JP2929519B2 - 酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリング用の部分的に還元されたスパッタターゲットの製法及びそのようにして製造されたターゲット - Google Patents
酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリング用の部分的に還元されたスパッタターゲットの製法及びそのようにして製造されたターゲットInfo
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化インジウム−酸化
スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリン
グ用の部分的に還元されたスパッタターゲットの加圧支
持焼結を用いる製法に関する。
スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリン
グ用の部分的に還元されたスパッタターゲットの加圧支
持焼結を用いる製法に関する。
【0002】
【従来の技術】酸化インジウム−酸化スズからなる酸化
物磁器ターゲット(ITO)は、透明な導電性薄層をカ
ソードスパッタリング(Sputtern)により製造するため
に使用される。そのような層は、特に平版写真技術(Fla
chbildtechnik)で使用される。酸化インジウム−酸化ス
ズ−薄層は、酸素反応性雰囲気中での金属ターゲットの
スパッタリングによるか又は酸化物磁器ターゲットのス
パッタリングにより製造することができる。
物磁器ターゲット(ITO)は、透明な導電性薄層をカ
ソードスパッタリング(Sputtern)により製造するため
に使用される。そのような層は、特に平版写真技術(Fla
chbildtechnik)で使用される。酸化インジウム−酸化ス
ズ−薄層は、酸素反応性雰囲気中での金属ターゲットの
スパッタリングによるか又は酸化物磁器ターゲットのス
パッタリングにより製造することができる。
【0003】僅かの酸素流量の場合のスパッタ工程の調
整は、金属ターゲットを用いるスパッタリングの場合に
必要であるような高い酸素流量の場合よりも、スパッタ
室中でより容易に可能であることが、酸化物磁器ターゲ
ットを用いるスパッタ工程の利点である。In2O3+S
nO2からなる完全酸化物ターゲットに比べ、化学量論
を下まわる酸素含有率を有するターゲットは、層導電率
を決定する酸素含有率を、層のスパッタリングの間、よ
り大きな範囲で調整できる利点を提供する。更に、この
部分的に還元されたターゲットの場合は、完全酸化物タ
ーゲットの場合よりも、作業範囲、即ち最適な層導電率
の範囲は、酸素流量に依存してより広い。
整は、金属ターゲットを用いるスパッタリングの場合に
必要であるような高い酸素流量の場合よりも、スパッタ
室中でより容易に可能であることが、酸化物磁器ターゲ
ットを用いるスパッタ工程の利点である。In2O3+S
nO2からなる完全酸化物ターゲットに比べ、化学量論
を下まわる酸素含有率を有するターゲットは、層導電率
を決定する酸素含有率を、層のスパッタリングの間、よ
り大きな範囲で調整できる利点を提供する。更に、この
部分的に還元されたターゲットの場合は、完全酸化物タ
ーゲットの場合よりも、作業範囲、即ち最適な層導電率
の範囲は、酸素流量に依存してより広い。
【0004】***特許(DE−OS)第3300525
号明細書中に、部分的に還元された酸化インジウム−酸
化スズ−ターゲット及びその製造が記載されている。そ
れによれば、酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物
は、還元条件下で、850℃〜1000℃で高温圧縮さ
れ、その際、酸化物は、グラファイト熱プレス型中で又
は炭素又は炭素遊離有機材料の添加により高温圧縮され
る。この圧縮工程の間、酸化物は部分的に還元されるの
で、化学量論的組成に比べ酸素含有率の減じたターゲッ
トが生じる。
号明細書中に、部分的に還元された酸化インジウム−酸
化スズ−ターゲット及びその製造が記載されている。そ
れによれば、酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物
は、還元条件下で、850℃〜1000℃で高温圧縮さ
れ、その際、酸化物は、グラファイト熱プレス型中で又
は炭素又は炭素遊離有機材料の添加により高温圧縮され
る。この圧縮工程の間、酸化物は部分的に還元されるの
で、化学量論的組成に比べ酸素含有率の減じたターゲッ
トが生じる。
【0005】この方法を用いて、密度<理論的密度(T
D)の91%、より劣悪な導電率(ρ=0.1〜0.6
Ωcm)及び不十分な機械的安定性を有するターゲット
を製造することができる。3つのファクター全ては、ス
パッタターゲットとしての使用に対しマイナスに作用す
る。更に、この方法で、還元度を再生可能に調整し、か
つターゲット上を均一に調整することは難しい。
D)の91%、より劣悪な導電率(ρ=0.1〜0.6
Ωcm)及び不十分な機械的安定性を有するターゲット
を製造することができる。3つのファクター全ては、ス
パッタターゲットとしての使用に対しマイナスに作用す
る。更に、この方法で、還元度を再生可能に調整し、か
つターゲット上を均一に調整することは難しい。
【0006】***特許第4124471号明細書中に、
ITO−ターゲットの製法が記載されており、そこで
は、非常に一様な還元度を有するターゲットが、予め還
元された粉末の使用により高温圧縮又は高温等圧圧縮に
より製造することができる。しかしながら、粉末還元の
工程は非常に時間及び費用がかかることが判明してい
る。更に、還元度の十分良好な再生可能性を達成するた
めに、より高い出費が必要である。
ITO−ターゲットの製法が記載されており、そこで
は、非常に一様な還元度を有するターゲットが、予め還
元された粉末の使用により高温圧縮又は高温等圧圧縮に
より製造することができる。しかしながら、粉末還元の
工程は非常に時間及び費用がかかることが判明してい
る。更に、還元度の十分良好な再生可能性を達成するた
めに、より高い出費が必要である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、ターゲットの還元度を簡単で再生可能な方法で調整
できる、カソードスパッタリング用の高密度で部分的に
還元された酸化インジウム−酸化スズ−ターゲットの製
法を得ることである。
は、ターゲットの還元度を簡単で再生可能な方法で調整
できる、カソードスパッタリング用の高密度で部分的に
還元された酸化インジウム−酸化スズ−ターゲットの製
法を得ることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
り、スズ含有成分を少なくとも一部分SnOから形成
し、かつ圧縮前にIn2O3と一緒に混合処理を施すこと
により解決される。他の詳細及び特徴は特許請求項から
明らかとなる。
り、スズ含有成分を少なくとも一部分SnOから形成
し、かつ圧縮前にIn2O3と一緒に混合処理を施すこと
により解決される。他の詳細及び特徴は特許請求項から
明らかとなる。
【0009】本発明による解決により、粉末還元の費用
のかかる難しい工程は不必要となるに至った。更に、前
記の還元度の保持は簡単となる。層製造の際に、後者は
大きな利点も有する。それというのも、ターゲットの一
定の還元度の場合にのみ、層製造の際の一定の条件、特
にスパッタ工程での一定の酸素流量を用いても作業する
ことができるからである。
のかかる難しい工程は不必要となるに至った。更に、前
記の還元度の保持は簡単となる。層製造の際に、後者は
大きな利点も有する。それというのも、ターゲットの一
定の還元度の場合にのみ、層製造の際の一定の条件、特
にスパッタ工程での一定の酸素流量を用いても作業する
ことができるからである。
【0010】意想外にも、In2O3、SnO2及びSn
Oからの混合物の加圧支持焼結により高密度及び機械的
に安定なターゲットを製造することができ、その際、次
式:
Oからの混合物の加圧支持焼結により高密度及び機械的
に安定なターゲットを製造することができ、その際、次
式:
【0011】
【数1】
【0012】(x:完全酸化物のターゲットのSnO2
の重量部;例えばITO 90/10についてはx=
0.1)で定義された還元度は、SnO2をSnOで部
分的又は完全に置換するだけで調整できることが判明し
た。通常使用される化学量論In2O390重量%+S
nO210重量%に関しては、例えば還元度0〜6.0
%が可能である。
の重量部;例えばITO 90/10についてはx=
0.1)で定義された還元度は、SnO2をSnOで部
分的又は完全に置換するだけで調整できることが判明し
た。通常使用される化学量論In2O390重量%+S
nO210重量%に関しては、例えば還元度0〜6.0
%が可能である。
【0013】混合のためには、慣用法、例えばロールミ
キサー、V−ミキサー、ボールミル、非対称運動ミキサ
ー(Taumelmischer)、ドラムミキサー等々を使用でき、
その際、粉末の流動性に応じて、例えばH2O又は有機
液体を用いて湿めらすか又は乾燥させて、混合を行うこ
とができる。加圧支持焼結は、高温圧縮並びに高温等圧
圧縮で行うことができる。その際、500〜1200℃
及び圧力少なくとも100バールで緊密化を行うべきで
ある。高密度は、有利に、1000バールより高い圧力
で得られる。
キサー、V−ミキサー、ボールミル、非対称運動ミキサ
ー(Taumelmischer)、ドラムミキサー等々を使用でき、
その際、粉末の流動性に応じて、例えばH2O又は有機
液体を用いて湿めらすか又は乾燥させて、混合を行うこ
とができる。加圧支持焼結は、高温圧縮並びに高温等圧
圧縮で行うことができる。その際、500〜1200℃
及び圧力少なくとも100バールで緊密化を行うべきで
ある。高密度は、有利に、1000バールより高い圧力
で得られる。
【0014】
【実施例】次の実施例により本発明によるターゲットの
製造を詳説する。
製造を詳説する。
【0015】例1:6%還元されたITO(10)混合
物のために、In2O3900g及びSnO89.4g
を、非対称運動ミキサー中で60分間混合した。そうし
て得られた粉末を先ず低温等圧で前圧縮し、引き続い
て、内張りされたスチール罐中で、高温等圧圧縮機で、
850℃及び200MPaで3時間緊密化した。得られ
た酸化インジウム−酸化スズ−物質は、理論的密度の9
6%に相当する6.87g/cm3の密度を有し、かつ
還元度5.9%を有した。機械的処理は、問題無く実施
することができた。ターゲットのスパッタリングの間、
「アーキング(Arcing)」は観察されなかった。スパッタ
率は、他の高密度の部分還元されたITO−ターゲット
に関し発見されたものと比較可能であった。
物のために、In2O3900g及びSnO89.4g
を、非対称運動ミキサー中で60分間混合した。そうし
て得られた粉末を先ず低温等圧で前圧縮し、引き続い
て、内張りされたスチール罐中で、高温等圧圧縮機で、
850℃及び200MPaで3時間緊密化した。得られ
た酸化インジウム−酸化スズ−物質は、理論的密度の9
6%に相当する6.87g/cm3の密度を有し、かつ
還元度5.9%を有した。機械的処理は、問題無く実施
することができた。ターゲットのスパッタリングの間、
「アーキング(Arcing)」は観察されなかった。スパッタ
率は、他の高密度の部分還元されたITO−ターゲット
に関し発見されたものと比較可能であった。
【0016】例2: 6%還元されたITO(10)混合物のために、In2
O3900g及びSnO89.4gを、セラミックボー
ルの添加下に、ボールミル中で30分間混合した。そう
して得られた粉末をBNで被覆されたグラフアイト型中
に流し込み、引き続いて、高温圧縮機で、アルゴン雰囲
気下に900℃で最大圧縮圧180MPaを用いて圧縮
した。そうして得られた平板は、理論的密度の89%に
相当する6.37g/cm3の密度を有した。解析され
た還元度は、6.8%であった。機械的処理は、問題な
く実施することができた。ターゲットのスパッタリング
の間、非常にまばらな「アーキング」のみ観察された。
スパッタ率は、類似密度の他のITOターゲットに関し
発見されたものと比較可能であった。
O3900g及びSnO89.4gを、セラミックボー
ルの添加下に、ボールミル中で30分間混合した。そう
して得られた粉末をBNで被覆されたグラフアイト型中
に流し込み、引き続いて、高温圧縮機で、アルゴン雰囲
気下に900℃で最大圧縮圧180MPaを用いて圧縮
した。そうして得られた平板は、理論的密度の89%に
相当する6.37g/cm3の密度を有した。解析され
た還元度は、6.8%であった。機械的処理は、問題な
く実施することができた。ターゲットのスパッタリング
の間、非常にまばらな「アーキング」のみ観察された。
スパッタ率は、類似密度の他のITOターゲットに関し
発見されたものと比較可能であった。
【0017】例3:3%還元されたITO(10)混合
物のために、In2O3900g、SnO250g及びS
nO44.7gを、ドラム中のローラー台上で3時間混
合した。そうして得られた粉末を先ず低温等圧で前圧縮
し、引き続いて、内張りされた銅罐中で、高温等圧圧縮
機で、750℃及び圧力200MPaで緊密化した。得
られた酸化インジウム−酸化スズ−物質は、理論的密度
の97%に相当する6.95g/cm3の密度を有し、
かつ還元度2.9%を有した。機械的処理は、問題無く
実施することができた。ターゲットのスパッタリングの
間、「アーキング」は観察されなかった。スパッタ率
は、他の高密度の部分還元されたITO−ターゲットに
関し発見されたものと比較可能であった。
物のために、In2O3900g、SnO250g及びS
nO44.7gを、ドラム中のローラー台上で3時間混
合した。そうして得られた粉末を先ず低温等圧で前圧縮
し、引き続いて、内張りされた銅罐中で、高温等圧圧縮
機で、750℃及び圧力200MPaで緊密化した。得
られた酸化インジウム−酸化スズ−物質は、理論的密度
の97%に相当する6.95g/cm3の密度を有し、
かつ還元度2.9%を有した。機械的処理は、問題無く
実施することができた。ターゲットのスパッタリングの
間、「アーキング」は観察されなかった。スパッタ率
は、他の高密度の部分還元されたITO−ターゲットに
関し発見されたものと比較可能であった。
【0018】例43%還元されたITO(5)混合物の
ために、In2O3950g及びSnO44.7gを、非
対称運動ミキサー中で60分間混合した。そうして得ら
れた粉末を低温等圧で前圧縮し、引き続いて、内張りさ
れたスチール罐中で、高温等圧圧縮機で、800℃及び
圧力200MPaで緊密化した。得られた酸化インジウ
ム−酸化スズ−物質は、理論的密度の97%に相当する
6.94g/cm3の密度を有し、かつ還元度2.9%
を有した。機械的処理は、問題無く実施することができ
た。ターゲットのスパッタリングの間、「アーキング」
は観察されなかった。スパッタ率は、他の高密度の部分
還元されたITO−ターゲットに関し発見されたものと
比較可能であった。
ために、In2O3950g及びSnO44.7gを、非
対称運動ミキサー中で60分間混合した。そうして得ら
れた粉末を低温等圧で前圧縮し、引き続いて、内張りさ
れたスチール罐中で、高温等圧圧縮機で、800℃及び
圧力200MPaで緊密化した。得られた酸化インジウ
ム−酸化スズ−物質は、理論的密度の97%に相当する
6.94g/cm3の密度を有し、かつ還元度2.9%
を有した。機械的処理は、問題無く実施することができ
た。ターゲットのスパッタリングの間、「アーキング」
は観察されなかった。スパッタ率は、他の高密度の部分
還元されたITO−ターゲットに関し発見されたものと
比較可能であった。
【0019】例5:3%還元されたITO(5)混合物
のために、In2O3950g及びSnO44.7gを、
ドラム中のローラー台上で6時間混合した。そうして得
られた粉末をBNで被覆されたグラファイト型中に流し
込み、引き続いて、高温圧縮機で、アルゴン雰囲気下に
920℃で最大圧縮圧150MPaを用いて圧縮した。
そうして得られた平板は、理論的密度の87%に相当す
る6.23g/cm3の密度を有した。還元度は4%で
あった。機械的処理は、問題なく実施することができ
た。ターゲットのスパッタリングの間、非常にまばらな
「アーキング」のみ観察された。スパッタ率は、類似密
度の他のITO−ターゲットに関し発見されたものと比
較可能であった。
のために、In2O3950g及びSnO44.7gを、
ドラム中のローラー台上で6時間混合した。そうして得
られた粉末をBNで被覆されたグラファイト型中に流し
込み、引き続いて、高温圧縮機で、アルゴン雰囲気下に
920℃で最大圧縮圧150MPaを用いて圧縮した。
そうして得られた平板は、理論的密度の87%に相当す
る6.23g/cm3の密度を有した。還元度は4%で
あった。機械的処理は、問題なく実施することができ
た。ターゲットのスパッタリングの間、非常にまばらな
「アーキング」のみ観察された。スパッタ率は、類似密
度の他のITO−ターゲットに関し発見されたものと比
較可能であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルティン ヴァイゲルト ドイツ連邦共和国 ハーナウ レントゲ ンシュトラーセ 2 (72)発明者 ヴォルフガンク ダウト ドイツ連邦共和国 フランクフルト ア ム マイン グローセ リッターガッセ 7 (72)発明者 ブルース ゲーマン アメリカ合衆国 カリフォルニア モー ガン ヒル レイクヴュウドライヴ 17430 (56)参考文献 特開 平3−295114(JP,A) ***国特許4124471(DE,B) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C23C 14/34 C23C 14/08
Claims (2)
- 【請求項1】 酸化インジウム一酸化スズ粉末混合物を
基礎とし、還元度が2.0〜7.0%である、カソード
スパッタリング用の部分的に還元されたスパッタターゲ
ットを製造する方法において、SnOまたはSnOとS
nO 2 の混合物からなるスズ含有成分を、In2O3と
一緒に混合処理を施し、酸素不含の雰囲気下で高温等圧
圧縮による加圧支持焼結を行うことを特徴とする、酸化
インジウム一酸化スズ粉末混合物を基礎とし、還元度が
2.0〜7.0%である、カソードスパッタリング用の
スパッタターゲットを製造する方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の方法により製造され、酸
化インジウム一酸化スズ粉末混合物を基礎とし、還元度
が2.0〜7.0%である、カソードスパッタリング用
の、酸化インジウム一酸化スズスパッタターゲット。
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Citations (1)
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---|---|---|---|---|
DE4124471C1 (en) | 1991-07-24 | 1992-06-11 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De | Target for cathodic sputtering - produced from partially reduced mixtures of indium oxide and tin oxide by hot pressing in inert protective gas |
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