JP5614135B2 - 異方性導電接着剤、その製造方法、接続構造体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明において使用する磁性導電粒子は、前述したように、その少なくとも一部が磁性材料から構成されている磁化し得る導電粒子である。従って、磁性導電粒子には、磁化している場合も脱磁されている場合も含まれる。このような磁性導電粒子としては、導電粒子全体が単一の磁性材料から形成されている場合のみならず、導電粒子又は絶縁粒子の表面に磁性材料の薄膜が形成されている粒子、そのような磁性薄膜上に更に非磁性金属膜が形成されている粒子、これらの磁性粉体の最表面に更に非磁性の絶縁性樹脂の薄膜が形成されている粒子などを挙げることができる。
本発明に適用することのできる脱磁方法として、当該異方性導電接着剤を用いて異方性導電接続を行うときまでに、磁性導電粒子を脱磁処理できる種々の方法を適用することができる。好ましくは、当該異方性導電接着剤を用いて異方性導電接続を行うときまでに磁性導電粒子同士の相対的位置関係が変動しないような状態で脱磁処理する方法が挙げられる。ここで、磁性導電粒子同士の相対的位置関係が変動しないような状態とは、脱磁処理の際に、磁性導電粒子が脱磁処理により印可される磁界により、発明の効果が大きく損なわれないように、他の磁性導電粒子に対して実質的に位置変位が生じず、しかもそれ自体の回転も殆ど生じない状態を意味する。逆にいえば、脱磁処理を行う際に、発明の効果が大きく損なわれない範囲であれば、磁性導電粒子同士の相対的位置関係が多少変動してもよい場合があることを意味する。
第1のモードは、磁性導電粒子を粉体の状態で脱磁処理する態様である。ここで、粉体の状態とは、絶縁性接着剤組成物に分散する前の粉体の状態を意味している。
第2のモードは、磁性導電粒子を粉体の状態で脱磁処理する態様であるが、第1のモードとは異なる態様である。ここで、粉体の状態とは、絶縁性接着剤組成物に分散する前の粉体の状態を意味している。
第3のモードは、磁性導電粒子をペーストの状態で脱磁処理する態様である。ここで、ペーストの状態とは、磁性導電粒子を、絶縁性接着剤組成物中に分散してペーストとした状態を意味する。
第4のモードは、磁性導電粒子を、フィルムの状態で脱磁処理する態様である。ここで、フィルムの状態とは、磁性導電粒子を絶縁性接着組成物に分散させ、公知の手法によりフィルム成形して得たフィルムを意味する。
本発明の異方性導電接着剤を構成する絶縁性接着剤組成物としては、従来の異方性導電接着剤において用いられている熱硬化性のバインダー樹脂組成物の中から適宜選択して使用することができる。例えば、熱硬化型エポキシ樹脂、熱硬化型尿素樹脂、熱硬化型メラミン樹脂、熱硬化型フェノール樹脂等に、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤等の硬化剤を配合した絶縁性接着剤組成物を挙げることができる。中でも、硬化後の接着強度が良好な点を考慮すると、熱硬化型エポキシ樹脂をバインダー樹脂として使用した絶縁性接着剤組成物を好ましく使用することができる。
本発明の異方性導電接着剤は、含有している磁性粉体からなる導電粒子が、上述した第1のモード〜第4のモードのいずれかの脱磁方法により脱磁処理が施されていること以外は、従来のペースト状あるいはフィルム状の異方性導電接着剤と同様の手法により製造することができる。
本発明の異方性導電接着剤は、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子とを異方性導電接続する際に、好ましく適用することができる。この異方性導電接続により第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子とが異方性導電接続されてなる接続構造体が得られる。このような接続構造体も本発明の一態様である。
以上説明した接続構造体は、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間に、上述の異方性導電接着剤を配し、異方性導電接着剤を加熱しながら第1の電子部品を第2の電子部品に押圧することにより、それらの端子同士を異方性導電接続することにより製造することができる。この場合、押圧は、金属製加圧ボンダーや弾性ボンダーなどを使用して行うことができる。加熱については、第1の電子部品又は第2の電子部品が載置されるステージに加熱手段を設けて加熱してもよく、ボンダーに加熱手段を設けて加熱してもよい。
(導電粒子の脱磁処理)
開口部内径10cm、深さ20cmの容量900mlのガラス製の耐溶剤性円筒形容器に、後述するように調製された、平均粒径3〜4μmのニッケル被覆樹脂粒子100gを投入し、更に、シクロヘキサン500gを投入し、分散混同した。
3μmのジビニルベンゼン系樹脂粒子(5g)に、パラジウム触媒を浸漬法により担持させた。次いで、この樹脂粒子に対し、硫酸ニッケル六水和物、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、トリエタノールアミン及び硝酸タリウムから調製された無電解ニッケルメッキ液(pH12、メッキ液温50℃)を用いて無電解ニッケルメッキを行い、種々のリン含有量を有するニッケルメッキ層(金属層)が表面に形成されたニッケル被覆樹脂粒子を導電粒子として得た。得られた導電粒子の平均粒子径は3〜4μmの範囲であった。
導電粒子として脱磁処理したニッケル被覆樹脂粒子35質量部と、成膜成分としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂(YP50、東都化成(株))30質量部と、液状成分としてビスフェノールAエポキシ化合物(EP828、ジャパンエポキシレジン(株))30質量部と、アミン系硬化剤(PHX3941HP、旭化成(株))39質量部と、エポキシシランカップリング剤(A−187、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ合同会社)1質量部とを、トルエンで固形分が50質量%となるように希釈し、混合することにより異方性導電接着剤を調製した。この接着剤を剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルムに乾燥厚25μmとなるようにバーコーターで塗布し、80℃のオーブン中で5分間乾燥することにより、異方性導電フィルムを作成した。
更に、この異方性導電フィルムを、ITO電極を有するガラス配線基板の電極と、高さ15μmの金バンプが形成された13mm×1.5mm角のICチップのバンプとの間に配置し、フリップチップボンダーで180℃、40MPaで15秒間加熱加圧することにより接続構造体を得た。
(異方性導電フィルムの作成)
脱磁処理したニッケル被覆樹脂粒子に代えて、脱磁処理していないニッケル被覆樹脂粒子を使用すること以外、実施例1と同様にして異方性導電接着剤を調製し、更に異方性導電フィルムを作成し、加えて接続構造体を得た。
得られた異方性導電フィルム又は接続構造体について、「絶縁性」及び「接続抵抗」を、脱磁速度可変条件下(表1)、及びリン含有量可変条件下(表2)で、以下に説明するように評価した。
剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルムを引き剥がしていない実施例1及び比較例1のそれぞれの異方性導電フィルムの接着層面に、ガラス基板上に櫛の歯状に配設されたITO配線に有するショート評価用絶縁TEG(高さ15μmの金バンプが形成された13mm×1.5mm角のICチップ;バンプサイズ25×140μm;バンプ間スペース10μm)を、ボンダーで到達温度180℃、圧着時間15秒という条件で圧着した。そしてバンプ間の絶縁抵抗を測定し、ショートの発生数をカウントし、以下の評価基準に従って評価した。得られた結果を表1及び表2に示す。なお、ショート発生部分においては、光学顕微鏡を用いて導電粒子の詰まり具合等から、凝集の有無、程度についても観察した。
A: 絶縁ショート発生数が40サンプル中、10個未満
B: 絶縁ショート発生数が40サンプル中、10個以上20個未満
C: 絶縁ショート発生数が40サンプル中、20個以上
実施例1及び比較例1で得た直後の接続構造体の導通抵抗を、4端子法により測定した。
得られた結果を表1及び表2に示す。
A: 接続抵抗値が10Ω未満
B: 接続抵抗値が10Ω以上50Ω未満
C: 接続抵抗値が50Ω以上
脱磁処理していない導電粒子を使用した比較例1の結果は、リン含量可変下において絶縁性が「C」又は「B」評価であった。それに対し、脱磁処理した導電粒子を使用した実施例1の結果は、脱磁速度可変下、リン含量可変下のいずれにおいても、極端な条件下で一部に絶縁性が「C」評価があるものの、基本的に「A」又は「B」評価であった。これらの結果から、本発明の異方性導電接着剤及び接続構造体は、使用した磁性粉体である導電粒子の脱磁が効率よく実現されていたため、良好な接続信頼性、絶縁信頼性を示したことがわかる。なお、以下に、脱磁条件の傾向についての知見を示す。
1)脱磁速度可変の場合
表1からわかるように、脱磁速度の増大とともに、絶縁性が低下する傾向が見て取れるが、大きく低下するものではない。
2)リン含有量可変の場合
表2の結果からわかるように、リンの含有量によらず、磁界強度が200〜2000Gであれば、絶縁性が低下することはない。なお、光学顕微鏡観察の結果、「ショート」の発生した箇所では、導電粒子の凝集が観察され、特に評価「C」の場合に顕著であった。
脱磁処理をしない場合の接続抵抗値は低いものであり、脱磁処理をした場合にそれよりも接続抵抗値が増大しないことが望まれるが、表1及び表2の「接続抵抗」の欄の結果から、脱磁速度、リン含有量を変化させても、好ましい接続抵抗値が維持されることがわかる。
開口部内径60mm、深さ70mmの容量100mlのガラス製の耐溶剤性円筒形容器に、実施例1で調製したものと同じ平均粒径3〜4μmのニッケル被覆樹脂粒子(脱磁未処理)100gを入れた。樹脂粒子の表面は開口部から20mmの位置であった。なお、ニッケル中には、リン原子が4質量%含有されていた。
(異方性導電接着剤の調製)
導電粒子として、実施例1で調製したものと同じ平均粒径3〜4μmのニッケル被覆樹脂粒子(脱磁未処理)35質量部と、成膜成分としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂(YP50、東都化成(株))30質量部と、液状成分としてビスフェノールAエポキシ化合物(EP828、ジャパンエポキシレジン(株))30質量部と、アミン系硬化剤(PHX3941HP、旭化成(株))39質量部と、エポキシシランカップリング剤(A−187、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ合同会社)1質量部とを、トルエンで所定の粘度(25℃)となるように固形分が50質量%となるように希釈し、混合することによりペースト状の異方性導電接着剤を調製した。なお、ニッケル中には、リン原子が4質量%含有されていた。
このペースト状の異方性導電接着剤を、開口部内径60mm、深さ70mmの容量100mlのガラス製の耐溶剤性円筒形容器に入れた。異方性導電接着剤の表面は開口部から20mmの位置であった。
ペースト状の異方性導電接着剤の状態で脱磁処理を行わない以外、実施例3と同様にして異方性導電接着剤を調製し、更に異方性導電フィルムを作成し、加えて接続構造体を得た。得られた異方性導電フィルム及び接続構造体を用いて、実施例1と同様に試験評価した。得られた結果を表3に示す。
脱磁処理していない導電粒子を使用した比較例2の結果は、異方性導電接着剤粘度可変下において絶縁性が「C」評価であった。それに対し、ペースト状の異方性導電接着剤の状態で脱磁処理した導電粒子を使用した実施例3の結果は、接着剤粘度可変下において、極端な条件下で一部に絶縁性が「C」評価があるものの、基本的に「A」又は「B」評価であった。これらの結果から、本発明のペースト状の異方性導電接着剤及び接続構造体は、使用した磁性粉体である導電粒子の脱磁が効率よく実現されていたため、良好な接続信頼性、絶縁信頼性を示したことがわかる。なお、以下に、脱磁条件の傾向についての知見を示す。
1)異方性導電接着剤粘度可変の場合
表3からわかるように、脱磁速度の増大とともに、絶縁性が低下する傾向が見て取れるが、大きく低下するものではない。なお、光学顕微鏡観察の結果、「ショート」の発生した箇所では、導電粒子の凝集が観察され、特に評価「C」の場合に顕著であった。
脱磁処理をしない場合の接続抵抗値は低いものであり、脱磁処理をした場合にそれよりも接続抵抗値が増大しないことが望まれるが、表3の「接続抵抗」の欄の結果から、接着剤組成物粘度を変化させても、好ましい接続抵抗値が維持されることがわかる。また、リンの含有量を変化させた場合、表2の場合と同様の傾向を示した。
(異方性導電接着剤の調製)
導電粒子として、実施例1で調製したものと同じ平均粒径3〜4μmのニッケル被覆樹脂粒子(脱磁未処理)35質量部と、成膜成分としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂(YP50、東都化成(株))30質量部と、液状成分としてビスフェノールAエポキシ化合物(EP828、ジャパンエポキシレジン(株))30質量部と、アミン系硬化剤(PHX3941HP、旭化成(株))39質量部と、エポキシシランカップリング剤(A−187、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ合同会社)1質量部とを、トルエンで固形分が50質量%となるように希釈し、混合することにより異方性導電接着剤を調製した。なお、ニッケル中には、リン原子が4質量%含有されていた。
この異方性導電接着剤を剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルムに乾燥厚25μmとなるようにバーコーターで塗布し、80℃のオーブン中で5分間乾燥することにより、異方性導電フィルムを作成した。
次に、この異方性導電フィルムを非磁性ベースとカバーとに挟み込んだ積層物を貫通型の脱磁装置(ソニーケミカル&インフォメーションデバイス(株)製)に装着し、所定の磁界強度で、脱磁速度可変下、室温下で脱磁処理を行った。これにより脱磁処理された導電粒子を含有する異方性導電フィルムを得た。
更に、この異方性導電フィルムを、ITO電極を有するガラス配線基板の電極と、高さ15μmの金バンプが形成された13mm×1.5mm角のICチップのバンプとの間に配置し、フリップチップボンダーで180℃、40MPaで15秒間加熱加圧することにより接続構造体を得た。
脱磁処理したニッケル被覆樹脂粒子に代えて、脱磁処理していないニッケル被覆樹脂粒子を使用すること以外、実施例4と同様にして異方性導電接着剤を調製し、更に異方性導電フィルムを作成し、加えて接続構造体を得た。得られた異方性導電フィルム及び接続構造体を用いて、実施例4と同様に試験評価した。得られた結果を表4に示す。
脱磁処理していない異方性導電フィルムを使用した比較例3の結果は、絶縁性が「C」評価であった。それに対し、異方性導電フィルムの状態で脱磁処理した実施例4の結果は、脱磁可変下において、基本的に「A」又は「B」評価であった。これらの結果から、本発明のフィルム状の異方性導電接着剤及び接続構造体は、使用した磁性粉体である導電粒子の脱磁が効率よく実現されていたため、良好な接続信頼性、絶縁信頼性を示したことがわかる。なお、以下に、脱磁条件の傾向についての知見を示す。
1)脱磁速度可変の場合
表4からわかるように、脱磁速度の増大とともに、絶縁性が低下する傾向が見て取れるが、大きく低下するものではない。なお、光学顕微鏡観察の結果、「ショート」の発生した箇所では、導電粒子の凝集が観察された。
脱磁処理をしない場合の接続抵抗値は低いものであり、脱磁処理をした場合にそれよりも接続抵抗値が増大しないことが望まれるが、表4の「接続抵抗」の欄の結果から、脱磁速度を変化させても、好ましい接続抵抗値が維持されることがわかる。また、リンの含有量を変化させても、表2の場合と同様の傾向を示した。
2、23 容器
2a、32 開口部
3 押圧手段
10 脱磁コイル
22 液体
31 ペースト
33 容器
41 非磁性ベース
42 異方性導電フィルム
43 非磁性カバー
Claims (36)
- 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、該磁性導電粒子が、絶縁性接着剤組成物中に分散される前の粉体の状態で脱磁処理されていることを特徴とする異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子が、ニッケル被覆樹脂粒子またはニッケル金属粒子である請求項1記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子がニッケル被覆樹脂粒子であり、そのニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を含有している請求項2記載の異方性導電接着剤。
- ニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を4〜8質量%含有している請求項3記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子の平均粒子径が1〜10μmである請求項1〜4のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子が、容器内に充填され、容器内に挿入された押圧手段で押圧されて容器内に仮固定され、粉体の状態で脱磁処理されたものである請求項1〜5のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子が、液体中に投入され、次いで、その液体を凝固させて凝固物中に仮固定され、粉体の状態で脱磁処理されたものである請求項1〜5のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子が、液体中に投入され、脱泡処理された後に液体を凝固させて仮固定され、粉体の状態で脱磁処理されたものである請求項7記載の異方性導電接着剤。
- フィルム状に成形されている請求項1〜8のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子の脱磁処理が、200〜2000Gの磁界強度で行われる請求項1〜9のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子の脱磁処理の脱磁速度が、0.1〜100mm/sである請求項1〜10のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
- 第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子とが、請求項1〜11のいずれかに記載の異方性導電接着剤により異方性導電接続されていることを特徴とする接続構造体。
- 第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子とが接続されてなる接続構造体の製造方法であって、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間に、請求項1〜11のいずれかに記載の異方性導電接着剤を配し、異方性導電接着剤を加熱しながら第1の電子部品を第2の電子部品に押圧することにより、端子同士を異方性導電接続することを特徴とする接続構造体の製造方法。
- 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、磁性導電粒子が、絶縁性接着剤組成物中に分散されたペーストの状態で、または該ペーストから形成されたフィルムの状態で、脱磁処理されていることを特徴とする異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子が、ニッケル被覆樹脂粒子またはニッケル金属粒子である請求項14記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子がニッケル被覆樹脂粒子であり、そのニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を含有している請求項14記載の異方性導電接着剤。
- ニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を4〜8質量%含有している請求項16記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子の平均粒子径が、1〜10μmである請求項14〜17のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子の脱磁処理が、200〜2000Gの磁界強度で行われる請求項14〜18のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
- 該磁性導電粒子の脱磁処理の脱磁速度が、0.1〜100mm/sである請求項14〜19のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
- 第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子とが、請求項14〜20のいずれかに記載の異方性導電接着剤により異方性導電接続されていることを特徴とする接続構造体。
- 第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子とが接続されてなる接続構造体の製造方法であって、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間に、請求項14〜20のいずれかに記載の異方性導電接着剤を配し、異方性導電接着剤を加熱しながら第1の電子部品を第2の電子部品に押圧することにより、端子同士を異方性導電接続することを特徴とする接続構造体の製造方法。
- 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、
該磁性導電粒子が、絶縁性接着剤組成物中に分散される前の粉体の状態で、200〜2000Gの磁界強度で脱磁処理されており、
該磁性導電粒子が、ニッケル被覆樹脂粒子であり、
ニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を4〜8質量%含有しており、
磁性導電粒子の平均粒子径が1〜10μmである
ことを特徴とする異方性導電接着剤。 - 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、
該磁性導電粒子が、絶縁性接着剤組成物中に分散される前の粉体の状態で、200〜2000Gの磁界強度で且つ0.1〜100mm/sの脱磁速度で脱磁処理されており、
該磁性導電粒子が、ニッケル被覆樹脂粒子であり、
ニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を4〜8質量%含有しており、
磁性導電粒子の平均粒子径が1〜10μmである
ことを特徴とする異方性導電接着剤。 - 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、
該磁性導電粒子が、絶縁性接着剤組成物中に分散される前の粉体の状態で、200〜400Gの磁界強度且つ1〜50mm/sの脱磁速度で脱磁処理されており、
該磁性導電粒子が、ニッケル被覆樹脂粒子であり、
ニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を4〜8質量%含有している
ことを特徴とする異方性導電接着剤。 - 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、
該磁性導電粒子が、絶縁性接着剤組成物中に分散されたペーストの状態で、または該ペーストから形成されたフィルムの状態で、200〜2000Gの磁界強度で脱磁処理されており、
該磁性導電粒子が、ニッケル被覆樹脂粒子であり、
ニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を4〜8質量%含有しており、
磁性導電粒子の平均粒子径が1〜10μmである
ことを特徴とする異方性導電接着剤。 - 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、
該磁性導電粒子が、絶縁性接着剤組成物中に分散されたペーストの状態で、または該ペーストから形成されたフィルムの状態で、200〜2000Gの磁界強度で且つ0.1〜100mm/sの脱磁速度で脱磁処理されており、
該磁性導電粒子が、ニッケル被覆樹脂粒子であり、
ニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を4〜8質量%含有しており、
磁性導電粒子の平均粒子径が1〜10μmである
ことを特徴とする異方性導電接着剤。 - 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、
該磁性導電粒子が、絶縁性接着剤組成物中に分散されたペーストの状態で、または該ペーストから形成されたフィルムの状態で、200〜400Gの磁界強度且つ1〜50mm/sの脱磁速度で脱磁処理されており、
該磁性導電粒子が、ニッケル被覆樹脂粒子であり、
ニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を4〜8質量%含有している
ことを特徴とする異方性導電接着剤。 - 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤の製造方法であって、磁性導電粒子を容器内に充填し、容器内に挿入した押圧手段で押圧して容器内に仮固定し、粉体の状態で脱磁処理して得られた脱磁処理磁性導電粒子を、絶縁性接着剤組成物中に分散させることを特徴とする製造方法。
- 絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤の製造方法であって、磁性導電粒子を液体中に投入し、次いで、その液体を凝固させて凝固物中に仮固定し、粉体の状態で脱磁処理して得られた脱磁処理磁性導電粒子を、絶縁性接着剤組成物中に分散させることを特徴とする製造方法。
- 磁性導電粒子を、液体中に投入した後、脱泡処理した後に液体を凝固させる請求項30記載の製造方法。
- 磁性導電粒子が、ニッケル被覆樹脂粒子である請求項29〜31のいずれかに記載の製造方法。
- ニッケル被覆樹脂粒子のニッケルが、リン元素を4〜8質量%含有している請求項32記載の製造方法。
- 磁性導電粒子の平均粒子径が1〜10μmである請求項29〜33のいずれかに記載の製造方法。
- 磁性導電粒子の脱磁処理が、200〜2000Gの磁界強度で行われている請求項29〜34のいずれかに記載の製造方法。
- 磁性導電粒子の脱磁処理の脱磁速度が、0.1〜100mm/sである請求項29〜35のいずれかに記載の製造方法。
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