JP3184977B2 - Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法Info
- Publication number
- JP3184977B2 JP3184977B2 JP18512990A JP18512990A JP3184977B2 JP 3184977 B2 JP3184977 B2 JP 3184977B2 JP 18512990 A JP18512990 A JP 18512990A JP 18512990 A JP18512990 A JP 18512990A JP 3184977 B2 JP3184977 B2 JP 3184977B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- sintered body
- pressure
- ito
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）技術分野 本発明は、透明導電膜形成用の高密度ITO（錫を含有
する酸化インジウムのことで、Indium−Tin−Oxideの略
称）スパッタリングターゲット材の製造方法に関するも
のである。
する酸化インジウムのことで、Indium−Tin−Oxideの略
称）スパッタリングターゲット材の製造方法に関するも
のである。
（ロ）従来技術 薄膜技術の発達に伴ない、表示素子分野などでは透明
導電膜が太陽電池や液晶ディスプレイ等に利用されて来
ており、その中でも酸化インジウムおよび酸化錫からな
るIn2O3・SnO2（ITO）膜は光透過性や導電性等の特性を
有することから、酸化物系透明導電膜として広範囲に利
用されている。
導電膜が太陽電池や液晶ディスプレイ等に利用されて来
ており、その中でも酸化インジウムおよび酸化錫からな
るIn2O3・SnO2（ITO）膜は光透過性や導電性等の特性を
有することから、酸化物系透明導電膜として広範囲に利
用されている。
ITOからなる透明導電膜の作製法としては、塗布法、C
VD法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、インジウム−錫
メタルターゲットを用いた反応性スパッタ法、およびIT
Oターゲットを用いたスパッタリング法等が提案されて
いるが、このうちITOターゲットを用いたスパッタリン
グ法が主流となっているのが現状である。
VD法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、インジウム−錫
メタルターゲットを用いた反応性スパッタ法、およびIT
Oターゲットを用いたスパッタリング法等が提案されて
いるが、このうちITOターゲットを用いたスパッタリン
グ法が主流となっているのが現状である。
このITOターゲットの成形方法としては、下記の諸法
が提案されているが、未だ多くの解決すべき問題点があ
る。
が提案されているが、未だ多くの解決すべき問題点があ
る。
Ｉ）熱間加圧成形法：（特開昭61−55811号公報参照） この方法はIn2O3とSnO2の粉末材料を高温高圧（1ton/
cm2で１×103℃程度以上）で圧搾して板状成形体を作製
するため、簡単に高密度化できるが、装置及び型が極め
て高価となり、生産性も１〜10枚/1〜２日程度と悪いの
で極めて高価なターゲットとなる。
cm2で１×103℃程度以上）で圧搾して板状成形体を作製
するため、簡単に高密度化できるが、装置及び型が極め
て高価となり、生産性も１〜10枚/1〜２日程度と悪いの
で極めて高価なターゲットとなる。
II）冷間静水圧プレス法：（特開平１−290551号公報参
照） ITO粉末をバインダーと共に金型に装入し、加圧して
予備成形体を作り、該予備成形体を脱脂後5ton/cm2程度
で再プレスした後、焼成する方法であるため、製造工程
が極めて複雑で多工程を必要とする上、更に高圧処理を
必要とするので技術的、経済的に問題があり、実用的で
ない。
照） ITO粉末をバインダーと共に金型に装入し、加圧して
予備成形体を作り、該予備成形体を脱脂後5ton/cm2程度
で再プレスした後、焼成する方法であるため、製造工程
が極めて複雑で多工程を必要とする上、更に高圧処理を
必要とするので技術的、経済的に問題があり、実用的で
ない。
III）鋳込み成形法：（特開平１−290550号公報参照） 酸化インジウム−酸化錫の成形体を泥漿鋳込み成型法
により成形し、該成形体を焼成する方法であり、この方
法ではスラリーの流動特性の適正化を図ると粉の焼結性
が劣化するため、高密度化にはおのずから限界がある。
により成形し、該成形体を焼成する方法であり、この方
法ではスラリーの流動特性の適正化を図ると粉の焼結性
が劣化するため、高密度化にはおのずから限界がある。
以上列記したようなITOターゲットの高密度化を実現
するために、熱間加圧成形法を用いたり、３〜5ton/cm2
の高圧で再プレスを行なったり、又は高濃度のスラリー
を型に流し込んで鋳込むことで、一応相対密度70％以上
の成形体が得られるが、上記のように各方法とも解決す
べき問題点が多い。
するために、熱間加圧成形法を用いたり、３〜5ton/cm2
の高圧で再プレスを行なったり、又は高濃度のスラリー
を型に流し込んで鋳込むことで、一応相対密度70％以上
の成形体が得られるが、上記のように各方法とも解決す
べき問題点が多い。
また、通常の冷間加圧成形法や常圧焼結法では相対密
度が60％程度であって高密度とはいえず、所期の目的を
達し得ないのである。
度が60％程度であって高密度とはいえず、所期の目的を
達し得ないのである。
（ハ）発明の開示 本発明は上記のような状況に鑑み、冷間加圧成形法お
よび常圧焼結法による高密度ITOターゲット材について
検討の結果、原料粉体の比表面積値あるいは粉体を構成
する平均結晶子径が目的とする焼結体密度に著しく影響
を及ぼすとの知見を得、ITOターゲット製造時の原料粉
（主原料である酸化インジウム）の比表面積値（又は結
晶子径）を微細粒子範囲に限定することにより、特殊な
高温高圧処理を行なうことなく、通常のセラミックスの
成形及び焼成条件で、高密度ITOターゲットを製造する
ことができる方法を見出したのである。
よび常圧焼結法による高密度ITOターゲット材について
検討の結果、原料粉体の比表面積値あるいは粉体を構成
する平均結晶子径が目的とする焼結体密度に著しく影響
を及ぼすとの知見を得、ITOターゲット製造時の原料粉
（主原料である酸化インジウム）の比表面積値（又は結
晶子径）を微細粒子範囲に限定することにより、特殊な
高温高圧処理を行なうことなく、通常のセラミックスの
成形及び焼成条件で、高密度ITOターゲットを製造する
ことができる方法を見出したのである。
即ち、本発明は、全体の85〜95wt％が比表面積値20〜
40m2/gの酸化インジウムである原料を圧力1.5〜3ton/cm
2で冷間加圧成形した後、1450℃を越える温度で常圧焼
成することにより、相対密度90％以上の焼結体を得るこ
とを特徴とするITOスパッタリングターゲット材を製造
する方法に関するものである。
40m2/gの酸化インジウムである原料を圧力1.5〜3ton/cm
2で冷間加圧成形した後、1450℃を越える温度で常圧焼
成することにより、相対密度90％以上の焼結体を得るこ
とを特徴とするITOスパッタリングターゲット材を製造
する方法に関するものである。
次に、本発明の方法を詳細に説明する。
本発明者等は上記の知見に基き、多くの試作・実験を
重ね、原料粉末である酸化インジウムの比表面積を大き
くすること、換言すれば原料粉末の平均結晶子径を超微
細な粒子範囲に限定することにより、冷間成形圧力:1.5
〜3ton/cm2,焼成温度：大気中1450℃を越える1600℃以
下の温度の条件で成形・焼成することにより、相対密度
90％以上の焼結体が得られることを見出したのである。
重ね、原料粉末である酸化インジウムの比表面積を大き
くすること、換言すれば原料粉末の平均結晶子径を超微
細な粒子範囲に限定することにより、冷間成形圧力:1.5
〜3ton/cm2,焼成温度：大気中1450℃を越える1600℃以
下の温度の条件で成形・焼成することにより、相対密度
90％以上の焼結体が得られることを見出したのである。
原料粉末の比表面積値としては、20〜40m2/gであり、
この条件範囲の原料粉末である酸化インジウムを使用す
ることにより、相対密度の高い焼結体が得られるのであ
る。
この条件範囲の原料粉末である酸化インジウムを使用す
ることにより、相対密度の高い焼結体が得られるのであ
る。
本発明で使用する酸化インジウム粉末としては、比表
面積値20〜40m2/g、換言すれば平均結晶子径として0.01
〜0.05μｍの範囲のものであれば、通常の市販品の酸化
インジウム粉と酸化錫粉末とを所定割合に混合したも
の、あるいは共沈法で製造した粉末でも差支えなく、更
に導電性および光透過性向上のために第三成分を微量添
加しても良い。
面積値20〜40m2/g、換言すれば平均結晶子径として0.01
〜0.05μｍの範囲のものであれば、通常の市販品の酸化
インジウム粉と酸化錫粉末とを所定割合に混合したも
の、あるいは共沈法で製造した粉末でも差支えなく、更
に導電性および光透過性向上のために第三成分を微量添
加しても良い。
酸化インジウムの配合比としては、原料全体の85〜95
wt％が相対密度90％以上の焼結体を得るために必要であ
る。
wt％が相対密度90％以上の焼結体を得るために必要であ
る。
次に、成形方法としては、金型を用いた冷間加圧成形
でも、ゴム型を用いた冷間静水圧成形法でも良いが、原
料粉末の比表面積値が20〜40m2/gと大きいため、スラリ
ー化した時の粘性が高くなり、鋳込み成形法は適切とは
いえない。
でも、ゴム型を用いた冷間静水圧成形法でも良いが、原
料粉末の比表面積値が20〜40m2/gと大きいため、スラリ
ー化した時の粘性が高くなり、鋳込み成形法は適切とは
いえない。
成形時の成形圧力としては、冷間成形圧力1.5〜3ton/
cm2で、更に焼結体の相対密度を90％以上にするために
は少なくとも1.5ton/cm2以上が必要なのである。
cm2で、更に焼結体の相対密度を90％以上にするために
は少なくとも1.5ton/cm2以上が必要なのである。
本発明は上記のように構成されてなり、比表面積値20
〜40m2/gの酸化インジウム粉末を85〜95wt％と、酸化錫
を５〜15wt％、その他不可避不純物からなる原料粉末を
使用し、冷間加圧成形法で圧力1.5〜3ton/cm2で成形
し、1450℃を越える温度で常圧焼結法により焼結して製
造された相対密度90％以上の高密度ITOスパッタリング
材の製造方法である。
〜40m2/gの酸化インジウム粉末を85〜95wt％と、酸化錫
を５〜15wt％、その他不可避不純物からなる原料粉末を
使用し、冷間加圧成形法で圧力1.5〜3ton/cm2で成形
し、1450℃を越える温度で常圧焼結法により焼結して製
造された相対密度90％以上の高密度ITOスパッタリング
材の製造方法である。
上記の比表面積値20〜60m2/gの微粉末は、透過型電子
顕微鏡で精査の結果、一次粒子が0.01〜0.05μｍの範囲
であり、この一次粒子を「結晶子」と呼称した。即ち、
平均結晶子径0.01〜0.05μｍ粉末が比表面積20〜60m2/g
の粉末に相当するのである。
顕微鏡で精査の結果、一次粒子が0.01〜0.05μｍの範囲
であり、この一次粒子を「結晶子」と呼称した。即ち、
平均結晶子径0.01〜0.05μｍ粉末が比表面積20〜60m2/g
の粉末に相当するのである。
次に、本発明を実施例により説明する。
（ニ）実施例 実施例１ 比表面積36m2/gの酸化インジウム微粉末190gと酸化錫
微粉末10gを採取し、この原料粉末に対して10wt％の水
をバインダーとして添加し、メノウ製自動乳鉢で５時間
混合してITO粉を得た。
微粉末10gを採取し、この原料粉末に対して10wt％の水
をバインダーとして添加し、メノウ製自動乳鉢で５時間
混合してITO粉を得た。
このITO粉を目開き200μｍの篩で造粒した後、内径2
5.4mmφの金型に充填して約10gのペレットとし、1.5ton
/cm2で冷間加圧成形した後、1500℃で１時間常圧焼成し
て焼結体を製造した。この焼結体の相対密度は90.2％で
あった。
5.4mmφの金型に充填して約10gのペレットとし、1.5ton
/cm2で冷間加圧成形した後、1500℃で１時間常圧焼成し
て焼結体を製造した。この焼結体の相対密度は90.2％で
あった。
実施例２ また、上記と同様の原料粉末を使用し、同様の操作を
行ない、加圧成形圧を3.0ton/cm2で成形した後、1500℃
で１時間常圧焼成して焼結体を製造した。その結果、焼
結体の相対密度は94.5％であった。
行ない、加圧成形圧を3.0ton/cm2で成形した後、1500℃
で１時間常圧焼成して焼結体を製造した。その結果、焼
結体の相対密度は94.5％であった。
比較例１ また、上記実施例と同様の原料粉末を使用して同様の
操作を行ない、加圧成形圧を0.25ton/cm2で成形した
後、1500℃で１時間常圧焼成して焼結体を製造した。そ
の結果、焼結体の相対密度は73.0％であった。
操作を行ない、加圧成形圧を0.25ton/cm2で成形した
後、1500℃で１時間常圧焼成して焼結体を製造した。そ
の結果、焼結体の相対密度は73.0％であった。
比較例２ 比表面積36m2/gの酸化インジウム3800gと酸化錫微粉
末200gを採取し、この原料粉末に対して10wt％の水をバ
インダーとして添加し、実施例１と同様に混合・造粒処
理した後、150×450mmの金型に充填し、1ton/cm2の圧力
で冷間加圧成形した後、1500℃で３時間常圧焼成して焼
結体を製造した。
末200gを採取し、この原料粉末に対して10wt％の水をバ
インダーとして添加し、実施例１と同様に混合・造粒処
理した後、150×450mmの金型に充填し、1ton/cm2の圧力
で冷間加圧成形した後、1500℃で３時間常圧焼成して焼
結体を製造した。
この焼結体の相対密度は84.0％であった。
比較例３ 比表面積55m2/gのインジウム微粉末190gと酸化錫微粉
末10gを採取し、この原料粉末に対して10wt％の水をバ
インダーとして添加し、メノウ製自動乳鉢で５時間混合
し、ITO粉を得た。このITO粉を目開き200μｍの篩で裏
ごしして造粒し、内径25.4mmφの金型に約10g充填し、
成形圧力1.5ton/cm2で冷間成形した後、1500℃で１時間
常圧焼結して焼結体を製造した。
末10gを採取し、この原料粉末に対して10wt％の水をバ
インダーとして添加し、メノウ製自動乳鉢で５時間混合
し、ITO粉を得た。このITO粉を目開き200μｍの篩で裏
ごしして造粒し、内径25.4mmφの金型に約10g充填し、
成形圧力1.5ton/cm2で冷間成形した後、1500℃で１時間
常圧焼結して焼結体を製造した。
この焼結体の相対密度は83.5％であった。
比較例４ 比表面積6m2/gと8m2/gの酸化インジウム微粉末を各準
備し、各酸化インジウム微粉末に酸化錫微粉末を各5wt
％となるように配合し、更にバインダーとして水を各10
wt％となるように添加した後、実施例１と同様に各配合
原料粉をメノウ製自動乳鉢で５時間混合し、各ITO粉を
得た。
備し、各酸化インジウム微粉末に酸化錫微粉末を各5wt
％となるように配合し、更にバインダーとして水を各10
wt％となるように添加した後、実施例１と同様に各配合
原料粉をメノウ製自動乳鉢で５時間混合し、各ITO粉を
得た。
このITO粉を目開き200μｍの篩で裏ごしして造粒し、
内径25.4mmφの金型にそれぞれ約10g充填し、成形圧力1
ton/cm2で冷間加圧成形した後、1500℃で１時間常圧焼
成して焼結体を製造した。
内径25.4mmφの金型にそれぞれ約10g充填し、成形圧力1
ton/cm2で冷間加圧成形した後、1500℃で１時間常圧焼
成して焼結体を製造した。
各焼結体の相対密度は、比表面積6m2/gの酸化インジ
ウムを主原料粉とした焼結体の相対密度は56.3％であ
り、比表面積8m2/gの場合の相対密度は60.1％であっ
た。
ウムを主原料粉とした焼結体の相対密度は56.3％であ
り、比表面積8m2/gの場合の相対密度は60.1％であっ
た。
（ホ）発明の効果 本発明法は上述したように、従来のような特殊な高温
・高圧処理や特殊で高価な装置を使用することなく、通
常のセラミックス製造プロセスと同様な簡単な工程で、
冷間成形圧力も低く、生産性も１時間当り20〜30枚程度
と高いので、低コストでの量産が可能となる。
・高圧処理や特殊で高価な装置を使用することなく、通
常のセラミックス製造プロセスと同様な簡単な工程で、
冷間成形圧力も低く、生産性も１時間当り20〜30枚程度
と高いので、低コストでの量産が可能となる。
また、本発明によれば、常圧焼結法で従来法では達成
できなかった高密度の透明導電膜スパッタリングターゲ
ット材が実現できたのである。
できなかった高密度の透明導電膜スパッタリングターゲ
ット材が実現できたのである。
しかも、本発明によれば到達相対密度が高いので、高
品質の透明導電膜用ターゲットを製造することができる
のである。
品質の透明導電膜用ターゲットを製造することができる
のである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 理子 東京都八王子市戸吹町277番地１ 同和 鉱業株式会社中央研究所内 (72)発明者 阿部 正春 東京都八王子市戸吹町277番地１ 同和 鉱業株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 平２−225366（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−51409（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−290551（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−43356（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−297812（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−297813（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C04B 35/495 H01B 5/14 H01B 13/00 503
Claims (1)
- 【請求項１】全体の85〜95wt％が比表面積値20〜40m2/g
の酸化インジウムである原料を、圧力1.5〜3ton/cm2で
冷間加圧成形した後、1450℃を超える温度で常圧焼成す
ることにより、相対密度90％以上の焼結体を得ることを
特徴とするITOスパッタリングターゲット材の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18512990A JP3184977B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18512990A JP3184977B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11163949A Division JP2000080469A (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | Ｉｔｏスパッタリングタ―ゲット材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474860A JPH0474860A (ja) | 1992-03-10 |
| JP3184977B2 true JP3184977B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=16165383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18512990A Expired - Fee Related JP3184977B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3184977B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
| US6582641B1 (en) | 1994-08-25 | 2003-06-24 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets |
| US7799312B2 (en) | 2002-03-22 | 2010-09-21 | Samsung Corning Precision Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing high-density indium tin oxide target, methods for preparing tin oxide powder and indium oxide powder used therefor |
| CN115893989A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-04 | 芜湖映日科技股份有限公司 | 一种细化ito靶材微观晶粒结构增强机械强度的工艺方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0811711B2 (ja) * | 1988-05-16 | 1996-02-07 | 東ソー株式会社 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPH0243356A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-13 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPH02297812A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-12-10 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲツト |
| JPH0668935B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1994-08-31 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲット |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP18512990A patent/JP3184977B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0474860A (ja) | 1992-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0342537B1 (en) | Process for the manufacture of a sputtering target for producing electroconductive transparent films | |
| JP5376117B2 (ja) | ＺｎＯスパッタリングターゲットとその製造方法 | |
| KR950032700A (ko) | 투명한 도전막을 제조하기 위한 캐소드 스퍼터링용 타겟 | |
| JP3827334B2 (ja) | Ｉｔｏ焼結体及びスパッタリングターゲット | |
| JP3184977B2 (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| CN105669186B (zh) | 高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法 | |
| JP2006022373A (ja) | 透明導電性薄膜作製用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH0570943A (ja) | スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材 | |
| KR20020079422A (ko) | Ｉｔｏ 스퍼터링 타겟 및 이의 제조 방법 | |
| JP4196805B2 (ja) | 酸化インジウム系ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2007119805A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2000080469A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングタ―ゲット材 | |
| JP2570832B2 (ja) | 良導電性インジウムースズ酸化物焼結体の製造法 | |
| JP4120351B2 (ja) | 高濃度酸化スズｉｔｏターゲットとその製造方法 | |
| KR100628542B1 (ko) | 금속산화물 소결체 및 그 용도 | |
| JP2750483B2 (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| JP2904358B2 (ja) | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 | |
| JPH0243356A (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2569774B2 (ja) | インジウム‐スズ酸化物焼結体の製造法 | |
| JP3496239B2 (ja) | Ｉｔｏ焼結体およびスパッタリングターゲット | |
| JPH0811711B2 (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH0598436A (ja) | Ｉｔｏスパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 | |
| JPH09104973A (ja) | スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法 | |
| JP2003002749A (ja) | 酸化インジウム粉末およびｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH04293769A (ja) | 低温成膜用ｉｔｏスパッタリングタ−ゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |