JP2914314B2 - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- forming
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、原子あるいは分子
により構成された原子スケールのパターンにより形成さ
れた原子デバイスを作製するための微細パターン形成方
法に関するものである。
により構成された原子スケールのパターンにより形成さ
れた原子デバイスを作製するための微細パターン形成方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化に伴って数十個の原
子あるいは分子で構成される原子スケールのデバイスの
形成が考えられてきており、原子スケールのパターン形
成方法の開発が要求されている。このような原子スケー
ルのパターンを形成するための唯一の方法として、走査
型トンネル顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉ
ｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＳＴＭ）を用いた方法が
行われており、本発明者は論文（Ｍ．Ｂａｂａ ａｎｄ
Ｓ．Ｍａｔｓｕｉ；Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ
ｏｌ．Ｂ １２，３７１６−３７１９（１９９４）．）
においてＳＴＭ原子微細加工の報告を行っている。
子あるいは分子で構成される原子スケールのデバイスの
形成が考えられてきており、原子スケールのパターン形
成方法の開発が要求されている。このような原子スケー
ルのパターンを形成するための唯一の方法として、走査
型トンネル顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉ
ｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＳＴＭ）を用いた方法が
行われており、本発明者は論文（Ｍ．Ｂａｂａ ａｎｄ
Ｓ．Ｍａｔｓｕｉ；Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ
ｏｌ．Ｂ １２，３７１６−３７１９（１９９４）．）
においてＳＴＭ原子微細加工の報告を行っている。
【０００３】原子スケールのパターン形成工程を図４に
示す。従来技術のＳＴＭによる原子スケールのパターン
形成方法は次のようになっている。すなわち、図４
（ａ）に示すように、まず、ＳＴＭを内包する真空容器
内に置かれたＳｉ基板４１の表面が、１０−８Ｐａ台の
超高真空中で通電加熱（１２３０℃）により清浄化され
る。その後、塩素ガスを１×１０−７Ｐａだけ基板表面
に導入し塩素原子４２の吸着を行う。
示す。従来技術のＳＴＭによる原子スケールのパターン
形成方法は次のようになっている。すなわち、図４
（ａ）に示すように、まず、ＳＴＭを内包する真空容器
内に置かれたＳｉ基板４１の表面が、１０−８Ｐａ台の
超高真空中で通電加熱（１２３０℃）により清浄化され
る。その後、塩素ガスを１×１０−７Ｐａだけ基板表面
に導入し塩素原子４２の吸着を行う。
【０００４】次に図４（ｂ）に示すように、ＳＴＭの針
４３が基板４１の表面上の任意の塩素原子の位置に近付
けられる。針４３の先端と基板４１表面との間隔は数オ
ングストロームである。針４３が負になるように針４３
と基板４１との間にパルス電圧（４Ｖ〜６Ｖ）が印加さ
れると、針４３の先端と基板４１表面との間に微小電界
４４が形成される。この微小電界４４の影響下にある塩
素原子４２は、電界蒸発により基板４１表面から脱離す
る。
４３が基板４１の表面上の任意の塩素原子の位置に近付
けられる。針４３の先端と基板４１表面との間隔は数オ
ングストロームである。針４３が負になるように針４３
と基板４１との間にパルス電圧（４Ｖ〜６Ｖ）が印加さ
れると、針４３の先端と基板４１表面との間に微小電界
４４が形成される。この微小電界４４の影響下にある塩
素原子４２は、電界蒸発により基板４１表面から脱離す
る。
【０００５】このようにして、塩素原子パターン４５が
形成される（図４（ｃ））。
形成される（図４（ｃ））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の原子ス
ケールの微細パターン形成方法は、Ｓｉ基板や層状物質
などのように、清浄化が簡単であり、かつ平坦な表面が
得られ、導電性が高いという条件を満たす基板にのみ適
用されている。なぜなら、ＳＴＭでは、トンネル電子が
安定に流れる必要性があるため、導電性の高い表面が必
要であり、原子サイズのパターンを形成するためには、
当然、広範囲（数十ｎｍ）にわたって原子サイズで汚れ
や凹凸がないような清浄表面が基板に要求されており、
基板に対する制約が非常に大きい。
ケールの微細パターン形成方法は、Ｓｉ基板や層状物質
などのように、清浄化が簡単であり、かつ平坦な表面が
得られ、導電性が高いという条件を満たす基板にのみ適
用されている。なぜなら、ＳＴＭでは、トンネル電子が
安定に流れる必要性があるため、導電性の高い表面が必
要であり、原子サイズのパターンを形成するためには、
当然、広範囲（数十ｎｍ）にわたって原子サイズで汚れ
や凹凸がないような清浄表面が基板に要求されており、
基板に対する制約が非常に大きい。
【０００７】原子デバイスを作製するためには、多数の
原子を基板表面に平面状に並べるだけでなく、性質の異
なる原子を積み重ねることが必要となるが、現在の技術
では時間的・精度的に困難であり、導電性の高い基板表
面を用いているため、形成されたデバイスを電気的に基
板から分離することが困難である。
原子を基板表面に平面状に並べるだけでなく、性質の異
なる原子を積み重ねることが必要となるが、現在の技術
では時間的・精度的に困難であり、導電性の高い基板表
面を用いているため、形成されたデバイスを電気的に基
板から分離することが困難である。
【０００８】原子サイズの汚れや凹凸がない基板表面が
必要であるということは、従来の技術で形成された電極
や絶縁層などを有するデバイスとの融合は困難である。
必要であるということは、従来の技術で形成された電極
や絶縁層などを有するデバイスとの融合は困難である。
【０００９】本発明の目的は、従来のリソグラフィ技術
により作製されたデバイス基礎パターンにＳＴＭを利用
した原子スケールの微細パターンを形成する方法を提供
することにある。
により作製されたデバイス基礎パターンにＳＴＭを利用
した原子スケールの微細パターンを形成する方法を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る微細パターン形成方法は、デバイス基
礎パターン形成工程と、へき開面形成工程と、原子スケ
ールパターン形成工程とを有する微細パターン形成方法
であって、デバイス基礎パターン形成工程は、へき開性
を有する半導体基板表面に所望するデバイス基礎パター
ンをリソグラフィ技術により作製する処理であり、へき
開面形成工程は、前記形成された基礎パターンを含めて
基板をへき開し、へき開面を得る処理であり、原子スケ
ールパターン形成工程は、前記工程にて得られたへき開
面上に走査型トンネル顕微鏡を用いて、原子あるいは分
子により構成された原子スケールのパターンを形成する
処理である。
め、本発明に係る微細パターン形成方法は、デバイス基
礎パターン形成工程と、へき開面形成工程と、原子スケ
ールパターン形成工程とを有する微細パターン形成方法
であって、デバイス基礎パターン形成工程は、へき開性
を有する半導体基板表面に所望するデバイス基礎パター
ンをリソグラフィ技術により作製する処理であり、へき
開面形成工程は、前記形成された基礎パターンを含めて
基板をへき開し、へき開面を得る処理であり、原子スケ
ールパターン形成工程は、前記工程にて得られたへき開
面上に走査型トンネル顕微鏡を用いて、原子あるいは分
子により構成された原子スケールのパターンを形成する
処理である。
【００１１】また、前記原子スケールのパターンは、一
個〜数十個の原子あるいは分子により構成されたもので
ある。
個〜数十個の原子あるいは分子により構成されたもので
ある。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１３】微細パターン形成工程の断面模式図である
図１を参照すると、へき開面を利用した原子スケールの
微細パターン形成方法は、次のようになっている。
図１を参照すると、へき開面を利用した原子スケールの
微細パターン形成方法は、次のようになっている。
【００１４】まず図１（ａ）に示すように、基板１の表
面に従来のリソグラフィ技術により電極２や絶縁層３を
有するデバイス基礎パターン６を作製する。基板１のへ
き開性を利用して、基板１上にを形成した積層構造を含
めて基板１をへき開し、図１（ｂ）のようなデバイス基
礎パターン６が露出したへき開面を得る。この断面パタ
ーン７を新たな基板としてＳＴＭによる原子サイズ加工
により、図１（ｃ）のような原子数個〜数十個により形
成された原子スケールの微細パターン４を作製し、従来
のデバイスと融合させた新しい原子デバイスを作製す
る。電極２からの配線５は図１（ｃ）のように裏面のへ
き開面より結線をする。
面に従来のリソグラフィ技術により電極２や絶縁層３を
有するデバイス基礎パターン６を作製する。基板１のへ
き開性を利用して、基板１上にを形成した積層構造を含
めて基板１をへき開し、図１（ｂ）のようなデバイス基
礎パターン６が露出したへき開面を得る。この断面パタ
ーン７を新たな基板としてＳＴＭによる原子サイズ加工
により、図１（ｃ）のような原子数個〜数十個により形
成された原子スケールの微細パターン４を作製し、従来
のデバイスと融合させた新しい原子デバイスを作製す
る。電極２からの配線５は図１（ｃ）のように裏面のへ
き開面より結線をする。
【００１５】この従来のリソグラフィ技術には、レジス
トを用いた光露光や電子ビーム露光の他に、レジストマ
スクによるエッチング，ＭＢＥの製膜技術，金属蒸着技
術などが含まれる。
トを用いた光露光や電子ビーム露光の他に、レジストマ
スクによるエッチング，ＭＢＥの製膜技術，金属蒸着技
術などが含まれる。
【００１６】下地の基板１には、へき開性を有し従来よ
り広く使われているシリコンが好ましいが、へき開性を
有する点では、ゲルマニウムや化合物半導体（ＧａＡ
ｓ，ＩｎＰ等）を用いてもよい。
り広く使われているシリコンが好ましいが、へき開性を
有する点では、ゲルマニウムや化合物半導体（ＧａＡ
ｓ，ＩｎＰ等）を用いてもよい。
【００１７】原子スケールの微細パターン４を構成する
原子あるいは分子は、金属（アルミ・銅・タングステ
ン）の他、半導体物質や酸化物などが用いられる。
原子あるいは分子は、金属（アルミ・銅・タングステ
ン）の他、半導体物質や酸化物などが用いられる。
【００１８】絶縁層３には、アルミ酸化物（Ａｌ2Ｏ3）
やシリコン酸化物（ＳｉＯ2）等の絶縁物が用いられる
が、ノンドープの成長により得られた化合物半導体など
を用いることができる。
やシリコン酸化物（ＳｉＯ2）等の絶縁物が用いられる
が、ノンドープの成長により得られた化合物半導体など
を用いることができる。
【００１９】電極２となる金属には、アルミや銅，金な
どが用いられるが、レジストパターンを利用してイオン
注入による高ドープによる低抵抗領域を用いることがで
きる。
どが用いられるが、レジストパターンを利用してイオン
注入による高ドープによる低抵抗領域を用いることがで
きる。
【００２０】（実施例）次に、本発明の実施例について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００２１】図１と従来のリソグラフィ技術によるデバ
イス基礎パターン形成工程の断面模式図である図２と、
原子スケールの微細パターン形成工程の断面模式図であ
る図３とを併せて参照すると、本発明の実施例は、以下
のようになっている。
イス基礎パターン形成工程の断面模式図である図２と、
原子スケールの微細パターン形成工程の断面模式図であ
る図３とを併せて参照すると、本発明の実施例は、以下
のようになっている。
【００２２】まず、従来のリソグラフィ技術によるデバ
イス基礎パターン形成について図２を用いて説明する。
図２（ａ）のように低抵抗のシリコン基板１１（方位１
００面，１０Ω以下）上に、酸化膜（ＳｉＯ2）１２を
形成した後、図２（ｂ）に示すように、電子ビーム描画
装置による直接パターン露光法を用い、レジスト１３に
よるマスクパターンを酸化膜１２上に形成する。次に図
２（ｃ）に示すように、アルミ金属１４を蒸着し、図２
（ｄ）に示すようにリフトオフ法により電極１５を形成
する。
イス基礎パターン形成について図２を用いて説明する。
図２（ａ）のように低抵抗のシリコン基板１１（方位１
００面，１０Ω以下）上に、酸化膜（ＳｉＯ2）１２を
形成した後、図２（ｂ）に示すように、電子ビーム描画
装置による直接パターン露光法を用い、レジスト１３に
よるマスクパターンを酸化膜１２上に形成する。次に図
２（ｃ）に示すように、アルミ金属１４を蒸着し、図２
（ｄ）に示すようにリフトオフ法により電極１５を形成
する。
【００２３】図２（ｅ）に示すようにレジストを除去し
た後、酸化膜１２を成長させ、再びレジストを塗布し電
子ビーム露光によりレジスト１３によるパターンを形成
する（図２（ｆ））。その後、パターニングしたレジス
ト１３をマスクとして、酸化膜１２上にアルミ金属１４
を蒸着し（図２（ｇ））、リフトオフ法により電極１５
を形成する（図２（ｈ））。全体の強度を高めるため、
電極１５の周りを酸化膜（ＳｉＯ2）１２でカバーし
て、図２（ｉ）に示すようなデバイス基礎パターン１６
を形成する。
た後、酸化膜１２を成長させ、再びレジストを塗布し電
子ビーム露光によりレジスト１３によるパターンを形成
する（図２（ｆ））。その後、パターニングしたレジス
ト１３をマスクとして、酸化膜１２上にアルミ金属１４
を蒸着し（図２（ｇ））、リフトオフ法により電極１５
を形成する（図２（ｈ））。全体の強度を高めるため、
電極１５の周りを酸化膜（ＳｉＯ2）１２でカバーし
て、図２（ｉ）に示すようなデバイス基礎パターン１６
を形成する。
【００２４】この従来のリソグラフィ技術によりパター
ンを形成した試料をへき開し、図１（ｃ）に示すような
断面パターンが得られる。この得られた断面パターンに
対して、図１（ｃ）に示すような配線５を行い、外部よ
り電圧を印加できるようにする。へき開は、デバイス基
礎パターンが形成されている部分を走査型トンネル顕微
鏡を用いて確認した後、ダイヤモンドカッターで傷を付
け、傷の両端にわずかに力を加えることで簡単にへき開
することができる。まず、最初に図１（ｃ）に示すよう
な配線５を結線する面を上述した方法で得た後、原子ス
ケールの微細パターンを形成する表面を得るために、真
空中でへき開しやすいようにあらかじめダイヤモンドカ
ッターで傷を付けておく。
ンを形成した試料をへき開し、図１（ｃ）に示すような
断面パターンが得られる。この得られた断面パターンに
対して、図１（ｃ）に示すような配線５を行い、外部よ
り電圧を印加できるようにする。へき開は、デバイス基
礎パターンが形成されている部分を走査型トンネル顕微
鏡を用いて確認した後、ダイヤモンドカッターで傷を付
け、傷の両端にわずかに力を加えることで簡単にへき開
することができる。まず、最初に図１（ｃ）に示すよう
な配線５を結線する面を上述した方法で得た後、原子ス
ケールの微細パターンを形成する表面を得るために、真
空中でへき開しやすいようにあらかじめダイヤモンドカ
ッターで傷を付けておく。
【００２５】次に、容器の超高真空（１０−８Ｐａ台）
雰囲気内に設置されたＳＴＭ装置に、上記のようにへき
開した基板１１を設置し、超高真空中で、Ｓｉ基板１１
のへき開性を利用してへき開する。へき開面は、電極１
５と絶縁層１２を有する断面パターが露出しており、超
高真空中でへき開しているために、平坦で、極めて清浄
な表面を得ることができる。この断面パターン７の表面
では、電極１５上は当然導電性があるが、絶縁層１２上
でも、絶縁層の領域が小さく、また、表面拡散電子が存
在するために、わずかではあるがトンネル電子が流れ
る。この現象を利用してＳＴＭを用いた原子スケールの
微細パターンを形成する。
雰囲気内に設置されたＳＴＭ装置に、上記のようにへき
開した基板１１を設置し、超高真空中で、Ｓｉ基板１１
のへき開性を利用してへき開する。へき開面は、電極１
５と絶縁層１２を有する断面パターが露出しており、超
高真空中でへき開しているために、平坦で、極めて清浄
な表面を得ることができる。この断面パターン７の表面
では、電極１５上は当然導電性があるが、絶縁層１２上
でも、絶縁層の領域が小さく、また、表面拡散電子が存
在するために、わずかではあるがトンネル電子が流れ
る。この現象を利用してＳＴＭを用いた原子スケールの
微細パターンを形成する。
【００２６】ＳＴＭを利用した原子スケールの金属原子
パターン形成について図３を用いて説明する。まず、基
板２０１表面にへき開して得られた断面パターン（デバ
イス基礎パターン）が露出した状態で、フッ素原子２０
２とタングステン原子２０３とが結合してなるＷＦ6ガ
ス（ハロゲン金属ガス）２０４が真空容器内に導入され
る。このとき、このＷＦ6ガス２０４の一部は基板２０
１の表面に吸着し、基板２０１の表面にハロゲン化金属
単分子吸着層（実施形態では、ＷＦ6単分子吸着層）２
０５が形成される（図３（ａ））。
パターン形成について図３を用いて説明する。まず、基
板２０１表面にへき開して得られた断面パターン（デバ
イス基礎パターン）が露出した状態で、フッ素原子２０
２とタングステン原子２０３とが結合してなるＷＦ6ガ
ス（ハロゲン金属ガス）２０４が真空容器内に導入され
る。このとき、このＷＦ6ガス２０４の一部は基板２０
１の表面に吸着し、基板２０１の表面にハロゲン化金属
単分子吸着層（実施形態では、ＷＦ6単分子吸着層）２
０５が形成される（図３（ａ））。
【００２７】この状態でＳＴＭの針２０６が基板２０１
表面の所望の位置に近付けられる。針２０６の先端と基
板２０１の表面との間隔は数オングストロームである。
針２０６と基板２０１との間に電圧２０７が印加され、
針２０６の端と基板２０１の表面との間に極小電界２０
８が形成される。この極小電界２０８の影響下にあるＷ
Ｆ6単分子吸着層２０５は、極小電界２０８により分解
し、ガス化したフッ素イオン２０９が脱離し、タングス
テン原子２１０が残置する。
表面の所望の位置に近付けられる。針２０６の先端と基
板２０１の表面との間隔は数オングストロームである。
針２０６と基板２０１との間に電圧２０７が印加され、
針２０６の端と基板２０１の表面との間に極小電界２０
８が形成される。この極小電界２０８の影響下にあるＷ
Ｆ6単分子吸着層２０５は、極小電界２０８により分解
し、ガス化したフッ素イオン２０９が脱離し、タングス
テン原子２１０が残置する。
【００２８】針２０６が所望の位置の範囲内を走査した
後、ＷＦ6ガスの導入が停止され、真空容器内に残留浮
遊しているガス分子及びフッ素イオンが真空容器外に排
気される（図３（ｃ））。さらに基板２０１が所定の温
度（約２００℃）に加熱され、基板２０１の表面に残置
されたＷＦ6単分子吸着層２０５がガス化してＷＦ6ガス
となり、基板２０１より脱離し、タングステン原子から
なる金属原子パターン２１１が形成される（図３
（ｄ））。
後、ＷＦ6ガスの導入が停止され、真空容器内に残留浮
遊しているガス分子及びフッ素イオンが真空容器外に排
気される（図３（ｃ））。さらに基板２０１が所定の温
度（約２００℃）に加熱され、基板２０１の表面に残置
されたＷＦ6単分子吸着層２０５がガス化してＷＦ6ガス
となり、基板２０１より脱離し、タングステン原子から
なる金属原子パターン２１１が形成される（図３
（ｄ））。
【００２９】上記のハロゲン化金属ガスを用いた金属原
子パターンを作製する場合に用いることができるガスと
して、タングステン（Ｗ）の場合には、ＷＦ6，ＷＣ
ｌ6，Ｗ（ＣＯ）6等があげられる。アルミの場合はＡｌ
2Ｃｌ6等、モリブデン（Ｍｏ）の場合はＭｏＣｌ6，Ｍ
ｏ（Ｃ6Ｈ6）2等、タンタル（Ｔａ）の場合にはＴａＣ
ｌ5等である。
子パターンを作製する場合に用いることができるガスと
して、タングステン（Ｗ）の場合には、ＷＦ6，ＷＣ
ｌ6，Ｗ（ＣＯ）6等があげられる。アルミの場合はＡｌ
2Ｃｌ6等、モリブデン（Ｍｏ）の場合はＭｏＣｌ6，Ｍ
ｏ（Ｃ6Ｈ6）2等、タンタル（Ｔａ）の場合にはＴａＣ
ｌ5等である。
【００３０】このようにして、従来リソグラフィ技術に
より作製された電極パターン上に、ＳＴＭを利用した原
子スケールの細線が形成され、裏面にボンディングされ
た配線より電圧を印加し細線の電気特性を調べることが
できる。
より作製された電極パターン上に、ＳＴＭを利用した原
子スケールの細線が形成され、裏面にボンディングされ
た配線より電圧を印加し細線の電気特性を調べることが
できる。
【００３１】なお、上記の実施形態では、単純な電極パ
ターン上に原子細線を形成したが、基板上に作製するパ
ターンを工夫することにより、原子細線をゲートにした
トランジスタの作製等が可能である。
ターン上に原子細線を形成したが、基板上に作製するパ
ターンを工夫することにより、原子細線をゲートにした
トランジスタの作製等が可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の微細パター
ン形成方法によれば、従来のリソグラフィ技術により作
製されたデバイス基礎パターンにＳＴＭを利用した原子
スケールの微細パターンを形成することが容易にでき
る。
ン形成方法によれば、従来のリソグラフィ技術により作
製されたデバイス基礎パターンにＳＴＭを利用した原子
スケールの微細パターンを形成することが容易にでき
る。
【図１】本発明の実施形態に係る微細パターン形成方法
を製造工程順に示す断面模式図である。
を製造工程順に示す断面模式図である。
【図２】従来のリソグラフィ技術によるデバイス基礎パ
ターンの形成方法を製造工程順に示す断面模式図であ
る。
ターンの形成方法を製造工程順に示す断面模式図であ
る。
【図３】本発明の実施形態における原子スケールの微細
パターン形成方法を製造工程順に示す断面模式図であ
る。
パターン形成方法を製造工程順に示す断面模式図であ
る。
【図４】従来例における原子スケールのパターン形成方
法を製造工程順に示す断面模式図である。
法を製造工程順に示す断面模式図である。
【符号の説明】 １，１１，４１，２０１ 基板 ２，１５ 電極 ３ 絶縁層 ４ 微細パターン ５ 配線 ６，１６ デバイス基礎パターン ７ 断面パターン １２ 酸化膜 １３ レジスト ４２ Ｃｌ吸着原子 ４５ 塩素原子パータン ２０４ ＷＦ6ガス ２０５ ＷＦ6単分子吸着層 ２０６，４３ 針 ２０８，４４ 極小電界 ２１０ Ｗ原子 ２１１ 金属原子パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 デバイス基礎パターン形成工程と、へき
開面形成工程と、原子スケールパターン形成工程とを有
する微細パターン形成方法であって、 デバイス基礎パターン形成工程は、へき開性を有する半
導体基板表面に所望するデバイス基礎パターンをリソグ
ラフィ技術により作製する処理であり、 へき開面形成工程は、前記形成された基礎パターンを含
めて基板をへき開し、へき開面を得る処理であり、 原子スケールパターン形成工程は、前記工程にて得られ
たへき開面上に走査型トンネル顕微鏡を用いて、原子あ
るいは分子により構成された原子スケールのパターンを
形成する処理であることを特徴とする微細パターン形成
方法。 - 【請求項２】 前記原子スケールのパターンは、一個〜
数十個の原子あるいは分子により構成されたものである
ことを特徴とする請求項１に記載の微細パターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24060596A JP2914314B2 (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24060596A JP2914314B2 (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092716A JPH1092716A (ja) | 1998-04-10 |
| JP2914314B2 true JP2914314B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=17061984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24060596A Expired - Lifetime JP2914314B2 (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914314B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2791474B1 (fr) * | 1999-03-26 | 2001-06-08 | Centre Nat Rech Scient | Detecteur infrarouge semi-conducteur et son procede de fabrication |
-
1996
- 1996-09-11 JP JP24060596A patent/JP2914314B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1092716A (ja) | 1998-04-10 |
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