JP2841721B2 - 突起状電極バンプの構造及びその製法 - Google Patents
突起状電極バンプの構造及びその製法Info
- Publication number
- JP2841721B2 JP2841721B2 JP2137765A JP13776590A JP2841721B2 JP 2841721 B2 JP2841721 B2 JP 2841721B2 JP 2137765 A JP2137765 A JP 2137765A JP 13776590 A JP13776590 A JP 13776590A JP 2841721 B2 JP2841721 B2 JP 2841721B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protruding electrode
- adhesive
- semiconductor device
- conductive particles
- electrode bump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
起状電極バンプの構造及びその製法に関するものであ
る。
示すもので、半導体装置1を、その半導体装置1と基板
2上の導体リード3間を、金属材料(Ni,Ag等)からな
る導体性粒子4を含んだ異方性導電接着剤5により接合
して実装したものである。
プ)6が形成されたいわゆるフリップチップで、基板2
上にフェースダウンボンディング実装され加圧及び加熱
することにより、第8図に示すように、突起状電極バン
プ6と基板2上の導体リード3間で、異方性導電接着剤
5中に混在された導電性粒子4がつぶれて、突起状電極
バンプ6と基板2上の導体リード3と接触し、電気的接
続がとられるように構成されたものである。
の実装構造においては、異方性導電接着剤5中に導電性
粒子4を均一には混ぜれず、このため突起状電極バンプ
6と導体リード3の間に介在する導電性粒子4の数が一
定とはならず、接続抵抗が増えたり、導電性粒子4が全
く存在しないために電気的導通がとれずに断線不良にな
るという欠点があった。この問題は突起状電極バンプ6
のサイズが極小であったり、回路パターン3が微細ピッ
チである場合には、特に顕著であった。
中の導電性粒子4の数を増加させることが考えられる
が、この場合は接着剤自体の含有率が低下し、接着強度
が低下する。さらには、導電性粒子4の密度が高くなる
ことによって、導線リード3間又は突起状電極バンプ6
間での短絡不良が発生するという恐れがあった。
レート(極小サイズ)とし、突起状電極バンプ6と導体
リード3の間に導電性粒子4が存在する確立が高くする
ことも考えられるが、やはり、異方性導電接着剤5中に
導電性粒子4を均一には混ぜれず、さらには、ファイン
グレートの導電性粒子4を均一な大きさで製造すること
は非常に困難であった。
の目的とするところは、製法が容易で、導電リードや突
起状電極バンプが微小であっても、フェースダウンボン
ディング時の電気的接続が確実にとれる突起状電極バン
プの構造及びその製法方法を提供することにある。
基板2上の導体リード3にフェースダウンボンディング
実装し、突起状電極バンプを介在させて電気的接続が採
られる半導体装置1における突起状電極バンプ6の構造
において、前記突起状電極バンプ6の半導体装置1側先
端に、接着剤による接着層7を形成し、該接着層7に金
属材料からなり、球状で略同一径を有する導電性粒子4
を、突起状バンプ間で均一に付着させたことを特徴とす
るものである。
接着剤を磁化させて接着層7を形成し、該接着層7上に
同様に磁化された金属材料からなる球状の導電性粒子4
をその磁力により付着させ、接着剤の硬化後に消磁して
製造されることを特徴とするものである。
ぞれを、常温では粘着力の少ない接着剤でつつんで導電
性粒子4の外側に均一な接着層7を形成し、該導電性粒
子4をスクリーン8を用いて突起状電極バンプ6先端に
一層に並べ、加熱することにより接着硬化させて製造さ
れることを特徴とするものである。
突起状電極バンプ6の先端のみに接着させたため、導体
リード3間又は突起状電極バンプ6間の短絡がなくな
り、また、突起状電極バンプ6と導体リード3の間に介
在する導電性金属粒子4の数を、一定にかつ増加させる
ことができ、これにより断線不良がなくなり接続が安定
するため、接続抵抗が減少し、高速度で動作する半導体
装置1を搭載することができる。また、導電性金属粒子
4を、形状が球状で同一の径を有するものとしたため、
突起状電極バンプ6の高さを一定とでき、フェースダウ
ンボンディング時の接続が安定する。また、請求項2及
び3に係る製法によれば、本発明の構造の突起状電極バ
ンプが容易に製造できる。
のである。半導体装置1が実装される基板2は、プラス
チック系又はセラミック系であり、その片面に導体リー
ド3を有し、その導体リード3の一端には、金、銀、
銅、インジウム、ニッケル等の導電性金属材料からなる
突起状電極バンプ6が設けられている。その突起状電極
バンプ6の半導体装置1実装側先端には、硬化後の硬度
が低いエポキシ系やシリコン系等の樹脂からなる接着剤
7が塗布されており、その上に金属材料からなる球状
で、略同一径を有する導電性粒子4が突起状電極バンプ
6間で均一に付着されて構成されたものである。なお、
基板2はリードフレームやフィルム状のもので構成され
たのもであっても良い。
基板2上の導体リード3の先端部分に突起状の電極バン
プ6を形成する。この方法としては、電解メッキをする
方法や、ワイヤボンディングを行いワイヤ部分を切断す
る方法等があり、特に微細ピッチで突起状電極バンプ6
を形成する場合には、ポジ又はネガレジストを用い、紫
外線照射で窓あけを行い、電解メッキをする方法が採ら
れる。次に、突起状電極バンプ6の先端にスクリーン印
刷等により均一な厚さの接着剤を塗布し接着層7を形成
する(同図(a)参照)。なおここで、接着層として熱
硬化性の樹脂を用いた場合は、液状でかつチクソ性の高
いものを使用するが、ある程度仮硬化(完全硬化ではな
い)させておき、粘度をあげておく。その後、パレット
9等に導電性金属粒子4を均一に間隙なく並べ、この上
から接着層7を有する突起状電極バンプ6を押しつけ
て、導電性金属粒子4の一部分が接着層7に埋め込まれ
るようにして導電性金属粒子4を接着する(同図(b)
参照)。
装置1の電極パッドを対向させて、半導体装置1をフェ
ースダウンボンディングし(同図(c)参照)、加熱及
び加重を行い、これらを接合させる。この時、加圧によ
り、導電性金属粒子4が接着層7に押し込まれ、半導体
装置1の電極パッドと突起状電極バンプ6の双方に接触
し、それらの間でつぶれて電気的導通を確保し、また、
同時に加熱により接着剤7を硬化させ、その収縮力によ
り固定させて前記接触状態を維持させる。最後に半導体
装置1の耐湿性向上と接合性の向上(機械的衝撃に強く
する)ために、半導体装置1と基板2の間に、樹脂10等
を充填して封止を行う。なお、この樹脂10による封止
は、本発明に特に必要なものではなく、封止しなくても
良く、またキャップ等で覆ったものでも良い。
を突起状電極バンブ6の先端のみに接着させたたため、
導体リード3間又は突起状電極バンプ6間の短絡がなく
なり、これにより、導体リード3の間隔や突起状電極6
の間隔をせばめることができ、また、突起状電極バンプ
6と導体リード3の間に介在する導電性金属粒子4の数
を一定にかつ増加させることができるため断線不良が防
げ、突起状電極バンプ6や導線リード3の大きさを小さ
くすることができ、基板2上での高密度実装が可能で小
型化が図れる。また接続成抵抗が減少するため高速度で
動作する半導体装置1を搭載することができる。さらに
は、導電性金属粒子4を形状が球状で同一の径を有する
ものとしたため、突起状電極バンプ6の高さを一定とで
き、フェースダウンボンディング時の接続が安定する。
また、導電性金属粒子4を介して電気的接続をとるた
め、半導体装置1と基板2の熱膨張率の差による熱的応
力の吸収ができ、基板2として安価で製造し易い材料が
使用できる。
のである。前記第1の実施例と異なる点は、接着剤及び
導電性金属粒子4であり、他は前記第1の実施例と同様
である。
末)を含有したエポキシ系、シリコン系等の樹脂を用
い、これを磁化させて後、突起状電極バンプ6に塗布し
て接着層7を形成する(同図(a)参照)。次にパレッ
ト9等に磁化された磁性体を含有した導電性金属粒子4
を均一に間隙なく並べ、この上から接着層7を有する突
起状電極バンプ6を近づけてその磁力により導電性金属
粒子4を接着剤7の表面に付着させる(同図(b)参
照)。吸着後は導電性金属粒子4は接着剤により保持さ
れるため、それらの消磁を行って製造する。
装置1を前記第1の実施例と同様にフェースダウンボン
ディングする(同図(c)、(d)参照)。このような
構成においても、前記第1の実施例と同様の効果を奏す
ると共に、突起状電極バンプ6の製造が容易に行なえる
という効果をも奏する。
のである。前記第1の実施例と異なる点は、接着剤及び
接着剤と導電性金属粒子4の電極バンプとの接合方法で
あり、他は前記第1の実施例と同様である。
温あたりやそれ以下の温度ではほとんど粘着性をもたず
固定であり、加熱により粘着性が現れるものを用いる。
導電性金属粒子4は前記特性を有する接着剤で覆われ、
この外側に接着層7を有する導電性金属粒子4を、突起
状電極バンプ6上に配設して加熱することにより、突起
状電極バンプ6に接合させたものである。
その外側に接着層7を有する導電性金属粒子4を、スク
リーン8等を用いて突起状電極バンプ6上に一列に配設
する(同図(a)参照)。その後、加熱することにより
接着剤で被覆した導電性金属粒子4を突起状電極バンプ
6に接着固定する(同図(b)参照)。
装置1を前記第1の実施例と同様にフェースダウンボン
ディングする(同図(c)、(d)参照)。このような
構成においても、前記第2の実施例と同様の効果を奏す
る。
の先端のみに接着させたため、導体リード間又は突起状
電極バンプ間の短絡がなくなり、また、突起状電極バン
プと導体リードの間に介在する導電性金属粒子の数を一
定にかつ増加させることができ、これにより断線不良が
なくなり、さらには、継続抵抗が減少するため高速度で
動作する半導体装置を搭載することができる。また、導
電性金属粒子を形状が同一の径を有するものとしたた
め、突起状電極バンプの高さを一定とでき、フェースダ
ウンボンディング時の接続が安定する。また、請求項2
及び請求項3に係る製法によれば本発明の構造の突起状
電極バンプが容易に製造できる。
第2図(a)〜(d)は同上の製造方法及び実装方法を
示す一部断面側面図、第3図は本発明の第2の実施例を
示す一部断面側面図、第4図(a)〜(d)は同上の製
造方法及び実装方法を示す一部断面側面図、第5図は本
発明の第3の実施例を示す一部断面側面図、第6図
(a)〜(d)は同上の製造方法及び実装方法を示す一
部断面側面図、第7図は半導体装置の従来の実装構造を
示す一部断面側面図、第8図は同上の要部一部断面側面
図である。 1……半導体装置、2……基板 3……導体リード、4……導電性金属粒子 6……突起状電極バンプ、7……接着層 8……スクリーン
Claims (3)
- 【請求項1】半導体装置を、基板上の導体リードにフェ
ースダウンボンディング実装し、突起状電極バンプを介
在させて電気的接続が採られる半導体装置における突起
状電極バンプの構造において、前記突起状電極バンプの
半導体装置側先端に、接着剤による接着層を形成し、該
接着層に金属材料からなる球状で、略同一径を有する導
電性粒子を突起状バンプ間で均一に付着させたことを特
徴とする突起状電極バンプの構造。 - 【請求項2】請求項1記載の突起状電極バンプの製法に
おいて、前記接着剤を磁化させて接着層を形成し、該接
着層上に同様に磁化された金属材料からなる球状の導電
性粒子をその磁力により付着させ、接着剤の硬化後に消
磁して製造されることを特徴とする突起状電極バンプの
製法。 - 【請求項3】請求項1記載の突起状電極バンプの製法に
おいて、金属材料からなる球状の導電性粒子それぞれ
を、常温では粘着力の少ない接着剤でつつんで導電性粒
子の外側に均一な接着層を形成し、該導電性粒子をスク
リーンを用いて突起状電極バンプ先端に一層に並べ、加
熱することにより接着硬化させて製造されることを特徴
とする突起状電極バンプの製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2137765A JP2841721B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 突起状電極バンプの構造及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2137765A JP2841721B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 突起状電極バンプの構造及びその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0430532A JPH0430532A (ja) | 1992-02-03 |
JP2841721B2 true JP2841721B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=15206308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2137765A Expired - Lifetime JP2841721B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 突起状電極バンプの構造及びその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2841721B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6365500B1 (en) * | 1994-05-06 | 2002-04-02 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump bonding |
JP5614135B2 (ja) | 2010-07-06 | 2014-10-29 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤、その製造方法、接続構造体及びその製造方法 |
JP5505225B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2014-05-28 | デクセリアルズ株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
CN111799241A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-20 | 霸州市云谷电子科技有限公司 | 邦定结构及其制作方法和显示面板 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2137765A patent/JP2841721B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0430532A (ja) | 1992-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3914654B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI431746B (zh) | 半導體元件 | |
KR100352865B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
JPH1126652A (ja) | 半導体装置 | |
JP3832102B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH1145954A (ja) | フリップチップ接続方法、フリップチップ接続構造体およびそれを用いた電子機器 | |
US6528889B1 (en) | Electronic circuit device having adhesion-reinforcing pattern on a circuit board for flip-chip mounting an IC chip | |
JPH1126631A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP3436170B2 (ja) | 異方性導電フィルム、これを用いた半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002270647A (ja) | 半導体チップ実装基板およびその製造方法 | |
JP2841721B2 (ja) | 突起状電極バンプの構造及びその製法 | |
JP2000277649A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3162068B2 (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
JPH09246318A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4024458B2 (ja) | 半導体装置の実装方法および半導体装置実装体の製造方法 | |
JP4735378B2 (ja) | 電子部品実装構造体およびその製造方法 | |
JP3255090B2 (ja) | チップの実装構造およびバンプの形成方法 | |
JPH0951018A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH05235096A (ja) | 電子部品の基板への実装方法 | |
JPH03257854A (ja) | 半導体装置 | |
KR100503277B1 (ko) | 플립칩 패키지 형성 방법 | |
JPH06203640A (ja) | 異方導電性接着剤および導電接続構造 | |
JP3362007B2 (ja) | 半導体装置、その製造方法及びテープキャリア | |
JPH09181120A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3252848B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071023 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023 Year of fee payment: 11 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023 Year of fee payment: 11 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101023 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101023 Year of fee payment: 12 |