JP2884577B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JP2884577B2 JP2884577B2 JP63264728A JP26472888A JP2884577B2 JP 2884577 B2 JP2884577 B2 JP 2884577B2 JP 63264728 A JP63264728 A JP 63264728A JP 26472888 A JP26472888 A JP 26472888A JP 2884577 B2 JP2884577 B2 JP 2884577B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stripe
- electrode
- drain
- gate
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置分野の電界効果トランジスタ（以
下、FETという。）に利用され、特に、高出力用途のGaA
s FETのチップの構造に関する。
下、FETという。）に利用され、特に、高出力用途のGaA
s FETのチップの構造に関する。
本発明は、各々複数個のゲートストライプ電極、ドレ
インストライプ電極およびソースストライプ電極を有す
る電界効果トランジスタにおいて、 前記ゲートストライプ電極および前記ドレインストラ
イプ電極の少なくとも一方について各ストライプ電極が
連結して接続された抵抗体を設けることにより、 各ストライプ電極が均一に動作するようにし、高周波
高出力特性の向上を図ったものである。
インストライプ電極およびソースストライプ電極を有す
る電界効果トランジスタにおいて、 前記ゲートストライプ電極および前記ドレインストラ
イプ電極の少なくとも一方について各ストライプ電極が
連結して接続された抵抗体を設けることにより、 各ストライプ電極が均一に動作するようにし、高周波
高出力特性の向上を図ったものである。
従来、この種の高出力GaAs FETのチップにおいては、
第３図に示すように、各々複数個のゲートストライプ電
極１、ドレインストライプ電極４およびソースストライ
プ電極７があり、それぞれのストライプ電極は、周知の
金属化技術によって、それぞれのポンディングパット電
極３、６および９に電気的に接続され集束されているの
が一般的であった。
第３図に示すように、各々複数個のゲートストライプ電
極１、ドレインストライプ電極４およびソースストライ
プ電極７があり、それぞれのストライプ電極は、周知の
金属化技術によって、それぞれのポンディングパット電
極３、６および９に電気的に接続され集束されているの
が一般的であった。
前述した従来の高出力GaAs FETのチップにおいては、
各々の複数個のゲートストライプ電極１は、ゲートバス
バー電極２を介してそれぞれゲートボンディングパッド
電極３と電気的に接続される。また複数個のドレインス
トライプ電極４は、ドレイン引出し電極５を介してそれ
ぞれドレインボンディングパッド電極６と電気的に接続
される。
各々の複数個のゲートストライプ電極１は、ゲートバス
バー電極２を介してそれぞれゲートボンディングパッド
電極３と電気的に接続される。また複数個のドレインス
トライプ電極４は、ドレイン引出し電極５を介してそれ
ぞれドレインボンディングパッド電極６と電気的に接続
される。
この場合、高出力にするために、各ストライプ電極本
数を多くすると、各ストライプ電極が均一に動作しにく
くなり、所期の高出力、高利得が実現できなくなる。ま
た、ボンディングワイヤ等によるインダクタンスのバラ
ツキに対して各ストライプ電極が高周波的に均一に動作
せず、所期の高周波特性が達成できない欠点があった。
数を多くすると、各ストライプ電極が均一に動作しにく
くなり、所期の高出力、高利得が実現できなくなる。ま
た、ボンディングワイヤ等によるインダクタンスのバラ
ツキに対して各ストライプ電極が高周波的に均一に動作
せず、所期の高周波特性が達成できない欠点があった。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、
各ストライプ電極が均一に動作し、所期の高周波高出力
特性を達成できるFETを提供することにある。
各ストライプ電極が均一に動作し、所期の高周波高出力
特性を達成できるFETを提供することにある。
本発明、各々複数個のゲートストライプ電極、ドレイ
ンストライプ電極およびソースストライプ電極を有する
FETにおいて、前記ゲートストライプ電極および前記ド
レインストライプ電極のうちの少なくとも一方につい
て、それらを接続する導体とは別に、各ストライプ電極
を互いに連結接続する抵抗体を有することを特徴とす
る。
ンストライプ電極およびソースストライプ電極を有する
FETにおいて、前記ゲートストライプ電極および前記ド
レインストライプ電極のうちの少なくとも一方につい
て、それらを接続する導体とは別に、各ストライプ電極
を互いに連結接続する抵抗体を有することを特徴とす
る。
抵抗体は、例えばNiCrを用いて、ゲートストライプ電
極またはドレインストライプ電極の各ストライプ電極を
ゲートバスバー電極またはドレイン引出し電極の近傍で
連結して接続して形成される。
極またはドレインストライプ電極の各ストライプ電極を
ゲートバスバー電極またはドレイン引出し電極の近傍で
連結して接続して形成される。
従って、各ストライプ電極は、前記抵抗体によりほぼ
同電位に保たれ、バランスが保たれ均一に動作し、所期
の高周波高出力特性の達成を可能とする。
同電位に保たれ、バランスが保たれ均一に動作し、所期
の高周波高出力特性の達成を可能とする。
なお、前記抵抗体は、ゲートストライプ電極またはド
レインストライプ電極のいずれか一方に設けるだけでも
十分な場合が多いけれども、必要に応じ双方の電極に設
けることができる。
レインストライプ電極のいずれか一方に設けるだけでも
十分な場合が多いけれども、必要に応じ双方の電極に設
けることができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の第一実施例の要部を示す平面図で、
高周波高出力GaAs FETのチップを示す。
高周波高出力GaAs FETのチップを示す。
本実施例は、各々複数個のゲートストライプ電極１、
ドレインストライプ電極４およびソースストライプ電極
７を有するFETにおいて、 ゲートストライプ電極１の各ストライプ電極をそのゲ
ートバスバー電極２の近傍でそれぞれ連結して接続した
抵抗体10を有している。
ドレインストライプ電極４およびソースストライプ電極
７を有するFETにおいて、 ゲートストライプ電極１の各ストライプ電極をそのゲ
ートバスバー電極２の近傍でそれぞれ連結して接続した
抵抗体10を有している。
複数個のゲートストライプ電極１は、一定のピッチで
並列に配置されており、ゲートバスバー電極２により複
数個のゲートボンディングパッド電極３に電気的に接続
される。また、複数個のドレインストライプ電極４は、
ドレイン引出し電極５により複数個のドレインボンディ
ングパッド６に電気的に接続される。さらに、複数個の
ソースストライプ電極７は、同じくソース引出し電極８
により複数個のソースボンディングパッド９に電気的に
接続される。ここで、抵抗体10は、NiCrまたはTaN等の
材質で形成される。
並列に配置されており、ゲートバスバー電極２により複
数個のゲートボンディングパッド電極３に電気的に接続
される。また、複数個のドレインストライプ電極４は、
ドレイン引出し電極５により複数個のドレインボンディ
ングパッド６に電気的に接続される。さらに、複数個の
ソースストライプ電極７は、同じくソース引出し電極８
により複数個のソースボンディングパッド９に電気的に
接続される。ここで、抵抗体10は、NiCrまたはTaN等の
材質で形成される。
本第一実施例においては、第１図から明らかなよう
に、各ゲートストライプ電極１は等しい長さで抵抗体10
に接続され、ほぼ同電位に保たれバランスした入力が行
われ、結果としてバランス動作が保たれ、所期の高周波
高出力特性を得ることができる。
に、各ゲートストライプ電極１は等しい長さで抵抗体10
に接続され、ほぼ同電位に保たれバランスした入力が行
われ、結果としてバランス動作が保たれ、所期の高周波
高出力特性を得ることができる。
第２図は本発明の第二実施例の要部を示す平面図で、
高周波高出力GaAs FETのチップを示す。本第二実施例
は、基本的構成は第１図の第一実施例と同じであるが、
本第二実施例は、NiCrまたはTaN等の材質でできた抵抗
体10を、ゲートストライプ電極１ではなくドレインスト
ライプ電極４をそのドレイン引出し電極５の近傍ですべ
て連結接続して形成したものである。
高周波高出力GaAs FETのチップを示す。本第二実施例
は、基本的構成は第１図の第一実施例と同じであるが、
本第二実施例は、NiCrまたはTaN等の材質でできた抵抗
体10を、ゲートストライプ電極１ではなくドレインスト
ライプ電極４をそのドレイン引出し電極５の近傍ですべ
て連結接続して形成したものである。
従って、本第二実施例においては、第２図から明らか
なように、各ドレインストライプ電極４は等しい長さで
抵抗体10に接続され、ほぼ同電位に保たれ、バランスし
た出力が行われ、結果としてバランス動作が保たれ、所
期の高周波高出力特性を得ることができる。
なように、各ドレインストライプ電極４は等しい長さで
抵抗体10に接続され、ほぼ同電位に保たれ、バランスし
た出力が行われ、結果としてバランス動作が保たれ、所
期の高周波高出力特性を得ることができる。
本発明の特徴は、第１図および第２図において抵抗体
10を設けたことにある。
10を設けたことにある。
以上説明したように、本発明は、ゲートストライプ電
極およびドレインストライプ電極のうちの少なくとも一
方の各ストライプ電極を一つの抵抗体で接続することに
より、各ストライプ電極が、均一にバランスして動作
し、高周波高出力特性を向上させる効果がある。
極およびドレインストライプ電極のうちの少なくとも一
方の各ストライプ電極を一つの抵抗体で接続することに
より、各ストライプ電極が、均一にバランスして動作
し、高周波高出力特性を向上させる効果がある。
第１図は本発明の第一実施例の要部を示す平面図。 第２図は本発明の第二実施例の要部を示す平面図。 第３図は従来例の要部を示す平面図。 １……ゲートストライプ電極、２……ゲートバスバー電
極、３……ゲートボンディングパッド電極、４……ドレ
インストライプ電極、５……ドレイン引出し電極、６…
…ドレインボンディングパッド電極、７……ソーススト
ライプ電極、８……ソース引出し電極、９……ソースボ
ンディングパッド電極、10……抵抗体。
極、３……ゲートボンディングパッド電極、４……ドレ
インストライプ電極、５……ドレイン引出し電極、６…
…ドレインボンディングパッド電極、７……ソーススト
ライプ電極、８……ソース引出し電極、９……ソースボ
ンディングパッド電極、10……抵抗体。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/337 - 21/338 H01L 27/095 H01L 27/098 H01L 29/775 - 29/778 H01L 29/50 - 29/812
Claims (1)
- 【請求項１】各々複数個のゲートストライプ電極、ドレ
インストライプ電極およびソースストライプ電極を有す
る電界効果トランジスタにおいて、 前記ゲートストライプ電極および前記ドレインストライ
プ電極のうちの少なくとも一方について、それらを接続
する導体とは別に、各ストライプ電極が均一に動作する
よう各ストライプ電極を互いに電気的に連結接続する抵
抗体を有する ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264728A JP2884577B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264728A JP2884577B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110943A JPH02110943A (ja) | 1990-04-24 |
| JP2884577B2 true JP2884577B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=17407351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264728A Expired - Lifetime JP2884577B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884577B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2735403B2 (ja) * | 1991-06-13 | 1998-04-02 | 山形日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH05175497A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Nec Corp | 半導体トランジスタチップ |
| JP3515886B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2004-04-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3169124B2 (ja) | 1998-06-29 | 2001-05-21 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JP4361313B2 (ja) | 2003-05-08 | 2009-11-11 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力増幅器 |
| US7250642B2 (en) | 2004-07-29 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect transistor |
| US10128365B2 (en) | 2016-03-17 | 2018-11-13 | Cree, Inc. | Bypassed gate transistors having improved stability |
| JP6929968B2 (ja) * | 2017-05-05 | 2021-09-01 | クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． | バイパス・ゲート式トランジスタを備える高出力ｍｍｉｃデバイス |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5574183A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Junction type field effect transistor |
| JPS5992557A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Nec Corp | 入力保護回路付半導体集積回路 |
| JPH0513016Y2 (ja) * | 1985-07-22 | 1993-04-06 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63264728A patent/JP2884577B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02110943A (ja) | 1990-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2884577B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| US4982247A (en) | Semi-conductor device | |
| US6023080A (en) | Input/output connection structure of a semiconductor device | |
| JPH0514069A (ja) | 高出力電界効果トランジスタ増幅器 | |
| JP2755250B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP3185441B2 (ja) | 高周波高出力電界効果トランジスタ | |
| JP2504503B2 (ja) | 半導体素子 | |
| JPH0563047B2 (ja) | ||
| JPS59108336A (ja) | ２ゲ−ト電界効果トランジスタ | |
| JPS6228788Y2 (ja) | ||
| JP3096046B2 (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| JP2576773B2 (ja) | マルチフィンガー型電界効果トランジスタ | |
| JPH0547983B2 (ja) | ||
| JPH05110355A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH065849A (ja) | 半導体素子の構造 | |
| JPS61172376A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0729918A (ja) | 高周波電界効果トランジスタ | |
| JPH07120906B2 (ja) | マイクロ波ミリ波高出力トランジスタ | |
| JPS63240110A (ja) | 高出力回路 | |
| JPH07226489A (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| JPS61104673A (ja) | 超高周波用電界効果トランジスタ装置 | |
| JPS63202974A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01173761A (ja) | 高周波用トランジスタ | |
| JP3302811B2 (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| JPH0738120A (ja) | 高周波高出力増幅器 |