JP2871235B2 - 能動液晶表示装置 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、能動液晶表示装置に
関し、特に欠陥画素電極をゲート・バスおよび／或いは
ソース・バスに短絡せしめて画素欠陥を緩和する構成を
具備した能動液晶表示装置に関する。
関し、特に欠陥画素電極をゲート・バスおよび／或いは
ソース・バスに短絡せしめて画素欠陥を緩和する構成を
具備した能動液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の能動液晶表示装置の従来例を図
１、図２を参照して説明するに、１１は透明基板であ
り、その上には画素電極１５のマトリックスが形成され
ている。１６はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）であり、画
素電極１５と同様透明基板１１上に設けられたものであ
る。ＴＦＴ１６は画素電極１５のそれぞれに１個づつ対
応している。１８はゲート・バスであり、画素電極１５
の各行に沿って形成されている。１９はソース・バスで
あり、画素電極１５の各列に沿って形成されたものであ
る。ＴＦＴ１６の各々はそのゲートをゲート・バス１８
に接続し、そのソースをソース・バス１９に接続してい
る。そして、ＴＦＴ１６のドレインは画素電極１５に接
続している。１７は透明基板１２内面に形成された共通
電極であり、この共通電極１７と画素電極１５のマトリ
ックスおよびＴＦＴ１６を含む透明基板１１との間には
液晶１４が封入されている。
１、図２を参照して説明するに、１１は透明基板であ
り、その上には画素電極１５のマトリックスが形成され
ている。１６はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）であり、画
素電極１５と同様透明基板１１上に設けられたものであ
る。ＴＦＴ１６は画素電極１５のそれぞれに１個づつ対
応している。１８はゲート・バスであり、画素電極１５
の各行に沿って形成されている。１９はソース・バスで
あり、画素電極１５の各列に沿って形成されたものであ
る。ＴＦＴ１６の各々はそのゲートをゲート・バス１８
に接続し、そのソースをソース・バス１９に接続してい
る。そして、ＴＦＴ１６のドレインは画素電極１５に接
続している。１７は透明基板１２内面に形成された共通
電極であり、この共通電極１７と画素電極１５のマトリ
ックスおよびＴＦＴ１６を含む透明基板１１との間には
液晶１４が封入されている。
【０００３】ここで、ゲート・バス１８およびソース・
バス１９は共に選択的に駆動されるのであるが、これら
によりゲートおよびソースの双方が駆動されたＴＦＴ１
６のみが導通してこれに対応する画素電極１５に電圧が
印加され、この画素電極と共通電極１７との間の液晶１
４の光学的状態が変化することとなる。ノーマリー・ホ
ワイト・モードを採用する能動液晶表示装置において
は、電圧が印加された画素電極に対応する画素の光学的
状態が白側から黒側に変化し、このことにより表示をす
ることができる。
バス１９は共に選択的に駆動されるのであるが、これら
によりゲートおよびソースの双方が駆動されたＴＦＴ１
６のみが導通してこれに対応する画素電極１５に電圧が
印加され、この画素電極と共通電極１７との間の液晶１
４の光学的状態が変化することとなる。ノーマリー・ホ
ワイト・モードを採用する能動液晶表示装置において
は、電圧が印加された画素電極に対応する画素の光学的
状態が白側から黒側に変化し、このことにより表示をす
ることができる。
【０００４】上述の通りの能動液晶表示装置において、
これが例えばノーマリー・ホワイト・モードを採用する
能動液晶表示装置である場合、画素電極と共通電極との
間が常に無電圧となる画素欠陥が生ずると、この画素は
常に白である白欠陥画素となる。この白欠陥は欠陥とし
て大変に目立つものであるところから、液晶表示装置製
造の歩留まりは当然に悪くなる。この様な画素欠陥の弊
害を緩和するために、欠陥画素電極をゲート・バス或い
はソース・バスに短絡せしめて能動液晶表示装置の動作
中これに電位を与え、白欠陥を黒欠陥化する技術が開発
されている。以下、図４、図５を参照してこの技術につ
いて説明する。
これが例えばノーマリー・ホワイト・モードを採用する
能動液晶表示装置である場合、画素電極と共通電極との
間が常に無電圧となる画素欠陥が生ずると、この画素は
常に白である白欠陥画素となる。この白欠陥は欠陥とし
て大変に目立つものであるところから、液晶表示装置製
造の歩留まりは当然に悪くなる。この様な画素欠陥の弊
害を緩和するために、欠陥画素電極をゲート・バス或い
はソース・バスに短絡せしめて能動液晶表示装置の動作
中これに電位を与え、白欠陥を黒欠陥化する技術が開発
されている。以下、図４、図５を参照してこの技術につ
いて説明する。
【０００５】白欠陥を黒欠陥化することにより上述の弊
害を緩和する技術の説明をするに先だって、液晶表示装
置の製造工程を図３を参照して簡単に説明しておく。透
明基板１１上のＴＦＴを形成する位置に対応するところ
に光を遮断する例えばクロム、モリブデンによりライト
・シールド２１を形成し、次いで絶縁層２２を透明基板
１１上面全面に形成する。そして、その上面に画素電極
１５、ソース・バス１９がＩＴＯの如き透明導電体によ
り形成され、更に画素電極１５およびソース・バス１９
にまたがってＴＦＴ１６を構成する半導体層２３が形成
される。これらの上に更に窒化シリコンによりゲート絶
縁膜２４を形成し、この絶縁膜２４の上面の半導体層２
３に対応するところにゲート電極２５を形成し、これに
接続するゲート・バス１８も形成される。なお、ライト
・シールド２１は半導体層２３に光が入射して光導電効
果が生ずるのを防止するためのものである。
害を緩和する技術の説明をするに先だって、液晶表示装
置の製造工程を図３を参照して簡単に説明しておく。透
明基板１１上のＴＦＴを形成する位置に対応するところ
に光を遮断する例えばクロム、モリブデンによりライト
・シールド２１を形成し、次いで絶縁層２２を透明基板
１１上面全面に形成する。そして、その上面に画素電極
１５、ソース・バス１９がＩＴＯの如き透明導電体によ
り形成され、更に画素電極１５およびソース・バス１９
にまたがってＴＦＴ１６を構成する半導体層２３が形成
される。これらの上に更に窒化シリコンによりゲート絶
縁膜２４を形成し、この絶縁膜２４の上面の半導体層２
３に対応するところにゲート電極２５を形成し、これに
接続するゲート・バス１８も形成される。なお、ライト
・シールド２１は半導体層２３に光が入射して光導電効
果が生ずるのを防止するためのものである。
【０００６】ここで、欠陥画素電極をゲート・バス或い
はソース・バスに短絡せしめてこの白欠陥を黒欠陥化し
て白欠陥の目立ち具合を緩和する技術についてである
が、これは透明基板１１上に絶縁層２２を形成するに先
だって、画素電極１５とソース・バス１９との間を短絡
する例えばクロム、モリブデンより成る短絡用金属層２
８を各画素に対応して透明基板１１上に形成しておく。
そして、画素電極１５とソース・バス１９の上面には同
様に例えばクロム、モリブデンより成る溶接用金属層２
９、３１を具備せしめておく。もし、図４、２２２に図
示される画素電極１５が欠陥画素電極である場合は、溶
接用金属層２９および３１と短絡用金属層２８とが重な
った部分に着目してここにレーザ光３４を照射し、これ
ら金属層を融解すると共に絶縁層２２を破壊することに
より、溶融金属３５、３６および短絡用金属層２８を介
してこの欠陥画素電極１５とソース・バス１９との間を
短絡する。欠陥画素電極１５がソース・バス１９に接続
した結果、ソース・バス１９に通常印加されている電位
が欠陥画素電極１５にも印加されることとなり、この欠
陥画素電極１５は白欠陥画素電極であったところ、逆に
黒欠陥画素電極となるに到る。ノーマリー・ホワイト・
モードを採用する能動液晶表示装置である場合は、黒欠
陥は白欠陥と比較して目立ちにくく、白欠陥画素電極を
黒欠陥画素電極にすることにより液晶表示装置製造の歩
留まりを向上することができることになる。
はソース・バスに短絡せしめてこの白欠陥を黒欠陥化し
て白欠陥の目立ち具合を緩和する技術についてである
が、これは透明基板１１上に絶縁層２２を形成するに先
だって、画素電極１５とソース・バス１９との間を短絡
する例えばクロム、モリブデンより成る短絡用金属層２
８を各画素に対応して透明基板１１上に形成しておく。
そして、画素電極１５とソース・バス１９の上面には同
様に例えばクロム、モリブデンより成る溶接用金属層２
９、３１を具備せしめておく。もし、図４、２２２に図
示される画素電極１５が欠陥画素電極である場合は、溶
接用金属層２９および３１と短絡用金属層２８とが重な
った部分に着目してここにレーザ光３４を照射し、これ
ら金属層を融解すると共に絶縁層２２を破壊することに
より、溶融金属３５、３６および短絡用金属層２８を介
してこの欠陥画素電極１５とソース・バス１９との間を
短絡する。欠陥画素電極１５がソース・バス１９に接続
した結果、ソース・バス１９に通常印加されている電位
が欠陥画素電極１５にも印加されることとなり、この欠
陥画素電極１５は白欠陥画素電極であったところ、逆に
黒欠陥画素電極となるに到る。ノーマリー・ホワイト・
モードを採用する能動液晶表示装置である場合は、黒欠
陥は白欠陥と比較して目立ちにくく、白欠陥画素電極を
黒欠陥画素電極にすることにより液晶表示装置製造の歩
留まりを向上することができることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】白欠陥画素電極を黒欠
陥画素電極にすることにより液晶表示装置の歩留まりを
向上する上述の技術は、溶接用金属層２９および３１と
短絡用金属層２８とが重なった部分に着目してここにレ
ーザ光３４を照射し、これら金属層を融解すると共に絶
縁層２２を破壊する工程を採用するものである。液晶表
示装置における画素は極く微小なものであり、金属層お
よび絶縁膜は極く薄いものであることは言うまでもな
く、そして溶接用金属層２９および３１と短絡用金属層
２８はクロム或いはモリブデンの様な高融点のものが採
用されることから、レーザ光３４を照射して上述の金属
層を融解、絶縁層を破壊する際の高温に起因して、金属
層と絶縁膜との間に剥離の生ずる恐れが多分にある。金
属層のこの様な剥離が発生した場合、共通電極１７に短
絡するに到る恐れは充分にある。
陥画素電極にすることにより液晶表示装置の歩留まりを
向上する上述の技術は、溶接用金属層２９および３１と
短絡用金属層２８とが重なった部分に着目してここにレ
ーザ光３４を照射し、これら金属層を融解すると共に絶
縁層２２を破壊する工程を採用するものである。液晶表
示装置における画素は極く微小なものであり、金属層お
よび絶縁膜は極く薄いものであることは言うまでもな
く、そして溶接用金属層２９および３１と短絡用金属層
２８はクロム或いはモリブデンの様な高融点のものが採
用されることから、レーザ光３４を照射して上述の金属
層を融解、絶縁層を破壊する際の高温に起因して、金属
層と絶縁膜との間に剥離の生ずる恐れが多分にある。金
属層のこの様な剥離が発生した場合、共通電極１７に短
絡するに到る恐れは充分にある。
【０００８】この発明は、上述の通りの問題を解消した
能動液晶表示装置を提供しようとするものである。
能動液晶表示装置を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の能動液晶表示
装置は、欠陥画素電極をゲート・バス１８および／或い
はソース・バス１９に短絡せしめて能動液晶表示装置の
動作中この欠陥画素電極に電位を与える構成を具備する
上述した通りの能動液晶表示装置において短絡用金属層
２８および溶接用金属層２９、３１により構成したレー
ザ溶融部上方に展性、延性に富む金属層４０、４１を形
成した。
装置は、欠陥画素電極をゲート・バス１８および／或い
はソース・バス１９に短絡せしめて能動液晶表示装置の
動作中この欠陥画素電極に電位を与える構成を具備する
上述した通りの能動液晶表示装置において短絡用金属層
２８および溶接用金属層２９、３１により構成したレー
ザ溶融部上方に展性、延性に富む金属層４０、４１を形
成した。
【００１０】
【実施例】この発明の実施例を図６及び７を参照して説
明する。図７は図６の鎖線Ａ−Ａにおける断面を示す図
である。ここで、図６は図４に対応する図であり、図７
は図５に対応する図である。これらの図において共通す
る参照数字は互いに同一の部材を示すものとする。
明する。図７は図６の鎖線Ａ−Ａにおける断面を示す図
である。ここで、図６は図４に対応する図であり、図７
は図５に対応する図である。これらの図において共通す
る参照数字は互いに同一の部材を示すものとする。
【００１１】この発明の能動液晶表示装置は、欠陥画素
電極をゲート・バス１８および／或いはソース・バス１
９に短絡せしめて能動液晶表示装置の動作中この欠陥画
素電極に電位を与える構成を具備する上述した通りの能
動液晶表示装置において短絡用金属層２８および溶接用
金属層２９、３１により構成したレーザ溶融部上方に展
性、延性に富む金属層４０、４１を形成したものに相当
する。以下、図３をも含めて説明する。
電極をゲート・バス１８および／或いはソース・バス１
９に短絡せしめて能動液晶表示装置の動作中この欠陥画
素電極に電位を与える構成を具備する上述した通りの能
動液晶表示装置において短絡用金属層２８および溶接用
金属層２９、３１により構成したレーザ溶融部上方に展
性、延性に富む金属層４０、４１を形成したものに相当
する。以下、図３をも含めて説明する。
【００１２】先ず、透明基板１１上のＴＦＴ１６を形成
する位置に対応するところに光を遮断するライト・シー
ルド２１を例えばクロム、モリブデンにより形成する。
この工程においては、その後の工程において形成される
画素電極１５とゲート・バス１８或いはソース・バス１
９相互間に亘る短絡用金属層２８を各画素電極に対応し
て透明基板１１上面にライト・シールド２１と同一の金
属例えばクロム、モリブデンにより、ライト・シールド
２１と同時に形成する。
する位置に対応するところに光を遮断するライト・シー
ルド２１を例えばクロム、モリブデンにより形成する。
この工程においては、その後の工程において形成される
画素電極１５とゲート・バス１８或いはソース・バス１
９相互間に亘る短絡用金属層２８を各画素電極に対応し
て透明基板１１上面にライト・シールド２１と同一の金
属例えばクロム、モリブデンにより、ライト・シールド
２１と同時に形成する。
【００１３】次いで、これらライト・シールド２１およ
び短絡用金属層２８を含めて透明基板１１上面全面には
絶縁層２２を形成する。絶縁層２２の上面には、画素電
極１５、ソース・バス１９をＩＴＯの如き透明導電体に
より形成すると共に画素電極１５およびソース・バス１
９にまたがってＴＦＴ１６を構成する半導体層２３を形
成する。このとき、画素電極１５上面とソース・バス１
９上面の短絡用金属層２８に対応するところには、上述
の金属と同様の金属例えばクロム、モリブデンより成る
溶接用金属層２９、３１が形成される。なお、画素電極
１５上面のゲート・バス１８についての短絡用金属層に
対応するところにも溶接用金属層を形成しておく。
び短絡用金属層２８を含めて透明基板１１上面全面には
絶縁層２２を形成する。絶縁層２２の上面には、画素電
極１５、ソース・バス１９をＩＴＯの如き透明導電体に
より形成すると共に画素電極１５およびソース・バス１
９にまたがってＴＦＴ１６を構成する半導体層２３を形
成する。このとき、画素電極１５上面とソース・バス１
９上面の短絡用金属層２８に対応するところには、上述
の金属と同様の金属例えばクロム、モリブデンより成る
溶接用金属層２９、３１が形成される。なお、画素電極
１５上面のゲート・バス１８についての短絡用金属層に
対応するところにも溶接用金属層を形成しておく。
【００１４】これら画素電極１５、ソース・バス１９お
よび半導体層２３を含む絶縁層２２の上面には窒化シリ
コンより成るゲート絶縁膜２４が形成される。ゲート絶
縁膜２４上面には、その半導体層２３に対応してゲート
電極２５を形成すると共にゲート電極２５に接続するゲ
ート・バス１８が形成される。このとき、ゲート・バス
１８上面の短絡用金属層に対応するところには上述の金
属と同様の金属例えばクロム、モリブデンより成る溶接
用金属層が形成される。そして、この工程においては、
画素電極１５上面とソース・バス１９上面に形成された
溶接用金属層２９、３１に対応するゲート絶縁膜２４上
面に、この発明に基づいて展性、延性に富む金属層４
０、４１を、ゲート電極２５と同一の金属例えばアルミ
ニウムにより、ゲート電極２５と同時に形成する。これ
らの上面は保護層２６により被覆される。
よび半導体層２３を含む絶縁層２２の上面には窒化シリ
コンより成るゲート絶縁膜２４が形成される。ゲート絶
縁膜２４上面には、その半導体層２３に対応してゲート
電極２５を形成すると共にゲート電極２５に接続するゲ
ート・バス１８が形成される。このとき、ゲート・バス
１８上面の短絡用金属層に対応するところには上述の金
属と同様の金属例えばクロム、モリブデンより成る溶接
用金属層が形成される。そして、この工程においては、
画素電極１５上面とソース・バス１９上面に形成された
溶接用金属層２９、３１に対応するゲート絶縁膜２４上
面に、この発明に基づいて展性、延性に富む金属層４
０、４１を、ゲート電極２５と同一の金属例えばアルミ
ニウムにより、ゲート電極２５と同時に形成する。これ
らの上面は保護層２６により被覆される。
【００１５】そして、画素電極１５上面とゲート・バス
１８上面に形成された溶接用金属層に対応する保護層２
６上面に、この発明に基づいて展性、延性に富む金属層
を、例えばアルミニウムにより形成する。能動液晶表示
装置の製造後、欠陥画素が発見された場合、図７に示さ
れる如く、透明基板１１下面からレーザ照射し、短絡用
金属層２８および溶接用金属層２９、３１を溶融すると
共に絶縁層２２を破壊して画素電極１５とソース・バス
１９とを電気的に接続することができる。
１８上面に形成された溶接用金属層に対応する保護層２
６上面に、この発明に基づいて展性、延性に富む金属層
を、例えばアルミニウムにより形成する。能動液晶表示
装置の製造後、欠陥画素が発見された場合、図７に示さ
れる如く、透明基板１１下面からレーザ照射し、短絡用
金属層２８および溶接用金属層２９、３１を溶融すると
共に絶縁層２２を破壊して画素電極１５とソース・バス
１９とを電気的に接続することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明の能動液
晶表示装置は、欠陥画素電極をゲート・バス１８および
／或いはソース・バス１９に短絡せしめて能動液晶表示
装置の動作中この欠陥画素電極に電位を与える構成を具
備する上述した通りの能動液晶表示装置において、短絡
用金属層および溶接用金属層により構成したレーザ溶融
部上方に展性、延性に富む金属層を形成してレーザ溶融
部上方をカバーするものであり、図７に示される如く、
透明基板１１下面からレーザ照射し、短絡用金属層２８
および溶接用金属層２９、３１を溶融すると共に絶縁層
２２を破壊して画素電極１５とソース・バス１９とを電
気的に接続する作業を実施しても、このカバーにより金
属層と絶縁膜との間に剥離が発生するのを防止すること
ができた。
晶表示装置は、欠陥画素電極をゲート・バス１８および
／或いはソース・バス１９に短絡せしめて能動液晶表示
装置の動作中この欠陥画素電極に電位を与える構成を具
備する上述した通りの能動液晶表示装置において、短絡
用金属層および溶接用金属層により構成したレーザ溶融
部上方に展性、延性に富む金属層を形成してレーザ溶融
部上方をカバーするものであり、図７に示される如く、
透明基板１１下面からレーザ照射し、短絡用金属層２８
および溶接用金属層２９、３１を溶融すると共に絶縁層
２２を破壊して画素電極１５とソース・バス１９とを電
気的に接続する作業を実施しても、このカバーにより金
属層と絶縁膜との間に剥離が発生するのを防止すること
ができた。
【００１７】展性、延性に富む金属層の形成も、上述の
如く、ゲート電極２５と同一の金属例えばアルミニウム
によりゲート電極２５と同時に形成することができるの
で、各別の製造工程の増加もない。この発明の説明はト
ップ・ゲート構造の能動液晶表示装置についてのもので
あったが、これはボトム・ゲート構造の能動液晶表示装
置についてもあてはまることは言うまでもなく、また白
欠陥画素電極を黒欠陥画素電極にする場合を例にした
が、黒欠陥画素電極を白欠陥画素電極にする場合にも適
用することができるものであることも言うまでもない。
如く、ゲート電極２５と同一の金属例えばアルミニウム
によりゲート電極２５と同時に形成することができるの
で、各別の製造工程の増加もない。この発明の説明はト
ップ・ゲート構造の能動液晶表示装置についてのもので
あったが、これはボトム・ゲート構造の能動液晶表示装
置についてもあてはまることは言うまでもなく、また白
欠陥画素電極を黒欠陥画素電極にする場合を例にした
が、黒欠陥画素電極を白欠陥画素電極にする場合にも適
用することができるものであることも言うまでもない。
【図１】能動液晶表示装置の従来例の画素マトリックス
を示す図。
を示す図。
【図２】能動液晶表示装置の従来例の断面を示す図。
【図３】能動液晶表示装置の従来例の画素マトリックス
断面をを示す図。
断面をを示す図。
【図４】能動液晶表示装置の従来例の画素を示す図。
【図５】図４の鎖線Ａ−Ａにおける断面を示す図。
【図６】この発明の能動液晶表示装置の画素を示す図。
【図７】図６の鎖線Ａ−Ａにおける断面を示す図。
１１ 透明基板 １５ 画素電極 １６ ＴＦＴ １８ ゲート・バス １９ ソース・バス ２２ 絶縁層 ２３ 半導体層 ２４ ゲート絶縁膜 ２５ ゲート電極 ２６ 保護層 ２８ 短絡用金属層 ２９ 溶接用金属層 ３１ 溶接用金属層 ４０ 展性、延性に富む金属層 ４１ 展性、延性に富む金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 東 みのり 兵庫県神戸市西区高塚台４−３−１ ホ シデン株式会社 開発技術研究所内 (56)参考文献 特開 平３−230125（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−24524（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−310537（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−203389（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−16930（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−19618（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−21823（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−278296（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 500 G02F 1/1343 G02F 1/1345
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上面全面に絶縁層を形成し、絶
縁層の上面に画素電極、ソース・バスを形成すると共に
画素電極およびソース・バスにまたがってＴＦＴを構成
する半導体層を形成し、これら画素電極、ソース・バス
および半導体層の上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶
縁膜上面にその半導体層に対応してゲート電極を形成す
ると共にゲート電極に接続するゲート・バスを形成し、
ゲート電極およびゲート・バス上面には保護層を形成
し、画素電極とゲート・バスおよび／或いはソース・バ
ス相互間に亘る短絡用金属層を各画素電極について透明
基板上面に形成し、画素電極上面とゲート・バスおよび
／或いはソース・バスの上面に溶接用金属層を具備し、
溶接用金属層上方のゲート絶縁膜上面および／或いは保
護層上面に展性、延性に富む金属層を形成したことを特
徴とする能動液晶表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28178891A JP2871235B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 能動液晶表示装置 |
| US07/964,046 US5223961A (en) | 1991-10-29 | 1992-10-21 | Active liquid crystal display panel having a short-circuit metal layer and welding metal pads for changing the defect of a defective pixel |
| KR1019920019807A KR970008352B1 (ko) | 1991-10-29 | 1992-10-27 | 능동액정표시장치 |
| EP92118506A EP0539981B1 (en) | 1991-10-29 | 1992-10-29 | Active matrix liquid crystal display panel |
| DE69204961T DE69204961T2 (de) | 1991-10-29 | 1992-10-29 | Flüssigkristall-Anzeigetafel mit aktiver Matrix. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28178891A JP2871235B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 能動液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119349A JPH05119349A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2871235B2 true JP2871235B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=17643987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28178891A Expired - Lifetime JP2871235B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 能動液晶表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5223961A (ja) |
| EP (1) | EP0539981B1 (ja) |
| JP (1) | JP2871235B2 (ja) |
| KR (1) | KR970008352B1 (ja) |
| DE (1) | DE69204961T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW305948B (ja) * | 1993-11-08 | 1997-05-21 | Hitachi Ltd | |
| US7081938B1 (en) * | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| US5693983A (en) * | 1994-04-28 | 1997-12-02 | Xerox Corporation | Thin-film structure with conductive molybdenum-chromium line |
| JP3254362B2 (ja) * | 1995-07-27 | 2002-02-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| TW418432B (en) * | 1996-12-18 | 2001-01-11 | Nippon Electric Co | Manufacturing method of thin film transistor array |
| US5976978A (en) * | 1997-12-22 | 1999-11-02 | General Electric Company | Process for repairing data transmission lines of imagers |
| JP3423232B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2003-07-07 | 三洋電機株式会社 | アクティブ型ｅｌ表示装置 |
| US6545500B1 (en) * | 1999-12-08 | 2003-04-08 | John E. Field | Use of localized temperature change in determining the location and character of defects in flat-panel displays |
| JP3524029B2 (ja) * | 2000-01-04 | 2004-04-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | トップゲート型ｔｆｔ構造を形成する方法 |
| JP4222707B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2009-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、ガス供給リング及び誘電体 |
| KR100815900B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2008-03-21 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101209809B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2012-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN100580509C (zh) * | 2006-03-10 | 2010-01-13 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 液晶显示器及用于该显示器的缺陷修补方法 |
| US8638219B2 (en) * | 2007-06-18 | 2014-01-28 | Qualcomm Incorporated | Device and methods of providing radio data system information alerts |
| CN100501507C (zh) * | 2007-07-09 | 2009-06-17 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示面板及其制造方法和包含其的装置 |
| JP2015106129A (ja) * | 2013-12-02 | 2015-06-08 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置、及びその製造方法、及びその黒点化修正方法 |
| CN110133925B (zh) * | 2018-02-09 | 2022-02-15 | 深超光电（深圳）有限公司 | 显示面板亮点修补方法及其主动矩阵基板和显示面板 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5151807A (en) * | 1989-01-31 | 1992-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and active matrix display apparatus |
| JPH0421823A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Hosiden Corp | 液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子 |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP28178891A patent/JP2871235B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-10-21 US US07/964,046 patent/US5223961A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-27 KR KR1019920019807A patent/KR970008352B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-10-29 DE DE69204961T patent/DE69204961T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-29 EP EP92118506A patent/EP0539981B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0539981A1 (en) | 1993-05-05 |
| JPH05119349A (ja) | 1993-05-18 |
| EP0539981B1 (en) | 1995-09-20 |
| US5223961A (en) | 1993-06-29 |
| DE69204961T2 (de) | 1996-04-11 |
| KR970008352B1 (ko) | 1997-05-23 |
| KR930008497A (ko) | 1993-05-21 |
| DE69204961D1 (de) | 1995-10-26 |
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