JP2869943B2 - 抵抗付中継台を有したハイブリッドｉｃ - Google Patents
抵抗付中継台を有したハイブリッドｉｃInfo
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- JP2869943B2 JP2869943B2 JP3152179A JP15217991A JP2869943B2 JP 2869943 B2 JP2869943 B2 JP 2869943B2 JP 3152179 A JP3152179 A JP 3152179A JP 15217991 A JP15217991 A JP 15217991A JP 2869943 B2 JP2869943 B2 JP 2869943B2
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- resistor
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種信号処理機能を得
ることができるハイブリッドＩＣに関し、特に内部回路
において用いられる電子部品として改良された抵抗体、
中継台が設けられる抵抗付中継台を有し、超高周波帯域
で使用されるハイブリッドＩＣに関する。
ることができるハイブリッドＩＣに関し、特に内部回路
において用いられる電子部品として改良された抵抗体、
中継台が設けられる抵抗付中継台を有し、超高周波帯域
で使用されるハイブリッドＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すのは、従来のハイブリッドＩ
Ｃを示す部分斜視図である。ハイブリッドＩＣの基板２
０上には、予め所定の配線パターン２１が形成されてい
る。配線パターン２１は、信号路を形成する信号パター
ン２１ａ、および信号パターン２１ａを除く基板全面に
形成されたアースパターン２１ｂで構成されている。そ
して、この信号パターン２１ａに沿って各種回路素子が
ハンダ付等で固定配置される。
Ｃを示す部分斜視図である。ハイブリッドＩＣの基板２
０上には、予め所定の配線パターン２１が形成されてい
る。配線パターン２１は、信号路を形成する信号パター
ン２１ａ、および信号パターン２１ａを除く基板全面に
形成されたアースパターン２１ｂで構成されている。そ
して、この信号パターン２１ａに沿って各種回路素子が
ハンダ付等で固定配置される。
【０００３】同図に示す回路素子は、カップリングコン
デンサとしての積層形セラミックコンデンサ２２であ
り、両端の端子２２ａがそれぞれ信号パターン２１ａに
固定配置される。また、このコンデンサ２２部分の信号
パターン２１ａ端部は、アースパターン２１ｂに接続さ
れており、この接続部には、コンデンサ２２の共振を防
止するために数オームの抵抗膜２３が設けられている。
デンサとしての積層形セラミックコンデンサ２２であ
り、両端の端子２２ａがそれぞれ信号パターン２１ａに
固定配置される。また、このコンデンサ２２部分の信号
パターン２１ａ端部は、アースパターン２１ｂに接続さ
れており、この接続部には、コンデンサ２２の共振を防
止するために数オームの抵抗膜２３が設けられている。
【０００４】次に、図５に示すのは、別の従来例を示す
平面図であり、前記基板２０のアースパターン２１ｂ上
に中継台３０、抵抗体３１がそれぞれ設けられ、この中
継台３０上に前記コンデンサ２２が設けられるものであ
り、中継台３０と抵抗体３１間、及び抵抗体３１とアー
スパターン２１ｂ間はワイヤ３２により接続されてい
る。
平面図であり、前記基板２０のアースパターン２１ｂ上
に中継台３０、抵抗体３１がそれぞれ設けられ、この中
継台３０上に前記コンデンサ２２が設けられるものであ
り、中継台３０と抵抗体３１間、及び抵抗体３１とアー
スパターン２１ｂ間はワイヤ３２により接続されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示す構造では、配線パターン２１が固定されるものであ
るため、制作後における配線パターン２１の変更を行う
ことができず、自由度がないものであった。例えば、部
分的な回路パターンを変更するにも全体のパターンを再
度作り直さなければならなかった。また、抵抗膜２３を
作成するためにエッチング処理が複雑となり、容易に制
作できるものではなかった。さらに、配線パターン２１
を構成する信号パターン２１ａ、およびアースパターン
２１ｂが同一面に形成されるものであるため、コンデン
サ２２を半田付けする際の半田が信号パターン２１ａか
らアースパターン２１ｂ側に流れ出す危険性を有してい
た。
示す構造では、配線パターン２１が固定されるものであ
るため、制作後における配線パターン２１の変更を行う
ことができず、自由度がないものであった。例えば、部
分的な回路パターンを変更するにも全体のパターンを再
度作り直さなければならなかった。また、抵抗膜２３を
作成するためにエッチング処理が複雑となり、容易に制
作できるものではなかった。さらに、配線パターン２１
を構成する信号パターン２１ａ、およびアースパターン
２１ｂが同一面に形成されるものであるため、コンデン
サ２２を半田付けする際の半田が信号パターン２１ａか
らアースパターン２１ｂ側に流れ出す危険性を有してい
た。
【０００６】また、図５に示す構造によれば、配線パタ
ーンの自由度が増す利点を有するものの、接続箇所が増
し、故障率の増大化を招くとともに、大きな接地面積を
必要とした。とくに、超高周波帯域では、接続不良であ
ってもある状態で動作する場合がある等、目視のみでの
接続状態を確認しても実際の動作が保証されないという
危険性があり、接続箇所の増大化は故障率の低減化を図
る上で避けなければならない課題であった。そしてハイ
ブリッドＩＣは、現在、ギガヘルツ帯までの超高周波化
により一層の高密度化が進むとともに、多品種少量生産
化されているが、上記いずれの従来技術も、これらのハ
イブリッドＩＣに適用することが困難となってきてい
る。
ーンの自由度が増す利点を有するものの、接続箇所が増
し、故障率の増大化を招くとともに、大きな接地面積を
必要とした。とくに、超高周波帯域では、接続不良であ
ってもある状態で動作する場合がある等、目視のみでの
接続状態を確認しても実際の動作が保証されないという
危険性があり、接続箇所の増大化は故障率の低減化を図
る上で避けなければならない課題であった。そしてハイ
ブリッドＩＣは、現在、ギガヘルツ帯までの超高周波化
により一層の高密度化が進むとともに、多品種少量生産
化されているが、上記いずれの従来技術も、これらのハ
イブリッドＩＣに適用することが困難となってきてい
る。
【０００７】本発明は、上記課題に鑑みて成されたもの
であり、超高周波帯域で使用されるハイブリッドＩＣに
おいて、配線パターンの設計、及び作成後に自由度をも
って電子部品を配置することができるとともに、この電
子部品を配置するための設置面積を増加することなく行
え、容易に制作することができる抵抗付中継台を有した
ハイブリッドＩＣを提供することを目的としている。
であり、超高周波帯域で使用されるハイブリッドＩＣに
おいて、配線パターンの設計、及び作成後に自由度をも
って電子部品を配置することができるとともに、この電
子部品を配置するための設置面積を増加することなく行
え、容易に制作することができる抵抗付中継台を有した
ハイブリッドＩＣを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の抵抗付中継台を有したハイブリッドＩＣ
は、このハイブリッドＩＣを構成する基板１上には、所
定のアースパターン２ｂが形成され、このアースパター
ン２ｂ上において、前記電子部品が配置される箇所の直
下には、基部５の面に沿って薄膜状に導電膜６ａ，６
ｂ、及び抵抗膜７が形成された抵抗付中継台４が設けら
れることを特徴としている。
め、本発明の抵抗付中継台を有したハイブリッドＩＣ
は、このハイブリッドＩＣを構成する基板１上には、所
定のアースパターン２ｂが形成され、このアースパター
ン２ｂ上において、前記電子部品が配置される箇所の直
下には、基部５の面に沿って薄膜状に導電膜６ａ，６
ｂ、及び抵抗膜７が形成された抵抗付中継台４が設けら
れることを特徴としている。
【０００９】
【作用】ハイブリッドＩＣの基板１上のアースパターン
２ｂ上には、電子部品を任意に配置自在である。この電
子部品は、抵抗付中継台４を介してアースパターン２ｂ
に対して電気的に接続される。抵抗付中継台４は、基部
５上に薄膜状の導電膜６ａ，６ｂ、および抵抗膜７を有
して形成されている。したがって、電子部品は、抵抗付
中継台４上に半田等で固定するのみで、抵抗膜７での所
定値の抵抗体を介してアースすることができ、これを小
さなスペースで高密度に実装するとができる。
２ｂ上には、電子部品を任意に配置自在である。この電
子部品は、抵抗付中継台４を介してアースパターン２ｂ
に対して電気的に接続される。抵抗付中継台４は、基部
５上に薄膜状の導電膜６ａ，６ｂ、および抵抗膜７を有
して形成されている。したがって、電子部品は、抵抗付
中継台４上に半田等で固定するのみで、抵抗膜７での所
定値の抵抗体を介してアースすることができ、これを小
さなスペースで高密度に実装するとができる。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の抵抗付中継台を有したハイ
ブリッドＩＣを示す斜視図である。基板１上面には、配
線パターン２として、図示しない信号パターン２ａ、お
よびアースパターン２ｂが形成されている。そして、こ
のアースパターン２ｂ上には、以下に示す抵抗付中継台
４を固定配置することができる。
ブリッドＩＣを示す斜視図である。基板１上面には、配
線パターン２として、図示しない信号パターン２ａ、お
よびアースパターン２ｂが形成されている。そして、こ
のアースパターン２ｂ上には、以下に示す抵抗付中継台
４を固定配置することができる。
【００１１】この抵抗付中継台４は、図２の断面図に示
す如く、絶縁材質の基板材料で構成される基部５と、こ
の基部５上面及び側面に設けられる導通膜６ａ，６ｂ、
さらに導通膜６ａ，６ｂ間に設けられる抵抗膜７で構成
される。作成手順を説明すると、まず、基部５上にタン
タルからなる抵抗体を膜状に設けて抵抗膜７を形成す
る。次に、基部５の上面、側面を金メッキして、導通膜
６ａ，６ｂを形成する。次に、抵抗膜７部分をエッチン
グして抵抗膜７部分の導通膜６ａ，６ｂを抜き、抵抗膜
７部分を表出させる。上記の如く制作する際、図１に示
す如く、導通膜６ａ，６ｂ、抵抗膜７は、いずれも側縁
部から所定距離ｐだけ内側に形成しておく。上記作成法
により、抵抗膜７の大きさを正確に作成数することがで
き、所定の抵抗値を得ることができる。
す如く、絶縁材質の基板材料で構成される基部５と、こ
の基部５上面及び側面に設けられる導通膜６ａ，６ｂ、
さらに導通膜６ａ，６ｂ間に設けられる抵抗膜７で構成
される。作成手順を説明すると、まず、基部５上にタン
タルからなる抵抗体を膜状に設けて抵抗膜７を形成す
る。次に、基部５の上面、側面を金メッキして、導通膜
６ａ，６ｂを形成する。次に、抵抗膜７部分をエッチン
グして抵抗膜７部分の導通膜６ａ，６ｂを抜き、抵抗膜
７部分を表出させる。上記の如く制作する際、図１に示
す如く、導通膜６ａ，６ｂ、抵抗膜７は、いずれも側縁
部から所定距離ｐだけ内側に形成しておく。上記作成法
により、抵抗膜７の大きさを正確に作成数することがで
き、所定の抵抗値を得ることができる。
【００１２】上述した抵抗付中継台４は、図１に示す如
く、前記カップリングコンデンサ２２が配置される箇所
に設けられる。アースパターン２ｂ上には、一方が他の
中継台１０、あるいは図示しない信号パターン２ａに接
続された形でコンデンサ２２の一方の端子２２ａが固定
接続される。そして、コンデンサ２２の他方の端子２２
ａが設けられる箇所には、下方に前記抵抗付中継台４が
固定配置される。この抵抗付中継台４は、基部５底面が
導電性の接着剤、あるいは半田付によりアースパターン
２ｂ上に固定される。
く、前記カップリングコンデンサ２２が配置される箇所
に設けられる。アースパターン２ｂ上には、一方が他の
中継台１０、あるいは図示しない信号パターン２ａに接
続された形でコンデンサ２２の一方の端子２２ａが固定
接続される。そして、コンデンサ２２の他方の端子２２
ａが設けられる箇所には、下方に前記抵抗付中継台４が
固定配置される。この抵抗付中継台４は、基部５底面が
導電性の接着剤、あるいは半田付によりアースパターン
２ｂ上に固定される。
【００１３】この抵抗付中継台４上面の導体膜６ａ部分
にコンデンサ２２の他方の端子２２ａを半田付固定す
る。なお、この半田付の際、導通膜６ａが側縁部から所
定距離ｐだけ内側に形成されている点、及び導通膜６ａ
がエッジ形成された側縁部を介してアースパターン２ｂ
面から所定高さ上方に位置している点により、この半田
は導通膜６ａ部分のみで滞留し、アースパターン２ｂに
流れ込みことがない。
にコンデンサ２２の他方の端子２２ａを半田付固定す
る。なお、この半田付の際、導通膜６ａが側縁部から所
定距離ｐだけ内側に形成されている点、及び導通膜６ａ
がエッジ形成された側縁部を介してアースパターン２ｂ
面から所定高さ上方に位置している点により、この半田
は導通膜６ａ部分のみで滞留し、アースパターン２ｂに
流れ込みことがない。
【００１４】次に、導通膜６ｂとアースパターン２ｂ間
をワイヤ１１等を用いてボンディングして、電気的に接
続する。これにより、コンデンサ２２の一端には前記抵
抗膜７による所定値の抵抗体が接続されることとなり、
このコンデンサ２２の共振防止作用を得ることができ
る。
をワイヤ１１等を用いてボンディングして、電気的に接
続する。これにより、コンデンサ２２の一端には前記抵
抗膜７による所定値の抵抗体が接続されることとなり、
このコンデンサ２２の共振防止作用を得ることができ
る。
【００１５】上述した抵抗付中継台４は、アースパター
ン２ｂ上において任意の箇所に自由に設けることができ
るため、配線パターンを決定し、作成した後においても
自由度をもって容易に設置することができる。また、基
板１上にアースパターン２の領域を多く取り、例えば、
全面をアースパターン２として、この上に中継台をおい
て回路を構成することもでき、この場合、あるいは前述
の如きアースパターン２上に抵抗付中継台４を設置する
場合も含めてアースの面積を大きく取ることができ、超
高周波帯域まで保証された性能を有するハイブリッドＩ
Ｃを作成することができるようになった。
ン２ｂ上において任意の箇所に自由に設けることができ
るため、配線パターンを決定し、作成した後においても
自由度をもって容易に設置することができる。また、基
板１上にアースパターン２の領域を多く取り、例えば、
全面をアースパターン２として、この上に中継台をおい
て回路を構成することもでき、この場合、あるいは前述
の如きアースパターン２上に抵抗付中継台４を設置する
場合も含めてアースの面積を大きく取ることができ、超
高周波帯域まで保証された性能を有するハイブリッドＩ
Ｃを作成することができるようになった。
【００１６】次に、図３に示すのは、前記抵抗付中継台
の変形例を示す側面図である。この図に示すように、前
記導通膜６ｂを基部５底面まで連続して設けてもよい。
これにより、アースパターン２に直接、導通膜６ｂが接
し、前記ワイヤ１１を用いず、この基部５底面部分の導
通膜６ｂとアースパターン２とを直接、導電性接着剤、
あるいは半田等で固定接続することもでき、上記実施例
と同様の作用、効果を得ることができる。
の変形例を示す側面図である。この図に示すように、前
記導通膜６ｂを基部５底面まで連続して設けてもよい。
これにより、アースパターン２に直接、導通膜６ｂが接
し、前記ワイヤ１１を用いず、この基部５底面部分の導
通膜６ｂとアースパターン２とを直接、導電性接着剤、
あるいは半田等で固定接続することもでき、上記実施例
と同様の作用、効果を得ることができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の抵抗付中継台を有するハイブリ
ッドＩＣは、アースパターン上に抵抗体を備えた中継台
を任意に配置して成る構成であるため、配線パターンの
設計、及び作成後に自由度をもって電子部品を配置する
ことができるとともに、この電子部品を配置するための
面積を増加することなく小さな面積で設置でき、容易に
制作することができる効果を有する。
ッドＩＣは、アースパターン上に抵抗体を備えた中継台
を任意に配置して成る構成であるため、配線パターンの
設計、及び作成後に自由度をもって電子部品を配置する
ことができるとともに、この電子部品を配置するための
面積を増加することなく小さな面積で設置でき、容易に
制作することができる効果を有する。
【図１】本発明の抵抗付中継台を有するハイブリッドＩ
Ｃを示す斜視図。
Ｃを示す斜視図。
【図２】同抵抗付中継台部分の側面図。
【図３】同抵抗付中継台の変形例を示す側面図。
【図４】従来のハイブリッドＩＣを示す斜視図。
【図５】別の従来例を示す平面図。
１…基板、２配線パターン、２ａ信号パターン、２ｂア
ースパターン、４抵抗付中継台、５基部、６ａ，６ｂ導
通膜、７抵抗膜、１１ワイヤ、２２コンデンサ。
ースパターン、４抵抗付中継台、５基部、６ａ，６ｂ導
通膜、７抵抗膜、１１ワイヤ、２２コンデンサ。
Claims (1)
- 【請求項１】 超高周波帯域において電子回路素子が高
密度に実装されるハイブリッドＩＣにおいて、ハイブリ
ッドＩＣを構成する基板（１）上には、所定のアースパ
ターン（２ｂ）が形成され、このアースパターン上にお
いて、前記電子部品が配置される箇所の直下には、基部
（５）の面に沿って薄膜状に導電膜（６ａ，６ｂ）、及
び抵抗膜（７）が形成された抵抗付中継台（４）が設け
られることを特徴とする抵抗付中継台を有したハイブリ
ッドＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3152179A JP2869943B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 抵抗付中継台を有したハイブリッドｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3152179A JP2869943B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 抵抗付中継台を有したハイブリッドｉｃ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352382A JPH04352382A (ja) | 1992-12-07 |
| JP2869943B2 true JP2869943B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=15534782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3152179A Expired - Lifetime JP2869943B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 抵抗付中継台を有したハイブリッドｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869943B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3152179A patent/JP2869943B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04352382A (ja) | 1992-12-07 |
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