JP2924664B2 - 微細セラミックス構造体の形成方法 - Google Patents
微細セラミックス構造体の形成方法Info
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Description
造体の形成方法に関するものであり、特に、医療用超音
波発振子やソナーに必要な微細圧電セラミックス柱など
の微細セラミックス構造体の形成方法に関するものであ
る。
するための方法の1つとして、ロストワックス法が用い
られてきた。以下、図面を参照して説明する。
形成方法の一例を示す断面図である。
レジスト1を塗布した基板2に、マスク3を介してシン
クロトロン放射光(SR)を照射してディープX線リソ
グラフィを行なった後、現像してレジスト構造体4を作
製する(図6(1)参照)。
て金型5を形成した後、レジスト構造体4を除去する
(図6(2)参照)。
を用いて樹脂モールドを行ない、樹脂型6を作製する
(図6(3)参照)。この樹脂型6は、所望とする微細
セラミックス構造体を反転させた形状を有している。
ー7を充填した後、乾燥させて固化させる(図6(4)
参照)。
てセラミックスのみの構造とした後、焼成することによ
り、微細セラミックス構造体8を作製していた(図6
(5)参照)。
により、たとえば、幅が100μm以上の穴、溝等の窪
み形状を有する微細セラミックス構造体を形成すること
ができた。
0μm以下の微細なパターンで、かつ、アスペクト比
(縦/横比)の高い柱状の形状を有する微細セラミック
ス構造体を形成することは、極めて困難であった。
し、幅が微細なパターンで、かつ、アスペクト比の高い
柱状の形状を有する微細セラミックス構造体を形成する
方法を提供することにある。
細セラミックス構造体の形成方法は、樹脂型にセラミッ
クススラリーを充填して固化させた後、樹脂型を除去す
ることにより微細セラミックス構造体を形成する方法で
あって、樹脂型を除去する際、真空中で加熱することを
特徴としている。
造体の形成方法は、樹脂型にセラミックススラリーを充
填して固化させた後、樹脂型を除去することにより微細
セラミックス構造体を形成する方法であって、樹脂型を
除去する際、レーザアブレーション法を用いることを特
徴としている。
造体の形成方法は、樹脂型にセラミックススラリーを充
填して固化させた後、樹脂型を除去することにより微細
セラミックス構造体を形成する方法であって、樹脂型を
除去する際、プラズマエッチングを用いることを特徴と
している。
造体の形成方法は、樹脂型にセラミックススラリーを充
填して固化させた後、樹脂型を除去することにより微細
セラミックス構造体を形成する方法であって、樹脂型を
除去する際、樹脂型を溶解するとともに微細セラミック
スを壊さない程度に低粘度の溶媒を用いることを特徴と
している。
意検討した結果、従来微細かつアスペクト比の高い柱状
の微細セラミックス構造体の形成が困難であった原因
は、樹脂型の除去方法として熱分解を用いることに起因
していることを見出した。
粘度の液体となって流動するため、微細セラミックス構
造体の柱状の突起部等を倒してしまうものと考えられ
る。たとえば、正方形の断面を有する柱をある流速で流
動する流体中に置いた場合、その粘性抵抗力は、μv
(h/L)/Lに比例する。ここで、vは流速、μは粘
性率、Lは正方形の一辺の長さ、hは高さである。つま
り、粘性力は、粘性率(μ)およびアスペクト比(h/
L)に比例し、一辺の長さ(L)に反比例する。したが
って、パターン幅が微細でアスペクト比(h/L)が大
きくなるにつれて、微細セラミックス構造体の柱状突起
部等は倒れやすくなる。
する際、真空中での加熱、レーザアブレーション、プラ
ズマエッチングまたは溶媒による溶解のうちのいずれか
の方法が用いられる。
して流動することがないので、セラミックス構造体の柱
状の突起部等が壊れることがなくなる。
と同様にして、以下のように樹脂型にセラミックススラ
リーを充填して固化させた。
ず、たとえば支持膜に2μm厚さの窒化シリコンを用
い、5μm厚さのタングステンが吸収体パターンであ
る、吸収体が比較的厚いX線リソグラフィ用マスク3を
介して、X線に感度のあるレジスト1を塗布した導電性
基板2に、シンクロトロン放射光(SR)を用いてリソ
グラフィを行なった。その後、これを現像して、レジス
ト構造体4を作製した。
たレジスト構造体4にニッケルめっきをして、ニッケル
金型5を作製した後、レジスト構造体4を除去した。
れたニッケル金型5を用いて樹脂モールドを行ない、樹
脂型6を作製した。この樹脂型6は、10μmφで高さ
100μmの柱状の突起形状を有する微細セラミックス
構造体を反転させた形状を有していた。なお、基板とし
て板状のレジストあるいはアクリル樹脂板を用い、その
上にレジストを塗布したものにSRを用いてリソグラフ
ィを行ない、現像したものを樹脂型とする場合もある。
型6にセラミックススラリー7を充填した後、乾燥させ
て固化させた。
の4つの方法により除去し、引き続いて焼成することに
より、微細セラミックス構造体8を形成した。
除去する装置の一例を示す概略図である。
0と、真空容器10内を真空に引くためのポンプ11
と、真空容器10内に配置されたヒータ12と、ヒータ
12に接続された電源13とから構成される。
のように樹脂型を除去した。まず、セラミックススラリ
ーを充填して固化させた樹脂型6を、真空容器10内に
配置した。次に、温度500℃以下、真空度10-4To
rr以下の条件の下で、熱分解を行なった。
と比べて著しく速く、また、樹脂型6の分子量が小さけ
れば昇華が起こるため、微細セラミックス構造体8には
力を及ぼすことなく、樹脂型6を除去することができ
た。その結果、10μmφで高さ100μmの柱状の突
起形状を有する微細セラミックス構造体を形成すること
ができた。
おけるしきい値の違いを利用して、樹脂型を除去するこ
とができる。すなわち、レーザアブレーションの際、両
者のしきい値エネルギ密度の中間の値をとることによ
り、樹脂型のみを蒸散させ、微細セラミックス構造体を
残すことができる。以下、具体例を示す。
細セラミックス構造体がチタン酸ジルコン酸鉛からなる
場合に、ArFエキシマレーザを用いてレーザアブレー
ションを行なったところ、1ショットのレーザパワー密
度(mJ/cm3 )とアブレーション量(μm)との間
の関係は、図2に示すとおりであった。
350mJ/cm3 以下のエネルギ密度にてレーザを照
射することにより、セラミックス構造体に影響を及ぼす
ことなく、樹脂型のみをアブレーションにより除去する
ことができた。その結果、10μmφで高さ100μm
の柱状の突起形状を有する微細セラミックス構造体を形
成することができた。
レーション法により樹脂型を除去する装置の一例を示す
概略図である。
20と、ミラー21と、樹脂型6を載せて移動させるた
めのスキャンニングステージ22とから構成される。た
とえば、広い面積で樹脂型6を除去する必要がある場合
には、このような装置を用いることにより、レーザ23
を、必要なエリアにのみ照射することができる。
を行なうと、樹脂の分解速度は速いが、セラミックスの
エッチング速度は遅い。このような微細セラミックス構
造体と樹脂型の、ドライエッチング耐性の差を利用する
ことにより、樹脂型を除去することができる。以下、具
体例を示す。
グにより樹脂型を除去する装置の一例を示す概略図であ
る。
0と、真空容器30内を真空に引くためのポンプ31
と、真空容器30内にエッチングガスを供給するための
エッチングガス供給源32と、プラズマ33を発生させ
るための電源34とから構成される。
細セラミックス構造体がチタン酸ジルコン酸鉛からなる
場合に、プラズマのパワーを50W、反応ガス圧を0.
5Torrとしてプラズマエッチングを行なったとこ
ろ、アクリルからなる樹脂型は約3μm/分でエッチン
グされたのに対して、微細セラミックス構造体はエッチ
ングされなかった。その結果、10μmφで高さ100
μmの柱状の突起形状を有する微細セラミックス構造体
を形成することができた。
ラミックス構造体の形状、たとえば柱状の突起形状の幅
やアスペクト比によって最適化していくことが重要であ
る。
を除去する状態の一例を示す概略図である。
充填して固化させた樹脂型6を、樹脂を溶解する低粘度
の溶媒40に浸漬することにより、微細セラミックス構
造体8には影響を及ぼすことなく、樹脂型6のみを除去
することができる。
合に、溶媒40としてアセトンを用いることにより、樹
脂型6のみが溶解し、微細セラミックス構造体8は溶解
しなかった。その結果、10μmφで高さ100μmの
柱状の突起形状を有する微細セラミックス構造体を形成
することができた。
ば、樹脂型を除去する際、真空中での加熱、レーザアブ
レーション、プラズマエッチングまたは溶媒による溶解
のうちのいずれかの方法を用いることにより、幅が微細
なパターンで、かつ、アスペクト比の高い柱状の形状を
有する微細セラミックス構造体を形成することができ
た。
去する装置の一例を示す概略図である。
りのアブレーション量との関係を示す図である。
脂型を除去する装置の一例を示す概略図である。
を除去する装置の一例を示す概略図である。
除去する状態の一例を示す概略図である。
示す断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 樹脂型にセラミックススラリーを充填し
て固化させた後、前記樹脂型を除去することにより微細
セラミックス構造体を形成する方法であって、 前記樹脂型を除去する際、真空中で加熱することを特徴
とする、微細セラミックス構造体の形成方法。 - 【請求項2】 樹脂型にセラミックススラリーを充填し
て固化させた後、前記樹脂型を除去することにより微細
セラミックス構造体を形成する方法であって、 前記樹脂型を除去する際、レーザアブレーション法を用
いることを特徴とする、微細セラミックス構造体の形成
方法。 - 【請求項3】 樹脂型にセラミックススラリーを充填し
て固化させた後、前記樹脂型を除去することにより微細
セラミックス構造体を形成する方法であって、 前記樹脂型を除去する際、プラズマエッチングを用いる
ことを特徴とする、微細セラミックス構造体の形成方
法。 - 【請求項4】 樹脂型にセラミックススラリーを充填し
て固化させた後、前記樹脂型を除去することにより微細
セラミックス構造体を形成する方法であって、 前記樹脂型を除去する際、前記樹脂型を溶解するととも
に前記微細セラミックスを壊さない程度に低粘度の溶媒
を用いることを特徴とする、微細セラミックス構造体の
形成方法。
Priority Applications (4)
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JP6232825A JP2924664B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 微細セラミックス構造体の形成方法 |
US08/531,158 US5676906A (en) | 1994-09-28 | 1995-09-19 | Method of forming fine ceramics structure |
DE19535666A DE19535666C2 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-26 | Verfahren zur Erzeugung einer Feinkeramikstruktur |
US08/918,512 US5820810A (en) | 1994-09-28 | 1997-08-22 | Method of forming fine ceramics structure |
Applications Claiming Priority (1)
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