JPH02110943A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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- JPH02110943A JPH02110943A JP26472888A JP26472888A JPH02110943A JP H02110943 A JPH02110943 A JP H02110943A JP 26472888 A JP26472888 A JP 26472888A JP 26472888 A JP26472888 A JP 26472888A JP H02110943 A JPH02110943 A JP H02110943A
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- electrode
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置分野の電界効果トランジスタ（以下
、ＦＥＴという。）に利用され、特に、高出力用途のＧ
ａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔのチップの構造に関する。
、ＦＥＴという。）に利用され、特に、高出力用途のＧ
ａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔのチップの構造に関する。
本発明は、各々複数個のゲートストライプ電極、ドレイ
ンストライプ電極およびソースストライプ電極を有する
電界効果トランジスタにおいて、前記ゲートストライプ
電極および前記ドレインストライプ電極の少なくとも一
方について各ストライブ電極が連結して接続された抵抗
体を設けることにより、 各ストライブ電極が均一に動作するようにし、高周波高
出力特性の向上を図ったものである。
ンストライプ電極およびソースストライプ電極を有する
電界効果トランジスタにおいて、前記ゲートストライプ
電極および前記ドレインストライプ電極の少なくとも一
方について各ストライブ電極が連結して接続された抵抗
体を設けることにより、 各ストライブ電極が均一に動作するようにし、高周波高
出力特性の向上を図ったものである。
従来、この種の高出力ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔのチップに
おいては、第３図に示すように、各々複数個のゲートス
トライプ電極１、ドレインストライプ電極４およびソー
スストライプ電極７があり、それぞれのストライブ電極
は、周知の金属化技術によって、それぞれのポンディン
グパッド電極３．６および９に電気的に接続され集束さ
れているのが一般的であった。
おいては、第３図に示すように、各々複数個のゲートス
トライプ電極１、ドレインストライプ電極４およびソー
スストライプ電極７があり、それぞれのストライブ電極
は、周知の金属化技術によって、それぞれのポンディン
グパッド電極３．６および９に電気的に接続され集束さ
れているのが一般的であった。
前述した従来の高出力ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔのチップに
おいては、各々の複数個のゲートストライプ電極１は、
ゲートバスバー電極２を介してそれぞれゲートポンディ
ングパッド電極３と電気的に接続される。また複数個の
ドレインストライプ電極４は、ドレイン引出し電極５を
介してそれぞれドレインポンディングパッド電極６と電
気的に接続される。
おいては、各々の複数個のゲートストライプ電極１は、
ゲートバスバー電極２を介してそれぞれゲートポンディ
ングパッド電極３と電気的に接続される。また複数個の
ドレインストライプ電極４は、ドレイン引出し電極５を
介してそれぞれドレインポンディングパッド電極６と電
気的に接続される。
この場合、高出力にするために、各ストライプ電極本数
を多くすると、各ストライプ電極が均一に動作しにくく
なり、所期の高出力、高利得が実現できなくなる。また
、ボンディングワイヤ等によるインダクタンスのバラツ
キに対して各ストライプ電極が高周波的に均一に動作せ
ず、所期の高周波特性が達成できない欠点があった。
を多くすると、各ストライプ電極が均一に動作しにくく
なり、所期の高出力、高利得が実現できなくなる。また
、ボンディングワイヤ等によるインダクタンスのバラツ
キに対して各ストライプ電極が高周波的に均一に動作せ
ず、所期の高周波特性が達成できない欠点があった。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、各
ストライプ電極が均一に動作し、所期の高周波高出力特
性を達成できるＦＥＴを提供することにある。
ストライプ電極が均一に動作し、所期の高周波高出力特
性を達成できるＦＥＴを提供することにある。
本発明は、各々複数個のゲートストライプ電極、ドレイ
ンストライプ電極およびソースストライプ電極を有する
ＦＥＴにおいて、前記ゲートストライプ電極および前記
ドレインストライプ電極のうちの少なくとも一方につい
て各ストライプ電極を互いに連結接続する抵抗体を有す
ることを特徴とする。
ンストライプ電極およびソースストライプ電極を有する
ＦＥＴにおいて、前記ゲートストライプ電極および前記
ドレインストライプ電極のうちの少なくとも一方につい
て各ストライプ電極を互いに連結接続する抵抗体を有す
ることを特徴とする。
抵抗体は、例えばＮｉＣｒを用いて、ゲートストライプ
電極またはドレインストライプ電極の各ストライプ電極
をゲートバスバー電極またはドレイン引出し電極の近傍
で連結して接続して形成される。
電極またはドレインストライプ電極の各ストライプ電極
をゲートバスバー電極またはドレイン引出し電極の近傍
で連結して接続して形成される。
従って、各ストライプ電極は、前記抵抗体によりほぼ同
電位に保たれ、バランスが保たれ均一に動作し、所期の
高周波高出力特性の達成を可能とする。
電位に保たれ、バランスが保たれ均一に動作し、所期の
高周波高出力特性の達成を可能とする。
なお、前記抵抗体は、ゲートストライプ電極またはドレ
インストライプ電極のいずれか一方に設けるだけでも十
分な場合が多いけれども、必要に応じ双方の電極に設け
ることができる。
インストライプ電極のいずれか一方に設けるだけでも十
分な場合が多いけれども、必要に応じ双方の電極に設け
ることができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第一実施例の要部を示す平面図で、高
周波高出力ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔのチップを示す。
周波高出力ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔのチップを示す。
本実施例は、各々複数個のゲートストライプ電極１、ド
レインストライプ電極４およびソースストライプ電極７
を有するＦＥＴにおいて、ゲートストライプ電極１の各
ストライプ電極をそのゲートバスバー電極２の近傍でそ
れぞれ連結して接続した抵抗体１０を有している。
レインストライプ電極４およびソースストライプ電極７
を有するＦＥＴにおいて、ゲートストライプ電極１の各
ストライプ電極をそのゲートバスバー電極２の近傍でそ
れぞれ連結して接続した抵抗体１０を有している。
複数個のゲートストライプ電極１は、一定のピッチで並
列に配置されており、ゲートバスバー電極２により複数
個のゲートポンディングパッド電極３に電気的に接続さ
れる。また、複数個のドレインストライプ電極４は、ド
レイン引出し電極５により複数個のドレインポンディン
グパッド６に電気的に接続される。さらに、複数個のソ
ースストライプ電極７は、同じくソース引出し電極８に
より複数個のソースポンディングパッド９に電気的に接
続される。ここで、抵抗体１０は、ＮｉＣｒまたはＴａ
Ｎ等の材質で形成される。
列に配置されており、ゲートバスバー電極２により複数
個のゲートポンディングパッド電極３に電気的に接続さ
れる。また、複数個のドレインストライプ電極４は、ド
レイン引出し電極５により複数個のドレインポンディン
グパッド６に電気的に接続される。さらに、複数個のソ
ースストライプ電極７は、同じくソース引出し電極８に
より複数個のソースポンディングパッド９に電気的に接
続される。ここで、抵抗体１０は、ＮｉＣｒまたはＴａ
Ｎ等の材質で形成される。
本第二実施例においては、第１図から明らかなように、
各ゲートストライプ電極１は等しい長さで抵抗体１０に
接続され、はぼ同電位に保たれバランスした人力が行わ
れ、結果としてバランス動作が保たれ、所期の高周波高
出力特性を得ることができる。
各ゲートストライプ電極１は等しい長さで抵抗体１０に
接続され、はぼ同電位に保たれバランスした人力が行わ
れ、結果としてバランス動作が保たれ、所期の高周波高
出力特性を得ることができる。
第２図は本発明の第二実施例の要部を示す平面図で、高
周波高出力ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔのチップを示す。
周波高出力ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔのチップを示す。
本第二実施例は、基本的構成は第１図の第一実施例と同
じであるが、本第二実施例は、ＮｉＣｒまたはＴａＮ等
の材質でできた抵抗体１０を、ゲートストライプ電極１
ではな（ドレインストライプ電極４をそのドレイン引出
し電極５の近傍ですべて連結接続して形成したものであ
る。
じであるが、本第二実施例は、ＮｉＣｒまたはＴａＮ等
の材質でできた抵抗体１０を、ゲートストライプ電極１
ではな（ドレインストライプ電極４をそのドレイン引出
し電極５の近傍ですべて連結接続して形成したものであ
る。
従って、本第二実施例においては、第２図から明らかな
ように、各ドレインストライプ電極４は等しい長さで抵
抗体１０に接続され、はぼ同電位に保たれ、バランスし
た出力が行われ、結果としてバランス動作が保たれ、所
期の高周波高出力特性を得ることができる。
ように、各ドレインストライプ電極４は等しい長さで抵
抗体１０に接続され、はぼ同電位に保たれ、バランスし
た出力が行われ、結果としてバランス動作が保たれ、所
期の高周波高出力特性を得ることができる。
本発明の特徴は、第１図および第２図において抵抗体１
０を設けたことにある。
０を設けたことにある。
以上説明したように、本発明は、ゲートストライプ電極
およびドレインストライプ電極のうちの少なくとも一方
の各ストライプ電極を一つの抵抗体で接続することによ
り、各ストライプ電極が、均一にバランスして動作し、
高周波高出力特性を向上させる効果がある。
およびドレインストライプ電極のうちの少なくとも一方
の各ストライプ電極を一つの抵抗体で接続することによ
り、各ストライプ電極が、均一にバランスして動作し、
高周波高出力特性を向上させる効果がある。
一電極、３・・・ゲートポンディングパッド電極、４・
・・ドレインストライプ電極、５・・・ドレイン引出し
電極、６・・・ドレインポンディングパッド電極、７・
・・ソースストライプ電極、８・・・ソース引出し電極
、９・・・ソースポンディングパッド電極、１０・・・
抵抗体。
・・ドレインストライプ電極、５・・・ドレイン引出し
電極、６・・・ドレインポンディングパッド電極、７・
・・ソースストライプ電極、８・・・ソース引出し電極
、９・・・ソースポンディングパッド電極、１０・・・
抵抗体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、各々複数個のゲートストライプ電極、ドレインスト
ライプ電極およびソースストライプ電極を有する電界効
果トランジスタにおいて、 前記ゲートストライプ電極および前記ドレインストライ
プ電極のうちの少なくとも一方について各ストライプ電
極を互いに連結接続する抵抗体を有することを特徴とす
る電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264728A JP2884577B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264728A JP2884577B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110943A true JPH02110943A (ja) | 1990-04-24 |
| JP2884577B2 JP2884577B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=17407351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264728A Expired - Lifetime JP2884577B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884577B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04365330A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
| JPH05175497A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Nec Corp | 半導体トランジスタチップ |
| US6020613A (en) * | 1997-09-29 | 2000-02-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor array including resistive interconnections |
| US6255679B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Field effect transistor which can operate stably in millimeter wave band |
| US7030698B2 (en) | 2003-05-08 | 2006-04-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency power amplifier |
| US7250642B2 (en) | 2004-07-29 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect transistor |
| JP2020519025A (ja) * | 2017-05-05 | 2020-06-25 | クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． | バイパス・ゲート式トランジスタを備える高出力ｍｍｉｃデバイス |
| US11575037B2 (en) | 2016-03-17 | 2023-02-07 | Wolfspeed, Inc. | Bypassed gate transistors having improved stability |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5574183A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Junction type field effect transistor |
| JPS5992557A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Nec Corp | 入力保護回路付半導体集積回路 |
| JPS6221558U (ja) * | 1985-07-22 | 1987-02-09 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63264728A patent/JP2884577B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| US6255679B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Field effect transistor which can operate stably in millimeter wave band |
| US7030698B2 (en) | 2003-05-08 | 2006-04-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency power amplifier |
| US7250642B2 (en) | 2004-07-29 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect transistor |
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| JP2020519025A (ja) * | 2017-05-05 | 2020-06-25 | クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． | バイパス・ゲート式トランジスタを備える高出力ｍｍｉｃデバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2884577B2 (ja) | 1999-04-19 |
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