JP2884352B2 - 放射線画像変換パネル - Google Patents
放射線画像変換パネルInfo
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- JP2884352B2 JP2884352B2 JP20819089A JP20819089A JP2884352B2 JP 2884352 B2 JP2884352 B2 JP 2884352B2 JP 20819089 A JP20819089 A JP 20819089A JP 20819089 A JP20819089 A JP 20819089A JP 2884352 B2 JP2884352 B2 JP 2884352B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conversion panel
- layer
- phosphor
- protective layer
- panel
- Prior art date
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
に関し、詳しくはパネル端から輝尽性蛍光体層までのデ
ッドスペースを少なくした放射線画像変換パネルに関す
る。
に関し、詳しくはパネル端から輝尽性蛍光体層までのデ
ッドスペースを少なくした放射線画像変換パネルに関す
る。
〔発明の背景〕 Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。
用いられている。
このＸ線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に
代って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法
が工夫されている。
代って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法
が工夫されている。
この方法は、被写体を透過した放射線（一般にＸ線）
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体
が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光
として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法
である。
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体
が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光
として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法
である。
具体的には、例えば、米国特許3,859,527号及び特開
昭55-12144号には輝尽性蛍光体を用い可視光線または赤
外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されて
いる。
昭55-12144号には輝尽性蛍光体を用い可視光線または赤
外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されて
いる。
この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体層（以後輝尽層
と略称）を形成した放射線画像変換パネル（以後、変換
パネルと略称）を使用するもので、この変換パネルの輝
尽層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査
することによって各部の蓄積された放射線エネルギーを
放射させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信
号により画像を得るものである。
と略称）を形成した放射線画像変換パネル（以後、変換
パネルと略称）を使用するもので、この変換パネルの輝
尽層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査
することによって各部の蓄積された放射線エネルギーを
放射させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信
号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよ
いし、CRT上に再生してもよい。
いし、CRT上に再生してもよい。
この放射線画像変換方法において使用される変換パネ
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能であ
る。
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能であ
る。
そこで、前記変換パネルは、得られる放射線画像の画
質を劣化させることなく長期間あるいは多数回繰返しの
使用に耐える性能を有することが望ましい。そのために
は前記変換パネル中の輝尽層が外部からの物理的あるい
は化学的刺激から十分に保護される必要がある。
質を劣化させることなく長期間あるいは多数回繰返しの
使用に耐える性能を有することが望ましい。そのために
は前記変換パネル中の輝尽層が外部からの物理的あるい
は化学的刺激から十分に保護される必要がある。
従来の変換パネルにおいては、上記の問題の解決を図
るため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保
護層を設ける方法がとられてきた。
るため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保
護層を設ける方法がとられてきた。
この保護層は例えば特開昭59-42500号に記述されてい
るように、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗布して形
成されるか、あるいは予め別途形成した保護層を輝尽層
上に接着する方法により形成されている。
るように、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗布して形
成されるか、あるいは予め別途形成した保護層を輝尽層
上に接着する方法により形成されている。
一般的には有機高分子から成る薄い保護層が用いられ
ている。薄い保護層は変換パネルの鮮鋭性を殆ど低下さ
せないという利点がある。
ている。薄い保護層は変換パネルの鮮鋭性を殆ど低下さ
せないという利点がある。
しかしながら、常用される有機高分子から成る薄い保
護層はある程度水分及び／又は湿気に対し透過性であ
り、輝尽層が水分を吸収し、その結果、変換パネルの放
射線感度の低下あるいは輝尽励起光照射を受けるまでの
蓄積エネルギーの減衰が大きく、得られる放射線画像の
画質のばらつき及び／又は劣化をもたらしていた。
護層はある程度水分及び／又は湿気に対し透過性であ
り、輝尽層が水分を吸収し、その結果、変換パネルの放
射線感度の低下あるいは輝尽励起光照射を受けるまでの
蓄積エネルギーの減衰が大きく、得られる放射線画像の
画質のばらつき及び／又は劣化をもたらしていた。
例えば、厚さ10μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム（以下単に「PET」と略記する）の透湿度は約60
（g/m2・24hr）であり、１日に単位面積当り60gもの水
分を透過する。膜厚10μｍのOPP（延伸ポリプロピレ
ン）では約15（g/m2・24hr）である。保護層の透湿度と
しては１（g/m2・24hr）以下であることが好ましく、こ
れを実現するためには、PETで約600μｍ以上、OPPで約1
50μｍ以上の厚さが必要となり、鮮鋭性の低下を招く。
ィルム（以下単に「PET」と略記する）の透湿度は約60
（g/m2・24hr）であり、１日に単位面積当り60gもの水
分を透過する。膜厚10μｍのOPP（延伸ポリプロピレ
ン）では約15（g/m2・24hr）である。保護層の透湿度と
しては１（g/m2・24hr）以下であることが好ましく、こ
れを実現するためには、PETで約600μｍ以上、OPPで約1
50μｍ以上の厚さが必要となり、鮮鋭性の低下を招く。
これを解決するために、保護層と輝尽層の間に保護層
よりも屈折率の低い気体層や真空層を設けて鮮鋭性の低
下を防止する手段も知られている。この場合、通常第１
図に示すように変換パネルの側縁部にスペーサ４を設け
て、一定の厚さを保つ方法がとられる。これを第５図の
平面図で示せば、4a、4b、4c及び4dが之に当たる。
よりも屈折率の低い気体層や真空層を設けて鮮鋭性の低
下を防止する手段も知られている。この場合、通常第１
図に示すように変換パネルの側縁部にスペーサ４を設け
て、一定の厚さを保つ方法がとられる。これを第５図の
平面図で示せば、4a、4b、4c及び4dが之に当たる。
このような構造の変換パネルにおいては、輝尽層は支
持体の端一杯まで設けることはできず必ず端から１〜2c
mはデッドスペースを生じる。これは経済的にも好まし
くないだけでなく、特にマンモ用（***診断）として使
用する場合、撮影できない箇所が生じるという大きな欠
点になる。
持体の端一杯まで設けることはできず必ず端から１〜2c
mはデッドスペースを生じる。これは経済的にも好まし
くないだけでなく、特にマンモ用（***診断）として使
用する場合、撮影できない箇所が生じるという大きな欠
点になる。
従って本発明の目的は、パネル端から輝尽層（撮影可
能域）までの距離を短くしてマンモ用として使用可能に
した放射線画像変換パネルを提供することにある。
能域）までの距離を短くしてマンモ用として使用可能に
した放射線画像変換パネルを提供することにある。
本発明の上記目的は、支持体上に輝尽性蛍光体層及び
保護層を有し、該支持体と保護層の間に該輝尽性蛍光体
層の周辺を取り囲み、輝尽性蛍光体の厚さ以上の厚さを
有するスペーサを設けた放射線画像変換パネルにおい
て、前記輝尽性蛍光体層を取り囲む少なくとも１辺は前
記スペーサを用いず前記パネルの外側に薄い板を設けた
構造である放射線画像変換パネルによって達成された。
保護層を有し、該支持体と保護層の間に該輝尽性蛍光体
層の周辺を取り囲み、輝尽性蛍光体の厚さ以上の厚さを
有するスペーサを設けた放射線画像変換パネルにおい
て、前記輝尽性蛍光体層を取り囲む少なくとも１辺は前
記スペーサを用いず前記パネルの外側に薄い板を設けた
構造である放射線画像変換パネルによって達成された。
以下、本発明を詳細に説明する。
第２図、第３図及び第４図は本発明の変換パネルの断
面図であり、１は支持体、２は輝尽層、３は保護層、４
はスペーサ、５は本発明の薄板である。
面図であり、１は支持体、２は輝尽層、３は保護層、４
はスペーサ、５は本発明の薄板である。
以下に各構成要件について更に詳しく説明する。
本発明の保護層としては、透光性が良くシート状に形
成できるものを用いることができる。例えば石英、硼珪
酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、PET、O
PP、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子が挙げられる。
成できるものを用いることができる。例えば石英、硼珪
酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、PET、O
PP、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子が挙げられる。
本発明の保護層は単一層であってもよいし、多層でも
よく材質の異なる２種類以上の層からなっていてもよ
い。例えば２層以上の有機高分子膜を複合したフィルム
を用いることができる。このような複合高分子フィルム
の製法としては、ドライラミネート、押出ラミネート又
は共押出コーティングラミネートなどの方法が挙げられ
る。２層以上の保護層の組合せとしては有機高分子同士
に限られるものではなく、板ガラス同士や板ガラスと有
機高分子層などが挙げられる。例えば板ガラスと高分子
層とを組み合わせる方法としては、保護層用塗布液を板
ガラス上に直塗布して形成するか、あるいは予め別途形
成した高分子保護層を板ガラス上に接着する方法が挙げ
られる。なお２層以上の保護層は互いに密着状態にあっ
てもよいし、離れていてもよい。
よく材質の異なる２種類以上の層からなっていてもよ
い。例えば２層以上の有機高分子膜を複合したフィルム
を用いることができる。このような複合高分子フィルム
の製法としては、ドライラミネート、押出ラミネート又
は共押出コーティングラミネートなどの方法が挙げられ
る。２層以上の保護層の組合せとしては有機高分子同士
に限られるものではなく、板ガラス同士や板ガラスと有
機高分子層などが挙げられる。例えば板ガラスと高分子
層とを組み合わせる方法としては、保護層用塗布液を板
ガラス上に直塗布して形成するか、あるいは予め別途形
成した高分子保護層を板ガラス上に接着する方法が挙げ
られる。なお２層以上の保護層は互いに密着状態にあっ
てもよいし、離れていてもよい。
本発明の保護層の厚さは、実用上は30μｍから4mmま
でである。良好な耐湿性と耐衝撃性を得るためには保護
層の厚さは100μｍ以上が好ましく、特に200μｍ以上の
保護層を設けた場合、耐久性，耐用性に優れた変換パネ
ルが得られて、一層好ましい。
でである。良好な耐湿性と耐衝撃性を得るためには保護
層の厚さは100μｍ以上が好ましく、特に200μｍ以上の
保護層を設けた場合、耐久性，耐用性に優れた変換パネ
ルが得られて、一層好ましい。
又、保護層として板ガラスを用いた場合には、極めて
耐湿性に優れており特に好ましい。
耐湿性に優れており特に好ましい。
保護層は輝尽励起光及び輝尽発光を効率よく透過する
ために、広い波長範囲で高い透過率を示すことが望まし
く、透過率は80％以上が好ましい。例えば石英ガラス、
硼珪酸ガラスなどが挙げられる。硼珪酸ガラスは330nm
〜2.6μｍの波長範囲で80％以上の透過率を示し、石英
ガラスでは更に短波長においても高い透過率を示す。
ために、広い波長範囲で高い透過率を示すことが望まし
く、透過率は80％以上が好ましい。例えば石英ガラス、
硼珪酸ガラスなどが挙げられる。硼珪酸ガラスは330nm
〜2.6μｍの波長範囲で80％以上の透過率を示し、石英
ガラスでは更に短波長においても高い透過率を示す。
本発明において用いる輝尽性蛍光体は、最初の光もし
くは高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励起）
により、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量
に対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的な面
から好ましくは500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発
光を示す蛍光体である。該輝尽性蛍光体としては、例え
ば特開昭48-80487号に記載されるBaSO4:AX、特開昭48-8
0489号に記載されるSrSO4:AX、特開昭53-39277号のLi2B
4O7:Cu,Ag等、特開昭54-47883号のLi2O・(B2O2)x:Cu及
びLi2O・(B2O2)x:Cu,Ag等、米国特許3,859,527号のSrS:
Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、La2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mnで
表される蛍光体、特開昭55-12142号に記載されるZnS:C
u,Pb蛍光体、一般式BaO・xAl2O3:Euで表されるアルミン
酸バリウム蛍光体、一般式MIIO・xSiO2:Aで表されるア
ルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体、特開昭55-12143号に記
載される一般式（Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+で表される
アルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55-12144
号に記載される一般式LnOX:xAで表される蛍光体、特開
昭55-12145号に記載される一般式（Ba1-xMIIIx）FX:yA
で表される蛍光体、特開昭55-84389号に記載される一般
式BaFX:xCe,yAで表される蛍光体、特開昭55-160078号に
記載される一般式MIIFX・xA:yLnで表される希土類元素
付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ZnS:A、C
dS:A、（Zn,Cd）S:A、S:A,ZnS:A,X及びCdS:A,Xで表され
る蛍光体、特開昭59-38278号に記載される下記一般式xM
3(PO4)2・NX2:yA及びM3(PO4)2:yAで表される蛍光体、下
記一般式nReX3・mAX′２:xEu及びnReX3・mAX′２:xEu,y
Smで表される蛍光体、及び下記一般式MIＸ・aMIIＸ′２
・bMIIIＸ″３:cAで表されるアルカリハライド蛍光体等
が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は、蒸着，
スパッタリング等の方法で輝尽層を形成させ易く好まし
い。
くは高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励起）
により、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量
に対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的な面
から好ましくは500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発
光を示す蛍光体である。該輝尽性蛍光体としては、例え
ば特開昭48-80487号に記載されるBaSO4:AX、特開昭48-8
0489号に記載されるSrSO4:AX、特開昭53-39277号のLi2B
4O7:Cu,Ag等、特開昭54-47883号のLi2O・(B2O2)x:Cu及
びLi2O・(B2O2)x:Cu,Ag等、米国特許3,859,527号のSrS:
Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、La2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mnで
表される蛍光体、特開昭55-12142号に記載されるZnS:C
u,Pb蛍光体、一般式BaO・xAl2O3:Euで表されるアルミン
酸バリウム蛍光体、一般式MIIO・xSiO2:Aで表されるア
ルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体、特開昭55-12143号に記
載される一般式（Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+で表される
アルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55-12144
号に記載される一般式LnOX:xAで表される蛍光体、特開
昭55-12145号に記載される一般式（Ba1-xMIIIx）FX:yA
で表される蛍光体、特開昭55-84389号に記載される一般
式BaFX:xCe,yAで表される蛍光体、特開昭55-160078号に
記載される一般式MIIFX・xA:yLnで表される希土類元素
付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ZnS:A、C
dS:A、（Zn,Cd）S:A、S:A,ZnS:A,X及びCdS:A,Xで表され
る蛍光体、特開昭59-38278号に記載される下記一般式xM
3(PO4)2・NX2:yA及びM3(PO4)2:yAで表される蛍光体、下
記一般式nReX3・mAX′２:xEu及びnReX3・mAX′２:xEu,y
Smで表される蛍光体、及び下記一般式MIＸ・aMIIＸ′２
・bMIIIＸ″３:cAで表されるアルカリハライド蛍光体等
が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は、蒸着，
スパッタリング等の方法で輝尽層を形成させ易く好まし
い。
しかし、本発明に係る変換パネルに用いられる輝尽性
蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射
線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を
示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。
蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射
線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を
示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。
本発明の変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の少なくと
も一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成る
輝尽層群であってもよい。また、それぞれの輝尽層に含
まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なってい
てもよい。
も一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成る
輝尽層群であってもよい。また、それぞれの輝尽層に含
まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なってい
てもよい。
本発明の輝尽層は塗布方法、気相堆積方法のいづれに
よってもよいが、鮮鋭性の点から気相堆積方法が有利で
ある。
よってもよいが、鮮鋭性の点から気相堆積方法が有利で
ある。
本発明の変換パネルの支持体としては各種高分子材
料、ガラス、セラミックス、金属等が用いられる。
料、ガラス、セラミックス、金属等が用いられる。
高分子材料としては例えばセルロースアセテートフィ
ルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリ
カーボネート等のフィルムが挙げられる。金属として
は、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート又は
金属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート又
は金属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化ガラ
スや結晶化ガラスなどが挙げられる。又、セラミックス
としてはアルミナやジルコニアの焼結板などが挙げられ
る。
ルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリ
カーボネート等のフィルムが挙げられる。金属として
は、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート又は
金属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート又
は金属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化ガラ
スや結晶化ガラスなどが挙げられる。又、セラミックス
としてはアルミナやジルコニアの焼結板などが挙げられ
る。
又、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80〜2000μｍであり、取り扱
い上の点から、更に好ましくは80〜1000μｍである。
って異なるが、一般的には80〜2000μｍであり、取り扱
い上の点から、更に好ましくは80〜1000μｍである。
本発明の変換パネルにおいて、保護層は支持体の役割
を兼ねることもできる。その場合には、本発明でいう支
持体は実質的に輝尽層を支持する能力を有しなくてもよ
い。
を兼ねることもできる。その場合には、本発明でいう支
持体は実質的に輝尽層を支持する能力を有しなくてもよ
い。
本発明の変換パネルに用いるスペーサとしては、保護
層あるいは支持体に用いる材質と同じものを挙げること
ができる。その厚さは実用的には１〜30mmであり、好ま
しくは２〜10mmである。
層あるいは支持体に用いる材質と同じものを挙げること
ができる。その厚さは実用的には１〜30mmであり、好ま
しくは２〜10mmである。
又、スペーサに代えてパネルの外側に設ける薄い板も
支持体に用いる材質と同じ材質であることが好ましい。
その厚さは実用的には0.1〜5mmであり、好ましくは0.5
〜1.5mmである。
支持体に用いる材質と同じ材質であることが好ましい。
その厚さは実用的には0.1〜5mmであり、好ましくは0.5
〜1.5mmである。
本発明の態様としては、従来の変換パネルの４辺のス
ペーサ（第５図の4a,4b,4c,4d）の少なくとも１辺を取
り除いて、薄い板をパネルの外側から設ければよく（第
６図）、更に２辺、３辺又は４辺全部を取り除いて薄い
板を設けてもよい。しかし加工の容易性、コスト、ユー
ザーの使い易さ等を考えると、向い合った２辺を薄い板
の貼付に代えた第７図の構成が望ましい。
ペーサ（第５図の4a,4b,4c,4d）の少なくとも１辺を取
り除いて、薄い板をパネルの外側から設ければよく（第
６図）、更に２辺、３辺又は４辺全部を取り除いて薄い
板を設けてもよい。しかし加工の容易性、コスト、ユー
ザーの使い易さ等を考えると、向い合った２辺を薄い板
の貼付に代えた第７図の構成が望ましい。
薄い板を設ける方法としては、接着あるいは融着が挙
げられる。用いる接着剤としては、エポキシ系樹脂、シ
リコン系樹脂などが好ましい。又、第４図の如く支持
体、保護層共それぞれ２つの面で接着させたタイプがよ
り好ましい。
げられる。用いる接着剤としては、エポキシ系樹脂、シ
リコン系樹脂などが好ましい。又、第４図の如く支持
体、保護層共それぞれ２つの面で接着させたタイプがよ
り好ましい。
本発明の変換パネルは第８図に概略的に示される放射
線画像変換方法に用いられる。
線画像変換方法に用いられる。
すなわち、第８図において、11は放射線発生装置、12
は被写体、13は本発明に係る変換パネル、14は輝尽励起
光源、15は該変換パネルより放射された輝尽蛍光を検出
する光電変換装置、16は15で検出された信号を画像とし
て再生する装置、17は再生された画像を表示する装置、
18は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを
透過させるフィルタである。尚15以降は13からの光情報
を何らかの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。
は被写体、13は本発明に係る変換パネル、14は輝尽励起
光源、15は該変換パネルより放射された輝尽蛍光を検出
する光電変換装置、16は15で検出された信号を画像とし
て再生する装置、17は再生された画像を表示する装置、
18は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを
透過させるフィルタである。尚15以降は13からの光情報
を何らかの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。
第８図に示されるように、放射線発生装置11からの放
射線は被写体12を通して変換パネル13に入射する。この
入射した放射線はパネル13の輝尽層に吸収され、そのエ
ネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成され
る。
射線は被写体12を通して変換パネル13に入射する。この
入射した放射線はパネル13の輝尽層に吸収され、そのエ
ネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成され
る。
次にこの蓄積像を輝尽励起光源14からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。
励起して輝尽発光として放出せしめる。
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネル
ギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置15で光電変換し、画像再生装置16に
よって画像として再生し画像表示装置17によって表示す
ることにより、被写体の放射線透過像を観察することが
できる。
ギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置15で光電変換し、画像再生装置16に
よって画像として再生し画像表示装置17によって表示す
ることにより、被写体の放射線透過像を観察することが
できる。
次に実施例によって本発明を説明する。
比較例 20cm×30cmで1mm厚の結晶化ガラス支持体の中央部
に、アルカリハライド蛍光体（RbBr;0.0006Tl）を300μ
ｍ蒸着しパネル基体Ａを得た。次に、5mm幅で1mm厚の結
晶化ガラススペーサ（19cm長２本、28cm長２本）及び20
cm×30cmで1mm厚のソーダガラス保護層をエポキシ接着
剤（チバガイギー製、AV-138/HV998）を用いてパネル基
体Ａに設け変換パネルＰを得た。（第１図） 実施例１ 20cm×30cmで1mm厚の結晶化ガラス支持体の中央部
に、アルカリハライド蛍光体（RbBr;0.0006Tl）を300μ
ｍ蒸着しパネル基体Ｂを得た。次に、5mm幅で1mm厚の結
晶化ガラススペーサ（19cm長１本,29cm長２本）、20cm
×30cmで1mm厚のソーダガラス保護層及び3mm×20cmで1m
m厚のソーダガラスの薄い板をエポキシ接着剤（前述）
を用いてパネル基体Ｂに設け変換パネルＱを得た。（第
２図） 実施例２ 薄い板として、蓋状の1mm厚のソーダガラスを用いる
以外は、実施例１と同様にして変換パネルＲを得た。
（第４図） 実施例３ 20cm×30cmで1mm厚の結晶化ガラス支持体の中央部
に、アルカリハライド蛍光体（RbBr;0.0006Tl）を300μ
ｍ蒸着しパネル基体Ｃを得た。次に5mm幅で1mm厚の結晶
化ガラススペーサ（30cm長２本）、20cm×30cmで1mm厚
のソーダガラス保護層及び3mm×20cmで1mm厚のソーダガ
ラスの薄い板２枚をエポキシ接着剤（前述）を用いてパ
ネル基体Ｃに設け変換パネルＳを得た。（第３図） 以上のようにして製造した本発明の変換パネルＱ、
Ｒ、Ｓ及び比較の変換パネルＰの耐湿性及びパネル端か
ら撮影可能域までの距離を調べた。結果を表−１に示
す。
に、アルカリハライド蛍光体（RbBr;0.0006Tl）を300μ
ｍ蒸着しパネル基体Ａを得た。次に、5mm幅で1mm厚の結
晶化ガラススペーサ（19cm長２本、28cm長２本）及び20
cm×30cmで1mm厚のソーダガラス保護層をエポキシ接着
剤（チバガイギー製、AV-138/HV998）を用いてパネル基
体Ａに設け変換パネルＰを得た。（第１図） 実施例１ 20cm×30cmで1mm厚の結晶化ガラス支持体の中央部
に、アルカリハライド蛍光体（RbBr;0.0006Tl）を300μ
ｍ蒸着しパネル基体Ｂを得た。次に、5mm幅で1mm厚の結
晶化ガラススペーサ（19cm長１本,29cm長２本）、20cm
×30cmで1mm厚のソーダガラス保護層及び3mm×20cmで1m
m厚のソーダガラスの薄い板をエポキシ接着剤（前述）
を用いてパネル基体Ｂに設け変換パネルＱを得た。（第
２図） 実施例２ 薄い板として、蓋状の1mm厚のソーダガラスを用いる
以外は、実施例１と同様にして変換パネルＲを得た。
（第４図） 実施例３ 20cm×30cmで1mm厚の結晶化ガラス支持体の中央部
に、アルカリハライド蛍光体（RbBr;0.0006Tl）を300μ
ｍ蒸着しパネル基体Ｃを得た。次に5mm幅で1mm厚の結晶
化ガラススペーサ（30cm長２本）、20cm×30cmで1mm厚
のソーダガラス保護層及び3mm×20cmで1mm厚のソーダガ
ラスの薄い板２枚をエポキシ接着剤（前述）を用いてパ
ネル基体Ｃに設け変換パネルＳを得た。（第３図） 以上のようにして製造した本発明の変換パネルＱ、
Ｒ、Ｓ及び比較の変換パネルＰの耐湿性及びパネル端か
ら撮影可能域までの距離を調べた。結果を表−１に示
す。
尚、耐湿性は気温30℃、相対湿度80％に30日間保存し
た前後での放射線に対する感度の比で表した。
た前後での放射線に対する感度の比で表した。
〔発明の効果〕 本発明は支持体上に輝尽性蛍光体層及び保護層を有
し、該支持体と保護層の間に該輝尽性蛍光体層の周辺を
取り囲み、輝尽性蛍光体の厚み以上の厚みを有するスペ
ーサを設けた放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽
性蛍光体層を取り囲む少なくとも１辺は前記スペーサを
用いず、パネルの外側に薄い板を取り付けた構造にする
ことによって、パネル端から輝尽層撮影可能域までの距
離を短くしてマンモ用として有利な変換パネルを提供す
ることができた。
し、該支持体と保護層の間に該輝尽性蛍光体層の周辺を
取り囲み、輝尽性蛍光体の厚み以上の厚みを有するスペ
ーサを設けた放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽
性蛍光体層を取り囲む少なくとも１辺は前記スペーサを
用いず、パネルの外側に薄い板を取り付けた構造にする
ことによって、パネル端から輝尽層撮影可能域までの距
離を短くしてマンモ用として有利な変換パネルを提供す
ることができた。
第１図は従来の、第２図、第３図及び第４図は本発明の
変換パネルの断面図であり、第５図は第１図の、第６図
は第２図又は第４図の、第７図は第３図の構成の変換パ
ネルの、それぞれ平面図である。 第８図は変換パネルを用いる放射線画像変換方法の説明
図である。 １……支持体、２……輝尽層 ３……保護層、４……スペーサ ５……薄板
変換パネルの断面図であり、第５図は第１図の、第６図
は第２図又は第４図の、第７図は第３図の構成の変換パ
ネルの、それぞれ平面図である。 第８図は変換パネルを用いる放射線画像変換方法の説明
図である。 １……支持体、２……輝尽層 ３……保護層、４……スペーサ ５……薄板
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上に輝尽性蛍光体層及び保護層を有
し、該支持体と保護層の間に該輝尽性蛍光体層の周辺を
取り囲み、輝尽性蛍光体の厚さ以上の厚さを有するスペ
ーサを設けた放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽
性蛍光体層を取り囲む少なくとも１辺は前記スペーサを
用いず前記パネルの外側に薄い板を設けた構造であるこ
とを特徴とする放射線画像変換パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20819089A JP2884352B2 (ja) | 1989-08-12 | 1989-08-12 | 放射線画像変換パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20819089A JP2884352B2 (ja) | 1989-08-12 | 1989-08-12 | 放射線画像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0372299A JPH0372299A (ja) | 1991-03-27 |
| JP2884352B2 true JP2884352B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=16552155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20819089A Expired - Fee Related JP2884352B2 (ja) | 1989-08-12 | 1989-08-12 | 放射線画像変換パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884352B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006058171A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | マンモグラフィ用放射線画像変換パネルおよびその製造方法 |
| JP2008008899A (ja) * | 2006-06-02 | 2008-01-17 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器 |
-
1989
- 1989-08-12 JP JP20819089A patent/JP2884352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372299A (ja) | 1991-03-27 |
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Legal Events
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