JPH04281681A - Ｘ‐ｙアドレス型固体撮像装置 - Google Patents
Ｘ‐ｙアドレス型固体撮像装置Info
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- JPH04281681A JPH04281681A JP3069335A JP6933591A JPH04281681A JP H04281681 A JPH04281681 A JP H04281681A JP 3069335 A JP3069335 A JP 3069335A JP 6933591 A JP6933591 A JP 6933591A JP H04281681 A JPH04281681 A JP H04281681A
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- Japan
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- capacitor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ‐Ｙアドレス型固体
撮像装置に関し、特に電子シャッター動作が可能な固体
撮像デバイスとして用いて好適なＸ‐Ｙアドレス型固体
撮像装置に関する。
撮像装置に関し、特に電子シャッター動作が可能な固体
撮像デバイスとして用いて好適なＸ‐Ｙアドレス型固体
撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ‐Ｙアドレス型固体撮像装置は、（Ｘ
，Ｙ）座標でアドレスされた１画素に走査パルスを印加
して信号を取り出す方式のものである。このＸ‐Ｙアド
レス型固体撮像装置としては、ＭＯＳ型固体撮像装置等
が知られている。このＭＯＳ型固体撮像装置では、図４
に示すように、単位画素のフォトセンサ部４０が、光電
変換素子であるフォトダイオード４１と信号読出し用の
ＭＯＳトランジスタ４２との組合せで形成された構成と
なっていた。
，Ｙ）座標でアドレスされた１画素に走査パルスを印加
して信号を取り出す方式のものである。このＸ‐Ｙアド
レス型固体撮像装置としては、ＭＯＳ型固体撮像装置等
が知られている。このＭＯＳ型固体撮像装置では、図４
に示すように、単位画素のフォトセンサ部４０が、光電
変換素子であるフォトダイオード４１と信号読出し用の
ＭＯＳトランジスタ４２との組合せで形成された構成と
なっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のＭ
ＯＳ型固体撮像装置等では、フォトダイオード４１での
光電変換によって発生した信号電荷を蓄積する箇所を一
カ所しか持たない構成となっていたので、信号電荷の蓄
積と読出しを独立に行うことができなく、したがって、
いわゆる電子シャッター動作を行う場合、１画素毎にシ
ャッター動作が行われることになるため、画素毎にシャ
ッター動作の時刻に差が生じる、という不具合があった
。
ＯＳ型固体撮像装置等では、フォトダイオード４１での
光電変換によって発生した信号電荷を蓄積する箇所を一
カ所しか持たない構成となっていたので、信号電荷の蓄
積と読出しを独立に行うことができなく、したがって、
いわゆる電子シャッター動作を行う場合、１画素毎にシ
ャッター動作が行われることになるため、画素毎にシャ
ッター動作の時刻に差が生じる、という不具合があった
。
【０００４】一方、図５に示すように、金属膜４３を介
して積層された積層膜４４を有する積層型のＭＯＳ型固
体撮像装置等では、ＰＮ接合ダイオードからなるストレ
ージキャパシタ４５が設けられているものの、フォトキ
ャリアーの発生する積層膜４４との間にスイッチ素子が
存在しないため、やはり電子シャッター動作が不可能で
あり、また光が入射すると偽信号となるため遮光が必要
となり、特に基板裏面側から光を取り込むいわゆる裏面
照射型では、この遮光が困難となる欠点があった。また
、積層膜４４に対するバイアス電圧をオン／オフさせた
場合には、積層膜４４のトラップ性残像により、やはり
電子シャッター動作は不可能である。
して積層された積層膜４４を有する積層型のＭＯＳ型固
体撮像装置等では、ＰＮ接合ダイオードからなるストレ
ージキャパシタ４５が設けられているものの、フォトキ
ャリアーの発生する積層膜４４との間にスイッチ素子が
存在しないため、やはり電子シャッター動作が不可能で
あり、また光が入射すると偽信号となるため遮光が必要
となり、特に基板裏面側から光を取り込むいわゆる裏面
照射型では、この遮光が困難となる欠点があった。また
、積層膜４４に対するバイアス電圧をオン／オフさせた
場合には、積層膜４４のトラップ性残像により、やはり
電子シャッター動作は不可能である。
【０００５】そこで、本発明は、全画素でタイムラグの
ない電子シャッター動作が可能で、しかもキャパシタ部
の遮光を不要としたＸ‐Ｙアドレス型固体撮像装置を提
供することを目的とする。
ない電子シャッター動作が可能で、しかもキャパシタ部
の遮光を不要としたＸ‐Ｙアドレス型固体撮像装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるＸ‐Ｙアド
レス型固体撮像装置においては、水平及び垂直方向にて
画素単位で２次元的に配列された複数個のフォトセンサ
部の各々を、入射光に応じた信号電荷を蓄積する光電変
換素子と、この光電変換素子の蓄電状態をリセットする
第１のスイッチ素子と、蓄電素子と、光電変換素子に蓄
積された信号電荷を蓄電素子に転送する第２のスイッチ
素子と、蓄電素子の蓄電電荷を読み出す第３のスイッチ
素子とによって構成し、蓄電素子としてスタック型構造
のキャパシタを用いた構成となっている。
レス型固体撮像装置においては、水平及び垂直方向にて
画素単位で２次元的に配列された複数個のフォトセンサ
部の各々を、入射光に応じた信号電荷を蓄積する光電変
換素子と、この光電変換素子の蓄電状態をリセットする
第１のスイッチ素子と、蓄電素子と、光電変換素子に蓄
積された信号電荷を蓄電素子に転送する第２のスイッチ
素子と、蓄電素子の蓄電電荷を読み出す第３のスイッチ
素子とによって構成し、蓄電素子としてスタック型構造
のキャパシタを用いた構成となっている。
【０００７】
【作用】本発明によるＸ‐Ｙアドレス型固体撮像装置に
おいて、光電変換素子での信号電荷の蓄積期間を第１の
スイッチ素子でコントロールし、光電変換素子に蓄積さ
れた信号電荷を垂直ブランキング期間の一部で第２のス
イッチ素子によって全画素一斉に蓄電素子に転送してス
トックする。信号電荷をストックした蓄電素子と光電変
換素子とは第２のスイッチ素子によって電気的に分離さ
れる。各画素の蓄電素子にストックされた信号電荷をＸ
Ｙ読出しすることにより、全画素でタイムラグのない電
子シャッター動作が可能となる。また、蓄電素子として
スタック型（積み重ね型）構造のキャパシタを用いたこ
とにより、表面照射型の場合には、ＰＮ接合のキャパシ
タよりも小さい面積で、しかも配線あるいはＭＯＳトラ
ンジスタ上にキャパシタを設けることができ、裏面照射
型の場合には、フォトセンサ部上に設けることができる
。
おいて、光電変換素子での信号電荷の蓄積期間を第１の
スイッチ素子でコントロールし、光電変換素子に蓄積さ
れた信号電荷を垂直ブランキング期間の一部で第２のス
イッチ素子によって全画素一斉に蓄電素子に転送してス
トックする。信号電荷をストックした蓄電素子と光電変
換素子とは第２のスイッチ素子によって電気的に分離さ
れる。各画素の蓄電素子にストックされた信号電荷をＸ
Ｙ読出しすることにより、全画素でタイムラグのない電
子シャッター動作が可能となる。また、蓄電素子として
スタック型（積み重ね型）構造のキャパシタを用いたこ
とにより、表面照射型の場合には、ＰＮ接合のキャパシ
タよりも小さい面積で、しかも配線あるいはＭＯＳトラ
ンジスタ上にキャパシタを設けることができ、裏面照射
型の場合には、フォトセンサ部上に設けることができる
。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は例えばＭＯＳ型固体撮像装置に適用
した本発明の一実施例を示す構成図である。図において
、単位画素のフォトセンサ部１０は、光電変換素子であ
るフォトダイオード１１と垂直スイッチ素子である垂直
ＭＯＳトランジスタ１２との間に、フォトダイオード１
１の蓄電状態をリセットするリセットＭＯＳトランジス
タ１３と、蓄電素子であるストレージキャパシタ１４と
、フォトダイオード１１に蓄積された信号電荷をストレ
ージキャパシタ１４に転送する転送ＭＯＳトランジスタ
１５とを新たに有する構成となっている。なお、リセッ
トＭＯＳトランジスタ１３のゲート及び転送ＭＯＳトラ
ンジスタ１５のゲートは全画素共通に構成される。
に説明する。図１は例えばＭＯＳ型固体撮像装置に適用
した本発明の一実施例を示す構成図である。図において
、単位画素のフォトセンサ部１０は、光電変換素子であ
るフォトダイオード１１と垂直スイッチ素子である垂直
ＭＯＳトランジスタ１２との間に、フォトダイオード１
１の蓄電状態をリセットするリセットＭＯＳトランジス
タ１３と、蓄電素子であるストレージキャパシタ１４と
、フォトダイオード１１に蓄積された信号電荷をストレ
ージキャパシタ１４に転送する転送ＭＯＳトランジスタ
１５とを新たに有する構成となっている。なお、リセッ
トＭＯＳトランジスタ１３のゲート及び転送ＭＯＳトラ
ンジスタ１５のゲートは全画素共通に構成される。
【０００９】図２は、単位画素のフォトセンサ部１０の
断面構造図である。同図において、Ｐ型半導体基板２１
の表面側にＮ＋ 型領域２２が形成されることによって
受光部が構成されている。Ｎ＋ 型領域２２の左右両側
にはそれぞれＮ＋ 型領域２３，２４が形成され、Ｎ＋
型領域２２，２３及びゲート電極２５によってリセッ
トＭＯＳトランジスタ１３が構成され、Ｎ＋ 型領域２
２，２４及びゲート電極２６によって転送ＭＯＳトラン
ジスタ１５が構成されている。Ｎ＋ 型領域２４の右側
にはさらにＮ＋ 型領域２７が形成され、これらＮ＋
型領域２４，２７及びゲート電極２８によって垂直ＭＯ
Ｓトランジスタ１２が構成されている。この垂直ＭＯＳ
トランジスタ１２の上には、ストレージキャパシタ１４
が積み重ねられることによってスタック型構造のキャパ
シタが構成されている。
断面構造図である。同図において、Ｐ型半導体基板２１
の表面側にＮ＋ 型領域２２が形成されることによって
受光部が構成されている。Ｎ＋ 型領域２２の左右両側
にはそれぞれＮ＋ 型領域２３，２４が形成され、Ｎ＋
型領域２２，２３及びゲート電極２５によってリセッ
トＭＯＳトランジスタ１３が構成され、Ｎ＋ 型領域２
２，２４及びゲート電極２６によって転送ＭＯＳトラン
ジスタ１５が構成されている。Ｎ＋ 型領域２４の右側
にはさらにＮ＋ 型領域２７が形成され、これらＮ＋
型領域２４，２７及びゲート電極２８によって垂直ＭＯ
Ｓトランジスタ１２が構成されている。この垂直ＭＯＳ
トランジスタ１２の上には、ストレージキャパシタ１４
が積み重ねられることによってスタック型構造のキャパ
シタが構成されている。
【００１０】このように、ストレージキャパシタ１４を
スタック型構造とすることにより、ＰＮ接合のキャパシ
タよりも小さい面積で、しかもＭＯＳトランジスタ１２
（あるいは配線）上にキャパシタを設けることができる
ので、開口率を悪化させなくて済むことになる。１例と
して、信号量が１０５ エレクトロンとすると、これを
５Ｖで蓄積するためには、約３．２ｆＦの容量Ｃが必要
であり、ストレージキャパシタ１４の酸化膜厚を１００
Åとすると、１μｍ２ の面積があれば良いことになる
。これに対し、図５に示したＰＮ接合構造の場合には、
２μｍ２ 位の面積が必要となる。また、図２の断面構
造図には、半導体基板２１の表面側から光を取り込むい
わゆる表面照射型の実施例を示したが、裏面照射型の場
合には、ストレージキャパシタ１４をスタック型構造と
することにより、ストレージキャパシタ１４を受光部の
上に積み重ねることができるのでメリットが大きく、光
による偽信号の蓄積がないことから、遮光が不要となる
。
スタック型構造とすることにより、ＰＮ接合のキャパシ
タよりも小さい面積で、しかもＭＯＳトランジスタ１２
（あるいは配線）上にキャパシタを設けることができる
ので、開口率を悪化させなくて済むことになる。１例と
して、信号量が１０５ エレクトロンとすると、これを
５Ｖで蓄積するためには、約３．２ｆＦの容量Ｃが必要
であり、ストレージキャパシタ１４の酸化膜厚を１００
Åとすると、１μｍ２ の面積があれば良いことになる
。これに対し、図５に示したＰＮ接合構造の場合には、
２μｍ２ 位の面積が必要となる。また、図２の断面構
造図には、半導体基板２１の表面側から光を取り込むい
わゆる表面照射型の実施例を示したが、裏面照射型の場
合には、ストレージキャパシタ１４をスタック型構造と
することにより、ストレージキャパシタ１４を受光部の
上に積み重ねることができるのでメリットが大きく、光
による偽信号の蓄積がないことから、遮光が不要となる
。
【００１１】再び図１において、かかる構成のフォトセ
ンサ部１０を画素単位で有するＭＯＳ型固体撮像装置に
おいては、単位画素のフォトセンサ部１０が水平及び垂
直方向にて２次元的に多数配列されており、垂直ＭＯＳ
トランジスタ１２のゲートがＸライン１９に、そのソー
スがＹライン２０にそれぞれ接続され、垂直走査回路１
６で生成されるバイアス電圧が垂直ＭＯＳトランジスタ
１２のゲートに行（ライン）単位で印加されることによ
り、垂直走査が行われる。また、Ｙライン２０の末端に
は水平スイッチ素子である水平ＭＯＳトランジスタ１７
が接続されており、各列の水平ＭＯＳトランジスタ１７
が水平走査回路１８によって水平方向に左から右へ順に
スイッチングされることにより、水平走査が行われる。
ンサ部１０を画素単位で有するＭＯＳ型固体撮像装置に
おいては、単位画素のフォトセンサ部１０が水平及び垂
直方向にて２次元的に多数配列されており、垂直ＭＯＳ
トランジスタ１２のゲートがＸライン１９に、そのソー
スがＹライン２０にそれぞれ接続され、垂直走査回路１
６で生成されるバイアス電圧が垂直ＭＯＳトランジスタ
１２のゲートに行（ライン）単位で印加されることによ
り、垂直走査が行われる。また、Ｙライン２０の末端に
は水平スイッチ素子である水平ＭＯＳトランジスタ１７
が接続されており、各列の水平ＭＯＳトランジスタ１７
が水平走査回路１８によって水平方向に左から右へ順に
スイッチングされることにより、水平走査が行われる。
【００１２】次に、単位画素のフォトセンサ部１０にお
ける電子シャッター動作について図３のタイミングチャ
ートに基づいて説明する。なお、同図において、波形（
ａ）はリセットＭＯＳトランジスタ１３のゲート電位Ｇ
１ を、波形（ｂ）はフォトダイオード１１の出力電位
Ｖ１ を、波形（ｃ）は転送ＭＯＳトランジスタ１５の
ゲート電位Ｇ２ を、波形（ｄ）はストレージキャパシ
タ１４の出力電位Ｖ２ をそれぞれ示している。１フィ
ールド期間内において、リセットＭＯＳトランジスタ１
３のゲート電位Ｇ１ （ａ）が“Ｌ”レベルの期間、即
ちシャッターオープン期間でフォトダイオード１１がフ
ォトキャリア（信号電荷）を蓄積する。続いて、垂直ブ
ランキング期間における一定期間で転送ＭＯＳトランジ
スタ１５のゲート電位Ｇ２ （ｃ）を“Ｈ”レベルにす
ると、転送ＭＯＳトランジスタ１５がオン状態となって
フォトダイオード１１に蓄積された信号電荷をストレー
ジキャパシタ１４に転送する。転送ＭＯＳトランジスタ
１５のゲート電位Ｇ２ （ｃ）が“Ｌ”レベルに遷移後
、リセットＭＯＳトランジスタ１３のゲート電位Ｇ１（
ａ）を“Ｈ”レベルにすることで、フォトダイオード１
１をリセット状態にする。そして、１フィールド期間内
における読出し期間中にストレージキャパシタ１４の出
力電位Ｖ２ をＸＹ読出しする。なお、ＭＯＳ型はいわ
ゆる破壊読出しなので、読出しが終わると、ストレージ
キャパシタ１４はリセット状態となる。
ける電子シャッター動作について図３のタイミングチャ
ートに基づいて説明する。なお、同図において、波形（
ａ）はリセットＭＯＳトランジスタ１３のゲート電位Ｇ
１ を、波形（ｂ）はフォトダイオード１１の出力電位
Ｖ１ を、波形（ｃ）は転送ＭＯＳトランジスタ１５の
ゲート電位Ｇ２ を、波形（ｄ）はストレージキャパシ
タ１４の出力電位Ｖ２ をそれぞれ示している。１フィ
ールド期間内において、リセットＭＯＳトランジスタ１
３のゲート電位Ｇ１ （ａ）が“Ｌ”レベルの期間、即
ちシャッターオープン期間でフォトダイオード１１がフ
ォトキャリア（信号電荷）を蓄積する。続いて、垂直ブ
ランキング期間における一定期間で転送ＭＯＳトランジ
スタ１５のゲート電位Ｇ２ （ｃ）を“Ｈ”レベルにす
ると、転送ＭＯＳトランジスタ１５がオン状態となって
フォトダイオード１１に蓄積された信号電荷をストレー
ジキャパシタ１４に転送する。転送ＭＯＳトランジスタ
１５のゲート電位Ｇ２ （ｃ）が“Ｌ”レベルに遷移後
、リセットＭＯＳトランジスタ１３のゲート電位Ｇ１（
ａ）を“Ｈ”レベルにすることで、フォトダイオード１
１をリセット状態にする。そして、１フィールド期間内
における読出し期間中にストレージキャパシタ１４の出
力電位Ｖ２ をＸＹ読出しする。なお、ＭＯＳ型はいわ
ゆる破壊読出しなので、読出しが終わると、ストレージ
キャパシタ１４はリセット状態となる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｘ‐Ｙアドレス型固体撮像装置において、単位画素で設
けられた複数個のフォトセンサ部の各々を、光電変換素
子と読出しスイッチ素子の間に、光電変換素子の蓄電状
態をリセットする第１のスイッチ素子と、蓄電素子と、
光電変換素子に蓄積された信号電荷を蓄電素子に転送す
る第２のスイッチ素子とを設けて構成したので、１フィ
ールド期間を使ってＸＹ読出しができ、全画素でタイム
ラグのない電子シャッター動作が可能となる効果がある
。また、蓄電素子としてスタック型構造のキャパシタを
用いたことにより、表面照射型の場合には、ＰＮ接合の
キャパシタよりも小さい面積で、しかも配線あるいはＭ
ＯＳトランジスタ上にキャパシタを設けることができる
ため、開口率を悪化させずに済み、裏面照射型の場合に
は、光による偽信号の蓄積がないので、遮光が不要とな
る効果がある。
Ｘ‐Ｙアドレス型固体撮像装置において、単位画素で設
けられた複数個のフォトセンサ部の各々を、光電変換素
子と読出しスイッチ素子の間に、光電変換素子の蓄電状
態をリセットする第１のスイッチ素子と、蓄電素子と、
光電変換素子に蓄積された信号電荷を蓄電素子に転送す
る第２のスイッチ素子とを設けて構成したので、１フィ
ールド期間を使ってＸＹ読出しができ、全画素でタイム
ラグのない電子シャッター動作が可能となる効果がある
。また、蓄電素子としてスタック型構造のキャパシタを
用いたことにより、表面照射型の場合には、ＰＮ接合の
キャパシタよりも小さい面積で、しかも配線あるいはＭ
ＯＳトランジスタ上にキャパシタを設けることができる
ため、開口率を悪化させずに済み、裏面照射型の場合に
は、光による偽信号の蓄積がないので、遮光が不要とな
る効果がある。
【図１】ＭＯＳ型固体撮像装置に適用した本発明の一実
施例を示す構成図である。
施例を示す構成図である。
【図２】単位画素のフォトセンサ部の断面構造図である
。
。
【図３】電子シャッター動作を説明するためのタイミン
グチャートである。
グチャートである。
【図４】ＭＯＳ型固体撮像装置の従来例を示す構成図で
ある。
ある。
【図５】積層型のＭＯＳ型固体撮像装置の断面構造図で
ある。
ある。
１０，４０ フォトセンサ部
１１，４１ フォトダイオード
１２ 垂直ＭＯＳトランジスタ
１３ リセットＭＯＳトランジスタ
１４ ストレージキャパシタ
１５ 転送ＭＯＳトランジスタ
１７ 水平ＭＯＳトランジスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 水平及び垂直方向にて画素単位で２次
元的に配列された複数個のフォトセンサ部の各々を、入
射光に応じた信号電荷を蓄積する光電変換素子と、前記
光電変換素子の蓄電状態をリセットする第１のスイッチ
素子と、蓄電素子と、前記光電変換素子に蓄積された信
号電荷を前記蓄電素子に転送する第２のスイッチ素子と
、前記蓄電素子の蓄電電荷を読み出す第３のスイッチ素
子とによって構成し、前記蓄電素子としてスタック型構
造のキャパシタを用いたことを特徴とするＸ‐Ｙアドレ
ス型固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069335A JPH04281681A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | Ｘ‐ｙアドレス型固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069335A JPH04281681A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | Ｘ‐ｙアドレス型固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04281681A true JPH04281681A (ja) | 1992-10-07 |
Family
ID=13399581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3069335A Pending JPH04281681A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | Ｘ‐ｙアドレス型固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04281681A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500905A (ja) * | 1999-05-18 | 2003-01-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | センサマトリックス |
| WO2004043061A1 (ja) * | 2002-11-07 | 2004-05-21 | Rohm Co., Ltd. | エリアイメージセンサ |
| JP2007115803A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
| JP2008177593A (ja) * | 2008-02-18 | 2008-07-31 | Sony Corp | 固体撮像素子及びカメラ装置 |
| JP2008277511A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び撮像装置 |
| US7623170B2 (en) | 1998-06-30 | 2009-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Amplification type image pickup apparatus and method of controlling the amplification type image pickup apparatus |
| WO2013088983A1 (ja) | 2011-12-12 | 2013-06-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法及び電子機器 |
| US8513710B2 (en) | 2002-10-17 | 2013-08-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and control method for same |
| US8749695B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-06-10 | Sony Corporation | Imaging device and imaging apparatus |
| KR20150058155A (ko) | 2012-09-25 | 2015-05-28 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 전자기기 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP3069335A patent/JPH04281681A/ja active Pending
Cited By (16)
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