JP2901653B2 - 熱処理方法及び熱処理装置 - Google Patents
熱処理方法及び熱処理装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は被処理体の熱処理方法及び熱処理装置に関す
る。
る。
［従来の技術及び発明が解決すべき課題］ 半導体製造工程のホトレジスト処理工程においては、
半導体ウェハの洗浄水の脱水のため、あるいは半導体ウ
ェハ表面上に塗布されたレジスト液の溶剤の除去や、レ
ジストのクロスリンキング増進による耐熱性付与などの
レジスト物性の安定化、露光後のパターンの変形軽減の
ためなどにベーキングが行われている。ベーキング方法
としては、直接加熱ホットプレート、間接加熱ホットプ
レート、あるいはベルト搬送式オーブン、バッチ式オー
ブン等で加熱処理が行われているが、コンパクト化、効
率化等の点でホットプレートが多く採用されている。ホ
ットプレートを使用してのベーキングは直接加熱方式
と、プロキシミティと呼ばれる間接加熱方式があり、直
接加熱方式では熱板の上に半導体ウェハを密着載置して
半導体ウェハの下方から加熱したり、あるいは熱板の下
に設けられた冷却装置により加熱処理で高温になってい
る半導体ウェハを常温まで冷却する場合、半導体ウェハ
全面の温度分布は均一で効率もよいが、半導体ウェハと
熱板が密着しているため、表面にごみが付着したり、Al
製等の熱板においては重金属汚染の問題があった。ま
た、プロキシミティーベークにおいては熱板との間に設
けた間隙により汚染はされないが、温度分布の均一化を
確保するための上記間隙の精密調節が困難であるとか、
伝熱速度が遅いため処理時間が長時間必要である等の問
題もあった。特に、加熱（例えば90℃）後、室温まで冷
却するのに密着方式では約20秒かかるのに対し、プロキ
シミティー方式では60秒以上も必要であった。
半導体ウェハの洗浄水の脱水のため、あるいは半導体ウ
ェハ表面上に塗布されたレジスト液の溶剤の除去や、レ
ジストのクロスリンキング増進による耐熱性付与などの
レジスト物性の安定化、露光後のパターンの変形軽減の
ためなどにベーキングが行われている。ベーキング方法
としては、直接加熱ホットプレート、間接加熱ホットプ
レート、あるいはベルト搬送式オーブン、バッチ式オー
ブン等で加熱処理が行われているが、コンパクト化、効
率化等の点でホットプレートが多く採用されている。ホ
ットプレートを使用してのベーキングは直接加熱方式
と、プロキシミティと呼ばれる間接加熱方式があり、直
接加熱方式では熱板の上に半導体ウェハを密着載置して
半導体ウェハの下方から加熱したり、あるいは熱板の下
に設けられた冷却装置により加熱処理で高温になってい
る半導体ウェハを常温まで冷却する場合、半導体ウェハ
全面の温度分布は均一で効率もよいが、半導体ウェハと
熱板が密着しているため、表面にごみが付着したり、Al
製等の熱板においては重金属汚染の問題があった。ま
た、プロキシミティーベークにおいては熱板との間に設
けた間隙により汚染はされないが、温度分布の均一化を
確保するための上記間隙の精密調節が困難であるとか、
伝熱速度が遅いため処理時間が長時間必要である等の問
題もあった。特に、加熱（例えば90℃）後、室温まで冷
却するのに密着方式では約20秒かかるのに対し、プロキ
シミティー方式では60秒以上も必要であった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたもので
あって、半導体ウェハの汚染がなく、しかも特に冷却に
も速かな対応が可能で処理時間を短縮することができる
熱処理方法及び熱処理装置を提供することを目的とす
る。
あって、半導体ウェハの汚染がなく、しかも特に冷却に
も速かな対応が可能で処理時間を短縮することができる
熱処理方法及び熱処理装置を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するため、本発明の熱処理方法は、
加熱処理及び冷却処理を行う第１の温度調整手段の上方
に間隔を有して配置される被処理体と、被処理体の上面
に対向して間隔を有して配置され加熱処理及び冷却処理
を行う第２の温度調整手段との間隔を可変として被処理
体を熱処理するものである。
加熱処理及び冷却処理を行う第１の温度調整手段の上方
に間隔を有して配置される被処理体と、被処理体の上面
に対向して間隔を有して配置され加熱処理及び冷却処理
を行う第２の温度調整手段との間隔を可変として被処理
体を熱処理するものである。
本発明の熱処理装置は、被処理体の下面に対向して間
隔を有して配置され加熱処理及び冷却処理を行う第１の
温度調整手段と、被処理体の上面に対向して間隔を有し
て配置され加熱処理及び冷却処理を行う第２の温度調整
手段とを備え、第２の温度調整手段と被処理体との間隔
を可変とする移動手段を設けたものであり、被処理体と
第１の温度調整手段との間隔は、被処理体と第２の温度
調整手段との間隔より小さいものであり、好ましくは、
被処理体と第１の温度調整手段との間隔は、0.1〜0.5mm
であって、被処理体と第２の温度調整手段との間隔は、
0.1〜5mm被処理体の上面、下面に対向して温度調整手段
をそれぞれ所定間隔を有して配置し、被処理体を熱処理
するものである。
隔を有して配置され加熱処理及び冷却処理を行う第１の
温度調整手段と、被処理体の上面に対向して間隔を有し
て配置され加熱処理及び冷却処理を行う第２の温度調整
手段とを備え、第２の温度調整手段と被処理体との間隔
を可変とする移動手段を設けたものであり、被処理体と
第１の温度調整手段との間隔は、被処理体と第２の温度
調整手段との間隔より小さいものであり、好ましくは、
被処理体と第１の温度調整手段との間隔は、0.1〜0.5mm
であって、被処理体と第２の温度調整手段との間隔は、
0.1〜5mm被処理体の上面、下面に対向して温度調整手段
をそれぞれ所定間隔を有して配置し、被処理体を熱処理
するものである。
［作用］ 被処理体の上面及び下面にそれぞれ対向するように所
定間隔を有して温度調整手段を配置して、被処理体を熱
処理することにより、従来のプロキシミティー装置にお
ける欠点であった長時間必要であった処理時間を短縮す
ることができる。また、冷却装置を加熱装置と積層して
設け、加熱後高温になっている半導体ウェハを常温まで
冷却する場合、所望の目的温度以下で急速に冷却を行
い、目的温度付近になった時、目的温度以下に冷却され
ないよう加熱装置を動作させ、半導体ウェハを目的温度
にする。そのため、プロキシミティ装置における半導体
ウェハ裏面が汚染されないという長所を損うことなく処
理時間特に冷却時間を非常に短縮することができ、歩留
りのよい製造工程とすることができる。
定間隔を有して温度調整手段を配置して、被処理体を熱
処理することにより、従来のプロキシミティー装置にお
ける欠点であった長時間必要であった処理時間を短縮す
ることができる。また、冷却装置を加熱装置と積層して
設け、加熱後高温になっている半導体ウェハを常温まで
冷却する場合、所望の目的温度以下で急速に冷却を行
い、目的温度付近になった時、目的温度以下に冷却され
ないよう加熱装置を動作させ、半導体ウェハを目的温度
にする。そのため、プロキシミティ装置における半導体
ウェハ裏面が汚染されないという長所を損うことなく処
理時間特に冷却時間を非常に短縮することができ、歩留
りのよい製造工程とすることができる。
［実施例］ 本発明の熱処理方法及び熱処理装置を半導体ウェハ製
造のレジスト塗布工程の熱処理製造に適用した一実施例
を図面を参照して説明する。
造のレジスト塗布工程の熱処理製造に適用した一実施例
を図面を参照して説明する。
第１図の構成図に示すように、第１の温度調整手段で
ある熱処理装置S1は、被処理体である半導体ウェハＷの
加熱装置であるホットプレート１及び冷却装置２からな
り、ホットプレート１は円形平板状の絶縁体で断熱材で
ある基台３上に薄膜抵抗発熱体４及び熱容量の極めて小
さい絶縁体５を順次積層し、一体化されている。薄膜抵
抗発熱体４は、ニッケル、クロム、白金、タングステン
等の金属単体及び炭素系単体の他、ニクロム、ステンレ
スSUS等の合金、ポリマーグラフトカーボン等のポリマ
ー系複合材料、ケイ化モリブデン等の複合セラミック材
料を含め導電性を有し、通電により抵抗発熱体となり得
るものならば何れも好適に使用でき、発熱温度に応じて
適切な材質を選択可能であって、銅等の電極を取着し、
膜厚0.1〜100μｍに形成される。これらの薄膜抵抗発熱
体４上に設けられる絶縁体５は電気的絶縁性に優れ、熱
伝導性が良好なアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素等の
セラミックの他、石英、ルチル等の金属酸化物、耐熱性
のよいテフロン等のプラスチックス等遠赤外線を放射し
やすい材質のものならば何れも使用可能であって使用電
力により好適な膜厚に形成される。また、薄膜抵抗発熱
体４の下方に設けられる基台３は薄膜抵抗発熱体４の熱
が一方的に下方に拡散することなく効率よく半導体ウェ
ハＷを加熱することができるように適度の断熱性と導熱
性を兼ね備えたテフロン、ポリイミド等の樹脂や、アル
ミナ、炭化ケイ素等のセラミックスあるいはこれらの材
料を上面にコーテイングしたアルミニウム、SUS等の金
属材料等で作られる。
ある熱処理装置S1は、被処理体である半導体ウェハＷの
加熱装置であるホットプレート１及び冷却装置２からな
り、ホットプレート１は円形平板状の絶縁体で断熱材で
ある基台３上に薄膜抵抗発熱体４及び熱容量の極めて小
さい絶縁体５を順次積層し、一体化されている。薄膜抵
抗発熱体４は、ニッケル、クロム、白金、タングステン
等の金属単体及び炭素系単体の他、ニクロム、ステンレ
スSUS等の合金、ポリマーグラフトカーボン等のポリマ
ー系複合材料、ケイ化モリブデン等の複合セラミック材
料を含め導電性を有し、通電により抵抗発熱体となり得
るものならば何れも好適に使用でき、発熱温度に応じて
適切な材質を選択可能であって、銅等の電極を取着し、
膜厚0.1〜100μｍに形成される。これらの薄膜抵抗発熱
体４上に設けられる絶縁体５は電気的絶縁性に優れ、熱
伝導性が良好なアルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素等の
セラミックの他、石英、ルチル等の金属酸化物、耐熱性
のよいテフロン等のプラスチックス等遠赤外線を放射し
やすい材質のものならば何れも使用可能であって使用電
力により好適な膜厚に形成される。また、薄膜抵抗発熱
体４の下方に設けられる基台３は薄膜抵抗発熱体４の熱
が一方的に下方に拡散することなく効率よく半導体ウェ
ハＷを加熱することができるように適度の断熱性と導熱
性を兼ね備えたテフロン、ポリイミド等の樹脂や、アル
ミナ、炭化ケイ素等のセラミックスあるいはこれらの材
料を上面にコーテイングしたアルミニウム、SUS等の金
属材料等で作られる。
これらのホットプレート１の下方に設けられる冷却装
置２は冷却媒体例えば図示しない圧縮機と蒸発器を使用
して作られた冷却ガスの循環通路６が形成されており、
垂直駆動機構７によりホットプレート１が効率よく半導
体ウェハＷを加熱できるようホットプレート１に着脱自
在に上下動可能になっている。
置２は冷却媒体例えば図示しない圧縮機と蒸発器を使用
して作られた冷却ガスの循環通路６が形成されており、
垂直駆動機構７によりホットプレート１が効率よく半導
体ウェハＷを加熱できるようホットプレート１に着脱自
在に上下動可能になっている。
また、半導体ウェハＷの温度を制御するため、絶縁体
５には温度センサ８が設けられ、温度センサ８の検知温
度により温度制御装置９が制御信号を発信し、電源装置
10を制御して薄膜抵抗発熱体４及び冷却装置２を操作す
るようになっている。
５には温度センサ８が設けられ、温度センサ８の検知温
度により温度制御装置９が制御信号を発信し、電源装置
10を制御して薄膜抵抗発熱体４及び冷却装置２を操作す
るようになっている。
以上説明の熱処理装置S1と同様の第２の温度調整手段
である熱処理装置S2が半導体ウェハＷの上面にも設けら
れ、熱処理装置S2は冷却装置２をホットプレート１に着
脱させる垂直駆動機構７の他に半導体ウェハＷの搬送時
及び熱処理時に好適な間隙d1を保持できるよう、移動手
段である垂直駆動機構71により上下動されるようになっ
ている。
である熱処理装置S2が半導体ウェハＷの上面にも設けら
れ、熱処理装置S2は冷却装置２をホットプレート１に着
脱させる垂直駆動機構７の他に半導体ウェハＷの搬送時
及び熱処理時に好適な間隙d1を保持できるよう、移動手
段である垂直駆動機構71により上下動されるようになっ
ている。
また、半導体ウェハＷの下方に設けられる熱処理装置
S1のホットプレート１は第２図の断面図に示すように３
ケの箱状の孔11を有し、この孔11の各側壁にほぼ内接
し、上面が僅かにホットプレート１表面より突出するよ
うにセラミック製等からなる球12が設けられ、ホットプ
レート１上に半導体ウェハＷを載置した時、間隙d2を保
持するようになっている。ホットプレート１にはこの他
にもセンダ又は前処理装置からの搬入及び後処理装置又
はレシーバへの搬出のための図示しないウォーキングビ
ームあるいは搬入出時にホットプレート１の所定位置に
載置するために半導体ウェハをホットプレート１から上
昇させるための垂直移動可能なピン等が設けられる。
S1のホットプレート１は第２図の断面図に示すように３
ケの箱状の孔11を有し、この孔11の各側壁にほぼ内接
し、上面が僅かにホットプレート１表面より突出するよ
うにセラミック製等からなる球12が設けられ、ホットプ
レート１上に半導体ウェハＷを載置した時、間隙d2を保
持するようになっている。ホットプレート１にはこの他
にもセンダ又は前処理装置からの搬入及び後処理装置又
はレシーバへの搬出のための図示しないウォーキングビ
ームあるいは搬入出時にホットプレート１の所定位置に
載置するために半導体ウェハをホットプレート１から上
昇させるための垂直移動可能なピン等が設けられる。
以上のような構成の熱処理装置を採用した本発明の熱
処理方法を説明する。第３図はレジスト塗布装置の処理
ラインを示しており、センダ13によりカセット等に収納
された半導体ウェハＷがアドヒージョンユニット14に搬
送手段により搬送される。アドヒージョンユニット14で
レジスト膜と半導体ウェハとの密着性向上のため（C
H3）3SiNHSi（CH3）３等の蒸気を塗布、加熱（100℃）
され、次の冷却装置15において常温に冷却される。その
後コータ16に搬送され、レジスト膜を塗布後、前述の熱
処理装置Ｓに搬送される。熱処理装置Ｓは半導体ウェハ
Ｗが搬入される前に冷却装置２を第１図に示す位置よ
り、垂直駆動機構７により下降させ、ホットプレート１
より離脱させた後、予め薄膜抵抗発熱体４を所望の温度
（例えば100℃）になるよう電源装置10より電力を供給
し発熱させておく。その後、ピンをホットプレート１よ
り突出させビームで搬送された半導体ウェハＷがホット
プレート１上に間隙d2（例えば0.1〜0.5mm）を保持して
載置されると熱処理装置S1と同様に垂直駆動機構７によ
り冷却装置を離脱され予め加熱（例えば100℃）された
熱処理装置S2のホットプレートが垂直駆動機構71により
半導体ウェハＷとの間隙d1（例えば0.5〜5mm）を保持し
て配置される。
処理方法を説明する。第３図はレジスト塗布装置の処理
ラインを示しており、センダ13によりカセット等に収納
された半導体ウェハＷがアドヒージョンユニット14に搬
送手段により搬送される。アドヒージョンユニット14で
レジスト膜と半導体ウェハとの密着性向上のため（C
H3）3SiNHSi（CH3）３等の蒸気を塗布、加熱（100℃）
され、次の冷却装置15において常温に冷却される。その
後コータ16に搬送され、レジスト膜を塗布後、前述の熱
処理装置Ｓに搬送される。熱処理装置Ｓは半導体ウェハ
Ｗが搬入される前に冷却装置２を第１図に示す位置よ
り、垂直駆動機構７により下降させ、ホットプレート１
より離脱させた後、予め薄膜抵抗発熱体４を所望の温度
（例えば100℃）になるよう電源装置10より電力を供給
し発熱させておく。その後、ピンをホットプレート１よ
り突出させビームで搬送された半導体ウェハＷがホット
プレート１上に間隙d2（例えば0.1〜0.5mm）を保持して
載置されると熱処理装置S1と同様に垂直駆動機構７によ
り冷却装置を離脱され予め加熱（例えば100℃）された
熱処理装置S2のホットプレートが垂直駆動機構71により
半導体ウェハＷとの間隙d1（例えば0.5〜5mm）を保持し
て配置される。
半導体ウェハＷは、約40秒間加熱処理されると熱処理
装置S1及びS2の冷却装置２が常温23℃まで冷却するため
にそれぞれホットプレート１に装着される。この時、冷
却装置の冷却媒体の通路６に−20〜−40℃のフレオン等
を循環させることにより第４図に示すよう現行の15〜20
℃の冷却水を循環させた場合の半導体ウェハＷの冷却に
要する時間（破線で示す）より実線で示すようにはるか
に短時間で冷却され、T1秒後に温度センサ８により常温
近傍になった事が検知されると、温度制御装置９によ
り、自動的に電源装置９を駆動して薄膜抵抗発熱体４を
ONして冷却装置２と薄膜抵抗発熱体４を同時に併用して
常温以下の温度への過冷却を防止する。このように急速
な冷却をされ、処理が終了すると熱処理装置S2は垂直駆
動機構71により上方に上げられ、半導体ウェハＷは図示
しないピン等でホットプレート１の上方に支持されてウ
ォーキングビーム等でレシーバ17に搬送され、カセット
等に収納される。上記説明は100℃に加熱後常温に冷却
する方法を説明したが例えば−20℃から30℃制御可能な
冷却装置と、30℃から250℃の温度制御範囲を有する加
熱装置を用いれば−20℃から250℃までの温度範囲に亘
って制御可能となり広範囲の所望温度が制御できる。
装置S1及びS2の冷却装置２が常温23℃まで冷却するため
にそれぞれホットプレート１に装着される。この時、冷
却装置の冷却媒体の通路６に−20〜−40℃のフレオン等
を循環させることにより第４図に示すよう現行の15〜20
℃の冷却水を循環させた場合の半導体ウェハＷの冷却に
要する時間（破線で示す）より実線で示すようにはるか
に短時間で冷却され、T1秒後に温度センサ８により常温
近傍になった事が検知されると、温度制御装置９によ
り、自動的に電源装置９を駆動して薄膜抵抗発熱体４を
ONして冷却装置２と薄膜抵抗発熱体４を同時に併用して
常温以下の温度への過冷却を防止する。このように急速
な冷却をされ、処理が終了すると熱処理装置S2は垂直駆
動機構71により上方に上げられ、半導体ウェハＷは図示
しないピン等でホットプレート１の上方に支持されてウ
ォーキングビーム等でレシーバ17に搬送され、カセット
等に収納される。上記説明は100℃に加熱後常温に冷却
する方法を説明したが例えば−20℃から30℃制御可能な
冷却装置と、30℃から250℃の温度制御範囲を有する加
熱装置を用いれば−20℃から250℃までの温度範囲に亘
って制御可能となり広範囲の所望温度が制御できる。
尚、本発明における冷却装置として一般に産業機械に
広く使用されている冷凍サイクル（例えばコンプレッ
サ、蒸発器、凝縮器から成る）を採用してもよい。この
場合高い信頼性と安全性とを確保することが可能とな
る。
広く使用されている冷凍サイクル（例えばコンプレッ
サ、蒸発器、凝縮器から成る）を採用してもよい。この
場合高い信頼性と安全性とを確保することが可能とな
る。
以上の説明は本発明の熱処理方法の一実施例であっ
て、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、加
熱装置と冷却装置を同時に併用可能であって各々随時動
作することができるものであって、上方及び下方の装置
の冷却及び加熱装置を各々組合わせて使用することがで
きる。また、設置される熱処理装置は上下２方向とは限
定されず、多数使用することもできるし、又、加熱装置
と冷却装置もこれに限定するものでなく、公知のものも
使用可能である。
て、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、加
熱装置と冷却装置を同時に併用可能であって各々随時動
作することができるものであって、上方及び下方の装置
の冷却及び加熱装置を各々組合わせて使用することがで
きる。また、設置される熱処理装置は上下２方向とは限
定されず、多数使用することもできるし、又、加熱装置
と冷却装置もこれに限定するものでなく、公知のものも
使用可能である。
［発明の効果］ 以上の説明からも明らかなように、本発明の熱処理方
法及び熱処理装置によれば、半導体ウェハの裏面の汚染
及び重金属汚染がなく、クリーンな処理が行え、しかも
上下両方向にそれぞれ冷却装置を加熱装置に着脱自在に
設けるため加熱時も効率よく加熱でき、冷却時も急冷し
て加熱装置を併用して目的温度にするため処理時間を非
常に短縮することができる。
法及び熱処理装置によれば、半導体ウェハの裏面の汚染
及び重金属汚染がなく、クリーンな処理が行え、しかも
上下両方向にそれぞれ冷却装置を加熱装置に着脱自在に
設けるため加熱時も効率よく加熱でき、冷却時も急冷し
て加熱装置を併用して目的温度にするため処理時間を非
常に短縮することができる。
第１図は本発明の熱処理方法を適用した一実施例の熱処
理装置の構成図、第２図は第１図に示す一実施例の要部
を示す断面図、第３図は第１図に示す一実施例を用いた
熱処理工程を示す図、第４図は一実施例を説明する図で
ある。 S1、S2……熱処理装置 Ｗ……半導体ウェハ １……ホットプレート（熱処理装置） ２……冷却装置 d1、d2……間隙
理装置の構成図、第２図は第１図に示す一実施例の要部
を示す断面図、第３図は第１図に示す一実施例を用いた
熱処理工程を示す図、第４図は一実施例を説明する図で
ある。 S1、S2……熱処理装置 Ｗ……半導体ウェハ １……ホットプレート（熱処理装置） ２……冷却装置 d1、d2……間隙
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松村 公治 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 村上 政明 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 小田 哲也 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 山口 智三 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−168026（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−75032（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−79636（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/26
Claims (4)
- 【請求項１】加熱処理及び冷却処理を行う第１の温度調
整手段の上方に間隔を有して配置される被処理体と、前
記被処理体の上面に対向して間隔を有して配置され加熱
処理及び冷却処理を行う第２の温度調整手段との間隔を
可変として前記被処理体を熱処理することを特徴とする
熱処理方法。 - 【請求項２】被処理体の下面に対向して間隔を有して配
置され加熱処理及び冷却処理を行う第１の温度調整手段
と、前記被処理体の上面に対向して間隔を有して配置さ
れ加熱処理及び冷却処理を行う第２の温度調整手段とを
備え、前記第２の温度調整手段と前記被処理体との間隔
を可変とする移動手段を設けたことを特徴とする熱処理
装置。 - 【請求項３】前記被処理体と前記第１の温度調整手段と
の間隔は、前記被処理体と前記第２の温度調整手段との
間隔より小さいことを特徴とする請求項第２記載の熱処
理装置。 - 【請求項４】前記被処理体と前記第１の温度調整手段と
の間隔は、0.1〜0.5mmであって、前記被処理体と前記第
２の温度調整手段との間隔は、0.1〜5mmであることを特
徴とする請求項第３項記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20553089A JP2901653B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20553089A JP2901653B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369111A JPH0369111A (ja) | 1991-03-25 |
| JP2901653B2 true JP2901653B2 (ja) | 1999-06-07 |
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ID=16508414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20553089A Expired - Fee Related JP2901653B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901653B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3021264B2 (ja) * | 1993-12-13 | 2000-03-15 | アネルバ株式会社 | 基板加熱・冷却機構 |
| JP2793499B2 (ja) * | 1994-03-31 | 1998-09-03 | 日本碍子株式会社 | 被保持体の保持構造 |
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