JPH06252376A - 固体撮像素子の配線構造 - Google Patents
固体撮像素子の配線構造Info
- Publication number
- JPH06252376A JPH06252376A JP5066170A JP6617093A JPH06252376A JP H06252376 A JPH06252376 A JP H06252376A JP 5066170 A JP5066170 A JP 5066170A JP 6617093 A JP6617093 A JP 6617093A JP H06252376 A JPH06252376 A JP H06252376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- shunt
- bus line
- transfer
- image pickup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バスライン自体の形状を変えることなくバス
ラインの抵抗値を下げ、デバイスのより高速な動作を可
能とした固体撮像素子の配線構造を提供する。 【構成】 複数本の垂直転送部の各転送電極に４相の転
送クロックφ１〜φ４を印加するシャント配線１３と、
このシャント配線１３の端部にその端部と交差した状態
で配されてシャント配線１３に対して各相毎に転送クロ
ックφ１〜φ４を供給する４本のバスライン１４1 〜１
４4 とを有する配線構造において、４本のバスライン１
４1 〜１４4 のうち、垂直転送部側のバスライン１４1
に対してシャント配線１３を、４本をグループとして１
グループ内で１本おきに交差させ、シャント配線１３が
バスライン１４1 と交差する点を垂直転送列の本数の１
／２に削減する。
ラインの抵抗値を下げ、デバイスのより高速な動作を可
能とした固体撮像素子の配線構造を提供する。 【構成】 複数本の垂直転送部の各転送電極に４相の転
送クロックφ１〜φ４を印加するシャント配線１３と、
このシャント配線１３の端部にその端部と交差した状態
で配されてシャント配線１３に対して各相毎に転送クロ
ックφ１〜φ４を供給する４本のバスライン１４1 〜１
４4 とを有する配線構造において、４本のバスライン１
４1 〜１４4 のうち、垂直転送部側のバスライン１４1
に対してシャント配線１３を、４本をグループとして１
グループ内で１本おきに交差させ、シャント配線１３が
バスライン１４1 と交差する点を垂直転送列の本数の１
／２に削減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子の配線構
造に関し、特に複数本の垂直転送部の各転送電極に転送
クロックを印加するシャント配線の配線構造に関する。
造に関し、特に複数本の垂直転送部の各転送電極に転送
クロックを印加するシャント配線の配線構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】電荷転送方式として、ＦＩＴ(Frame Int
erline Transfer)方式を採用したＣＣＤ固体撮像素子が
知られている。このＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子は、そ
の基本構成を示す図３から明らかなように、マトリクス
状に２次元配列されて入射光量に応じた信号電荷を蓄積
する複数個のフォトセンサ１１及びその垂直列毎に配さ
れてこれらフォトセンサ１１から読み出された信号電荷
を垂直方向に転送する垂直シフトレジスタ１２を有する
撮像部１の他に、撮像部１の複数本の垂直シフトレジス
タ１２に対し各垂直列毎に連続した垂直シフトレジスタ
２１からなり、高速な電荷転送によってスミア成分を低
減する蓄積部２を備えている。蓄積部２は、その全面が
アルミニウム層からなる遮光層（図示せず）によって覆
われている。
erline Transfer)方式を採用したＣＣＤ固体撮像素子が
知られている。このＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子は、そ
の基本構成を示す図３から明らかなように、マトリクス
状に２次元配列されて入射光量に応じた信号電荷を蓄積
する複数個のフォトセンサ１１及びその垂直列毎に配さ
れてこれらフォトセンサ１１から読み出された信号電荷
を垂直方向に転送する垂直シフトレジスタ１２を有する
撮像部１の他に、撮像部１の複数本の垂直シフトレジス
タ１２に対し各垂直列毎に連続した垂直シフトレジスタ
２１からなり、高速な電荷転送によってスミア成分を低
減する蓄積部２を備えている。蓄積部２は、その全面が
アルミニウム層からなる遮光層（図示せず）によって覆
われている。
【０００３】撮像部１において、フォトセンサ１１で光
電変換されかつ蓄積された信号電荷は、垂直シフトレジ
スタ１２に読み出されかつ当該レジスタ１２によって蓄
積部２に高速転送される。蓄積部２に移された信号電荷
は、垂直シフトレジスタ２１によって１走査線に相当す
る部分ずつ水平シフトレジスタ３に高速転送される。１
走査線分の信号電荷は、水平シフトレジスタ３によって
順次水平方向に転送される。水平シフトレジスタ３の出
力端には、ＦＤＡ(Floating Diffusion Amplifier)等か
らなる出力回路部４が設けられ、撮像部１で光電変換し
て得られた信号電荷を信号電圧に変換し、画素信号とし
て取り出す。
電変換されかつ蓄積された信号電荷は、垂直シフトレジ
スタ１２に読み出されかつ当該レジスタ１２によって蓄
積部２に高速転送される。蓄積部２に移された信号電荷
は、垂直シフトレジスタ２１によって１走査線に相当す
る部分ずつ水平シフトレジスタ３に高速転送される。１
走査線分の信号電荷は、水平シフトレジスタ３によって
順次水平方向に転送される。水平シフトレジスタ３の出
力端には、ＦＤＡ(Floating Diffusion Amplifier)等か
らなる出力回路部４が設けられ、撮像部１で光電変換し
て得られた信号電荷を信号電圧に変換し、画素信号とし
て取り出す。
【０００４】ところで、ＨＤ(High Difinition) ＴＶ等
のテレビジョン方式の高画素化に対応可能な固体撮像素
子として、２００万画素のＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子
が知られている。このＨＤＴＶ用ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮
像素子では、高速で動作する必要があることから、垂直
シフトレジスタ１２，２１の各転送電極の伝播遅延を抑
えるために、シャント配線構造を採っている。また、チ
ップ面積が大きいことにより、垂直シフトレジスタ１
２，２１の負荷容量が大きいため、図４に示すように、
これら垂直シフトレジスタの各転送電極に転送クロック
を印加するためのシャント配線１３，２２を撮像部１と
蓄積部２とで分離することによって、各シャント配線１
３，２２に対する負荷容量を半減させて転送クロックの
伝播遅延を防止している。
のテレビジョン方式の高画素化に対応可能な固体撮像素
子として、２００万画素のＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子
が知られている。このＨＤＴＶ用ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮
像素子では、高速で動作する必要があることから、垂直
シフトレジスタ１２，２１の各転送電極の伝播遅延を抑
えるために、シャント配線構造を採っている。また、チ
ップ面積が大きいことにより、垂直シフトレジスタ１
２，２１の負荷容量が大きいため、図４に示すように、
これら垂直シフトレジスタの各転送電極に転送クロック
を印加するためのシャント配線１３，２２を撮像部１と
蓄積部２とで分離することによって、各シャント配線１
３，２２に対する負荷容量を半減させて転送クロックの
伝播遅延を防止している。
【０００５】すなわち、図４において、撮像部１におけ
る垂直シフトレジスタの転送電極には、垂直方向に延在
するシャント配線１３及びループ状のバスライン１４を
介して４相の転送クロックφ１〜φ４が印加されるよう
になっている。バスライン１４は、複数本のシャント配
線１３の各々に共通に転送クロックφ１〜φ４を供給す
るためのものであって、４相に対応して４本のパターン
配線１４1 〜１４4 からなっている。これらパターン配
線１４1 〜１４4 の各々には、ボンディングパッド１５
1 〜１５4 を介してチップの外部端子（図示せず）から
４相の転送クロックφ１〜φ４が印加される。
る垂直シフトレジスタの転送電極には、垂直方向に延在
するシャント配線１３及びループ状のバスライン１４を
介して４相の転送クロックφ１〜φ４が印加されるよう
になっている。バスライン１４は、複数本のシャント配
線１３の各々に共通に転送クロックφ１〜φ４を供給す
るためのものであって、４相に対応して４本のパターン
配線１４1 〜１４4 からなっている。これらパターン配
線１４1 〜１４4 の各々には、ボンディングパッド１５
1 〜１５4 を介してチップの外部端子（図示せず）から
４相の転送クロックφ１〜φ４が印加される。
【０００６】一方、蓄積部２における垂直シフトレジス
タの転送電極には、水平方向に延在するシャント配線２
２及びループ状のバスライン２３を介して４相の転送ク
ロックφ１〜φ４が印加されるようになっている。バス
ライン２３は、複数本のシャント配線２２の各々に共通
に転送クロックφ１〜φ４を供給するためのものであっ
て、４相に対応して４本のパターン配線２３1 〜２３4
からなっている。これらパターン配線２３1 〜２３4 の
各々には、ボンディングパッド２４1 〜２４4 を介して
チップの外部端子（図示せず）から４相の転送クロック
φ１〜φ４が印加される。
タの転送電極には、水平方向に延在するシャント配線２
２及びループ状のバスライン２３を介して４相の転送ク
ロックφ１〜φ４が印加されるようになっている。バス
ライン２３は、複数本のシャント配線２２の各々に共通
に転送クロックφ１〜φ４を供給するためのものであっ
て、４相に対応して４本のパターン配線２３1 〜２３4
からなっている。これらパターン配線２３1 〜２３4 の
各々には、ボンディングパッド２４1 〜２４4 を介して
チップの外部端子（図示せず）から４相の転送クロック
φ１〜φ４が印加される。
【０００７】図５に撮像部１におけるシャント配線の概
略を、図６にその平面構造をそれぞれ示す。シャント配
線１３としては、遮光層を形成する第１層目のアルミニ
ウム層を微細加工することによって形成されたものが用
いられる。第１層目のアルミニウム層（1st-Ａl)からな
るシャント配線１３は、水平方向の画素間（左右のフォ
トセンサ１１，１１間）の垂直シフトレジスタ上で垂直
方向に延在し、各転送電極を構成する２層構造のポリシ
リコン(1Poly，2Poly)電極１６，１７に複数箇所でコン
タクト１８，１９を介して接続されている。ここで、あ
る１相（例えば、φ２）に着目すると、図７から明らか
なように、１本のシャント配線で４つの転送電極を賄っ
ていることになる。
略を、図６にその平面構造をそれぞれ示す。シャント配
線１３としては、遮光層を形成する第１層目のアルミニ
ウム層を微細加工することによって形成されたものが用
いられる。第１層目のアルミニウム層（1st-Ａl)からな
るシャント配線１３は、水平方向の画素間（左右のフォ
トセンサ１１，１１間）の垂直シフトレジスタ上で垂直
方向に延在し、各転送電極を構成する２層構造のポリシ
リコン(1Poly，2Poly)電極１６，１７に複数箇所でコン
タクト１８，１９を介して接続されている。ここで、あ
る１相（例えば、φ２）に着目すると、図７から明らか
なように、１本のシャント配線で４つの転送電極を賄っ
ていることになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の従来の配線構造では、図８の断面構造図（図５のＡ
‐Ａ′線断面図）に示すように、バスライン部がシャン
ト配線（1st-Ａl)１３上を、層間絶縁膜２を介して第２
層目のアルミニウム層（2nd-Ａl)からなるバスライン１
４が横切る断面構造となっており、バスライン１４の抵
抗値がシャント配線（1st-Ａl)１３の段差の影響で高く
なっているため、デバイスの動作周波数はこの部分で律
則されている。この抵抗値を下げるためには、バスライ
ン（2nd-Ａl)１４の配線幅を広くしたり、その膜厚を厚
くする等の方法が考えられるが、いずれも、チップサイ
ズが大きくなったり、プロセスの加工が困難になる等の
問題があった。
成の従来の配線構造では、図８の断面構造図（図５のＡ
‐Ａ′線断面図）に示すように、バスライン部がシャン
ト配線（1st-Ａl)１３上を、層間絶縁膜２を介して第２
層目のアルミニウム層（2nd-Ａl)からなるバスライン１
４が横切る断面構造となっており、バスライン１４の抵
抗値がシャント配線（1st-Ａl)１３の段差の影響で高く
なっているため、デバイスの動作周波数はこの部分で律
則されている。この抵抗値を下げるためには、バスライ
ン（2nd-Ａl)１４の配線幅を広くしたり、その膜厚を厚
くする等の方法が考えられるが、いずれも、チップサイ
ズが大きくなったり、プロセスの加工が困難になる等の
問題があった。
【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、バスライン自体の形
状を変えることなくバスラインの抵抗値を下げ、デバイ
スのより高速な動作を可能とした固体撮像素子の配線構
造を提供することにある。
であり、その目的とするところは、バスライン自体の形
状を変えることなくバスラインの抵抗値を下げ、デバイ
スのより高速な動作を可能とした固体撮像素子の配線構
造を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像素
子の配線構造は、複数本の垂直転送部の各転送電極にｎ
相の転送クロックを印加するシャント配線と、このシャ
ント配線の端部にその端部と交差した状態で配されてシ
ャント配線に対して各相毎に転送クロックを供給するｎ
本のバスラインとを有する固体撮像素子の配線構造であ
って、ｎ本のバスラインのうち、垂直転送部側のバスラ
インに対してシャント配線が交差する点が、垂直転送列
の本数よりも少なく設定された構成となっている。
子の配線構造は、複数本の垂直転送部の各転送電極にｎ
相の転送クロックを印加するシャント配線と、このシャ
ント配線の端部にその端部と交差した状態で配されてシ
ャント配線に対して各相毎に転送クロックを供給するｎ
本のバスラインとを有する固体撮像素子の配線構造であ
って、ｎ本のバスラインのうち、垂直転送部側のバスラ
インに対してシャント配線が交差する点が、垂直転送列
の本数よりも少なく設定された構成となっている。
【００１１】
【作用】ｎ本のバスラインのうち、垂直転送部側のバス
ラインに対して、シャント配線をｎ本をグループとして
例えば１グループ内で１本おきに、あるいは１グループ
おきに交差させる。これにより、シャント配線がバスラ
インと交差する点が垂直転送列の本数の１／２となり、
バスラインの段差の数を従来構造の１／２に削減でき
る。バスラインの抵抗はほぼ段差の数で決まることか
ら、この段差の数を従来構造の１／２に削減できたこと
により、バスラインの抵抗を従来構造のおよそ１／２に
減少できるため、デバイスのより高速な動作を実現でき
る。
ラインに対して、シャント配線をｎ本をグループとして
例えば１グループ内で１本おきに、あるいは１グループ
おきに交差させる。これにより、シャント配線がバスラ
インと交差する点が垂直転送列の本数の１／２となり、
バスラインの段差の数を従来構造の１／２に削減でき
る。バスラインの抵抗はほぼ段差の数で決まることか
ら、この段差の数を従来構造の１／２に削減できたこと
により、バスラインの抵抗を従来構造のおよそ１／２に
減少できるため、デバイスのより高速な動作を実現でき
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明の第１実施例を示す構成図
であり、図３に示すＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子の撮像
部１に適用した場合を示す。なお、図１（Ａ）は配線の
概略を、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ‐Ｂ′線の一部断
面構造をそれぞれ示す。図１において、撮像部における
垂直シフトレジスタ（垂直転送部）の各転送電極には、
垂直方向に延在するシャント配線１３及びこのシャント
配線１３の端部にその端部と交差した状態で配されかつ
電気的に接続されたループ状のバスライン１４からなる
配線構造を介して例えば４相の転送クロックφ１〜φ４
が印加されるようになっている。
に説明する。図１は、本発明の第１実施例を示す構成図
であり、図３に示すＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子の撮像
部１に適用した場合を示す。なお、図１（Ａ）は配線の
概略を、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ‐Ｂ′線の一部断
面構造をそれぞれ示す。図１において、撮像部における
垂直シフトレジスタ（垂直転送部）の各転送電極には、
垂直方向に延在するシャント配線１３及びこのシャント
配線１３の端部にその端部と交差した状態で配されかつ
電気的に接続されたループ状のバスライン１４からなる
配線構造を介して例えば４相の転送クロックφ１〜φ４
が印加されるようになっている。
【００１３】バスライン１４は、複数本のシャント配線
１３の各々に共通に転送クロックφ１〜φ４を供給する
ためのものであって、４相に対応して４本のパターン配
線１４1 〜１４4 からなっている。これらパターン配線
１４1 〜１４4 の各々には、ボンディングパッド１５1
〜１５4 を介してチップの外部端子（図示せず）から４
相の転送クロックφ１〜φ４が印加される。一方、シャ
ント配線１３は、垂直転送列に対応した本数だけ設けら
れ、バスライン１４の４本のパターン配線１４1 〜１４
4 のうち、垂直転送部側のパターン配線、換言すればル
ープ内の一番外側のパターン配線（本例では、１相目の
パターン配線１４1)に対して４本をグループとして１グ
ループ内で１本おきに交差するように配線されている。
１３の各々に共通に転送クロックφ１〜φ４を供給する
ためのものであって、４相に対応して４本のパターン配
線１４1 〜１４4 からなっている。これらパターン配線
１４1 〜１４4 の各々には、ボンディングパッド１５1
〜１５4 を介してチップの外部端子（図示せず）から４
相の転送クロックφ１〜φ４が印加される。一方、シャ
ント配線１３は、垂直転送列に対応した本数だけ設けら
れ、バスライン１４の４本のパターン配線１４1 〜１４
4 のうち、垂直転送部側のパターン配線、換言すればル
ープ内の一番外側のパターン配線（本例では、１相目の
パターン配線１４1)に対して４本をグループとして１グ
ループ内で１本おきに交差するように配線されている。
【００１４】すなわち、図１（Ａ）において、一番左側
のグループのシャント配線１３1 では、１相目（φ１）
と３相目（φ３）の２本のシャント配線が、次のシャン
ト配線１３2 では、２相目（φ２）と４相目（φ４）の
２本のシャント配線がバスライン１４の１相目のパター
ン配線１４1 とそれぞれ交差し、バスライン１４の４本
のパターン配線１４1 〜１４4 に相（φ１〜φ４）対応
で接続されている。このように、バスライン１４の４本
のパターン配線１４1 〜１４4 のうち、ループ内の一番
外側のパターン配線１４1 に対し、シャント配線１３を
４本をグループとして１グループ内で１本おきに交差さ
せることにより、シャント配線１３がパターン配線１４
1 と交差する点が垂直転送列の本数の１／２となる。
のグループのシャント配線１３1 では、１相目（φ１）
と３相目（φ３）の２本のシャント配線が、次のシャン
ト配線１３2 では、２相目（φ２）と４相目（φ４）の
２本のシャント配線がバスライン１４の１相目のパター
ン配線１４1 とそれぞれ交差し、バスライン１４の４本
のパターン配線１４1 〜１４4 に相（φ１〜φ４）対応
で接続されている。このように、バスライン１４の４本
のパターン配線１４1 〜１４4 のうち、ループ内の一番
外側のパターン配線１４1 に対し、シャント配線１３を
４本をグループとして１グループ内で１本おきに交差さ
せることにより、シャント配線１３がパターン配線１４
1 と交差する点が垂直転送列の本数の１／２となる。
【００１５】これにより、図１（Ｂ）から明かなよう
に、第１層目のアルミニウム層（1st-Ａl)からなるシャ
ント配線１３上を、層間絶縁膜２０を介して第２層目の
アルミニウム層（2nd-Ａl)からなるバスライン１４が横
切る断面構造において、パターン配線１４1 の段差の数
を従来構造の１／２に削減できる。したがって、バスラ
イン１４の抵抗はほぼ段差の数で決まることから、パタ
ーン配線１４1 の抵抗を従来構造のおよそ１／２に減少
できるため、デバイスのより高速な動作を実現できる。
一方、容量はほとんど変わらないので、バスライン１４
における伝播遅延による駆動限界周波数がほぼ２倍とな
る。また、バスライン１４のループの外側から２番目
（２相目）のパターン配線１４2 については、段差の数
が従来構造の１／３に削減されることになる。
に、第１層目のアルミニウム層（1st-Ａl)からなるシャ
ント配線１３上を、層間絶縁膜２０を介して第２層目の
アルミニウム層（2nd-Ａl)からなるバスライン１４が横
切る断面構造において、パターン配線１４1 の段差の数
を従来構造の１／２に削減できる。したがって、バスラ
イン１４の抵抗はほぼ段差の数で決まることから、パタ
ーン配線１４1 の抵抗を従来構造のおよそ１／２に減少
できるため、デバイスのより高速な動作を実現できる。
一方、容量はほとんど変わらないので、バスライン１４
における伝播遅延による駆動限界周波数がほぼ２倍とな
る。また、バスライン１４のループの外側から２番目
（２相目）のパターン配線１４2 については、段差の数
が従来構造の１／３に削減されることになる。
【００１６】なお、従来構造では、１本のシャント配線
で４つの転送電極を賄っていたのに対し、本構造では、
１本のシャント配線で８つの転送電極を賄うことにな
り、容量が従来構造の２倍になるが、駆動周波数に対し
て十分マージンがあるため、容量が倍になっても伝播遅
延は問題ないレベルである。また、パターン配線１４1
と交差しないシャント配線１３については、その配線を
完全に取り去ってしまうのではなく、垂直シフトレジス
タ上においては従来構造と同様にそのまま残し、パター
ン配線１４1 と交差する部分のみ間引くようにする。こ
うすることにより、転送電極の上にはどのラインにも必
ずシャント配線１３が存在し、受光部の上部構造が均一
となるため、この部分の不均一性が原因となる感度むら
のような現象の発生を招くこともない。
で４つの転送電極を賄っていたのに対し、本構造では、
１本のシャント配線で８つの転送電極を賄うことにな
り、容量が従来構造の２倍になるが、駆動周波数に対し
て十分マージンがあるため、容量が倍になっても伝播遅
延は問題ないレベルである。また、パターン配線１４1
と交差しないシャント配線１３については、その配線を
完全に取り去ってしまうのではなく、垂直シフトレジス
タ上においては従来構造と同様にそのまま残し、パター
ン配線１４1 と交差する部分のみ間引くようにする。こ
うすることにより、転送電極の上にはどのラインにも必
ずシャント配線１３が存在し、受光部の上部構造が均一
となるため、この部分の不均一性が原因となる感度むら
のような現象の発生を招くこともない。
【００１７】図２は、本発明の第２実施例を示す配線概
略図である。本実施例においては、シャント配線１３
を、バスライン１４のパターン配線１４1 に対して４本
をグループとして１グループおきに交差するように配線
した構成を採っている。すなわち、一番左側のグループ
のシャント配線１３1 では全シャント配線がバスライン
１４の１相目のパターン配線１４1 と交差し、バスライ
ン１４の４本のパターン配線１４1 〜１４4 に相（φ１
〜φ４）対応で接続され、左から２番目のグループのシ
ャント配線１３2 では全シャント配線がパターン配線１
４1 と交差しないようにその手前でカットされている。
以降、上記の構成が繰り返される。
略図である。本実施例においては、シャント配線１３
を、バスライン１４のパターン配線１４1 に対して４本
をグループとして１グループおきに交差するように配線
した構成を採っている。すなわち、一番左側のグループ
のシャント配線１３1 では全シャント配線がバスライン
１４の１相目のパターン配線１４1 と交差し、バスライ
ン１４の４本のパターン配線１４1 〜１４4 に相（φ１
〜φ４）対応で接続され、左から２番目のグループのシ
ャント配線１３2 では全シャント配線がパターン配線１
４1 と交差しないようにその手前でカットされている。
以降、上記の構成が繰り返される。
【００１８】このように、バスライン１４のループ内の
一番外側のパターン配線１４1 に対し、シャント配線１
３を４本をグループとして１グループおきに交差させる
ことにより、シャント配線１３がパターン配線１４1 と
交差する点が垂直転送列の本数の１／２となる。その結
果、第１実施例の場合と同様に、パターン配線１４1 の
抵抗を従来構造のおよそ１／２に減少できるため、デバ
イスのより高速な動作を実現できるとともに、受光部の
上部構造の不均一性が原因となる感度むらのような現象
の発生を招くこともない。
一番外側のパターン配線１４1 に対し、シャント配線１
３を４本をグループとして１グループおきに交差させる
ことにより、シャント配線１３がパターン配線１４1 と
交差する点が垂直転送列の本数の１／２となる。その結
果、第１実施例の場合と同様に、パターン配線１４1 の
抵抗を従来構造のおよそ１／２に減少できるため、デバ
イスのより高速な動作を実現できるとともに、受光部の
上部構造の不均一性が原因となる感度むらのような現象
の発生を招くこともない。
【００１９】なお、上記各実施例では、図３に示すＦＩ
Ｔ型ＣＣＤ固体撮像素子の撮像部１におけるシャント配
線構造に適用した場合について説明したが、蓄積部２に
おけるシャント配線構造にも同様に適用し得ることは勿
論であり、更にはＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子に限ら
ず、ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子にも適用可能である。ま
た、上記各実施例においては、１本のシャント配線で８
つの転送電極を賄うように、バスライン１４のパターン
配線１４1 と交差するシャント配線１３の本数を決定し
たが、１本のシャント配線が賄う転送電極の数は８個に
限定されるものではなく、伝播遅延が問題とならない範
囲で自由に設定可能である。
Ｔ型ＣＣＤ固体撮像素子の撮像部１におけるシャント配
線構造に適用した場合について説明したが、蓄積部２に
おけるシャント配線構造にも同様に適用し得ることは勿
論であり、更にはＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子に限ら
ず、ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子にも適用可能である。ま
た、上記各実施例においては、１本のシャント配線で８
つの転送電極を賄うように、バスライン１４のパターン
配線１４1 と交差するシャント配線１３の本数を決定し
たが、１本のシャント配線が賄う転送電極の数は８個に
限定されるものではなく、伝播遅延が問題とならない範
囲で自由に設定可能である。
【００２０】更に、シャント配線を必ずしも規則的に間
引く必要はなく、バスライン１４のパターン配線１４1
に対してシャント配線１３が交差する点が、垂直転送列
の本数よりも１つでも少なければ、少ない分だけ従来構
造に比してバスライン１４のパターン配線１４1 の抵抗
を減少できるため、デバイスのより高速な動作を実現で
きることになる。また更に、上記各実施例では、垂直転
送駆動が４相駆動の場合に適用したが、４相に限定され
るものではない。
引く必要はなく、バスライン１４のパターン配線１４1
に対してシャント配線１３が交差する点が、垂直転送列
の本数よりも１つでも少なければ、少ない分だけ従来構
造に比してバスライン１４のパターン配線１４1 の抵抗
を減少できるため、デバイスのより高速な動作を実現で
きることになる。また更に、上記各実施例では、垂直転
送駆動が４相駆動の場合に適用したが、４相に限定され
るものではない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ｎ本のバスラインのうち、垂直転送部側のバスラインに
対してシャント配線を、ｎ本をグループとして例えば１
グループ内で１本おき、あるいは１グループおきに交差
させるようにしたことにより、シャント配線がバスライ
ンと交差する点が垂直転送列の本数の１／２となり、バ
スラインの段差の数を従来構造の１／２に削減できるこ
とから、バスラインの抵抗を従来構造のおよそ１／２に
減少できるため、デバイスのより高速な動作を実現でき
ることになる。
ｎ本のバスラインのうち、垂直転送部側のバスラインに
対してシャント配線を、ｎ本をグループとして例えば１
グループ内で１本おき、あるいは１グループおきに交差
させるようにしたことにより、シャント配線がバスライ
ンと交差する点が垂直転送列の本数の１／２となり、バ
スラインの段差の数を従来構造の１／２に削減できるこ
とから、バスラインの抵抗を従来構造のおよそ１／２に
減少できるため、デバイスのより高速な動作を実現でき
ることになる。
【図１】本発明の第１実施例を示す構成図であって、同
図（Ａ）は配線の概略を、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ
‐Ｂ′線の一部断面構造をそれぞれ示している。
図（Ａ）は配線の概略を、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ
‐Ｂ′線の一部断面構造をそれぞれ示している。
【図２】本発明の第２実施例を示す配線概略図である。
【図３】ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子の概略構成図であ
る。
る。
【図４】従来の配線構造を示す配線図である。
【図５】図４の撮像部の配線概略図である。
【図６】撮像部のシャント配線を示す平面構造図であ
る。
る。
【図７】ある１本のシャント配線と転送電極の関係を示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図８】図５のＡ‐Ａ′線の一部の断面構造図である。
１ 撮像部 ２ 蓄積部 ３ 水平シフトレジスタ １１ フォトセンサ １２ 垂直シフトレジスタ １３，２２ シャント配線 １４，２３ バスライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7210−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 複数本の垂直転送部の各転送電極にｎ相
の転送クロックを印加するシャント配線と、前記シャン
ト配線の端部にその端部と交差した状態で配されて前記
シャント配線に対して各相毎に前記転送クロックを供給
するｎ本のバスラインとを有する固体撮像素子の配線構
造であって、 前記ｎ本のバスラインのうち、前記垂直転送部側のバス
ラインに対して前記シャント配線が交差する点が、垂直
転送列の本数よりも少なく設定されたことを特徴とする
固体撮像素子の配線構造。 - 【請求項２】 前記シャント配線は、前記垂直転送部側
のバスラインに対してｎ本をグループとして１グループ
内で１本おきに交差していることを特徴とする請求項１
記載の固体撮像素子の配線構造。 - 【請求項３】 前記シャント配線は、前記垂直転送部側
のバスラインに対してｎ本をグループとして１グループ
おきに交差していることを特徴とする請求項１記載の固
体撮像素子の配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066170A JPH06252376A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 固体撮像素子の配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066170A JPH06252376A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 固体撮像素子の配線構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252376A true JPH06252376A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13308112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5066170A Pending JPH06252376A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 固体撮像素子の配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000196063A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体エネルギ―検出器 |
| JP2002076319A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147999U (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-13 | ||
| JPH05193700A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-08-03 | Krones Ag Hermann Kronseder Mas Fab | 容器充填方法及び充填装置 |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP5066170A patent/JPH06252376A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147999U (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-13 | ||
| JPH05193700A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-08-03 | Krones Ag Hermann Kronseder Mas Fab | 容器充填方法及び充填装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000196063A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体エネルギ―検出器 |
| EP1146564A1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-10-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor energy detector |
| EP1146564A4 (en) * | 1998-12-28 | 2004-04-07 | Hamamatsu Photonics Kk | SEMICONDUCTOR ENERGY DETECTOR |
| JP2002076319A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6236434B1 (en) | Solid state image pickup device | |
| EP1320993B1 (en) | Imager with adjustable resolution | |
| EP0262665A2 (en) | CCD Area image sensor operable in both of line-sequential and interlace scannings and a method for operating the same | |
| US5393997A (en) | CCD having transfer electrodes of 3 layers | |
| JP3102348B2 (ja) | カラーリニアイメージセンサおよびその駆動方法 | |
| JPH061829B2 (ja) | 二次元ｃｃｄイメージセンサ | |
| JP2944251B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06252376A (ja) | 固体撮像素子の配線構造 | |
| JP3200899B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04192561A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS62208668A (ja) | 電荷移送形固体撮像素子 | |
| JPH04216672A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2001060681A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| JP3713863B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH09219506A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US6207982B1 (en) | Solid-state image pickup device capable of high-speed transfer of signal charges in horizontal direction | |
| JPH06104418A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3226536B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2904180B2 (ja) | 電荷転送装置の駆動方法 | |
| JP2900382B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2940803B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3291774B2 (ja) | Ｃｃｄ固体撮像素子 | |
| JPH07226497A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0433143B2 (ja) | ||
| JP3257173B2 (ja) | 固体撮像素子 |