JP2931451B2 - 太陽電池素子 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池素子に関する。
【０００２】
【発明の背景】第一次石油ショック時に代替エネルギー
の必要性がクローズアップされ、無尽蔵でクリーンな太
陽エネルギーを源とする太陽電池が注目を浴び実用化の
ための低コストな太陽電池の開発がスタートした。開発
は着実に成果をあげ、ここ１０年間でコストは１００分
の１まで低減した。しかし、電力用として見た場合一般
の商用電力と対比されるとコスト的には高く、実用化に
はまだ遠いという感があった。ところが、最近、地球環
境問題で脚光を浴び、開発は促進され実用化も間近なと
ころまでせまってきている。このような中で、低コスト
な太陽電池の実用化研究に加え、超高効率化を目的とし
た研究開発も新たに必要になってきた。すなわち、高効
率化は、低コスト化に非常に重要な因子となる。単結晶
シリコン太陽電池では、理論的には２８％以上が達成可
能であることが予測されている。
の必要性がクローズアップされ、無尽蔵でクリーンな太
陽エネルギーを源とする太陽電池が注目を浴び実用化の
ための低コストな太陽電池の開発がスタートした。開発
は着実に成果をあげ、ここ１０年間でコストは１００分
の１まで低減した。しかし、電力用として見た場合一般
の商用電力と対比されるとコスト的には高く、実用化に
はまだ遠いという感があった。ところが、最近、地球環
境問題で脚光を浴び、開発は促進され実用化も間近なと
ころまでせまってきている。このような中で、低コスト
な太陽電池の実用化研究に加え、超高効率化を目的とし
た研究開発も新たに必要になってきた。すなわち、高効
率化は、低コスト化に非常に重要な因子となる。単結晶
シリコン太陽電池では、理論的には２８％以上が達成可
能であることが予測されている。
【０００３】超高効率太陽電池の研究開発には、高品質
単結晶シリコン基板の持つ特性を最大限に引き出すこと
が重要である。そのためには、キャリアや光の有効利用
およびキャリアのライフタイムが維持できるようなセル
構造および製造プロセスを開発する必要がある。そこ
で、本発明者等は、特願平２−２２６９４４号で、低反
射構造でかつキャリアの再結合を防ぐことができるスル
ーホールバックコンタクト型太陽電池素子を提案した。
この構造を図１に示す。図１において、１はｐ型単結晶
シリコン基板、２は単結晶シリコン基板１に形成された
スルーホール、３はシリコン基板１の裏面側のスルーホ
ール近傍に形成されたｎ+ 領域、４はｎ+ 領域の近傍に
形成されたｐ+ 領域、５はｐ+ 領域部に形成された正電
極、６はｎ+ 領域に形成された負電極、７、８、９はシ
リコン基板１の表面側とスルーホール２部分にそれぞれ
形成されたパシベーッション層、正電荷を有する電子引
付層、および反射防止層である。
単結晶シリコン基板の持つ特性を最大限に引き出すこと
が重要である。そのためには、キャリアや光の有効利用
およびキャリアのライフタイムが維持できるようなセル
構造および製造プロセスを開発する必要がある。そこ
で、本発明者等は、特願平２−２２６９４４号で、低反
射構造でかつキャリアの再結合を防ぐことができるスル
ーホールバックコンタクト型太陽電池素子を提案した。
この構造を図１に示す。図１において、１はｐ型単結晶
シリコン基板、２は単結晶シリコン基板１に形成された
スルーホール、３はシリコン基板１の裏面側のスルーホ
ール近傍に形成されたｎ+ 領域、４はｎ+ 領域の近傍に
形成されたｐ+ 領域、５はｐ+ 領域部に形成された正電
極、６はｎ+ 領域に形成された負電極、７、８、９はシ
リコン基板１の表面側とスルーホール２部分にそれぞれ
形成されたパシベーッション層、正電荷を有する電子引
付層、および反射防止層である。
【０００４】シリコン基板１の表面側に正電荷を有する
電子引付層８を形成すると、この正電荷の影響でシリコ
ン基板１と電子引付層８の界面近くでは多数キャリアで
ある正孔が基板１の内部へ押しやられ、少数キャリアで
ある電子が基板１の表面に引きつけられる。この結果、
基板１の表面にごく薄いｎ型反転層１０が生じる。この
表面付近のキャリアはスルーホール４部分のｎ型反転層
１０を経由して、シリコン基板１の裏面側のｎ+ 領域３
へ導かれ、負電極５から取り出される。このように負電
極５がシリコン基板の裏面側に形成されることから、シ
リコン基板の表面には入射光を遮る電極は存在せず。変
換効率を著しく高めることが可能になる。
電子引付層８を形成すると、この正電荷の影響でシリコ
ン基板１と電子引付層８の界面近くでは多数キャリアで
ある正孔が基板１の内部へ押しやられ、少数キャリアで
ある電子が基板１の表面に引きつけられる。この結果、
基板１の表面にごく薄いｎ型反転層１０が生じる。この
表面付近のキャリアはスルーホール４部分のｎ型反転層
１０を経由して、シリコン基板１の裏面側のｎ+ 領域３
へ導かれ、負電極５から取り出される。このように負電
極５がシリコン基板の裏面側に形成されることから、シ
リコン基板の表面には入射光を遮る電極は存在せず。変
換効率を著しく高めることが可能になる。
【０００５】ところが、上述のような反転層１０を形成
して電子を裏面側から取り出す場合、反転層１０の直列
抵抗が太陽電池素子の変換効率に大きく影響するので、
この反転層１０は直列抵抗を下げるようなものでなけれ
ばならない。また、スルーホールの径が大きいと受光面
積が減少するので、径はできるだけ小さい方が望ましい
が、製造技術上からの制約がある。
して電子を裏面側から取り出す場合、反転層１０の直列
抵抗が太陽電池素子の変換効率に大きく影響するので、
この反転層１０は直列抵抗を下げるようなものでなけれ
ばならない。また、スルーホールの径が大きいと受光面
積が減少するので、径はできるだけ小さい方が望ましい
が、製造技術上からの制約がある。
【０００６】
【発明の目的】本発明は、このような背景のもとに成さ
れたものであり、直列抵抗の増大化を解消した超高効率
の太陽電池素子を提供することを目的とするものであ
る。
れたものであり、直列抵抗の増大化を解消した超高効率
の太陽電池素子を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【発明の構成】本発明によれば、ｐ型単結晶シリコン基
板に複数のスルーホールを設け、このシリコン基板裏面
側のスルーホール近傍にｎ+ 領域を設け、このｎ+ 領域
の近傍にｐ+ 領域を設け、このｐ+ 領域部に正電極を設
け、前記ｎ+ 領域部に負電極を設け、前記シリコン基板
の表面側とスルーホール部の表面にパシベーション層、
電子引付層、および反射防止層を順次設けた太陽電池素
子において、前記電子引付層の電荷密度が３×１０11〜
２×１０13ｃｍ-2であり、且つ前記スルーホールの孔径
が５〜５０μｍで孔間ピッチが１０〜２００μｍである
ことを特徴とする太陽電池素子が提供される。
板に複数のスルーホールを設け、このシリコン基板裏面
側のスルーホール近傍にｎ+ 領域を設け、このｎ+ 領域
の近傍にｐ+ 領域を設け、このｐ+ 領域部に正電極を設
け、前記ｎ+ 領域部に負電極を設け、前記シリコン基板
の表面側とスルーホール部の表面にパシベーション層、
電子引付層、および反射防止層を順次設けた太陽電池素
子において、前記電子引付層の電荷密度が３×１０11〜
２×１０13ｃｍ-2であり、且つ前記スルーホールの孔径
が５〜５０μｍで孔間ピッチが１０〜２００μｍである
ことを特徴とする太陽電池素子が提供される。
【０００８】
【作用】上記のように、電荷密度が３×１０11以上の電
子引付層を形成することによって、シリコン基板表面の
表面ポテンシャルが向上してシリコン基板の表面部分に
形成される反転層の直列抵抗を下げることができるとと
もに、電荷密度が２×１０13ｃｍ-2以下の電荷引付層を
形成することによって、反転層が深くなりすぎることに
よって生じる変換効率の低下を防止でき、さらに孔径が
５〜５０μｍで孔間ピッチが１０〜２００μｍのスルー
ホールを形成することによって、集光面積の低下に伴う
変換効率の低下が防止でき、高効率の太陽電池素子が得
られる。
子引付層を形成することによって、シリコン基板表面の
表面ポテンシャルが向上してシリコン基板の表面部分に
形成される反転層の直列抵抗を下げることができるとと
もに、電荷密度が２×１０13ｃｍ-2以下の電荷引付層を
形成することによって、反転層が深くなりすぎることに
よって生じる変換効率の低下を防止でき、さらに孔径が
５〜５０μｍで孔間ピッチが１０〜２００μｍのスルー
ホールを形成することによって、集光面積の低下に伴う
変換効率の低下が防止でき、高効率の太陽電池素子が得
られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。本発明に係る太陽電池素子の構造自体
は、図１に示す太陽電池素子の構造と同一である。シリ
コン基板１としては、ＣＺ法などによって形成された比
抵抗１〜１００Ωｃｍ程度のｐ型単結晶シリコン基板な
どが好適に用いられる。ｎ+ 領域３とｐ+ 領域４は熱拡
散法やイオン注入法によって形成され、正電極５と負電
極６はアルミニウム、クロム、ニッケル、金、銀などを
用いた蒸着法やスパッタリング法によって形成される。
この電極、特に正電極５は、シリコン基板１の裏面側に
達した光を反射してもう一度シリコン基板１内に戻すこ
とができるようにできるだけ広い領域に亘って形成する
ことが望ましい。また、シリコン基板１の表面とスルー
ホール２部分には、キャリアの再結合を防ぐための厚み
１００Å程度の酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜などから成
るパシベーション層７が熱酸化法やプラズマＣＶＤ法な
どによって形成される。
細に説明する。本発明に係る太陽電池素子の構造自体
は、図１に示す太陽電池素子の構造と同一である。シリ
コン基板１としては、ＣＺ法などによって形成された比
抵抗１〜１００Ωｃｍ程度のｐ型単結晶シリコン基板な
どが好適に用いられる。ｎ+ 領域３とｐ+ 領域４は熱拡
散法やイオン注入法によって形成され、正電極５と負電
極６はアルミニウム、クロム、ニッケル、金、銀などを
用いた蒸着法やスパッタリング法によって形成される。
この電極、特に正電極５は、シリコン基板１の裏面側に
達した光を反射してもう一度シリコン基板１内に戻すこ
とができるようにできるだけ広い領域に亘って形成する
ことが望ましい。また、シリコン基板１の表面とスルー
ホール２部分には、キャリアの再結合を防ぐための厚み
１００Å程度の酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜などから成
るパシベーション層７が熱酸化法やプラズマＣＶＤ法な
どによって形成される。
【００１０】図２に電子引付層８の電荷密度とシリコン
基板１の表面ポテンシャルとの関係を示す。なお、図２
のシリコン基板は、アクセプタとしてボロンを１．５×
１０16個含有するものである。図２で明らかなように、
電子引付層８の電荷密度が１×１０11ｃｍ-2からシリコ
ン基板１の表面ポテンシャルは急上昇し、電子引付層８
の電荷密度が３×１０11ｃｍ-2以上になると表面ポテン
シャルは０．７５Ｖになり、それ以上電荷密度が増加し
ても表面ポテンシャルの増加率は鈍化する。すなわち、
電子引付層８の電荷密度は、３×１０11ｃｍ-2以上あれ
ば、シリコン基板１表面のシート抵抗を充分下げること
ができ、この基板１の表面近傍に反転層１０を形成する
ことができ、且つ反転層１０の直列抵抗が下がることが
分かる。したがって、電子引付層８の電荷密度は、少な
くとも３×１０11ｃｍ-2必要である。
基板１の表面ポテンシャルとの関係を示す。なお、図２
のシリコン基板は、アクセプタとしてボロンを１．５×
１０16個含有するものである。図２で明らかなように、
電子引付層８の電荷密度が１×１０11ｃｍ-2からシリコ
ン基板１の表面ポテンシャルは急上昇し、電子引付層８
の電荷密度が３×１０11ｃｍ-2以上になると表面ポテン
シャルは０．７５Ｖになり、それ以上電荷密度が増加し
ても表面ポテンシャルの増加率は鈍化する。すなわち、
電子引付層８の電荷密度は、３×１０11ｃｍ-2以上あれ
ば、シリコン基板１表面のシート抵抗を充分下げること
ができ、この基板１の表面近傍に反転層１０を形成する
ことができ、且つ反転層１０の直列抵抗が下がることが
分かる。したがって、電子引付層８の電荷密度は、少な
くとも３×１０11ｃｍ-2必要である。
【００１１】図３に、電子引付層８の電荷密度と太陽電
池素子１の変換効率との関係を示す。なお、図３中、○
線はシリコン基板１の比抵抗が１Ωｃｍの場合、△線は
同じく１０Ωｃｍの場合、□線は同じく１００Ωｃｍの
場合であり、スルーホール２部分による入射光損失とシ
ート抵抗による損失は加味されていない。図３で明らか
なように、電子引付層８の電荷密度が２×１０12ｃｍ-2
のときに変換効率は最も高く、それ以後電子引付層８の
電荷密度が増加するにつれて反転層１０は深く形成さ
れ、太陽電池素子の変換効率は徐々に低下し、電子引付
層８の電荷密度が２×１０13ｃｍ-2以上になると変換効
率は２０％を切ってしまう。したがって、電子引付層８
の電荷密度は、多くても２×１０13ｃｍ-2としなければ
ならない。
池素子１の変換効率との関係を示す。なお、図３中、○
線はシリコン基板１の比抵抗が１Ωｃｍの場合、△線は
同じく１０Ωｃｍの場合、□線は同じく１００Ωｃｍの
場合であり、スルーホール２部分による入射光損失とシ
ート抵抗による損失は加味されていない。図３で明らか
なように、電子引付層８の電荷密度が２×１０12ｃｍ-2
のときに変換効率は最も高く、それ以後電子引付層８の
電荷密度が増加するにつれて反転層１０は深く形成さ
れ、太陽電池素子の変換効率は徐々に低下し、電子引付
層８の電荷密度が２×１０13ｃｍ-2以上になると変換効
率は２０％を切ってしまう。したがって、電子引付層８
の電荷密度は、多くても２×１０13ｃｍ-2としなければ
ならない。
【００１２】上述のような電子引付層８は、例えばシラ
ンガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）を用い
たプラズマＣＶＤ法などで形成される。この場合、基板
温度を例えば４００℃に設定して、シランガスとアンモ
ニアガスの流量比（ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ）を例えば０．１
４〜０．５９などに設定して厚み８００Å程度に形成す
る。
ンガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）を用い
たプラズマＣＶＤ法などで形成される。この場合、基板
温度を例えば４００℃に設定して、シランガスとアンモ
ニアガスの流量比（ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ）を例えば０．１
４〜０．５９などに設定して厚み８００Å程度に形成す
る。
【００１３】図４に電子引付層８の電荷密度が２×１０
13ｃｍ-2のときの、スルーホール２の孔径と変換効率の
関係を示す。なお、図４中、黒丸線は孔間ピッチが２０
μｍ、白丸線は孔間ピッチが５０μｍ、黒三角線は孔間
ピッチが１００μｍ、黒四角線は孔間ピッチが１５０μ
ｍ、白四角線は孔間ピッチが２００μｍ、白六角線は孔
間ピッチが３００μｍである。図５に、電子引付層８の
電荷密度が２×１０12ｃｍ-2のときのスルーホール２の
孔径と変換効率の関係を示す。なお、孔間ピッチとは、
スルーホール２の中心から隣接するスルーホール２の中
心までの間隔をいう。図４および図５で明らかなよう
に、孔径が５０μｍ以下で孔間ピッチが２００μｍ以下
であれば、変換効率が２０％以上になる。特に、孔径が
１０μｍで孔間ピッチが５０μｍの場合は最適である。
孔径が５０μｍ以上の場合、および孔間ピッチが２００
μｍ以上の場合は、変換効率は２０％以上にはならな
い。なお、孔径が５μｍ以下で孔間ピッチが１０μｍ以
下のスルーホール２を形成することは、実際的な問題と
して製造技術上の困難が伴う。したがって、スルーホー
ル２の孔径は５〜５０μｍで孔間ピッチは１０〜２００
μｍに設定しなければならない。
13ｃｍ-2のときの、スルーホール２の孔径と変換効率の
関係を示す。なお、図４中、黒丸線は孔間ピッチが２０
μｍ、白丸線は孔間ピッチが５０μｍ、黒三角線は孔間
ピッチが１００μｍ、黒四角線は孔間ピッチが１５０μ
ｍ、白四角線は孔間ピッチが２００μｍ、白六角線は孔
間ピッチが３００μｍである。図５に、電子引付層８の
電荷密度が２×１０12ｃｍ-2のときのスルーホール２の
孔径と変換効率の関係を示す。なお、孔間ピッチとは、
スルーホール２の中心から隣接するスルーホール２の中
心までの間隔をいう。図４および図５で明らかなよう
に、孔径が５０μｍ以下で孔間ピッチが２００μｍ以下
であれば、変換効率が２０％以上になる。特に、孔径が
１０μｍで孔間ピッチが５０μｍの場合は最適である。
孔径が５０μｍ以上の場合、および孔間ピッチが２００
μｍ以上の場合は、変換効率は２０％以上にはならな
い。なお、孔径が５μｍ以下で孔間ピッチが１０μｍ以
下のスルーホール２を形成することは、実際的な問題と
して製造技術上の困難が伴う。したがって、スルーホー
ル２の孔径は５〜５０μｍで孔間ピッチは１０〜２００
μｍに設定しなければならない。
【００１４】上述のようなスルーホール２は、ＹＡＧレ
ーザーあるいはフッ硝酸溶液を用いたエッチングなどに
よって形成することができる。
ーザーあるいはフッ硝酸溶液を用いたエッチングなどに
よって形成することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池素
子によれば、ｐ型単結晶シリコン基板に複数のスルーホ
ールを設け、このシリコン基板裏面側のスルーホール近
傍にｎ+ 領域を設け、このｎ+ 領域の近傍にｐ+ 領域を
設け、このｐ+ 領域部に正電極を設け、前記ｎ+ 領域部
に負電極を設け、前記シリコン基板の表面側とスルーホ
ール部の表面にパシベーション層、電子引付層、および
反射防止層を順次設けた太陽電池素子において、前記電
子引付層の電荷密度が３×１０11〜２×１０13ｃｍ-2で
あり、且つ前記スルーホールの孔径が５〜５０μｍで孔
間ピッチが１０〜２００μｍであることから、シリコン
基板表面の表面ポテンシャルが向上してシリコン基板の
表面に形成される反転層の直列抵抗を下げることができ
るとともに、反転層をシリコン基板の表面近傍に形成し
て変換効率を高めることができ、さらに集光面積の低下
に伴う変換効率の低下も防止でき、高効率の太陽電池素
子が得られる。
子によれば、ｐ型単結晶シリコン基板に複数のスルーホ
ールを設け、このシリコン基板裏面側のスルーホール近
傍にｎ+ 領域を設け、このｎ+ 領域の近傍にｐ+ 領域を
設け、このｐ+ 領域部に正電極を設け、前記ｎ+ 領域部
に負電極を設け、前記シリコン基板の表面側とスルーホ
ール部の表面にパシベーション層、電子引付層、および
反射防止層を順次設けた太陽電池素子において、前記電
子引付層の電荷密度が３×１０11〜２×１０13ｃｍ-2で
あり、且つ前記スルーホールの孔径が５〜５０μｍで孔
間ピッチが１０〜２００μｍであることから、シリコン
基板表面の表面ポテンシャルが向上してシリコン基板の
表面に形成される反転層の直列抵抗を下げることができ
るとともに、反転層をシリコン基板の表面近傍に形成し
て変換効率を高めることができ、さらに集光面積の低下
に伴う変換効率の低下も防止でき、高効率の太陽電池素
子が得られる。
【図１】太陽電池素子の構造を示す図である。
【図２】電子引付層の電荷密度とシリコン基板の表面ポ
テンシャルとの関係を示す図である。
テンシャルとの関係を示す図である。
【図３】電子引付層の電荷密度と太陽電池素子の変換効
率との関係を示す図である。
率との関係を示す図である。
【図４】電子引付層の電荷密度が２×１０13ｃｍ-2のと
きのスルーホールの孔径と変換効率の関係を示す図であ
る。
きのスルーホールの孔径と変換効率の関係を示す図であ
る。
【図５】電子引付層の電荷密度が２×１０12ｃｍ-2のと
きのスルーホールの孔径と変換効率の関係を示す図であ
る。
きのスルーホールの孔径と変換効率の関係を示す図であ
る。
１・・・ｐ型単結晶シリコン基板、２・・・スルーホー
ル、３・・・ｎ+領域、４・・・ｐ+ 領域、５・・・正
電極、６・・・負電極、７・・・パシベーッション層、
８・・・電子引付層、９・・・反射防止層。
ル、３・・・ｎ+領域、４・・・ｐ+ 領域、５・・・正
電極、６・・・負電極、７・・・パシベーッション層、
８・・・電子引付層、９・・・反射防止層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04
Claims (1)
- 【請求項１】 ｐ型単結晶シリコン基板に複数のスルー
ホールを設け、このシリコン基板裏面側のスルーホール
近傍にｎ+ 領域を設け、このｎ+ 領域の近傍にｐ+ 領域
を設け、このｐ+ 領域部に正電極を設け、前記ｎ+ 領域
部に負電極を設け、前記シリコン基板の表面側とスルー
ホール部の表面にパシベーション層、電子引付層、およ
び反射防止層を順次設けた太陽電池素子において、前記
電子引付層の電荷密度が３×１０11〜２×１０13ｃｍ-2
であり、且つ前記スルーホールの孔径が５〜５０μｍで
孔間ピッチが１０〜２００μｍであることを特徴とする
太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3239139A JP2931451B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3239139A JP2931451B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582811A JPH0582811A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2931451B2 true JP2931451B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=17040349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3239139A Expired - Fee Related JP2931451B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2931451B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554031B2 (en) | 2005-03-03 | 2009-06-30 | Sunpower Corporation | Preventing harmful polarization of solar cells |
| JP5172783B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
| US20120152348A1 (en) | 2009-09-28 | 2012-06-21 | Kyocera Corporation | Solar cell element and method for manufacturing solar cell element |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP3239139A patent/JP2931451B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582811A (ja) | 1993-04-02 |
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