JP2883260B2 - 歪補償回路 - Google Patents

歪補償回路

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JP2883260B2 JP5093133A JP9313393A JP2883260B2 JP 2883260 B2 JP2883260 B2 JP 2883260B2 JP 5093133 A JP5093133 A JP 5093133A JP 9313393 A JP9313393 A JP 9313393A JP 2883260 B2 JP2883260 B2 JP 2883260B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、直交変調を用いたデ
ィジタル変調方式において送信電力増幅器の非線形歪を
補償する歪補償回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は例えば、特開昭61−21484
3号公報に記載された従来の歪補償回路の構成図であ
る。図3において、1は送信ビット系列10が入力され
る入力端子、3はサンプルクロック21が入力されるク
ロック端子である。また、100は送信ビット系列10
からシンボル符号20a,20bを生成するマッピング
回路であり、200は読み出し専用メモリを用いて、そ
のシンボル20a,20bより標本値30a,30bを
生成する波形整形フィルタである。300は電力増幅器
400が増幅する際に発生する歪を補償する回路であ
る。400は電力増幅器で、401は電力増幅器400
の出力の一部を取り出すカプラである。402は401
のカプラが取り出した信号を減衰させる減衰器である。
波形整形フィルタ200内の210はサンプルクロック
21を2N分周(Nは整数)してシンボルクロック22
を生成する分周器、211は前記サンプルクロック21
により計数動作を行う2Nカウンタである。212は前
記シンボルクロック22によりシフト動作を行うシフト
レジスタであり、213は前記カウンタ211の計数値
及び前記シフトレジスタ212の内容をアドレスとし
て、標本値30a,30bを読み出す読み出し専用メモ
リである。また、歪補償回路300内において、310
は前記標本値30a,30bにより読み出しアドレスが
与えられ、電力増幅器が増幅する際に発生する歪を補償
する歪補償値を出力する書き換え可能なメモリであり、
311はこのメモリ310の出力する歪補償値と前記標
本値30a,30bとを加算する加算器である。312
はこの加算器311の出力するディジタル値をアナログ
値に変換するディジタルアナログ変換器、313は搬送
波を生成する発振器、314はディジタルアナログ変換
器312の出力で発振器313からの搬送波を変調する
直交変調器である。315は前記カプラ401により前
記電力増幅器400から取り出された出力の一部を復調
する直交復調器であり、316はこの直交復調器315
の出力するアナログ値をディジタル値に変換するアナロ
グディジタル変換器である。317はアナログディジタ
ル変換器316の出力するディジタル信号を前記標本値
30a,30bから引き算する減算器、318は減算器
317の出力から前記書き換え可能メモリ310の内容
に対する修正量を計算する修正量生成回路、319はこ
の修正量生成回路318の出力と前記書き換え可能メモ
リ310の出力との加算あるいは減算を行い、その出力
によって書き換え可能メモリ310の内容を適応的に書
き換える演算回路である。
【0003】次に動作について説明する。クロック端子
3から入力したサンプリングクロック21は、分周器2
10で2N分周されてシンボルクロック22となり、シ
フトレジスタ212を駆動して、マッピング回路100
が出力するシンボル符号20a,20bをシフトして行
く。このように、して格納してある読出し専用メモリ2
13から標本値30a,30bを読み出す。
【0004】次に歪補償回路300の動作を説明する。
標本値ごとに電力増幅器400の出力の一部を取り出し
て復調し、標本値との差をとることにより、電力増幅器
400で生じる歪を検出する。この歪をその時、送信し
た標本値に対応したメモリに格納しておき、再度、ベー
スバンド信号に同じ標本値が現れたとき、電力増幅器4
00によって付加される歪と等量の歪を標本値に対して
あらかじめ逆に付加しておくことにより、電力増幅器4
00による歪を打ち消すことができる。これはメモリに
格納しておいたその標本値に対する歪の値を読み出し、
標本値に加算することで行う。
【0005】以下、図3に示される回路について説明す
る。書換え可能メモリ310には電力増幅器400の非
線形性により生ずる歪を補償するためにあらかじめ標本
値30a,30bに加える歪成分が格納されている。ま
ず標本値30a,30bをアドレスとして書換え可能メ
モリ310からその標本値に対する歪補償量を読み出
す。第1の加算器311で標本値30a,30bとこの
書換え可能メモリ310の出力とを加算し、歪補償され
たベースバンド信号31a,31bを得る。このベース
バンド信号31a,31bをディジタルアナログ変換器
312でアナログ信号に変換する。直交変調器314は
このアナログ信号で搬送波313を変調する。変調され
た搬送波を電力増幅器400で増幅し、出力端子2から
出力する。この電力増幅器400の出力の一部をカプラ
401で取出し、減衰器402で適切なレベルに減衰さ
せ直交復調器315でベースバンド信号に復調する。こ
のベースバンド信号をアナログディジタル変換器316
でディジタル値に変換し、減算回路317で本来送信さ
れるべき標本値30a,30bから減算する。書換え可
能メモリ310が電力増幅器400の非線形歪を打ち消
すだけの歪補償量を出力していれば、減算器317の出
力は0となる。修正量発生回路318は、この減算器3
17の出力をα倍(0<α≦1)して出力し、演算回路
319で書換え可能メモリ310の出力と加算して再び
このメモリに書込む。このようにして書換え可能メモリ
310で補償する歪量を適応的に制御し、書きかえて行
く。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の歪補償装置は以
上のように構成されているので歪補償する補償値がベー
スバンドデータに対応するメモリに書き込まれており、
補償値が収束するためにはメモリのすべてのデータを書
き換える必要がある。このため歪補償が正しく行われる
にはある一定の時間がかかるという問題点があった。
【0007】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、歪補償を完了するまでの時間を
従来のものより短縮できるとともに歪補償回路の安定度
を向上させることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る歪補償装置は、電力増幅器の非線形性により生じる歪
みを補償する歪み補償成分を標本値に対応するアドレス
に格納し、上記標本値をアドレスとして対応する上記歪
み補償成分を出力する書換え可能メモリと、この書換え
可能メモリの出力する歪み補償成分と上記標本値を加算
した信号を変調して上記電力増幅器に出力する変調器
と、上記電力増幅器の出力を復調する復調器と、この復
調器の出力と上記標本値との偏差を導出する減算器と、
この減算器の出力に所定の定数を乗算して出力する修正
量発生回路と、この修正量発生回路の出力と上記書換え
可能メモリの出力とを加算して上記書換え可能メモリの
対応する標本値のアドレスに歪み補償成分として書き込
ませる加算器とを有し、上記修正量発生回路は、動作開
始から一定時間内は定数α1(0<α1≦1)を乗算
し、一定時間経過後は定数α2(0<α2<α1≦1)
を乗算するように構成したものである。
【0009】この発明の請求項2に係る歪補償装置は、
電力増幅器の非線形性により生じる歪みを補償する歪み
補償成分を標本値に対応するアドレスに格納し、上記標
本値をアドレスとして対応する上記歪み補償成分を出力
する書換え可能メモリと、この書換え可能メモリの出力
する歪み補償成分と上記標本値を加算した信号を変調し
て上記電力増幅器に出力する変調器と、上記電力増幅器
の出力を復調する復調器と、この復調器の出力と上記標
本値との偏差を導出する減算器と、この減算器の出力に
所定の定数を乗算して出力する修正量発生回路と、この
修正量発生回路の出力と上記書換え可能メモリの出力と
を加算して上記書換え可能メモリの対応する標本値のア
ドレスに歪み補償成分として書き込ませる加算器とを有
し、上記修正量発生回路は、電力増幅器の温度が一定値
未満の場合は定数α1(0<α1≦1)を乗算し、一定
値以上の場合は定数α2(0<α2<α1≦1)を乗算
するように構成したものである。
【0010】この発明の請求項1に於ける歪補償装置
は、修正量発生回路が動作開始から一定時間内は減算器
の出力に定数α1を乗算し、一定時間経過後はα1より
小さい定数α2を乗算するようにしているので、動作開
始から補償値が一定値に収束するまでの時間が短縮で
き、なおかつ収束した後の安定度が向上できる。
【0011】この発明の請求項2に於ける歪補償装置
は、修正量発生回路が増幅器の温度が一定値未満の場合
は減算器の出力に定数α1を乗算し、一定値以上の場合
はα1より小さい定数α2を乗算するようにしているの
で、動作開始から補償値が一定値に収束するまでの時間
が短縮でき、なおかつ収束した後の安定度が向上でき
る。
【0012】
【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図1は歪補償装置の歪補償回路の主要
部を示したものであり、310は歪補償値を格納するメ
モリ、311はベースバンド信号である標本値30a,
30bと歪補償値を加算して歪が事前補償されたベース
バンド信号31a,31bを得る前記メモリ310と合
わせて歪補正手段を構成する加算器、312はディジタ
ルアナログ変換器、316はアナログディジタル変換
器、317は標本値30a,30bとアナログディジタ
ル変換器316の出力との差を演算する減算器である。
アナログディジタル変換器316は電力増幅器の出力の
一部を取り出し復調したベースバンド信号をディジタル
信号に変換しているので比較手段である減算器317の
出力は、換言すると電力増幅器の非線形歪の量そのもの
である。318は修正量発生回路、320は定数α1の
掛算器、321は定数α2の掛算器、322a,322
bは掛算器の出力を切換えるスイッチ、319は前回の
修正量との誤差を演算する加算器である。
【0013】歪補償回路が動作を開始してからt秒間、
修正量発生回路318内の掛算器選択スイッチ322
a,322bは定数α1側320を選択している。標本
値30a,30bと電力増幅器の非線形歪の加わった信
号の差を減算器317で計算する。減算器317の出力
に掛算器320で乗数α1が掛算される。乗数α1が掛
算されたデータは書換え可能メモリ310に書込まれて
いた旧データと演算されて再び同じアドレスに書込ま
れ、データが更新される。歪補償回路が動作を開始して
t秒経過後は、掛算器選択スイッチ322a,322b
を定数α2側掛算器321を選択するように切換える。
【0014】ここで従来装置の掛算器の定数をαとし
て、α1,α2との関係を示すと、 0<α2<α<α1≦1 とする。この関係から歪補償回路の動作開始後t秒間は
電力増幅器で発生する非線形歪量に掛ける定数が従来装
置のそれよりも大きい(α<α1)ので書き換え可能メ
モリ310に格納されるデータが一定の値に収束する時
間が従来装置よりも短縮される。また歪補償回路が動作
開始してからt秒経過後は非線形歪量に掛ける定数が従
来装置のそれよりも小さい(α2<α)のでメモリ31
0に格納されるデータが一定の値からはずれにくくな
る。
【0015】実施例2.実施例1では掛算器選択スイッ
チ322a,322bの切換えを、歪補償装置の動作開
始からの時間で掛算の乗数を切換えていたが、電力増幅
器の非線形歪の量を左右する電力増幅器の温度でこの掛
算器の選択スイッチを制御してもよい。図2において電
力増幅器400の温度を検出する温度検出器500があ
り、電力増幅器400の温度がK℃未満ならば掛算器選
択スイッチ322a,322bは定数α1側320を選
択し、K℃以上ならば掛算器選択スイッチ322a,3
22bは定数α2側321を選択する。半導体増幅器は
一般的に非線形歪は半導体自身の温度に影響されやすい
ので、以上のようにすれば、従来装置よりも収束の速
い、なおかつ収束後の安定度の高い歪補償装置が得られ
る。
【0016】なお動作開始からの時間(系の応答特性)
と電力増幅器温度の相関関係を実験値などから求め、更
に周囲温度のセンサーを備えるなどして掛算の乗数の切
換えが最適になるようにするとよりよい結果が得られ
る。
【0017】
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれば
歪補償の修正量発生回路の掛算器の定数を切換えられる
ように構成したので、歪補償装置の動作開始から補償値
が一定値に収束するまでの時間が短縮でき、なおかつ収
束した後の歪補償装置の安定度が従来装置より向上でき
る。
【0018】以上のように、請求項2の発明によれば歪
補償の修正量発生回路の掛算器の定数を増幅器の温度に
より切換えられるように構成したので、歪補償装置の動
作開始から増幅器の温度による影響を含む状態で補償値
が一定値に収束するまでの時間が短縮でき、なおかつ収
束した後の歪補償装置の安定度が従来装置より向上でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例におけるブロック図であ
る。
【図2】この発明の他の一実施例におけるブロック図で
ある。
【図3】従来の技術のブロック図である。
【符号の説明】
310 書換え可能メモリ(RAM) 311 加算器 317 減算器 318 修正量発生回路 319 加算器 320 定数α1の掛算器 321 定数α2の掛算器 322a 掛算器選択スイッチ 322b 掛算器選択スイッチ 400 電力増幅器 500 温度検出器

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電力増幅器の非線形性により生じる歪み
    を補償する歪み補償成分を標本値に対応するアドレスに
    格納し、上記標本値をアドレスとして対応する上記歪み
    補償成分を出力する書換え可能メモリと、この書換え可
    能メモリの出力する歪み補償成分と上記標本値を加算し
    た信号を変調して上記電力増幅器に出力する変調器と、
    上記電力増幅器の出力を復調する復調器と、この復調器
    の出力と上記標本値との偏差を導出する減算器と、この
    減算器の出力に所定の定数を乗算して出力する修正量発
    生回路と、この修正量発生回路の出力と上記書換え可能
    メモリの出力とを加算して上記書換え可能メモリの対応
    する標本値のアドレスに歪み補償成分として書き込ませ
    る加算器とを有し、上記修正量発生回路は、動作開始か
    ら一定時間内は定数α1(0<α1≦1)を乗算し、一
    定時間経過後は定数α2(0<α2<α1≦1)を乗算
    するものであることを特徴とする歪補償回路。
  2. 【請求項2】 電力増幅器の非線形性により生じる歪み
    を補償する歪み補償成分を標本値に対応するアドレスに
    格納し、上記標本値をアドレスとして対応する上記歪み
    補償成分を出力する書換え可能メモリと、この書換え可
    能メモリの出力する歪み補償成分と上記標本値を加算し
    た信号を変調して上記電力増幅器に出力する変調器と、
    上記電力増幅器の出力を復調する復調器と、この復調器
    の出力と上記標本値との偏差を導出する減算器と、この
    減算器の出力に所定の定数を乗算して出力する修正量発
    生回路と、この修正量発生回路の出力と上記書換え可能
    メモリの出力とを加算して上記書換え可能メモリの対応
    する標本値のアドレスに歪み補償成分として書き込ませ
    る加算器とを有し、上記修正量発生回路は、電力増幅器
    の温度が一定値未満の場合は定数α1(0<α1≦1)
    を乗算し、一定値以上の場合は定数α2(0<α2<α
    1≦1)を乗算するものであることを特徴とする歪補償
    回路。
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