄膜を使用されるようになり、なかでも、
ポリエチレンテレフタレートフイルムが、耐熱
性、強度等にすぐれるところから、基材フイルム
として好ましく用いられている。
ス上に酸化インジウム膜を形成した所謂導電性ガ
ラスがよく知られているが、基材がガラスである
ために、可撓性、加工性に劣り、用途によつては
好ましくない場合がある。従つて、近年、可撓
性、加工性に加えて、耐衝撃性にすぐれ、軽量で
ある等の利点により、合成樹脂を基材とする透明
導電性薄膜を使用されるようになり、なかでも、
ポリエチレンテレフタレートフイルムが、耐熱
性、強度等にすぐれるところから、基材フイルム
として好ましく用いられている。
透明導電性薄膜は、例えば、透明電極として使
用するには、所定の形状を有するようにパターン
化されるが、この過程で酸やアルカリが多く用い
られる。一方において、一般にポリエチレンテレ
フタレートフイルムは酸やアルカリによつて加水
分解されて、表面が粗面化される。従つて、この
フイルム上に形成された導電性薄膜がフイルムと
の密着性に劣るとき、パターン化の過程やその後
にフイルムが透明性を失ない、また、薄膜が剥離
したりするので、高品質の透明電極を得ることが
できないと共に、得られる薄膜は耐久性に著しく
劣る。
用するには、所定の形状を有するようにパターン
化されるが、この過程で酸やアルカリが多く用い
られる。一方において、一般にポリエチレンテレ
フタレートフイルムは酸やアルカリによつて加水
分解されて、表面が粗面化される。従つて、この
フイルム上に形成された導電性薄膜がフイルムと
の密着性に劣るとき、パターン化の過程やその後
にフイルムが透明性を失ない、また、薄膜が剥離
したりするので、高品質の透明電極を得ることが
できないと共に、得られる薄膜は耐久性に著しく
劣る。
本発明は上記した問題を解決するためになされ
たものであつて、特にアルカリに対して安定であ
り、従つて、密着性、透明性、導電性、耐久性に
すぐれる導電性薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。
たものであつて、特にアルカリに対して安定であ
り、従つて、密着性、透明性、導電性、耐久性に
すぐれる導電性薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。
本発明は、ポリエチレンテレフタレートフイル
ム表面に真空中で導電性薄膜を形成する方法にお
いて、上記フイルムをアルゴンを少なくとも50%
含有する1×10-3〜1×10-1Torrの雰囲気にお
いて、0.1〜30W・秒/cm2の範囲の放電処理量で
高周波スパツタエツチング処理し、次いで、真空
度を実質的に保持したままで、導電性薄膜を形成
することを特徴とする。
ム表面に真空中で導電性薄膜を形成する方法にお
いて、上記フイルムをアルゴンを少なくとも50%
含有する1×10-3〜1×10-1Torrの雰囲気にお
いて、0.1〜30W・秒/cm2の範囲の放電処理量で
高周波スパツタエツチング処理し、次いで、真空
度を実質的に保持したままで、導電性薄膜を形成
することを特徴とする。
スパツタエツチング処理自体は既によく知られ
ているが、本発明においては、基材であるポリエ
チレンテレフタレートフイルムをスパツタエツチ
ング処理する雰囲気が、アルゴンを少なくとも50
%含有することを要し、好ましくは80%以上含有
する。雰囲気ガスがアルゴンを主体とすること
は、耐アルカリ性にすぐれた導電性薄膜を得るた
めに極めて重要であり、アルゴンと同じく不活性
な窒素やヘリウム等を主体とする雰囲気によつて
は、本発明のように耐アルカリ性にすぐれた導電
性薄膜を得ることができない。但し、アルゴンが
雰囲気ガスの少なくとも50%を占める限りは、残
余のガス組成は窒素、ヘリウム、ネオン、水素、
空気等、通常、スパツタエツチング処理に用いら
れるガスであつてよい。また、雰囲気ガスは水蒸
気を含有していてもよい。また、雰囲気圧も重要
であつて、1×10-3〜1×10-1Torrの範囲であ
ることを要する。上記範囲より高真空ではグロー
放電が不安定となりやすく、一方、上記範囲より
低真空では、スパツタエツチング処理による基材
フイルムの導電性薄膜に対する密着性向上の効果
が十分に発現されない。
ているが、本発明においては、基材であるポリエ
チレンテレフタレートフイルムをスパツタエツチ
ング処理する雰囲気が、アルゴンを少なくとも50
%含有することを要し、好ましくは80%以上含有
する。雰囲気ガスがアルゴンを主体とすること
は、耐アルカリ性にすぐれた導電性薄膜を得るた
めに極めて重要であり、アルゴンと同じく不活性
な窒素やヘリウム等を主体とする雰囲気によつて
は、本発明のように耐アルカリ性にすぐれた導電
性薄膜を得ることができない。但し、アルゴンが
雰囲気ガスの少なくとも50%を占める限りは、残
余のガス組成は窒素、ヘリウム、ネオン、水素、
空気等、通常、スパツタエツチング処理に用いら
れるガスであつてよい。また、雰囲気ガスは水蒸
気を含有していてもよい。また、雰囲気圧も重要
であつて、1×10-3〜1×10-1Torrの範囲であ
ることを要する。上記範囲より高真空ではグロー
放電が不安定となりやすく、一方、上記範囲より
低真空では、スパツタエツチング処理による基材
フイルムの導電性薄膜に対する密着性向上の効果
が十分に発現されない。
更に、電極単位面積当りの高周波出力(W/
cm2)と放電処理時間との積で表わされる放電処理
量は、0.1〜30W・秒/cm2の範囲であり、上記範
囲以下では処理効果が十分でなく、上記範囲以上
ではフイルムが変形したり、着色したりするので
好ましくない。尚、高周波電源は実用上、工業用
割当周波数である13.56MHzを使用するのが好都
合である。
cm2)と放電処理時間との積で表わされる放電処理
量は、0.1〜30W・秒/cm2の範囲であり、上記範
囲以下では処理効果が十分でなく、上記範囲以上
ではフイルムが変形したり、着色したりするので
好ましくない。尚、高周波電源は実用上、工業用
割当周波数である13.56MHzを使用するのが好都
合である。
本発明の方法は、上記のようにスパツタエツチ
ング処理した雰囲気の真空度を実質的に保持した
ままで、導電性薄膜を形成する点に重要な一つの
特徴を有する。ここに、スパツタエツチング処理
の真空度を実質的に保持するとは、前記した1×
10-3〜1×10-1Torrの範囲の真空を破ることな
く、且つ、この真空度範囲で次の工程である導電
性薄膜をフイルム表面上に形成することを意味す
る。しかし、雰囲気ガス組成は必ずしも同一であ
る必要はなく、採用する導電性薄膜の形成方法に
従つて適宜に変更されてよい。これに対して、上
記真空度でフイルムをスパツタエツチング処理し
た後、このフイルムを一旦空気中に取り出し、こ
れを再び所定の真空雰囲気において導電性を形成
しても、理由は必ずしも明らかではないが、得ら
れる導電性薄膜が耐アルカリ性に劣る。
ング処理した雰囲気の真空度を実質的に保持した
ままで、導電性薄膜を形成する点に重要な一つの
特徴を有する。ここに、スパツタエツチング処理
の真空度を実質的に保持するとは、前記した1×
10-3〜1×10-1Torrの範囲の真空を破ることな
く、且つ、この真空度範囲で次の工程である導電
性薄膜をフイルム表面上に形成することを意味す
る。しかし、雰囲気ガス組成は必ずしも同一であ
る必要はなく、採用する導電性薄膜の形成方法に
従つて適宜に変更されてよい。これに対して、上
記真空度でフイルムをスパツタエツチング処理し
た後、このフイルムを一旦空気中に取り出し、こ
れを再び所定の真空雰囲気において導電性を形成
しても、理由は必ずしも明らかではないが、得ら
れる導電性薄膜が耐アルカリ性に劣る。
本発明においては、基材ポリエチレンテレフタ
レートフイルムををスパツタエツチング処理した
後、上記のようにその真空度を保持し、その真空
雰囲気中で導電性薄膜を形成する限りは、導電性
薄膜の形成方法は任意のものを採用し得る。かか
る導電性薄膜を形成する方法としては、例えば、
よく知られているように、真空蒸着法、スパツタ
リング法、イオンプレーテイング法等を挙げるこ
とができる。また、薄膜材料も、特に制限される
ものではなく、例えば、酸化スズを含有する酸化
インジウム、アンチモンを含有する酸化スズ等が
好ましく用いられ、通常、上記処理されたポリエ
チレンテレフタレートフイルム表面上に厚み約数
百Åに形成される。しかしながら、本発明の方法
は、酸化インジウム−酸化スズ導電性薄膜を真空
蒸着法、スパツタリング法等によつて形成する場
合に特に効果が顕著であり、耐アルカリ性にすぐ
れ、従つて、シート抵抗が低く、耐久性の格段に
すぐれた導電性薄膜が得られる。
レートフイルムををスパツタエツチング処理した
後、上記のようにその真空度を保持し、その真空
雰囲気中で導電性薄膜を形成する限りは、導電性
薄膜の形成方法は任意のものを採用し得る。かか
る導電性薄膜を形成する方法としては、例えば、
よく知られているように、真空蒸着法、スパツタ
リング法、イオンプレーテイング法等を挙げるこ
とができる。また、薄膜材料も、特に制限される
ものではなく、例えば、酸化スズを含有する酸化
インジウム、アンチモンを含有する酸化スズ等が
好ましく用いられ、通常、上記処理されたポリエ
チレンテレフタレートフイルム表面上に厚み約数
百Åに形成される。しかしながら、本発明の方法
は、酸化インジウム−酸化スズ導電性薄膜を真空
蒸着法、スパツタリング法等によつて形成する場
合に特に効果が顕著であり、耐アルカリ性にすぐ
れ、従つて、シート抵抗が低く、耐久性の格段に
すぐれた導電性薄膜が得られる。
導電性薄膜を形成する雰囲気圧は、前記したよ
うに、1×10-3〜1×10-1Torrであるが、上記
範囲より低真空であれば、薄膜の形成効率に劣
り、また、上記範囲よりも高真空であれば、得ら
れる膜の可視光領域の透明性が低下するので好ま
しくないのである。
うに、1×10-3〜1×10-1Torrであるが、上記
範囲より低真空であれば、薄膜の形成効率に劣
り、また、上記範囲よりも高真空であれば、得ら
れる膜の可視光領域の透明性が低下するので好ま
しくないのである。
尚、本発明においては、基材フイルムは表面が
ポリエチレンテレフタレートであればよく、従つ
て、ポリエチレンテレフタレートを表面層とする
他の樹脂フイルムとの積層フイルムであつてもよ
いのは勿論である。
ポリエチレンテレフタレートであればよく、従つ
て、ポリエチレンテレフタレートを表面層とする
他の樹脂フイルムとの積層フイルムであつてもよ
いのは勿論である。
以上のように、本発明によれば、基材であるポ
リエチレンテレフタレートフイルムを所定のガス
からなる真空雰囲気中でスパツタエツチング処理
し、次いで、上記雰囲気の真空度を実質的に保持
したままで、導電性薄膜を形成するものであり、
かかる方法によつて得られる導電性薄膜は、低抵
抗であると共に、耐薬品性、特に耐アルカリ性に
すぐれ、従つて、フイルムとの密着性及び耐久性
にすぐれる。
リエチレンテレフタレートフイルムを所定のガス
からなる真空雰囲気中でスパツタエツチング処理
し、次いで、上記雰囲気の真空度を実質的に保持
したままで、導電性薄膜を形成するものであり、
かかる方法によつて得られる導電性薄膜は、低抵
抗であると共に、耐薬品性、特に耐アルカリ性に
すぐれ、従つて、フイルムとの密着性及び耐久性
にすぐれる。
以下に本発明の実施例を比較例と共に挙げる
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもの
ではない。尚、以下において、得られたポリエチ
レンテレフタレートフイルム基材導電性薄膜の耐
アルカリ性は次のようにして評価した。
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもの
ではない。尚、以下において、得られたポリエチ
レンテレフタレートフイルム基材導電性薄膜の耐
アルカリ性は次のようにして評価した。
即ち、フイルムを幅1cmの短冊状に切断し、60
℃の恒温槽中の加温された1%カ性ゾーダ水溶液
に5分単位で浸漬した後、導電性薄膜のシート抵
抗を測定し、その変化率で耐アルカリ性を評価し
た。この操作を導電性薄膜がフイルムから剥離す
るまで繰返した。また、シート抵抗の測定には四
端子法を用いた。
℃の恒温槽中の加温された1%カ性ゾーダ水溶液
に5分単位で浸漬した後、導電性薄膜のシート抵
抗を測定し、その変化率で耐アルカリ性を評価し
た。この操作を導電性薄膜がフイルムから剥離す
るまで繰返した。また、シート抵抗の測定には四
端子法を用いた。
実施例 1
ポリエチレンテレフタレートフイルムをアルゴ
ン80%及び酸素20%からなる4×10-3Torrの雰
囲気中で、放電処理量3W・秒/cm2にてスパツタ
エツチング処理した。この後、上記真空を破るこ
となく、且つ、同一の雰囲気ガス中で、インジウ
ム−スズ合金を用いた反応性スパツタリング法に
より、厚み400Åの酸化インジウム−酸化スズ導
電性薄膜(以下、ITO膜という。)を形成した。
この膜のシート抵抗は200Ω/□を示した。
ン80%及び酸素20%からなる4×10-3Torrの雰
囲気中で、放電処理量3W・秒/cm2にてスパツタ
エツチング処理した。この後、上記真空を破るこ
となく、且つ、同一の雰囲気ガス中で、インジウ
ム−スズ合金を用いた反応性スパツタリング法に
より、厚み400Åの酸化インジウム−酸化スズ導
電性薄膜(以下、ITO膜という。)を形成した。
この膜のシート抵抗は200Ω/□を示した。
このフイルム基材導電性薄膜を前記したように
加温したカ性ソーダ水溶液に浸漬し、シート抵抗
を経時的に測定したところ、50分の浸漬後にも初
期値の1.6倍にしか増加しなかつた。
加温したカ性ソーダ水溶液に浸漬し、シート抵抗
を経時的に測定したところ、50分の浸漬後にも初
期値の1.6倍にしか増加しなかつた。
比較例 1
実施例1と同じポリエチレンテレフタレートフ
イルムをスパツタエツチング処理しない以外は、
上記と実施例1と全く同様にしてITO膜を得て、
カ性ソーダ水溶液に浸漬したところ、僅か10分後
には膜がフイルムから剥離した。
イルムをスパツタエツチング処理しない以外は、
上記と実施例1と全く同様にしてITO膜を得て、
カ性ソーダ水溶液に浸漬したところ、僅か10分後
には膜がフイルムから剥離した。
また、フイルムをスパツタエツチング処理した
後、一旦、大気中に取り出し、この後に実施例1
と同じ雰囲気下でITO膜を形成させたが、この膜
は、カ性ソーダ水溶液に浸漬して50分後には、シ
ート抵抗が初期値の7倍にも達した。
後、一旦、大気中に取り出し、この後に実施例1
と同じ雰囲気下でITO膜を形成させたが、この膜
は、カ性ソーダ水溶液に浸漬して50分後には、シ
ート抵抗が初期値の7倍にも達した。
実施例 2
ポリビニルアルコールフイルムの両面に接着剤
によりポリエチレンテレフタレートフイルムを貼
着積層した積層フイルムを基材フイルムとして用
いた。この基材フイルムをアルゴン80%及び酸素
20%からなる8×10-2Torrの雰囲気で、放電処
理量10W・秒/cm2にてスパツタエツチング処理し
た。次いで、この真空雰囲気をそのまま保持し
て、基材フイルムを100℃の温度に加熱しつつ、
インジウムとスズとの二元真空蒸着法により、
ITO膜を形成した。この膜は厚み400Å、シート
抵抗300Ω/□であつた。
によりポリエチレンテレフタレートフイルムを貼
着積層した積層フイルムを基材フイルムとして用
いた。この基材フイルムをアルゴン80%及び酸素
20%からなる8×10-2Torrの雰囲気で、放電処
理量10W・秒/cm2にてスパツタエツチング処理し
た。次いで、この真空雰囲気をそのまま保持し
て、基材フイルムを100℃の温度に加熱しつつ、
インジウムとスズとの二元真空蒸着法により、
ITO膜を形成した。この膜は厚み400Å、シート
抵抗300Ω/□であつた。
この膜はカ性ソーダ水溶液に50分間浸漬後も、
シート抵抗は初期値の2.5倍にしか増加しなかつ
た。
シート抵抗は初期値の2.5倍にしか増加しなかつ
た。
比較例 2
実施例2と同じ積層フイルムをスパツタエツチ
ング処理しない以外は、実施例2と全く同様にし
てITO膜を得て、カ性ソーダ水溶液に浸漬したと
ころ、僅か10分後には膜がフイルムから剥離し
た。
ング処理しない以外は、実施例2と全く同様にし
てITO膜を得て、カ性ソーダ水溶液に浸漬したと
ころ、僅か10分後には膜がフイルムから剥離し
た。
また、積層フイルムをスパツタエツチング処理
した後、一旦、大気中に取り出し、この後に実施
例2と同じ雰囲気下でITO膜を形成させたが、こ
の膜は、カ性ソーダ水溶液に浸漬して50分後に
は、シート抵抗が初期値の13倍にも達した。
した後、一旦、大気中に取り出し、この後に実施
例2と同じ雰囲気下でITO膜を形成させたが、こ
の膜は、カ性ソーダ水溶液に浸漬して50分後に
は、シート抵抗が初期値の13倍にも達した。
実施例 3
ポリエチレンテレフタレートフイルムをアルゴ
ン60%及び酸素40%からなる1×10-2Torrの真
空雰囲気中で放電処理量0.5W・秒/cm2にてスパ
ツタエツチング処理した。次いで、この真空雰囲
気をそのまま保持して、酸化インジウム−酸化ス
ズターゲツトを用いて、電子ビース蒸着法により
ITO膜を得た。この後、この膜を90℃の温度で加
熱処理して、透明導電性ITO膜を得た。この膜は
厚み400Å、シート抵抗350Ω/□であつた。
ン60%及び酸素40%からなる1×10-2Torrの真
空雰囲気中で放電処理量0.5W・秒/cm2にてスパ
ツタエツチング処理した。次いで、この真空雰囲
気をそのまま保持して、酸化インジウム−酸化ス
ズターゲツトを用いて、電子ビース蒸着法により
ITO膜を得た。この後、この膜を90℃の温度で加
熱処理して、透明導電性ITO膜を得た。この膜は
厚み400Å、シート抵抗350Ω/□であつた。
この膜はカ性ソーダ水溶液に50分間浸漬した後
も、シート抵抗は初期値の3倍にしか増加しなか
つた。
も、シート抵抗は初期値の3倍にしか増加しなか
つた。
比較例 3
実施例3と同じボリエチレンテレフタレートフ
イルムをスパツタエツチング処理しない以外は、
実施例3と全く同様にしてITO膜を得て、カ性ソ
ーダ水溶液に浸漬したところ、僅か10分後には膜
がフイルムから脱離した。
イルムをスパツタエツチング処理しない以外は、
実施例3と全く同様にしてITO膜を得て、カ性ソ
ーダ水溶液に浸漬したところ、僅か10分後には膜
がフイルムから脱離した。
また、ポリエチレンテレフタレートフイルムを
スパツタエツチング処理した後、一旦、大気中に
取り出し、この後に実施例3と同じ雰囲気下で
ITO膜を形成させたが、この膜は、カ性ソーダ水
溶液に浸漬して50分後には、シー抵抗が初期値の
15にも達した。
スパツタエツチング処理した後、一旦、大気中に
取り出し、この後に実施例3と同じ雰囲気下で
ITO膜を形成させたが、この膜は、カ性ソーダ水
溶液に浸漬して50分後には、シー抵抗が初期値の
15にも達した。
比較例 4
実施例1において、フイルムをスパツタエツチ
ング処理する雰囲気ガスを窒素80%及び酸素20%
とした以外は、実施例1と全く同様にしてITO膜
を得た。この膜は厚み400Å、シート抵抗200Ω/
□であつた。
ング処理する雰囲気ガスを窒素80%及び酸素20%
とした以外は、実施例1と全く同様にしてITO膜
を得た。この膜は厚み400Å、シート抵抗200Ω/
□であつた。
この膜を加温したカ性ソーダ水溶液に浸漬した
ところ、10分後にはシート抵抗が初期値の3倍に
増加し、20分後には膜がフイルムから剥離した。
ところ、10分後にはシート抵抗が初期値の3倍に
増加し、20分後には膜がフイルムから剥離した。
Claims (1)
- 1 ポリエチレンテレフタレートフイルム表面に
真空中で導電性薄膜を形成する方法において、上
記フイルムをアルゴンを少なくとも50%含有する
1×10-3〜1×10-1Torrの雰囲気において、0.1
〜30W・秒/cm2の範囲の放電処理量で高周波スパ
ツタエツチング処理し、次いで、真空度を実質的
に保持したままで、導電性薄膜を形成することを
特徴とする導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16740082A JPS5956313A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16740082A JPS5956313A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 導電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5956313A JPS5956313A (ja) | 1984-03-31 |
JPH0447405B2 true JPH0447405B2 (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=15848995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16740082A Granted JPS5956313A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5956313A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2944668B2 (ja) * | 1988-07-15 | 1999-09-06 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フイルムの製造法 |
JP2653383B2 (ja) * | 1988-08-31 | 1997-09-17 | 日東電工株式会社 | 透明導電性積層体の製造法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4855267A (ja) * | 1971-11-13 | 1973-08-03 | ||
JPS5732506A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-22 | Hitachi Ltd | Method of producing transparent conductive film |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP16740082A patent/JPS5956313A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4855267A (ja) * | 1971-11-13 | 1973-08-03 | ||
JPS5732506A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-22 | Hitachi Ltd | Method of producing transparent conductive film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5956313A (ja) | 1984-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000031131A (ja) | 導電性層のエッチング法 | |
US6146765A (en) | Transparent conductive film and method for its production, and sputtering target | |
WO2006061964A1 (ja) | 導電膜付き基体およびその製造方法 | |
JPH06136159A (ja) | 透明導電性フィルムおよびその製造法 | |
JPH0447405B2 (ja) | ||
JPH02276630A (ja) | 透明導電性積層体およびその製造方法 | |
JPS61183809A (ja) | 透明導電性積層体及びその製造方法 | |
JP2944668B2 (ja) | 透明導電性フイルムの製造法 | |
JP3489844B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 | |
JP2653383B2 (ja) | 透明導電性積層体の製造法 | |
JP3654841B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 | |
JP3369728B2 (ja) | 積層型透明導電基材 | |
JP4410846B2 (ja) | SiO2膜を有する積層体と透明導電積層体の製造方法 | |
JPH0978236A (ja) | 酸化インジウム・すず透明導電膜の成膜方法 | |
JP3334922B2 (ja) | ガスバリアー性高分子フィルムおよびその製造方法 | |
JPS60258460A (ja) | 透明導電性フイルムの製造方法 | |
JPH0458225A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
JPH0345485B2 (ja) | ||
CN114927261A (zh) | 一种双面黑化铜导电膜及其制备方法 | |
JPS6378404A (ja) | 透明導電膜 | |
JP2000048726A (ja) | 透明導電膜付きガラス基板とその製法 | |
JPH0428114A (ja) | 透明導電積層体 | |
JPH0266158A (ja) | 透明積層体の製造方法 | |
JPH01137520A (ja) | 結晶質透明導電性積層体の製造方法 | |
JPS60175316A (ja) | 導電性透明薄膜の製造方法 |