JP2856701B2 - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
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Description
り、特に誘電体共振器を用いた誘電体共振発振器(DR
O)やフィルタなどのマイクロ波回路に関する。
回路について図面を参照して説明する。図10(a)は
従来の誘電体共振器を用いたマイクロ波回路の第1の例
を示す斜視図、図10(b)は図10(a)のA−A’
線に沿う断面図である。
の従来のマイクロ波回路は、裏面に接地導体1を備えた
半導体基板2の表面にマイクロストリップ線路の中心導
体3が形成され、かつ、中心導体3の近傍に誘電体共振
器4が接着剤等で固定された構成である。
たマイクロ波回路の第2の例を示す斜視図、図11
(b)は図11(a)のA−A’線に沿う断面図であ
る。
の従来のマイクロ波回路は、裏面に接地導体1を備えた
半導体基板2の表面にマイクロストリップ線路の中心導
体3が形成され、かつ、中心導体3の近傍に支持台5を
介して誘電体共振器4が接着剤等で固定された構成であ
る。
して成型により形成されたもので、あらかじめ誘電体共
振器4の裏面に接着材で取り付けられる。また、支持台
5の別の例としては、特開平7−38311号公報に記
載されているような、絶縁材料からなる厚膜体を半導体
基板2上に印刷形成したものでもよく、誘電体共振器4
はこの厚膜体上に接着剤により固着される。
マイクロ波回路の第1の例では、半導体基板2上に誘電
体共振器4を直接配置する構成であるため、誘電体共振
器4と接地導体1との距離が小さく、接地導体1の導体
損失に起因した共振系の無負荷Q値の低下が大きくなる
という問題がある。
り無負荷Q値の低下は抑制できるが、同じマイクロスト
リップ線路の特性インピーダンスを得るためには中心導
体3の幅を大きくする必要が生じチップ面積の増大につ
ながる。さらに能動素子を集積化したモノリシック集積
回路の場合には、半導体基板厚の増大は放熱性の悪化や
バイアホール径の増大につながる。従って、半導体基板
2の厚みを自由に大きくすることはできない。
路の第2の例では、支持台5を介して誘電体共振器4を
固定する構成とすることにより、半導体基板2の厚みを
増大させること無く、誘電体共振器4と接地導体1の距
離を大きくすることができ、接地導体1の導体損失に起
因した無負荷Q値の低下を抑制できる。
導体基板2表面に垂直な方向の距離(支持台5の厚み方
向の距離)が増大し、誘電体共振器4と中心導体3との
間の結合強度が低下するという問題がある。
基板厚を厚くすることなく無負荷Q値を増大し得るマイ
クロ波回路を提供することを目的とする。
と中心導体との結合強度の低下を抑制し得るマイクロ波
回路を提供することにある。
ずれによる特性ばらつきを抑制し得るマイクロ波回路を
提供することにある。
め、本発明の請求項1に係るマイクロ波回路は、マイク
ロストリップ線路に誘電体共振器を磁気的に結合させた
マイクロ波回路において、マイクロストリップ線路の一
部を構成する基板の表面に、誘電体共振器の底面よりも
大なる表面を有する支持台を介して誘電体共振器を固定
し、かつ、マイクロストリップ線路の一部を構成する中
心導体を前記支持台の誘電体共振器に対してはみ出した
表面部分及び前記基板の表面のそれぞれに形成したもの
である。
を固定すると共にマイクロストリップ線路の中心導体を
支持台上に形成するようにしたため、基板厚を増大させ
ることなく、しかも誘電体共振器と中心導体の基板表面
に垂直な方向の距離を増大させることなく、誘電体共振
器を接地導体から遠ざけることができる。
求項2、3に係るマイクロ波回路は、請求項1に係るマ
イクロ波回路の支持台を、基板をエッチングすることに
より、あるいは基板上に堆積した絶縁膜により形成する
ことを特徴としている。
回路は、請求項1に係るマイクロ波回路における中心導
体を、トランジスタに接続してモノリシック集積回路化
されていることを特徴とする。
回路は、請求項1に係るマイクロ波回路における支持台
が形成されている基板を、少なくとも中心導体に接続さ
れた帰還用線路と、キャパシタが表面に形成された絶縁
性基板とし、中心導体がトランジスタチップに接続線を
介して接続されてハイブリッド集積回路化されているこ
とを特徴とする。
回路は、請求項1に係るマイクロ波回路における支持台
を、誘電体共振器との接合部分の一部が空洞部分とされ
ていることを特徴とする。この発明では、支持台を形成
する支持台の−部が誘電損失の小さい空気あるいは真空
とされる。
施の形態を説明する。
クロ波回路の斜視図、同図(b)は同図(a)のA−
A’線に沿う断面図である。この実施の形態のマイクロ
波回路は、図1(a)及び(b)に示すように、接地導
体1と、接地導体1が裏面に形成された半導体基板2
と、中心導体3と、中心導体3の近傍に配置された円柱
状の誘電体共振器4と、支持台6から成る。
によりマイクロストリップ線路が構成される。支持台6
は、誘電体共振器4からはみ出した部分を有し、その一
部に中心導体3が形成されている。支持台6には中心導
体3の近傍に誘電体共振器4が接着剤等により固定され
ている。
回路では、無負荷Q値の劣化を抑制することを目的とし
て誘電体共振器4を接地導体1から遠ざけるために支持
台6の高さを高くしても、支持台6上に誘電体共振器4
と中心導体3の両方を乗せるようにしているため、誘電
体共振器4と中心導体3の半導体基板2の表面に垂直な
方向の距離が増大することはない。従って、半導体基板
2の基板厚を厚くしなくとも、しかも支持台6の高さを
高くしても結合強度の低下を抑制することができる。
一実施の形態の製造工程について図2(a)〜(d)と
共に説明する。この製造方法は、支持台6を半導体基板
で形成した点に特徴がある。まず、図2(a)に示すよ
うに半導体基板2のエッチングにより、図1の支持台6
に相当する支持台6aを形成する。次に図2(b)に示
すように、中心導体3を支持台6a上に形成する。続い
て、必要であれば研磨等により基板厚を調整した後、図
2(c)に示すように半導体基板2の裏面に接地導体1
を形成する。最後に図2(d)に示すように誘電体共振
器4を支持台6a上で、かつ、中心導体3の近傍に接着
剤等により固定する。
他の実施の形態の製造工程について図3(a)〜(d)
と共に説明する。この製造方法は、支持台6を絶縁膜で
形成した点に特徴がある。まず、図3(a)に示すよう
に半導体基板2上に低損失の絶縁膜7を堆積する。次に
図3(b)に示すように絶縁膜7をエッチングすること
により、絶縁膜7からなる支持台6b(図1の支持台6
に相当する)を形成する。次に図3(c)に示すように
支持台6b上に中心導体3を形成する。続いて、必要で
あれば研磨等により基板厚を調整した後、図3(d)に
示すように半導体基板2の裏面に接地導体1を形成す
る。最後に図3(e)に示すように、支持台6b上で、
かつ、中心導体3の近傍に誘電体共振器4を固定する。
モノリシック集積回の場合には、図2及び図3に示した
工程の間にトランジスタや受動素子の製造工程が挿入さ
れる。
(Microwave Monolithic Integrated Circuit)誘電体
共振発振器(DRO)に適用した場合の一例の平面図を
示す。図4に示すDROは、裏面に接地導体を有する半
導体基板2、中心導体3、支持台6、誘電体共振器4、
バイアホール10、抵抗体11、MIMキャパシタ1
2、バイアスパッド13、出力パッド14、整合用オー
プンスタブ15、帰還用線路16、1/4波長線路1
7、ゲート電極18、ドレイン電極19、ソース電極2
0、活性層21から構成される。
ス電極20及び活性層21により電界効果トランジスタ
(FET)が構成される。中心導体3の一端はゲート電
極18に接続され、他端は抵抗体11に接続されてい
る。また、ドレイン電極19はMIMキャパシタ12を
介して帰還用線路16により中心導体3に接続されてい
る。
をかけ、負性抵抗を発生させる並列帰還型の発振回路で
ある。大きな無負荷Q値と適当な値の温度係数を有する
誘電体共振器4を装荷することにより、位相雑音が小さ
く、高い温度安定性を有する発振回路を実現できる。バ
イアスパッド13からFETのゲート電極18及びドレ
イン電極19に直流電圧が印加される。抵抗体11は寄
生発振防止のために、MIMキャパシタ12は直流電流
阻止のために付加されている。
(Hybrid Integrated Circuit)誘電体共振発振器(D
RO)に適用した場合の一例の平面図を示す。同図に示
すように、このDROは、中心導体3、誘電体共振器
4、支持台6、抵抗体11、MIMキャパシタ12、出
力パッド14、整合用オープンスタブ15、帰還用線路
16、1/4波長線路17が形成された絶縁性基板22
と、ゲート電極18、ドレイン電極19、ソース電極2
0、活性層21を有するFETチップ25と、チップコ
ンデンサ24とが金属ブロック23上に固定されること
により構成され、それぞれが金線26により電気的に接
続されている。
を有するシールドケースに実装した場合の一実施の形態
を示す断面図である。本発明のマイクロ波回路のように
誘電体共振器4を用いた回路のチップは通常、図6に示
したような調整ビス27を有するシールドケース28に
実装して用いられる。
の他の実施の形態を示す断面図、同図(b)はその平面
図を示す。この実施の形態のマイクロ波回路において
は、支持台5の一部に空洞部分29を形成している。空
洞部分29は、図2(a)に示した製造工程におけるエ
ッチングで、支持台6の形成時に形成できる。この場合
は、支持台6を形成する支持台の一部が空洞部分29に
より誘電損失の小さい空気あるいは真空とされる。
する。
図に示す本発明のマイクロ波回路では、20μm厚の金
から成る接地導体1、40μm厚のGaAsから成る半
導体基板2、2μm厚で30μm幅の金から成る中心導
体3、半径650μm、高さ550μmの円柱型のBa
(Mg,Ta)O3から成る誘電体共振器4、及び10
μm厚のGaAsから成る支持台6から構成される。
を半導体基板で形成する場合の製造工程では、まず図2
(a〉に示すように600μm厚のGaAsから成る半
導体基板2の表面に、硫酸系エッチャント等を用いたエ
ッチングにより10μm厚の支持台6aを形成する。こ
の際、支持台6aのパターニングにフォトレジストを用
いたリソグラフィー技術を用いる。
金から成る中心導体3を支持台6a上に形成する。この
工程は例えば、Ti/Pt/Auなどから成る0.5μ
m程度の金属薄膜をスパッタにより形成する工程と、中
心導体3のパターニングの為のリソグラフィー工程と、
中心導体3となる金をメッキする工程と、フォトレジス
トを有機溶剤により除去する工程と、金属薄膜をミリン
グにより除去する工程から構成される。
0μmとし、図2(c)に示すようにメッキにより20
μm厚の金から成る接地導体1を、半導体基板2の裏面
にメッキ等により形成する。
器4を接着剤等により支持台6a上に固定する。
支持台6を絶縁膜で形成する製造工程では、まず、図3
(a)に示すように半導体基板2上にSiO2などから
成る絶縁膜7をプラズマCVD法などにより5μm程度
堆積する。
弗酸等をエッチャントとしたエッチングにより絶縁膜7
から成る支持台6bを形成する。この際、支持台6bの
パターニングにフォトレジストを用いたリソグラフイー
技術を用いる。
の金から成る中心導体3を支持台6b上に形成する。こ
の工程は例えば、Ti/Pt/Auなどから成る0.5
μm程度の金属薄膜をスパッタにより形成する工程と、
中心導体のパターニングの為のリソグラフイー工程と、
中心導体となる金をメッキする工程と、フォトレジスト
を有機溶剤により除去する工程と、金属薄膜をミリング
により除去する工程から構成される。
0μmとし、図3(d)に示すようにメッキにより20
μm厚の金から成る接地導体1を、半導体基板2の裏面
にメッキ等により形成する。
器4を接着剤等により支持台6b上に固定する。
モノリシック集積回路の場合には、図2、図3に示した
工程の間にトランジスタや受動素子の製造工程が挿入さ
れる。
路をMMIC誘電体共振発振器(DRO)に適用した場
合の実施例について説明する。裏面に20μm厚の金か
ら成る接地導体を有し40μm厚のGaAsから成る半
導体基板2、2μm厚で30μm幅の金から成る中心導
体3、10μm厚のGaAsから成る支持台6、半径6
50μm、高さ550μmの円柱型のBa(Mg,T
a)O3から成る誘電体共振器4、30μm角のバイア
ホール10、エピタキシャル層とAu/Ge/Ni/A
uオーミック金属から成る抵抗体11、SiNxを誘電
膜に用いたMIMキャパシタ12、バイアスパッド1
3、出力パッド14、整合用オープンスタブ15、帰還
用線路16、1/4波長線路17、Ti/Alから成る
ゲート電極18、Au/Ge/Ni/Auオーミック金
属から成るドレイン電極19及びソース電極20、活性
層21から構成される。
路をHIC誘電体共振発振器(DRO)に適用した場合
の実施例について説明する。このDROは、中心導体
3、支持台6、誘電体共振器4、抵抗体11、MIMキ
ャパシタ12、出力パッド13、整合用オープンスタブ
15、帰還用線路13、1/4波長線路17が形成され
た100μm厚のアルミナから成る絶縁性基板22と、
ゲート電極18、ドレイン電極19、ソース電極20、
活性層21を有するFETチップ25と、チップコンデ
ンサ24とが、5mm厚の銅表面に金をメッキした金属
ブロック23上に固定されることにより構成され、それ
ぞれが直径10μm程度の金線26を数本用いて電気的
に接続されている。支持台6は、アルミナから成る絶縁
性基板22のエッチングにより形成されている。
路を調整ビスを有するシールドケースに実装した実施の
形態の実施例について説明する。本発明のマイクロ波回
路のように誘電体共振器を用いた回路のチップは通常、
図6に示したような調整ビス27を有するシールドケー
ス28に実装して用いられる。シールドケース28は、
5mm厚の銅表面に金をメッキした金属により成り、密
閉構造としている。調整ビス27は、ネジ式で上下可動
の構造としている。
路の実施例について説明する。このマイクロ波回路の寸
法、材料等は図1に示したマイクロ波回路と同じであ
る。ただし、支持台6の一部に半径500μm、深さは
支持台高さと同じ空洞部分29が形成されている。この
空洞部分29は、図2(a)に示した製造工程における
支持台6aのパターニングを変更することにより形成で
きる。
負荷Q値の支持台高さ依存性を計算により求めたグラフ
である。図10に示した従来のマイクロ波回路のように
誘電体共振器4を基板2上に直接配置した場合は支持台
高さが0に相当する。図8からわかるように、支持台高
さを増大することにより無負荷Q値は増大する。この点
で、本発明のマイクロ波回路及び図11に示した従来の
マイクロ波回路は、いずれも支持台を有しているから支
持台を有しない図10に示した従来のマイクロ波回路に
対して有利である。
形態と図11に示した従来のマイクロ波回路の外部Q値
の支持台高さ依存性を計算により求めたグラフである。
外部Q値は、マイクロストリップ線路と誘電体共振器の
結合の強度を表し、外部Q値が小さい程結合強度が大き
い。
た本発明の一実施の形態のマイクロ波回路における外部
Q値と支持台高さとの特性を示し、点線IIは中心導体
3を基板2上に形成した図11に示した従来のマイクロ
波回路における外部Q値と支持台高さとの特性を示す。
い、従来のマイクロ波回路の外部Q値が増大するのに対
し、本発明の一実施の形態のマイクロ波回路における外
部Q値は減少している。すなわち、支持台高さの増大に
従い、従来のマイクロ波回路の結合強度は減少し、本発
明のマイクロ波回路の結合強度は増大している。これ
は、図1に示した本発明の実施の形態では、支持台6上
に誘電体共振器4と中心導体3の両方を乗せることによ
り、支持台6の高さを高くしても誘電体共振器4と中心
導体3の半導体基板2の表面に垂直な方向の距離を増大
させることなく、誘電体共振器4を接地導体1から遠ざ
けることができるためである。
れるものではなく、例えば支持台6の幅は、誘電体共振
器4の幅よりも狭くてもよい。
支持台上に誘電体共振器と中心導体の両方を乗せること
により、基板厚を増大させることなく、しかも誘電体共
振器と中心導体の半導体基板表面に垂直な方向の距離を
増大させることなく、誘電体共振器を接地導体から遠ざ
けることができるため、基板厚の増大と結合強度の低下
を同時に回避しながら無負荷Q値の劣化を抑制できる。
支持台の−部が誘電損失の小さい空気あるいは真空とさ
れるため、支持台の誘電損失に起因する無負荷Q値の劣
化を抑制できる。
図及び断面図である。
する断面図である。
明する断面図である。
振発振器に適用した一例の平面図である。
発振器に適用した一例の平面図である。
図である。
面図及び平面図である。
ある。
ロ波回路と従来のマイクロ波回路とを対比して示すグラ
フである。
面図である。
断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 マイクロストリップ線路に誘電体共振器
を磁気的に結合させたマイクロ波回路において、 前記マイクロストリップ線路の一部を構成する基板の表
面に、前記誘電体共振器の底面よりも大なる表面を有す
る支持台を介して該誘電体共振器を固定し、かつ、前記
マイクロストリップ線路の一部を構成する中心導体を前
記支持台の該誘電体共振器に対してはみ出した表面部分
及び前記基板の表面のそれぞれに形成したことを特徴と
するマイクロ波回路。 - 【請求項2】 前記支持台は、前記基板のエッチングに
より形成されていることを特徴とする請求項1記載のマ
イクロ波回路。 - 【請求項3】 前記支持台は、前記基板上に堆積された
絶縁膜により形成されていることを特徴とする請求項1
記載のマイクロ波回路。 - 【請求項4】 前記中心導体は、トランジスタに接続さ
れてモノリシック集積回路化されていることを特徴とす
る請求項1記載のマイクロ波回路。 - 【請求項5】 前記支持台が形成されている基板は、少
なくとも前記中心導体に接続された帰還用線路と、キャ
パシタが表面に形成された絶縁性基板であり、前記中心
導体がトランジスタチップに接続線を介して接続されて
ハイブリッド集積回路化されていることを特徴とする請
求項1記載のマイクロ波回路。 - 【請求項6】 前記支持台は、前記誘電体共振器との接
合部分の一部が空洞部分とされていることを特徴とする
請求項1乃至3のうちいずれか一項記載のマイクロ波回
路。
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- 1995-12-20 JP JP7331721A patent/JP2856701B2/ja not_active Expired - Fee Related
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