JP2932397B2 - プリント基板の製造方法 - Google Patents
プリント基板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プリント基板の製造方法に関し、詳細には
主として電気・電子機器等のプリント配線板に用いるフ
レキシブルなプリント基板の製造方法に関する。
主として電気・電子機器等のプリント配線板に用いるフ
レキシブルなプリント基板の製造方法に関する。
（従来の技術） 従来、電気・電子機器の小型・軽量化および高温での
信頼性向上のために該機器の制御装置の内部にはポリイ
ミドフィルムから成る基板上に銅箔を接着させたプリン
ト基板が用いられている。
信頼性向上のために該機器の制御装置の内部にはポリイ
ミドフィルムから成る基板上に銅箔を接着させたプリン
ト基板が用いられている。
かかるプリント基板の製造方法として、ポリイミドフ
ィルムから成る基板上にエポキシ系接着剤またはアクリ
ル系接着剤を塗布した後、銅箔を該接着剤を介して基板
に接着させる方法が行われていた。
ィルムから成る基板上にエポキシ系接着剤またはアクリ
ル系接着剤を塗布した後、銅箔を該接着剤を介して基板
に接着させる方法が行われていた。
そして作成されたプリント基板は、その後プリント基
板に電気・電子部品をハンダ付け等で接続する実装工程
を行った後、使用に供するものである。
板に電気・電子部品をハンダ付け等で接続する実装工程
を行った後、使用に供するものである。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、前記方法で得られた該プリント基板は
電気・電子部品の接続による実装工程の際、温度250℃
以上の高温に耐える耐熱性が必要であるが、前記接着剤
では十分な耐熱性が得られず、その結果基板と銅箔との
間の引きはがし強さが著しく低いという問題がある。
電気・電子部品の接続による実装工程の際、温度250℃
以上の高温に耐える耐熱性が必要であるが、前記接着剤
では十分な耐熱性が得られず、その結果基板と銅箔との
間の引きはがし強さが著しく低いという問題がある。
そこで接着剤を用いずに基板上に蒸着法で銅材を直接
蒸着させて銅膜を形成する方法を試みたが、高温におけ
る基板と銅膜との間の引きはがし強さは前記接着剤を用
いた場合に比して60〜70％と小さく、電気・電子部品を
接続する実装工程の際の高温に耐えられないという問題
がある。
蒸着させて銅膜を形成する方法を試みたが、高温におけ
る基板と銅膜との間の引きはがし強さは前記接着剤を用
いた場合に比して60〜70％と小さく、電気・電子部品を
接続する実装工程の際の高温に耐えられないという問題
がある。
本発明は、前記問題点を解消した実装工程の際の高温
に耐え、優れた引きはがし強さを有するプリント基板の
製造方法を提供することを目的とする。
に耐え、優れた引きはがし強さを有するプリント基板の
製造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明のプリント基板の製造方法は、ポリイミドフィ
ルムから成る基板上にポリイミドの原料モノマーを蒸
着、重合させてポリアミド酸薄膜を形成し、次いで該薄
膜上に蒸着法またはスパッタ法により銅膜を形成した
後、加熱してポリアミド酸薄膜にイミド化処理を施すこ
とを特徴とする。
ルムから成る基板上にポリイミドの原料モノマーを蒸
着、重合させてポリアミド酸薄膜を形成し、次いで該薄
膜上に蒸着法またはスパッタ法により銅膜を形成した
後、加熱してポリアミド酸薄膜にイミド化処理を施すこ
とを特徴とする。
基板上に蒸着、重合させるポリアミド酸の膜厚は1000
Å以下とするのが好ましい。基板上に膜厚が1000Åを超
えて蒸着、重合すると、その後加熱して該ポリアミド酸
をイミド化する際、発生する水によりふくれが生じて基
板と銅膜との引きはがし強さが低下する原因となるから
である。
Å以下とするのが好ましい。基板上に膜厚が1000Åを超
えて蒸着、重合すると、その後加熱して該ポリアミド酸
をイミド化する際、発生する水によりふくれが生じて基
板と銅膜との引きはがし強さが低下する原因となるから
である。
（作 用） ポリイミドの原料モノマーは蒸発し、蒸発した該モノ
マーは基板上で蒸着重合し前駆体のポリアミド酸薄膜を
形成する。また、銅材料は蒸着法またはスパッタ法によ
り基板上に前記ポリアミド酸薄膜を介して銅膜を形成す
る。また、基板と銅膜との間のポリアミド酸薄膜は加熱
されてイミド化し、ポリイミド接着層を形成する。この
ポリアミド酸薄膜がイミド化する際、銅との界面で化学
結合が生じる。
マーは基板上で蒸着重合し前駆体のポリアミド酸薄膜を
形成する。また、銅材料は蒸着法またはスパッタ法によ
り基板上に前記ポリアミド酸薄膜を介して銅膜を形成す
る。また、基板と銅膜との間のポリアミド酸薄膜は加熱
されてイミド化し、ポリイミド接着層を形成する。この
ポリアミド酸薄膜がイミド化する際、銅との界面で化学
結合が生じる。
（実施例） 以下添付図面に従って本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は本発明方法を実施する装置の１例を示すもの
で、図示例装置では銅膜を蒸発法により形成するもので
ある。
で、図示例装置では銅膜を蒸発法により形成するもので
ある。
図中、１は真空処理室を示す。該真空処理室１内を外
部の真空ポンプその他の真空排気系２に接続すると共
に、真空処理室１内の上方に送出ローラー３と巻取ロー
ラー４とを配置し、両ローラー3,4間にポリアミド酸の
薄膜および銅膜を形成せしめるべき長尺の基板５を張架
し、該基板５を送出ローラー３側から巻取ローラー４側
（矢印Ｘ方向）に移動出来るようにした。
部の真空ポンプその他の真空排気系２に接続すると共
に、真空処理室１内の上方に送出ローラー３と巻取ロー
ラー４とを配置し、両ローラー3,4間にポリアミド酸の
薄膜および銅膜を形成せしめるべき長尺の基板５を張架
し、該基板５を送出ローラー３側から巻取ローラー４側
（矢印Ｘ方向）に移動出来るようにした。
また、真空処理室１内の下方の該基板５の通過する位
置にポリアミド酸の原料モノマーＡとＢを蒸発させるニ
ッケルメッキを内壁に施した鋼製の蒸発源6,6と、該蒸
発源６内の原料モノマーを加熱するヒーター7,7を備え
る原料モノマー蒸発装置８と、銅膜の原料Ｃを電子銃９
の電子ビームEBで蒸発させる蒸発源10を備える銅蒸発装
置11を配置した。
置にポリアミド酸の原料モノマーＡとＢを蒸発させるニ
ッケルメッキを内壁に施した鋼製の蒸発源6,6と、該蒸
発源６内の原料モノマーを加熱するヒーター7,7を備え
る原料モノマー蒸発装置８と、銅膜の原料Ｃを電子銃９
の電子ビームEBで蒸発させる蒸発源10を備える銅蒸発装
置11を配置した。
また、前記銅蒸発装置11の上方に基板５の前面に近接
して１対のローラー12,13で移動自在の銅膜パターンの
マスク14を備えるパターン形成装置15を配置した。
して１対のローラー12,13で移動自在の銅膜パターンの
マスク14を備えるパターン形成装置15を配置した。
また、真空処理室１内に基板５の通過する位置に基板
５に蒸着、重合したポリアミド酸をイミド化させてポリ
イミドとするヒーター16を備える加熱装置17を配置し
た。
５に蒸着、重合したポリアミド酸をイミド化させてポリ
イミドとするヒーター16を備える加熱装置17を配置し
た。
図中、18は基板５上へポリアミド酸薄膜の形成用ドラ
ム、19は該ポリアミド酸薄膜上への銅膜の形成用ドラ
ム、20は両蒸発源6,6の上方に配置したシャッター、21
は両蒸発源6,6間に設けた仕切板、22は蒸発源10の上方
に配置したシャッター、23は基板５の移動を安定させる
ローラーを示す。
ム、19は該ポリアミド酸薄膜上への銅膜の形成用ドラ
ム、20は両蒸発源6,6の上方に配置したシャッター、21
は両蒸発源6,6間に設けた仕切板、22は蒸発源10の上方
に配置したシャッター、23は基板５の移動を安定させる
ローラーを示す。
次に前記装置を用いてプリント基板の製造方法の具体
的実施例を説明する。
的実施例を説明する。
先ず、厚さ25μｍ、幅250mm、長さ600mのポリイミド
フィルム（デュポン社製、商品名KAPTON）を真空中で10
0℃の熱処理を施して脱ガスして長尺の基板５を用意し
た。
フィルム（デュポン社製、商品名KAPTON）を真空中で10
0℃の熱処理を施して脱ガスして長尺の基板５を用意し
た。
次にこの長尺の基板５を真空処理室１内の送出ローラ
ー３と巻取ローラー４に夫々取り付けして両ローラー3,
4間に張架し、モーター（図示せず）により基板５を送
出ローラー３側より各ドラム18,19および各ローラー23
を経て巻取ローラー４側に移動するようにした。
ー３と巻取ローラー４に夫々取り付けして両ローラー3,
4間に張架し、モーター（図示せず）により基板５を送
出ローラー３側より各ドラム18,19および各ローラー23
を経て巻取ローラー４側に移動するようにした。
続いて原料モノマー蒸発装置８の蒸発源6,6の一方に
原料モノマーＡとしてピロメリット酸二無水物と、他方
に原料モノマーＢとしてジアミノプロピルテトラメチル
ジシロキサンを、また銅蒸発装置11の蒸発源10に銅膜の
原料Ｃとして純度99.9％の銅材を夫々充填した後、各蒸
発装置8,11の夫々のシャッター20,22を閉じた状態で真
空処理室１内を真空排気系２を介して１×10-5Torrに設
定した。
原料モノマーＡとしてピロメリット酸二無水物と、他方
に原料モノマーＢとしてジアミノプロピルテトラメチル
ジシロキサンを、また銅蒸発装置11の蒸発源10に銅膜の
原料Ｃとして純度99.9％の銅材を夫々充填した後、各蒸
発装置8,11の夫々のシャッター20,22を閉じた状態で真
空処理室１内を真空排気系２を介して１×10-5Torrに設
定した。
次に蒸発モニター（図示せず）で蒸発源6,6からの各
原料モノマーA,Bの蒸発両を測定しながらヒーター7,7に
よってピロメリット酸二無水物を温度180±１℃に、ま
たジアミノプロピルテトラメチルジシロキサンを温度45
±１℃に、また原料Ｃを電子銃９により発生する電子ビ
ームEBで夫々加熱した。
原料モノマーA,Bの蒸発両を測定しながらヒーター7,7に
よってピロメリット酸二無水物を温度180±１℃に、ま
たジアミノプロピルテトラメチルジシロキサンを温度45
±１℃に、また原料Ｃを電子銃９により発生する電子ビ
ームEBで夫々加熱した。
次いで、原料モノマーA,Bが所定温度に達して所要の
蒸発量が得られた時点でシャッター20を開き、送出ロー
ラー３から巻取ローラー４に移動速度10/分で移動する
基板５上に原料モノマーA,Bを100Å／分の析出速度で蒸
着、重合させて前駆体である厚さ300Åのポリアミド酸
薄膜Ｐを連続状に形成した。尚、該蒸着、重合中におけ
る真空度は５×10-5Torrとした。
蒸発量が得られた時点でシャッター20を開き、送出ロー
ラー３から巻取ローラー４に移動速度10/分で移動する
基板５上に原料モノマーA,Bを100Å／分の析出速度で蒸
着、重合させて前駆体である厚さ300Åのポリアミド酸
薄膜Ｐを連続状に形成した。尚、該蒸着、重合中におけ
る真空度は５×10-5Torrとした。
続いて基板５が前記速度で前記ポリアミド酸蒸発装置
８より移動し、銅蒸発装置11に到達した時点でシャッタ
ー22を開き、移動中の基板５上にパターン形成装置15の
マスク14を通して連続的に蒸着させて厚さ0.5μｍの所
望形状のパターンを有する銅膜Ｆを前記ポリアミド酸薄
膜Ｐを介して形成した。尚、該蒸着中における真空度は
１×10-6Torrとした。
８より移動し、銅蒸発装置11に到達した時点でシャッタ
ー22を開き、移動中の基板５上にパターン形成装置15の
マスク14を通して連続的に蒸着させて厚さ0.5μｍの所
望形状のパターンを有する銅膜Ｆを前記ポリアミド酸薄
膜Ｐを介して形成した。尚、該蒸着中における真空度は
１×10-6Torrとした。
次にポリアミド酸薄膜Ｐと銅膜Ｆが形成された基板５
が前記速度で前記銅蒸発装置11より移動し、加熱装置17
内を通過中にヒーター16でポリアミド酸薄膜Ｐに温度30
0±10℃で加熱処理を施しながら順次イミド化させてポ
リイミドから成る接着層Ｓを連続状に形成した。尚、該
加熱中における真空度は１×10-5rrとした。
が前記速度で前記銅蒸発装置11より移動し、加熱装置17
内を通過中にヒーター16でポリアミド酸薄膜Ｐに温度30
0±10℃で加熱処理を施しながら順次イミド化させてポ
リイミドから成る接着層Ｓを連続状に形成した。尚、該
加熱中における真空度は１×10-5rrとした。
そして、第２図示のように基板５上にポリイミドから
成る接着層Ｓを介して銅膜Ｆを一体に形成したプリント
基板24を巻取ローラー４に長尺に連続状に巻き取った。
成る接着層Ｓを介して銅膜Ｆを一体に形成したプリント
基板24を巻取ローラー４に長尺に連続状に巻き取った。
このようにして作成されたプリント基板24の室温（25
℃）、温度150℃、温度250℃の各温度における基板５と
銅膜Ｆの引きはがし強さを調べたところ、表に示すよう
な結果が得られた。
℃）、温度150℃、温度250℃の各温度における基板５と
銅膜Ｆの引きはがし強さを調べたところ、表に示すよう
な結果が得られた。
尚、各温度における引きはがし強さは引っ張り試験法
により求めた。
により求めた。
前記実施例と比較するために、比較例１として厚さ25
μｍのポリミイドフィルム上にアクリル系接着剤を塗布
した後、厚さ10μｍの銅箔を接着させてプリント基板を
作成し、該プリント基板の室温（25℃）、温度150℃、
温度250℃の各温度における基板と銅箔の引きはがし強
さを前記実施例と同様の方法により調べ、その結果を表
に示す。
μｍのポリミイドフィルム上にアクリル系接着剤を塗布
した後、厚さ10μｍの銅箔を接着させてプリント基板を
作成し、該プリント基板の室温（25℃）、温度150℃、
温度250℃の各温度における基板と銅箔の引きはがし強
さを前記実施例と同様の方法により調べ、その結果を表
に示す。
また、比較例２として厚さ25μｍのポリミイドフィル
ム上に直接厚さ0.5μｍの銅膜を蒸着法により蒸着させ
てプリント基板を作成し、該プリント基板の室温（25
℃）、温度150℃、温度250℃の各温度における基板と銅
膜の引きはがし強さを前記実施例と同様の方法により調
べ、その結果を示す。
ム上に直接厚さ0.5μｍの銅膜を蒸着法により蒸着させ
てプリント基板を作成し、該プリント基板の室温（25
℃）、温度150℃、温度250℃の各温度における基板と銅
膜の引きはがし強さを前記実施例と同様の方法により調
べ、その結果を示す。
表から明らかなように、本発明実施例の方法で作成さ
れたプリント基板は比較例1,2に比して温度150℃、250
℃の高温において引きはがし強さが著しく向上したこと
が認められた。
れたプリント基板は比較例1,2に比して温度150℃、250
℃の高温において引きはがし強さが著しく向上したこと
が認められた。
また、本発明実施例の基板から銅膜を引きはがした後
のポリイミド接着層を調べたところ何らふくれは認めら
れなかった。
のポリイミド接着層を調べたところ何らふくれは認めら
れなかった。
本発明における銅膜の形成は前記蒸着に限定されるも
のではなく、イオンプレーティング法や、スパッタ法に
よりポリアミド酸薄膜上に銅膜を形成させるようにして
もよい。
のではなく、イオンプレーティング法や、スパッタ法に
よりポリアミド酸薄膜上に銅膜を形成させるようにして
もよい。
尚、図示装置のように銅蒸発装置11上方であって、基
板の直前に移動自在に銅膜のパターン形状のマスク14を
備えるパターン形成装置15を配置すれば、基板５上に銅
膜Ｆは所望のパターン形状に蒸着させることが出来るか
ら、その後のエッチング工程（回路作成工程）が不要と
なって生産性が向上するばかりではなく、パターン形状
が同一或いは異なったプリント基板を連続的に容易に製
造することが出来る。
板の直前に移動自在に銅膜のパターン形状のマスク14を
備えるパターン形成装置15を配置すれば、基板５上に銅
膜Ｆは所望のパターン形状に蒸着させることが出来るか
ら、その後のエッチング工程（回路作成工程）が不要と
なって生産性が向上するばかりではなく、パターン形状
が同一或いは異なったプリント基板を連続的に容易に製
造することが出来る。
また、図示装置では原料モノマー蒸発装置８と、銅蒸
発装置11と、加熱装置17を一つの真空処理室内に配置す
るようにしたが、原料モノマー蒸発装置８と、銅蒸発装
置11と、加熱装置17を夫々別個とし、各装置毎に真空排
気系を設置するようにしてもよいし、或いは例えば原料
モノマー蒸発装置８と、銅蒸発装置11を一つの真空処理
室内に配置し、残りの加熱装置17を別個の真空処理室内
に配置するようにしてもよい。このようにすれば、各装
置内での真空度を任意に設定することが出来、各工程毎
の真空度の調整が不要となって、基板上へのポリアミド
酸薄膜および銅膜の形成、ポリアミド酸薄膜への加熱イ
ミド化を連続的に迅速に行える。
発装置11と、加熱装置17を一つの真空処理室内に配置す
るようにしたが、原料モノマー蒸発装置８と、銅蒸発装
置11と、加熱装置17を夫々別個とし、各装置毎に真空排
気系を設置するようにしてもよいし、或いは例えば原料
モノマー蒸発装置８と、銅蒸発装置11を一つの真空処理
室内に配置し、残りの加熱装置17を別個の真空処理室内
に配置するようにしてもよい。このようにすれば、各装
置内での真空度を任意に設定することが出来、各工程毎
の真空度の調整が不要となって、基板上へのポリアミド
酸薄膜および銅膜の形成、ポリアミド酸薄膜への加熱イ
ミド化を連続的に迅速に行える。
（発明の効果） このように本発明によるときは、基板と銅膜との間に
形成されたポリアミド酸薄膜はイミド化される際に銅と
の界面で化学結合が生じて、基板と銅膜との間に耐熱性
と接着性に優れたポリイミド接着層が形成されるから、
高温における引きはがし強さの向上したプリント基板を
容易に製造することが出来る効果を有する。
形成されたポリアミド酸薄膜はイミド化される際に銅と
の界面で化学結合が生じて、基板と銅膜との間に耐熱性
と接着性に優れたポリイミド接着層が形成されるから、
高温における引きはがし強さの向上したプリント基板を
容易に製造することが出来る効果を有する。
第１図は本発明方法を実施するための装置の１例の要部
截断面図、第２図は本発明方法で作成されたプリント基
板の截断面図である。 ５……基板 24……プリント基板 A,B……ポリイミド原料モノマー Ｃ……銅材料 Ｆ……銅膜 Ｐ……ポリアミド酸薄膜 Ｓ……ポリイミド接着層
截断面図、第２図は本発明方法で作成されたプリント基
板の截断面図である。 ５……基板 24……プリント基板 A,B……ポリイミド原料モノマー Ｃ……銅材料 Ｆ……銅膜 Ｐ……ポリアミド酸薄膜 Ｓ……ポリイミド接着層
Claims (1)
- 【請求項１】ポリイミドフィルムから成る基板上にポリ
イミドの原料モノマーを蒸着、重合させてポリアミド酸
薄膜を形成し、次いで該薄膜上に蒸着法またはスパッタ
法により銅膜を形成した後、加熱してポリアミド酸薄膜
にイミド化処理を施すことを特徴とするプリント基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30609690A JP2932397B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | プリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30609690A JP2932397B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | プリント基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04179296A JPH04179296A (ja) | 1992-06-25 |
| JP2932397B2 true JP2932397B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=17952989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30609690A Expired - Fee Related JP2932397B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | プリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2932397B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6489034B1 (en) * | 2000-02-08 | 2002-12-03 | Gould Electronics Inc. | Method of forming chromium coated copper for printed circuit boards |
| JP2001261867A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 連続式蒸着重合法 |
| WO2002094558A1 (en) | 2001-05-24 | 2002-11-28 | Toray Industries, Inc. | Heat-resistant resin film with metal layer and wiring board, and method for manufacturing them |
| CN112877650A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-06-01 | 慧迈材料科技(广东)有限公司 | 一种聚酰亚胺蒸镀薄膜的制备方法 |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP30609690A patent/JP2932397B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH04179296A (ja) | 1992-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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