JP2824209B2 - 感光性組成物及びパターンの形成方法 - Google Patents
感光性組成物及びパターンの形成方法Info
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- JP2824209B2 JP2824209B2 JP6099139A JP9913994A JP2824209B2 JP 2824209 B2 JP2824209 B2 JP 2824209B2 JP 6099139 A JP6099139 A JP 6099139A JP 9913994 A JP9913994 A JP 9913994A JP 2824209 B2 JP2824209 B2 JP 2824209B2
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Description
【0001】本発明は感光性組成物及びそれを用いた電
子デバイスの回路形成、印刷用材料等に有用なパターン
の形成方法に関する。
子デバイスの回路形成、印刷用材料等に有用なパターン
の形成方法に関する。
【0002】現在、電子デバイス等の回路パターンの形
成にはポジ型フォトレジストが広く使用されている。こ
れらの用途に使用されるポジ型レジスト組成物として
は、多くの場合、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と感光
剤としてキノンジアジド化合物を組み合わせたものが使
用されている。
成にはポジ型フォトレジストが広く使用されている。こ
れらの用途に使用されるポジ型レジスト組成物として
は、多くの場合、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と感光
剤としてキノンジアジド化合物を組み合わせたものが使
用されている。
【0003】この組成物は紫外線の照射によりキノンジ
アジド基が光分解しケテンを経由してインデンカルボン
酸を形成する反応を利用している。
アジド基が光分解しケテンを経由してインデンカルボン
酸を形成する反応を利用している。
【0004】しかし、このキノンジアジド化合物を使用
したレジストは、非常に細密なパターンを形成する必要
がある場合、解像度が不足することがある。解像力を高
める方法としては、CEL(コントラスト エンハンス
ド レーヤー)の適用が行われているが、CELを適用
すると、感光性が低下し、露光に長時間を要し、作業効
率が低下し好ましくない。
したレジストは、非常に細密なパターンを形成する必要
がある場合、解像度が不足することがある。解像力を高
める方法としては、CEL(コントラスト エンハンス
ド レーヤー)の適用が行われているが、CELを適用
すると、感光性が低下し、露光に長時間を要し、作業効
率が低下し好ましくない。
【0005】また、現像の原理は露光部と未露光部に生
じる溶解度の差を利用しているため、現像条件が微妙で
あり、良好な再現性を得るためには厳密な現像条件の制
御が必要であり、未露光部も現像液に対して完全には不
溶性でないために、現像過程で未露光のレジスト膜も一
部溶解ないしは膨潤し、形成されたパターンのエッチン
グ液に対する耐性が低下したり、形成されるパターンの
精度が低下しやすい等の欠点がある。
じる溶解度の差を利用しているため、現像条件が微妙で
あり、良好な再現性を得るためには厳密な現像条件の制
御が必要であり、未露光部も現像液に対して完全には不
溶性でないために、現像過程で未露光のレジスト膜も一
部溶解ないしは膨潤し、形成されたパターンのエッチン
グ液に対する耐性が低下したり、形成されるパターンの
精度が低下しやすい等の欠点がある。
【0006】一方、紫外線、電子線などの照射によりパ
ターン潜像部に酸を発生し、この酸を触媒としてポリマ
ーに脱離反応を連鎖的に生じさせることにより照射部
と、未照射部との現像液に対する溶解性を変化させてパ
ターンを形成させる材料及びそれを用いたパターン形成
方法が米国特許第3779778号明細書、特開昭59
−45439号公報、特開昭63−250642号公報
等に提案されている。
ターン潜像部に酸を発生し、この酸を触媒としてポリマ
ーに脱離反応を連鎖的に生じさせることにより照射部
と、未照射部との現像液に対する溶解性を変化させてパ
ターンを形成させる材料及びそれを用いたパターン形成
方法が米国特許第3779778号明細書、特開昭59
−45439号公報、特開昭63−250642号公報
等に提案されている。
【0007】これらの組成物において光量子収率はキノ
ンジアジドを感光剤としたものに比して高く、感光性は
向上するが、現像の原理はキノンジアジドを使用したも
のと同様であり、前記と同様の問題点がある。
ンジアジドを感光剤としたものに比して高く、感光性は
向上するが、現像の原理はキノンジアジドを使用したも
のと同様であり、前記と同様の問題点がある。
【0008】本発明の目的は、上記した如き従来のポジ
型感光性組成物の欠点を解決した、新規な原理に基ず
く、ポジ型フォトレジスト、印刷材料用等として特に有
用な感光性組成物、及びそれを用いたパターンの製造法
を提供することにある。
型感光性組成物の欠点を解決した、新規な原理に基ず
く、ポジ型フォトレジスト、印刷材料用等として特に有
用な感光性組成物、及びそれを用いたパターンの製造法
を提供することにある。
【0009】本発明者らは、ポジ型感光性組成物がもつ
前述の如き欠点を克服する方法について鋭意研究した結
果、今回、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を含
む重合体、多ビニルエーテル化合物、及び活性エネルギ
ー線照射により分解して酸を発生する化合物からなる組
成物;並びにカルボキシル基を含む重合体、ヒドロキシ
フェニル基を含む重合体、多ビニルエーテル化合物、及
び活性エネルギー線照射により分解して酸を発生する化
合物からなる組成物は、それから形成された塗膜を加熱
すると、カルボキシル基及び/又はヒドロキシフェニル
基とビニルエーテル基との付加反応により架橋して、溶
剤やアルカリ水溶液に対して不溶性となり、さらに活性
エネルギー線を照射し且つ照射後加熱すると、発生した
酸の触媒作用で架橋構造が切断されて照射部分が溶剤や
アルカリ水溶液に対して再び可溶性になるという全く新
規なメカニズムで機能する感光性組成物となることを見
出し、本発明を完成するに至った。
前述の如き欠点を克服する方法について鋭意研究した結
果、今回、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を含
む重合体、多ビニルエーテル化合物、及び活性エネルギ
ー線照射により分解して酸を発生する化合物からなる組
成物;並びにカルボキシル基を含む重合体、ヒドロキシ
フェニル基を含む重合体、多ビニルエーテル化合物、及
び活性エネルギー線照射により分解して酸を発生する化
合物からなる組成物は、それから形成された塗膜を加熱
すると、カルボキシル基及び/又はヒドロキシフェニル
基とビニルエーテル基との付加反応により架橋して、溶
剤やアルカリ水溶液に対して不溶性となり、さらに活性
エネルギー線を照射し且つ照射後加熱すると、発生した
酸の触媒作用で架橋構造が切断されて照射部分が溶剤や
アルカリ水溶液に対して再び可溶性になるという全く新
規なメカニズムで機能する感光性組成物となることを見
出し、本発明を完成するに至った。
【0010】かくして、本発明の1態様に従えば、A)
カルボキシル基及びヒドロキシフェニル基を含有する重
合体、B)一分子中に2個以上のビニルエーテル基を含
む化合物、及びC)活性エネルギー線照射により酸を発
生する化合物を必須成分として含む感光性組成物、及び
それを用いたパターンの形成方法が提供される。
カルボキシル基及びヒドロキシフェニル基を含有する重
合体、B)一分子中に2個以上のビニルエーテル基を含
む化合物、及びC)活性エネルギー線照射により酸を発
生する化合物を必須成分として含む感光性組成物、及び
それを用いたパターンの形成方法が提供される。
【0011】また、本発明の別の態様に従えば、A′)
カルボキシル基を含有する重合体、A″)ヒドロキシフ
ェニル基を含有する重合体、B)一分子中に2個以上の
ビニルエーテル基を含む化合物、及びC)活性エネルギ
ー線照射により酸を発生する化合物を必須成分として含
む感光性組成物、及びそれを用いたパターンの形成方法
が提供される。
カルボキシル基を含有する重合体、A″)ヒドロキシフ
ェニル基を含有する重合体、B)一分子中に2個以上の
ビニルエーテル基を含む化合物、及びC)活性エネルギ
ー線照射により酸を発生する化合物を必須成分として含
む感光性組成物、及びそれを用いたパターンの形成方法
が提供される。
【0012】本発明の組成物によれば、未露光部分は架
橋構造をとることにより、現像に用いられる溶剤やアル
カリ水溶液に対して完全に不溶化され、現像時に未露光
部の溶解や膨潤が全く生じないため、上述した従来のポ
ジ型レジストにみられるような問題点を生ずることがな
い。
橋構造をとることにより、現像に用いられる溶剤やアル
カリ水溶液に対して完全に不溶化され、現像時に未露光
部の溶解や膨潤が全く生じないため、上述した従来のポ
ジ型レジストにみられるような問題点を生ずることがな
い。
【0013】また、本発明の組成物は、キノンジアジド
を感光剤とするレジストのように吸光係数の高い官能基
を多量に使用する必要がないので、活性エンルギー線に
対する透明性を高くすることができ、また、照射部に発
生した酸は加熱時に触媒として作用し、架橋構造を連鎖
的に切断するために、ポジ型に作用する感光性組成物と
しての感度を高くすることができる。
を感光剤とするレジストのように吸光係数の高い官能基
を多量に使用する必要がないので、活性エンルギー線に
対する透明性を高くすることができ、また、照射部に発
生した酸は加熱時に触媒として作用し、架橋構造を連鎖
的に切断するために、ポジ型に作用する感光性組成物と
しての感度を高くすることができる。
【0014】さらに、本発明の組成物により形成される
パターンは、コントラストが極めて大きく、従って微細
パターン用のレジストとして極めて有用である。
パターンは、コントラストが極めて大きく、従って微細
パターン用のレジストとして極めて有用である。
【0015】以下、本発明についてさらに詳細に説明す
る。
る。
【0016】A) カルボキシル基及びヒドロキシフェ
ニル基を含有する重合体 本発明の第1の態様の感光性組成物において使用される
本重合体A)は、一分子中に少なくとも1つのカルボキ
シル基及びヒドロキシフェニル基を含む被膜形成性の重
合体であり、例えば、p−ヒドロキシスチレンのような
ヒドロキシスチレンと、カルボキシル基を含有する重合
体不飽和単量体との共重合体;ヒドロキシスチレン及び
該カルボキシル基含有単量体と他の共重合可能な単量体
との共重合体等が挙げられる。
ニル基を含有する重合体 本発明の第1の態様の感光性組成物において使用される
本重合体A)は、一分子中に少なくとも1つのカルボキ
シル基及びヒドロキシフェニル基を含む被膜形成性の重
合体であり、例えば、p−ヒドロキシスチレンのような
ヒドロキシスチレンと、カルボキシル基を含有する重合
体不飽和単量体との共重合体;ヒドロキシスチレン及び
該カルボキシル基含有単量体と他の共重合可能な単量体
との共重合体等が挙げられる。
【0017】上記カルボキシル基を含有する重合性不飽
和単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、イタコン酸等が挙げられ、また、上記
他の共重合可能な他の単量体としては、例えば、(メ
タ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、
(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチ
ル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸
オクチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、
(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸デシル
等の(メタ)アクリル酸のC1〜C12アルキルエステ
ル;(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル、(メタ)ア
クリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸
3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ヒドロキ
シブチル等の(メタ)アクリル酸のC2〜C6ヒドロキシ
アルキルエステル;スチレン、α−メチルスチレン、p
−tert−ブチルスチレン等のビニル芳香族化合物;
酢酸ビニル、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アク
リルアミド、ビニルピロリドン等が挙げられ、これら単
量体はそれぞれ単独で用いてもよく又は2種以上組合わ
せて使用することができる。
和単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、イタコン酸等が挙げられ、また、上記
他の共重合可能な他の単量体としては、例えば、(メ
タ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、
(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチ
ル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸
オクチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、
(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸デシル
等の(メタ)アクリル酸のC1〜C12アルキルエステ
ル;(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル、(メタ)ア
クリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸
3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ヒドロキ
シブチル等の(メタ)アクリル酸のC2〜C6ヒドロキシ
アルキルエステル;スチレン、α−メチルスチレン、p
−tert−ブチルスチレン等のビニル芳香族化合物;
酢酸ビニル、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アク
リルアミド、ビニルピロリドン等が挙げられ、これら単
量体はそれぞれ単独で用いてもよく又は2種以上組合わ
せて使用することができる。
【0018】また、重合体A)として、ヒドロキシ安息
香酸、没食子酸、レゾルシン酸などのフェノールカルボ
ン酸類、又はこれらとフェノール、炭素数1〜18のモ
ノ−もしくはジ−アルキルフェノールもしくはナフトー
ル類、レゾルシン、カテコール等から選ばれるフェノー
ル類の1種もしくは2種以上との混合物をホルムアルデ
ヒドと縮合させることにより得られる重合体を使用する
こともできる。
香酸、没食子酸、レゾルシン酸などのフェノールカルボ
ン酸類、又はこれらとフェノール、炭素数1〜18のモ
ノ−もしくはジ−アルキルフェノールもしくはナフトー
ル類、レゾルシン、カテコール等から選ばれるフェノー
ル類の1種もしくは2種以上との混合物をホルムアルデ
ヒドと縮合させることにより得られる重合体を使用する
こともできる。
【0019】重合体A)は、一般に、約500〜約10
0000、特に約1500〜約30000の範囲内の数
平均分子量を有していることが好ましい。一方、カルボ
キシル基の含有量は、重合体1kgあたり一般に0.5
〜10当量、特に0.5〜5.0当量の範囲内にあり、ま
たヒドロキシフェニル基は重合体1kgあたり少なくと
も1.0当量、特に2.0〜8.0当量の範囲内にあるこ
とが望ましい。カルボキシル基の含有量が0.5当量/
kgより少ないと、活性光線照射前の加熱により形成さ
れる膜の架橋度が十分でなく、また、アルカリ性現像液
に対する露光部の溶解性が低く現像性が低下する傾向が
あり、他方、10当量/kgを越えると、組成物の貯蔵
安定性が低下する傾向がある。他方、ヒドロキシフェニ
ル基の含有量が1.0当量/kgより少ないと架橋時の
架橋度が十分でないことがある。
0000、特に約1500〜約30000の範囲内の数
平均分子量を有していることが好ましい。一方、カルボ
キシル基の含有量は、重合体1kgあたり一般に0.5
〜10当量、特に0.5〜5.0当量の範囲内にあり、ま
たヒドロキシフェニル基は重合体1kgあたり少なくと
も1.0当量、特に2.0〜8.0当量の範囲内にあるこ
とが望ましい。カルボキシル基の含有量が0.5当量/
kgより少ないと、活性光線照射前の加熱により形成さ
れる膜の架橋度が十分でなく、また、アルカリ性現像液
に対する露光部の溶解性が低く現像性が低下する傾向が
あり、他方、10当量/kgを越えると、組成物の貯蔵
安定性が低下する傾向がある。他方、ヒドロキシフェニ
ル基の含有量が1.0当量/kgより少ないと架橋時の
架橋度が十分でないことがある。
【0020】さらに、重合体A)は、そのガラス転移温
度(Tg)が0℃以上、特に5〜70℃の範囲内にある
ことが好適である。Tgが0℃未満であると、塗膜が粘
着性を示し、ゴミやホコリなどがつきやすくなり、取り
扱い難くなる傾向がある。
度(Tg)が0℃以上、特に5〜70℃の範囲内にある
ことが好適である。Tgが0℃未満であると、塗膜が粘
着性を示し、ゴミやホコリなどがつきやすくなり、取り
扱い難くなる傾向がある。
【0021】A′) カルボキシル基を含有する重合体 本発明の第2の態様の感光性組成物において使用される
本重合体A′)は、一分子中に少なくとも1つのカルボ
キシル基を含む被膜形成性の重合体であり、例えば、カ
ルボキシル基を含有する重合性不飽和単量体の単独重合
体;該カルボキシル基含有単量体と他の共重合可能な単
量体との共重合体;分子鎖中又は分子末端にカルボキシ
ル基を有するポリエステル系、ポリウレタン系、ポリア
ミド系などの樹脂等が挙げられる。
本重合体A′)は、一分子中に少なくとも1つのカルボ
キシル基を含む被膜形成性の重合体であり、例えば、カ
ルボキシル基を含有する重合性不飽和単量体の単独重合
体;該カルボキシル基含有単量体と他の共重合可能な単
量体との共重合体;分子鎖中又は分子末端にカルボキシ
ル基を有するポリエステル系、ポリウレタン系、ポリア
ミド系などの樹脂等が挙げられる。
【0022】上記カルボキシル基を含有する重合性不飽
和単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、イタコン酸等が挙げられ、また、これ
らカルボキシル基含有単量体と共重合可能な他の単量体
としては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メ
タ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、
(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシ
ル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸
2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メ
タ)アクリル酸デシル等の(メタ)アクリル酸のC1〜
C12アルキルエステル;(メタ)アクリル酸ヒドロキシ
エチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、
(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(メタ)
アクリル酸ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸の
C2〜C6ヒドロキシアルキルエステル;スチレン、α−
メチルスチレン、p−tert−ブチルスチレン等のビ
ニル芳香族化合物;酢酸ビニル、(メタ)アクリロニト
リル、(メタ)アクリルアミド、ビニルピロリドン等が
挙げられ、これら単量体はそれぞれ単独で用いてもよく
又は2種以上組合わせて使用することができる。殊に、
該他の単量体としてスチレン、α−メチルスチレン、C
1〜C6アルキル置換されたスチレン(例えばp−ter
t−ブチルスチレン)などのビニル芳香族化合物を使用
することが、形成される画像パターンの精度、耐エッチ
ング性等の点で好適である。
和単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、イタコン酸等が挙げられ、また、これ
らカルボキシル基含有単量体と共重合可能な他の単量体
としては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メ
タ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、
(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシ
ル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸
2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メ
タ)アクリル酸デシル等の(メタ)アクリル酸のC1〜
C12アルキルエステル;(メタ)アクリル酸ヒドロキシ
エチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、
(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(メタ)
アクリル酸ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸の
C2〜C6ヒドロキシアルキルエステル;スチレン、α−
メチルスチレン、p−tert−ブチルスチレン等のビ
ニル芳香族化合物;酢酸ビニル、(メタ)アクリロニト
リル、(メタ)アクリルアミド、ビニルピロリドン等が
挙げられ、これら単量体はそれぞれ単独で用いてもよく
又は2種以上組合わせて使用することができる。殊に、
該他の単量体としてスチレン、α−メチルスチレン、C
1〜C6アルキル置換されたスチレン(例えばp−ter
t−ブチルスチレン)などのビニル芳香族化合物を使用
することが、形成される画像パターンの精度、耐エッチ
ング性等の点で好適である。
【0023】カルボキシル基含有重合体A′)は、一般
に、約3000〜約100000、特に約5000〜約
30000の範囲内の数平均分子量を有していることが
好ましく、また、カルボキシル基の含有量は、重合体1
kgあたり一般に0.5〜10当量、特に0.5〜5.0
当量の範囲内にあることが望ましい。カルボキシル基の
含有量が0.5当量/kgより少ないと、活性光線照射
前の加熱により形成される膜の架橋度が十分でなく、ま
た、アルカリ性現像液に対する露光部の溶解性が低く現
像性が低下する傾向があり、他方、10当量/kgを越
えると、組成物の貯蔵安定性が低下する傾向がある。
に、約3000〜約100000、特に約5000〜約
30000の範囲内の数平均分子量を有していることが
好ましく、また、カルボキシル基の含有量は、重合体1
kgあたり一般に0.5〜10当量、特に0.5〜5.0
当量の範囲内にあることが望ましい。カルボキシル基の
含有量が0.5当量/kgより少ないと、活性光線照射
前の加熱により形成される膜の架橋度が十分でなく、ま
た、アルカリ性現像液に対する露光部の溶解性が低く現
像性が低下する傾向があり、他方、10当量/kgを越
えると、組成物の貯蔵安定性が低下する傾向がある。
【0024】また、重合体A′)は、そのガラス転移温
度(Tg)が0℃以上、特に5〜70℃の範囲内にある
ことが好適である。Tgが0℃未満であると、塗膜が粘
着性を示し、ゴミやホコリなどがつきやすくなり、取り
扱い難くなる傾向がある。
度(Tg)が0℃以上、特に5〜70℃の範囲内にある
ことが好適である。Tgが0℃未満であると、塗膜が粘
着性を示し、ゴミやホコリなどがつきやすくなり、取り
扱い難くなる傾向がある。
【0025】A″)ヒドロキシフェニル基を含有する重
合体 本発明の第2の態様の感光性組成物において使用される
本重合体A″)は一分子中に少なくとも1つのヒドロキ
シフェニル基を含む重合体であり、例えば、1官能性又
は多官能性フェノール化合物、アルキルフェノール化合
物又はそれらの混合物と、フォルムアルデヒド、アセト
ンなどのカルボニル化合物との縮合物;p−ヒドロキシ
スチレンのようなヒドロキシ基含有ビニル芳香族化合物
の単独重合体;該ヒドロキシル基含有ビニル芳香族化合
物と他の共重合可能な単量体との共合体等が挙げられ
る。
合体 本発明の第2の態様の感光性組成物において使用される
本重合体A″)は一分子中に少なくとも1つのヒドロキ
シフェニル基を含む重合体であり、例えば、1官能性又
は多官能性フェノール化合物、アルキルフェノール化合
物又はそれらの混合物と、フォルムアルデヒド、アセト
ンなどのカルボニル化合物との縮合物;p−ヒドロキシ
スチレンのようなヒドロキシ基含有ビニル芳香族化合物
の単独重合体;該ヒドロキシル基含有ビニル芳香族化合
物と他の共重合可能な単量体との共合体等が挙げられ
る。
【0026】上記1官能性又は多官能性フェノール化合
物としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、m
−クレゾール、p−クレゾール、3,5−キシレノー
ル、2,6−キシレノール、2,4−キシレノール、カテ
コール、レゾルシン、ピロガロール、ビスフェノールA
などのベンゼン環上に1〜3個のヒドロキシル基を有す
る化合物が挙げられ、また、アルキルフェノール化合物
としては、例えば、p−イソプロピルフェノール、p−
tert−ブチルフェノール、p−tert−アミルフ
ェノール、p−tert−オクチルフェノールなどのア
ルキル部分の炭素数が1〜10、好ましくは1〜4のア
ルキルフェノール化合物が挙げられる。
物としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、m
−クレゾール、p−クレゾール、3,5−キシレノー
ル、2,6−キシレノール、2,4−キシレノール、カテ
コール、レゾルシン、ピロガロール、ビスフェノールA
などのベンゼン環上に1〜3個のヒドロキシル基を有す
る化合物が挙げられ、また、アルキルフェノール化合物
としては、例えば、p−イソプロピルフェノール、p−
tert−ブチルフェノール、p−tert−アミルフ
ェノール、p−tert−オクチルフェノールなどのア
ルキル部分の炭素数が1〜10、好ましくは1〜4のア
ルキルフェノール化合物が挙げられる。
【0027】これらの化合物とフォルムアルデヒド、ア
セトンなどのカルボニル化合物との縮合反応はそれ自体
既知の方法で行なうことができ、一般にアルカリ触媒で
縮合させると、縮合が進むにつれて不溶不融となるレゾ
ール型が得られ、酸触媒で縮合させると可溶可融のノボ
ラック型が得られる。本発明では通常後者のノボラック
型フェノール樹脂を使用することができる。ノボラック
型フェノール樹脂は縮合が進むにつれて分子量が増大す
るが、一般には反応時間1〜3時間で縮合させることに
より得られる分子量が500〜2000の範囲内のもの
が好適である。また、ヒドロキシ基含有ビニル芳香族化
合物と共重合可能な他の単量体としては、前記重合体
A′)における共重合体について例示したと同様の共重
合可能な他の単量体を用いることができる。
セトンなどのカルボニル化合物との縮合反応はそれ自体
既知の方法で行なうことができ、一般にアルカリ触媒で
縮合させると、縮合が進むにつれて不溶不融となるレゾ
ール型が得られ、酸触媒で縮合させると可溶可融のノボ
ラック型が得られる。本発明では通常後者のノボラック
型フェノール樹脂を使用することができる。ノボラック
型フェノール樹脂は縮合が進むにつれて分子量が増大す
るが、一般には反応時間1〜3時間で縮合させることに
より得られる分子量が500〜2000の範囲内のもの
が好適である。また、ヒドロキシ基含有ビニル芳香族化
合物と共重合可能な他の単量体としては、前記重合体
A′)における共重合体について例示したと同様の共重
合可能な他の単量体を用いることができる。
【0028】かかるヒドロキシフェニル基含有重合体
A″)は一般に約500〜約1000000、特に約1
000〜約30000の範囲内の数平均分子量を有して
いることが好ましい。
A″)は一般に約500〜約1000000、特に約1
000〜約30000の範囲内の数平均分子量を有して
いることが好ましい。
【0029】また、重合体A″)のヒドロキシフェニル
基の含有量は、重合体1kgあたり一般に1.0〜10
当量、特に2.0〜8.0当量の範囲内にあるのが好都合
である。ヒドロキシフェニル基の含有量が1.0当量/
kgより少ないと、活性光線照射前の加熱により形成さ
れる膜の架橋度が十分でなくなる傾向があり、10当量
/kgを越えると、レジスト膜が脆くなりやすい。
基の含有量は、重合体1kgあたり一般に1.0〜10
当量、特に2.0〜8.0当量の範囲内にあるのが好都合
である。ヒドロキシフェニル基の含有量が1.0当量/
kgより少ないと、活性光線照射前の加熱により形成さ
れる膜の架橋度が十分でなくなる傾向があり、10当量
/kgを越えると、レジスト膜が脆くなりやすい。
【0030】重合体A″)も、重合体A)、A′)と同
様に、そのガラス転移温度(Tg)が0℃以上、特に5
〜70℃の範囲内にあることが好適である。Tgが0℃
未満であると、塗膜が粘着性を示し、ゴミやホコリなど
がつきやすくなり、取り扱い難くなる傾向がある。
様に、そのガラス転移温度(Tg)が0℃以上、特に5
〜70℃の範囲内にあることが好適である。Tgが0℃
未満であると、塗膜が粘着性を示し、ゴミやホコリなど
がつきやすくなり、取り扱い難くなる傾向がある。
【0031】B) 一分子中に2個以上のビニルエーテ
ル基を含む化合物 本化合物B)は、一分子中に、式−R−O−CH=CH
2[ここで、Rはエチレン、プロピレン、ブチレンなど
の炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン
基を表わす]で示されるビニルエーテル基を少なくとも
2個、好ましくは2〜4個含有する低分子量又は高分子
量の化合物であり、例えば、ビスフェノールA、ビスフ
ェノールF、ビスフェノールS、フェノール樹脂などの
ポリフェノール化合物や、エチレングリコール、プロピ
レングリコール、トリメチロールプロパン、トリメチロ
ールエタン、ペンタエリスリトールなどのポリオール類
と、クロロエチルビニルエーテルなどのハロゲン化アル
キルビニルエーテルとの縮合物;トリレンジイソシアネ
ート、キシリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジ
イソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどのポ
リイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチルビニルエ
ーテルのようなヒドロキシアルキルビニルエーテルとの
反応物等が挙げられる。特に、上記ポリフェノール化合
物とハロゲン化アルキルビニルエーテルとの縮合物及び
芳香環をもつポリイソシアネート化合物とヒドロキシア
ルキルビニルエーテルとの反応物が、エッチング耐性、
形成されるパターンの精度等の観点から好適である。
ル基を含む化合物 本化合物B)は、一分子中に、式−R−O−CH=CH
2[ここで、Rはエチレン、プロピレン、ブチレンなど
の炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン
基を表わす]で示されるビニルエーテル基を少なくとも
2個、好ましくは2〜4個含有する低分子量又は高分子
量の化合物であり、例えば、ビスフェノールA、ビスフ
ェノールF、ビスフェノールS、フェノール樹脂などの
ポリフェノール化合物や、エチレングリコール、プロピ
レングリコール、トリメチロールプロパン、トリメチロ
ールエタン、ペンタエリスリトールなどのポリオール類
と、クロロエチルビニルエーテルなどのハロゲン化アル
キルビニルエーテルとの縮合物;トリレンジイソシアネ
ート、キシリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジ
イソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどのポ
リイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチルビニルエ
ーテルのようなヒドロキシアルキルビニルエーテルとの
反応物等が挙げられる。特に、上記ポリフェノール化合
物とハロゲン化アルキルビニルエーテルとの縮合物及び
芳香環をもつポリイソシアネート化合物とヒドロキシア
ルキルビニルエーテルとの反応物が、エッチング耐性、
形成されるパターンの精度等の観点から好適である。
【0032】化合物B)は、常温で液状であるか又はそ
の融点もしくは軟化点が150℃以下、特に130℃以
下のものが、活性エネルギー線照射前の加熱時に、重合
体A)或いは重合体A′)及び/又はA″)中に移行し
やすく、重合体A)或いは重合体A′)及び/又は
A″)中のカルボキシル基及び/又はフェノール性水酸
基と化合物B)のビニルエーテル基との付加反応が起り
やすく好ましい。
の融点もしくは軟化点が150℃以下、特に130℃以
下のものが、活性エネルギー線照射前の加熱時に、重合
体A)或いは重合体A′)及び/又はA″)中に移行し
やすく、重合体A)或いは重合体A′)及び/又は
A″)中のカルボキシル基及び/又はフェノール性水酸
基と化合物B)のビニルエーテル基との付加反応が起り
やすく好ましい。
【0033】C) 活性エネルギー線照射により酸を発
生する化合物 本化合物C)は、後述する活性エネルギー線の照射によ
り分解して、前記重合体A)或いは重合体A′)及び/
又はA″)と化合物B)との間で形成される架橋構造を
切断するのに十分な強度の酸を発生する化合物(以下、
「光酸発生化合物」ということがある)であり、例え
ば、下記式で示されるものが包含される。
生する化合物 本化合物C)は、後述する活性エネルギー線の照射によ
り分解して、前記重合体A)或いは重合体A′)及び/
又はA″)と化合物B)との間で形成される架橋構造を
切断するのに十分な強度の酸を発生する化合物(以下、
「光酸発生化合物」ということがある)であり、例え
ば、下記式で示されるものが包含される。
【0034】
【化21】
【0035】
【化22】
【0036】
【化23】
【0037】
【化24】
【0038】
【化25】
【0039】
【化26】
【0040】
【化27】
【0041】
【化28】
【0042】[式中、R1及びR2はそれぞれ独立に炭素
数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキ
シ基を表す]
数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキ
シ基を表す]
【0043】
【化29】
【0044】[式中、R1及びR2は上記と同じ意味を有
する]
する]
【0045】
【化30】
【0046】感光性組成物 本発明の第1の態様の感光性組成物は、以上に述べたカ
ルボキシル基及びヒドロフェニル基含有重合体A)、ビ
ニルエーテル基含有化合物B)及び光酸発生化合物C)
の3成分を必須成分として含有するものであり、その配
合割合は、該組成物の用途等に応じて広い範囲にわたつ
て変えることができるが、ビニルエーテル基含有化合物
B)は、重合体A)100重量部に対して一般に5〜1
50重量部、特に10〜100重量部の範囲内で使用す
ることが好しく、また、光酸発生化合物C)は、重合体
A)とビニルエーテル基含有化合物B)の合計量100
重量部に対して一般に0.1〜40重量部、特に0.2〜
20重量部の範囲内で用いるのが適当である。
ルボキシル基及びヒドロフェニル基含有重合体A)、ビ
ニルエーテル基含有化合物B)及び光酸発生化合物C)
の3成分を必須成分として含有するものであり、その配
合割合は、該組成物の用途等に応じて広い範囲にわたつ
て変えることができるが、ビニルエーテル基含有化合物
B)は、重合体A)100重量部に対して一般に5〜1
50重量部、特に10〜100重量部の範囲内で使用す
ることが好しく、また、光酸発生化合物C)は、重合体
A)とビニルエーテル基含有化合物B)の合計量100
重量部に対して一般に0.1〜40重量部、特に0.2〜
20重量部の範囲内で用いるのが適当である。
【0047】また、本発明の第2の態様の感光性組成物
は、以上に述べたカルボキシル基含有重合体A′)、ヒ
ドロキシフェニル基含有重合体A″)、ビニルエーテル
基含有化合物B)及び光酸発生化合物C)の4成分を必
須成分として含有するものであり、その配合割合は、該
組成物の用途等に応じて広い範囲にわたって変えること
ができるが、カルボキシル基含有重合体A′)とヒドロ
キシフェニル基含有重合体A″)とはA′)/A″)の
重合比で一般に90/10〜10/90、特に70/3
0〜30/70の範囲内で使用することができ、また、
ビニルエーテル基含有化合物B)は、カルボキシル基含
有重合体A′)とヒドロキシフェニル基含有重合体
A″)との合計量100重量部に対して一般に5〜15
0重量部、特に10〜100重量部の範囲内で使用する
ことが好ましく、また、光酸発生化合物C)は、カルボ
キシル基含有重合体A′)、ヒドロキシフェニル基含有
重合体A″)及びビニルエーテル基含有化合物B)の合
計量100重量部に対して一般に0.1〜40重量部、
特に0.2〜20重量部の範囲内で用いるのが適当であ
る。
は、以上に述べたカルボキシル基含有重合体A′)、ヒ
ドロキシフェニル基含有重合体A″)、ビニルエーテル
基含有化合物B)及び光酸発生化合物C)の4成分を必
須成分として含有するものであり、その配合割合は、該
組成物の用途等に応じて広い範囲にわたって変えること
ができるが、カルボキシル基含有重合体A′)とヒドロ
キシフェニル基含有重合体A″)とはA′)/A″)の
重合比で一般に90/10〜10/90、特に70/3
0〜30/70の範囲内で使用することができ、また、
ビニルエーテル基含有化合物B)は、カルボキシル基含
有重合体A′)とヒドロキシフェニル基含有重合体
A″)との合計量100重量部に対して一般に5〜15
0重量部、特に10〜100重量部の範囲内で使用する
ことが好ましく、また、光酸発生化合物C)は、カルボ
キシル基含有重合体A′)、ヒドロキシフェニル基含有
重合体A″)及びビニルエーテル基含有化合物B)の合
計量100重量部に対して一般に0.1〜40重量部、
特に0.2〜20重量部の範囲内で用いるのが適当であ
る。
【0048】本発明の感光性組成物には必要に応じて増
感色素を配合してもよく、使用しうる増感色素として
は、例えば、フェノチアジン系、アントラセン系、コロ
ネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、ピレン
系、メロシアニン系、ケトクマリン系等の色素が挙げら
れる。
感色素を配合してもよく、使用しうる増感色素として
は、例えば、フェノチアジン系、アントラセン系、コロ
ネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、ピレン
系、メロシアニン系、ケトクマリン系等の色素が挙げら
れる。
【0049】これら増感色素の配合量は、重合体A)1
00重量部に対して、又は重合体A′)及びA″)の合
計量100重量部に対して0.1〜10重量部、好まし
くは0.3〜5重量部の範囲内が適当である。
00重量部に対して、又は重合体A′)及びA″)の合
計量100重量部に対して0.1〜10重量部、好まし
くは0.3〜5重量部の範囲内が適当である。
【0050】また、形成される膜に適当な可撓性、非粘
着性等を付与するために、本発明の組成物には、フタル
酸エステル等の可塑剤、ポリエステル樹脂、アクリル樹
脂等を添加してもよい。それらの添加量は通常、重合体
A)、ビニルエーテル基含有化合物B)及び光酸発生化
合物C)の合計量100重量部に対して、又は重合体
A′)、重合体A″)、ビニルエーテル基含有化合物
B)及び光酸発生化合物C)の合計量100重量部に対
して50重量部以下であることが好ましい。
着性等を付与するために、本発明の組成物には、フタル
酸エステル等の可塑剤、ポリエステル樹脂、アクリル樹
脂等を添加してもよい。それらの添加量は通常、重合体
A)、ビニルエーテル基含有化合物B)及び光酸発生化
合物C)の合計量100重量部に対して、又は重合体
A′)、重合体A″)、ビニルエーテル基含有化合物
B)及び光酸発生化合物C)の合計量100重量部に対
して50重量部以下であることが好ましい。
【0051】さらに、本発明の組成物には必要に応じ
て、流動性調節剤、染料、顔料等の着色剤等を添加して
もよい。
て、流動性調節剤、染料、顔料等の着色剤等を添加して
もよい。
【0052】本発明の感光性組成物は、以上に述べた各
成分をそのまま又は必要に応じて溶剤中で混合すること
により調製することができる。その際に使用しうる溶剤
は組成物の各成分を溶解できるものであれば特に制限は
なく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソフォロン等
のケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等の
エステル類;メタノール、エタノール、プロパノール等
の炭素数1〜10の脂肪族アルコール類;ベンジルアル
コール等の芳香族基含有アルコール類;エチレングリコ
ール、プロピレングリコール等のグリコール類;これら
グリコール類とメタノール、エタノール、ブタノール、
ヘキサノール、オクタノール、ベンジルアルコール、フ
ェノール等とのモノもしくはジエーテル又は当該モノエ
ーテルのエステル類等のグリコールエーテル類;ジオキ
サン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類;エチレ
ンカーボネート、プロピレンカーボネート等の環状カー
ボネート類;脂肪族及び芳香族炭化水素類等を挙げるこ
とができる。これらの溶剤は必要に応じて単独又は2種
類以上を混合して用いることができる。
成分をそのまま又は必要に応じて溶剤中で混合すること
により調製することができる。その際に使用しうる溶剤
は組成物の各成分を溶解できるものであれば特に制限は
なく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソフォロン等
のケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等の
エステル類;メタノール、エタノール、プロパノール等
の炭素数1〜10の脂肪族アルコール類;ベンジルアル
コール等の芳香族基含有アルコール類;エチレングリコ
ール、プロピレングリコール等のグリコール類;これら
グリコール類とメタノール、エタノール、ブタノール、
ヘキサノール、オクタノール、ベンジルアルコール、フ
ェノール等とのモノもしくはジエーテル又は当該モノエ
ーテルのエステル類等のグリコールエーテル類;ジオキ
サン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類;エチレ
ンカーボネート、プロピレンカーボネート等の環状カー
ボネート類;脂肪族及び芳香族炭化水素類等を挙げるこ
とができる。これらの溶剤は必要に応じて単独又は2種
類以上を混合して用いることができる。
【0053】パターンの形成 本発明の感光性組成物を使用するパターンの形成は、以
下に述べるようにして行なうことができる。
下に述べるようにして行なうことができる。
【0054】先ず、基板、例えば、PS版用アルミニウ
ム板、銅箔をラミネートしたプリント回路用基板、半導
体材料のシリコンウェハー等の基板上に、本発明の組成
物を例えばスピンコーティング、スプレイコーティン
グ、ロールコーティング、カーテンフローコーティン
グ、印刷法等のそれ自体既知のコーティング法で塗布す
る。そのときの塗布膜厚は厳密に制限されるものではな
く、形成パターンの使用目的等に応じて変えることがで
きるが、通常、乾燥膜厚で約0.5〜約15ミクロンの
範囲内が適当である。
ム板、銅箔をラミネートしたプリント回路用基板、半導
体材料のシリコンウェハー等の基板上に、本発明の組成
物を例えばスピンコーティング、スプレイコーティン
グ、ロールコーティング、カーテンフローコーティン
グ、印刷法等のそれ自体既知のコーティング法で塗布す
る。そのときの塗布膜厚は厳密に制限されるものではな
く、形成パターンの使用目的等に応じて変えることがで
きるが、通常、乾燥膜厚で約0.5〜約15ミクロンの
範囲内が適当である。
【0055】該組成物が塗布された基板を、重合体A)
或いは重合体A′)及び/又はA″)とビニルエーテル
基含有化合物B)との間で架橋反応が実質的に起る温度
及び時間条件下、例えば、約60〜約150℃の温度で
約1〜約30分間加熱して、塗膜を架橋硬化させる。
或いは重合体A′)及び/又はA″)とビニルエーテル
基含有化合物B)との間で架橋反応が実質的に起る温度
及び時間条件下、例えば、約60〜約150℃の温度で
約1〜約30分間加熱して、塗膜を架橋硬化させる。
【0056】次いで、基板上の硬化塗膜に対して、ポジ
型フォトマスク、縮小投影露光機、直接描画機等を用い
て活性エネルギー線を画像選択的に照射する。ここで使
用しうる活性エネルギー線は、感光性組成物に配合され
ている光酸発生化合物C)の種類等に依存して選択され
るが、例えば、電子線、波長200〜600nmの単色
光線又はそれらの混合光線等が挙げられる。
型フォトマスク、縮小投影露光機、直接描画機等を用い
て活性エネルギー線を画像選択的に照射する。ここで使
用しうる活性エネルギー線は、感光性組成物に配合され
ている光酸発生化合物C)の種類等に依存して選択され
るが、例えば、電子線、波長200〜600nmの単色
光線又はそれらの混合光線等が挙げられる。
【0057】活性エネルギー線が照射された基板は次い
で、該照射により発生した酸の存在下で前記硬化塗膜の
架橋構造の切断が生ずるような温度及び時間条件下、例
えば、約60〜約150℃の温度で約1〜約30分間加
熱し、照射部分の塗膜の架橋構造を実質的に切断する。
で、該照射により発生した酸の存在下で前記硬化塗膜の
架橋構造の切断が生ずるような温度及び時間条件下、例
えば、約60〜約150℃の温度で約1〜約30分間加
熱し、照射部分の塗膜の架橋構造を実質的に切断する。
【0058】このように加熱−照射−加熱処理された基
板を現像液で処理することにより、基板上にパターンを
形成することができる。現像液としては、重合体A)又
は重合体A′)を溶解する能力のある液体、例えば、水
溶性有機塩基、例えばアルカノールアミン、テトラエチ
ルアンモニウムハイドロキサイドなどのヒドロキシアン
モニウム塩類;無機アルカリ、例えば苛性ソーダ、炭酸
ソーダ、メタ珪酸ソーダ等の水溶液を用いることができ
る。
板を現像液で処理することにより、基板上にパターンを
形成することができる。現像液としては、重合体A)又
は重合体A′)を溶解する能力のある液体、例えば、水
溶性有機塩基、例えばアルカノールアミン、テトラエチ
ルアンモニウムハイドロキサイドなどのヒドロキシアン
モニウム塩類;無機アルカリ、例えば苛性ソーダ、炭酸
ソーダ、メタ珪酸ソーダ等の水溶液を用いることができ
る。
【0059】これらの塩基性物質は単独で又は2種類以
上混合して用いてもよい。それらの物質の濃度は通常
0.05〜10重量%の範囲内であることが好ましい。
また、必要に応じて本発明の感光性組成物の製造の際に
使用可能な溶剤として述べた溶剤を該現像液と混合可能
な範囲内の濃度で添加してもよい。
上混合して用いてもよい。それらの物質の濃度は通常
0.05〜10重量%の範囲内であることが好ましい。
また、必要に応じて本発明の感光性組成物の製造の際に
使用可能な溶剤として述べた溶剤を該現像液と混合可能
な範囲内の濃度で添加してもよい。
【0060】現像は、現像液に基板を浸漬したり、現像
液を基板に吹き付けるなどのそれ自体既知の方法により
行うことができる。パターン形成後必要に応じて基板を
水洗し及び/又は加熱乾燥することができる。
液を基板に吹き付けるなどのそれ自体既知の方法により
行うことができる。パターン形成後必要に応じて基板を
水洗し及び/又は加熱乾燥することができる。
【0061】さらに、基板がエッチング可能な場合に
は、露出している基板部分を適当なエッチング剤で除去
し、更に必要なら残存する被膜を適切な剥離剤で除去す
ることによりレリーフ画像を得ることができる。
は、露出している基板部分を適当なエッチング剤で除去
し、更に必要なら残存する被膜を適切な剥離剤で除去す
ることによりレリーフ画像を得ることができる。
【0062】本発明の感光性組成物はドライフィルム型
レジストとして使用することもできる。
レジストとして使用することもできる。
【0063】例えば、前述した方法で得られる感光性組
成物をポリエチレンテレフタレートフィルムのような活
性光線を透過しうる透明な柔軟性のある支持フィルム上
に塗布し、必要に応じて加熱処理などにより組成物中の
溶剤などを除去してドライフィルム型レジストをつく
る。必要により、形成された該フィルムのレジスト面に
離型性フィルムを装着して保護層を形成してもよい。或
いは離型性フィルム上に予めレジスト膜を前述した方法
で形成し、しかる後支持フィルムを装着するようにして
もよい。支持フィルム及び離型性フィルムは取扱い等の
点から、一般に約10〜約250μm程度の厚さのもの
が適当である。
成物をポリエチレンテレフタレートフィルムのような活
性光線を透過しうる透明な柔軟性のある支持フィルム上
に塗布し、必要に応じて加熱処理などにより組成物中の
溶剤などを除去してドライフィルム型レジストをつく
る。必要により、形成された該フィルムのレジスト面に
離型性フィルムを装着して保護層を形成してもよい。或
いは離型性フィルム上に予めレジスト膜を前述した方法
で形成し、しかる後支持フィルムを装着するようにして
もよい。支持フィルム及び離型性フィルムは取扱い等の
点から、一般に約10〜約250μm程度の厚さのもの
が適当である。
【0064】離型性フィルムとレジスト膜との付着力
は、一般に、支持フィルムとレジスト膜との付着力の1
/10以下程度であることが望ましい。離型性フィルム
の付着力が大きいと、ドライフィルムから離型性フィル
ム剥離する作業が困難になる。また、後述する方法で基
板に該ドライフィルムがラミネートされ、加熱架橋−露
光されたレジスト膜と支持フィルムとの付着力は、現像
前に該支持フィルムを除去する必要があるために、レジ
スト膜と基板との付着力の1/3以下程度であることが
望ましい。この目的のために支持フィルムの表面に通常
の易剥離処理などの処理を施すことができ、また、基板
表面に物理的研磨、化学的ソフトエチイング等の処理を
施してもよい。
は、一般に、支持フィルムとレジスト膜との付着力の1
/10以下程度であることが望ましい。離型性フィルム
の付着力が大きいと、ドライフィルムから離型性フィル
ム剥離する作業が困難になる。また、後述する方法で基
板に該ドライフィルムがラミネートされ、加熱架橋−露
光されたレジスト膜と支持フィルムとの付着力は、現像
前に該支持フィルムを除去する必要があるために、レジ
スト膜と基板との付着力の1/3以下程度であることが
望ましい。この目的のために支持フィルムの表面に通常
の易剥離処理などの処理を施すことができ、また、基板
表面に物理的研磨、化学的ソフトエチイング等の処理を
施してもよい。
【0065】さらに、本発明の感光性組成物は、以下の
ようにして転写フィルム型レジストとして使用すること
もできる。
ようにして転写フィルム型レジストとして使用すること
もできる。
【0066】即ち、転写フィルム型レジストはドライフ
ィルム型レジストと同様な方法でつくることができる
が、ドライフィルム型レジストの場合とは、支持フィル
ムとレジスト膜との付着力は、基板に転写フィルム型レ
ジストをラミネートしたときの基板とレジストフィル
ム、又は更にそれを加熱架橋させた後の基板とレジスト
膜との付着力の1/3以下程度であることが望ましい
点、また支持フィルムは光透過性のものに限らず、染料
や顔料入りのフィルム、金属箔のような光透過性の低い
ないしは不透明なものでも使用できる点で異なる。各層
間の付着力の条件を満たすために、ドライフィルム型レ
ジストの場合と同様な処理を施こすことができる。
ィルム型レジストと同様な方法でつくることができる
が、ドライフィルム型レジストの場合とは、支持フィル
ムとレジスト膜との付着力は、基板に転写フィルム型レ
ジストをラミネートしたときの基板とレジストフィル
ム、又は更にそれを加熱架橋させた後の基板とレジスト
膜との付着力の1/3以下程度であることが望ましい
点、また支持フィルムは光透過性のものに限らず、染料
や顔料入りのフィルム、金属箔のような光透過性の低い
ないしは不透明なものでも使用できる点で異なる。各層
間の付着力の条件を満たすために、ドライフィルム型レ
ジストの場合と同様な処理を施こすことができる。
【0067】転写フィルム型レジストの場合には、支持
フィルムは露光前に剥離されるので、レジスト膜面の粘
着性を小さくし、露光時のレジスト表面でのダートピッ
クアップ、フォトツールの汚染を防止するために、支持
フィルム上に常温で粘着性を示さないガラス転移温度2
0℃以上の第一の層とガラス転移温度がそれ以下の第2
の層の2層よりなるレジスト膜層を形成させてもよい。
フィルムは露光前に剥離されるので、レジスト膜面の粘
着性を小さくし、露光時のレジスト表面でのダートピッ
クアップ、フォトツールの汚染を防止するために、支持
フィルム上に常温で粘着性を示さないガラス転移温度2
0℃以上の第一の層とガラス転移温度がそれ以下の第2
の層の2層よりなるレジスト膜層を形成させてもよい。
【0068】この場合、第一の層は本発明の感光性組成
物からなるものであってもよく、また現像液により除去
可能な非感光性の組成物よりなるものであつてもよい。
物からなるものであってもよく、また現像液により除去
可能な非感光性の組成物よりなるものであつてもよい。
【0069】以上に述べたドライフィルム型及び転写フ
ィルム型レジストにおける感光性レジスト膜の膜厚は一
般に約0.5〜約15μmの範囲内にあるのが適当であ
る。
ィルム型レジストにおける感光性レジスト膜の膜厚は一
般に約0.5〜約15μmの範囲内にあるのが適当であ
る。
【0070】レジスト膜層が2層である転写フィルム型
レジストの場合、第一の層の膜厚は通常約0.1〜5μ
mの範囲内にあるのが適当である。
レジストの場合、第一の層の膜厚は通常約0.1〜5μ
mの範囲内にあるのが適当である。
【0071】本発明の感光性組成物をドライフィルム型
レジストとして使用する場合には、前述した基板上にド
ライフィルム型レジストをラミネーター、プレス等を用
いて基板上に圧着する。圧着の際には、基板及び/又は
圧着ロール、圧着板を250℃程度までの温度に加熱し
てもよい。次いで必要に応じて架橋硬化させるために、
必要な温度及び時間条件下、例えば約60〜約150℃
で約1〜約30分間加熱処理を行う。
レジストとして使用する場合には、前述した基板上にド
ライフィルム型レジストをラミネーター、プレス等を用
いて基板上に圧着する。圧着の際には、基板及び/又は
圧着ロール、圧着板を250℃程度までの温度に加熱し
てもよい。次いで必要に応じて架橋硬化させるために、
必要な温度及び時間条件下、例えば約60〜約150℃
で約1〜約30分間加熱処理を行う。
【0072】加熱下に圧着を行う場合には、架橋反応が
圧着時に十分進行するため、圧着後の加熱処理を省略で
きることがある。
圧着時に十分進行するため、圧着後の加熱処理を省略で
きることがある。
【0073】転写フィルム型レジストもドライフィルム
型レジストの場合と同様にして基板上に圧着することが
できるが転写フィルム型レジストの場合は、圧着後又は
圧着−加熱処理後、露光前に支持フィルムをレジスト膜
面上より剥離する。
型レジストの場合と同様にして基板上に圧着することが
できるが転写フィルム型レジストの場合は、圧着後又は
圧着−加熱処理後、露光前に支持フィルムをレジスト膜
面上より剥離する。
【0074】このようにしてドライフィルム型レジスト
又は転写フィルム型レジストが圧着された基板は、前述
の感光性組成物コーティング基板の場合と同様に、加熱
−選択的照射−加熱−現像処理により、基板上にパター
ンを形成することができる。但し、ドライフィルム型レ
ジストの場合には、露光後、現像前に支持フィルムをレ
ジスト膜面より剥離する。
又は転写フィルム型レジストが圧着された基板は、前述
の感光性組成物コーティング基板の場合と同様に、加熱
−選択的照射−加熱−現像処理により、基板上にパター
ンを形成することができる。但し、ドライフィルム型レ
ジストの場合には、露光後、現像前に支持フィルムをレ
ジスト膜面より剥離する。
【0075】さらに、基板がエッチング可能な場合に
は、感光性組成物コーティング基板と同様に、露出して
いる基板部分を適当なエッチング剤で除去し、更に必要
なら残存する被膜を適切な剥離剤で除去することにより
レリーフ画像を得ることができる。
は、感光性組成物コーティング基板と同様に、露出して
いる基板部分を適当なエッチング剤で除去し、更に必要
なら残存する被膜を適切な剥離剤で除去することにより
レリーフ画像を得ることができる。
【0076】このようにして形成されるパターンは、非
常に細密なパターンであり、コントラストも優れている
ため、微細画像が要求される印刷版、レリーフ、ディス
プレイ等や、プリント回路板の製造に有利に使用するこ
とができる。
常に細密なパターンであり、コントラストも優れている
ため、微細画像が要求される印刷版、レリーフ、ディス
プレイ等や、プリント回路板の製造に有利に使用するこ
とができる。
【0077】特に本発明の感光性組成物は、レジスト膜
の未露光部が架橋構造をとるため、従来のポジ型フォト
レジストにくらべて、未露光部が現像液やエッチング液
に対する耐性に優れ、形成されるパターンの精度が優れ
ており、そのため、微細パターンのプリント回路板、L
SI等の半導体精密加工、金属微細加工等の分野におい
て広範な応用が期待される。
の未露光部が架橋構造をとるため、従来のポジ型フォト
レジストにくらべて、未露光部が現像液やエッチング液
に対する耐性に優れ、形成されるパターンの精度が優れ
ており、そのため、微細パターンのプリント回路板、L
SI等の半導体精密加工、金属微細加工等の分野におい
て広範な応用が期待される。
【0078】以下、実施例により本発明をさらに具体的
に説明する。なお、「部」及び「%」は重量基準であ
る。
に説明する。なお、「部」及び「%」は重量基準であ
る。
【0079】製造例1:カルボキシル基及びヒドロキシ
フェニル基含有重合体A−1の合成 o−ヒドロキシ安息香酸600部、o−クレゾール90
0部、30%フォルマリン1145部、脱イオン水13
0部及び蓚酸6.5部をフラスコ入れ60分加熱還流さ
せた。しかる後15%塩酸を13.5部を加え40分加
熱還流させた。次いで400部の約15℃の脱イオン水
を加え、内容物を約50℃に保ち樹脂を沈殿させた。更
に400部の脱イオン水を加え50℃で樹脂を洗浄した
後、水層を除去し、更に同様な洗浄操作を3度繰り返し
た後、減圧下に約120℃で乾燥してノボラックフェノ
ール樹脂(重合体A−1)を得た。分子量約650、カ
ルボキシル基含有量2.8モル/kg重合体、ヒドロキ
シフェニル基含有量5.4モル/kg重合体。
フェニル基含有重合体A−1の合成 o−ヒドロキシ安息香酸600部、o−クレゾール90
0部、30%フォルマリン1145部、脱イオン水13
0部及び蓚酸6.5部をフラスコ入れ60分加熱還流さ
せた。しかる後15%塩酸を13.5部を加え40分加
熱還流させた。次いで400部の約15℃の脱イオン水
を加え、内容物を約50℃に保ち樹脂を沈殿させた。更
に400部の脱イオン水を加え50℃で樹脂を洗浄した
後、水層を除去し、更に同様な洗浄操作を3度繰り返し
た後、減圧下に約120℃で乾燥してノボラックフェノ
ール樹脂(重合体A−1)を得た。分子量約650、カ
ルボキシル基含有量2.8モル/kg重合体、ヒドロキ
シフェニル基含有量5.4モル/kg重合体。
【0080】製造例2:カルボキシル基及びヒドロキシ
フェニル基含有重合体A−2の合成 テトラヒドロフラン200部、p−ヒドロキシスチレン
65部、n−ブチルアクリレート28部、アクリル酸1
1部及びアゾビスイソブチロニトリル3部をフラスコに
入れ、容器内を窒素置換後撹拌しつつ100℃で2時間
加熱した。生成物を1500mlのトルエン中に注ぎ込
み、生成した沈殿を分離し、300mlのアセトンに溶
解した後、再び1500mlもトルエン中に注ぎ込ん
だ。沈殿を60℃で減圧乾燥して重合体A−2を得た。
分子量約5200、アクリル酸/n−ブチルアクリレー
ト/p−ヒドロキシスチレン=17/37/50(重量
比)、カルボキシル基含有量1.8モル/kg重合体、
ヒドロキシフェニル基含有量4.6モル/kg重合体。
フェニル基含有重合体A−2の合成 テトラヒドロフラン200部、p−ヒドロキシスチレン
65部、n−ブチルアクリレート28部、アクリル酸1
1部及びアゾビスイソブチロニトリル3部をフラスコに
入れ、容器内を窒素置換後撹拌しつつ100℃で2時間
加熱した。生成物を1500mlのトルエン中に注ぎ込
み、生成した沈殿を分離し、300mlのアセトンに溶
解した後、再び1500mlもトルエン中に注ぎ込ん
だ。沈殿を60℃で減圧乾燥して重合体A−2を得た。
分子量約5200、アクリル酸/n−ブチルアクリレー
ト/p−ヒドロキシスチレン=17/37/50(重量
比)、カルボキシル基含有量1.8モル/kg重合体、
ヒドロキシフェニル基含有量4.6モル/kg重合体。
【0081】製造例3:カルボキシル基及びヒドロキシ
フェニル基含有重合体A−3の合成 テトラヒドロフラン200部、p−ヒドロキシスチレン
93.5部、アクリル酸6.5部及びアゾビスイソブチロ
ニトリル3部をフラスコに入れ、容器内を窒素置換後撹
拌しつつ100℃で2時間加熱した。生成物を1500
mlのトエン中に注ぎ込み、生成した沈殿を分離し、3
00mlのアセトンに溶解した後、再び1500mlも
トルエン中に注ぎ込んだ。沈殿を60℃で減圧乾燥して
重合体A−3を得た。分子量約2300、カルボキシル
基含有量1.0モル/kg重合体、ヒドロキシフェニル
基含有量7.0モル/kg重合体。
フェニル基含有重合体A−3の合成 テトラヒドロフラン200部、p−ヒドロキシスチレン
93.5部、アクリル酸6.5部及びアゾビスイソブチロ
ニトリル3部をフラスコに入れ、容器内を窒素置換後撹
拌しつつ100℃で2時間加熱した。生成物を1500
mlのトエン中に注ぎ込み、生成した沈殿を分離し、3
00mlのアセトンに溶解した後、再び1500mlも
トルエン中に注ぎ込んだ。沈殿を60℃で減圧乾燥して
重合体A−3を得た。分子量約2300、カルボキシル
基含有量1.0モル/kg重合体、ヒドロキシフェニル
基含有量7.0モル/kg重合体。
【0082】製造例4 :カルボキシル基含有重合体A−4の合成 アクリル酸 216部 スチレン 500部 n−ブチルメタアクリレート 284部 アゾビスイソブチロニトリル(AIBN) 50部 よりなる混合物を、80℃に加熱し撹拌されているメチ
ルイソブチルケトン600部中に2時間を要して滴下し
た後、その温度に更に2時間保った重合体A−4を得
た。固形分約62.5%、カルボキシル基3モル/k
g、芳香族環含有量34.6重量部/100重量部重合
体。
ルイソブチルケトン600部中に2時間を要して滴下し
た後、その温度に更に2時間保った重合体A−4を得
た。固形分約62.5%、カルボキシル基3モル/k
g、芳香族環含有量34.6重量部/100重量部重合
体。
【0083】製造例5 :カルボキシル基含有重合体A−5の合成 アクリル酸 288部 スチレン 300部 n−ブチルアクリレート 255部 2−ヒドロキシエチルアクリレート 157部 t−ブチルパーオキシベンゾエート 100部 よりなる混合物を、110℃に加熱し撹拌されている2
−ブトキシエタノール1000部中に2時間を要して滴
下した後、その温度に更に2時間保って重合体A−5を
得た。固形分約50%、カルボキシル基4モル/kg、
芳香族環含有量20.7重量部/100重量部重合体。
−ブトキシエタノール1000部中に2時間を要して滴
下した後、その温度に更に2時間保って重合体A−5を
得た。固形分約50%、カルボキシル基4モル/kg、
芳香族環含有量20.7重量部/100重量部重合体。
【0084】製造例6 :カルボキシル基含有重合体A−6の合成 アクリル酸 72部 スチレン 650部 エチルアクリレート 100部 n−ブチルアクリレート 178部 AIBN 75部 よりなる混合物を製造例1と全く同様にして重合して、
重合体A−6を得た。固形分約62.5%、カルボキシ
ル基含有量1モル/kg、芳香族環含有量45重量部/
100重量部重合体。
重合体A−6を得た。固形分約62.5%、カルボキシ
ル基含有量1モル/kg、芳香族環含有量45重量部/
100重量部重合体。
【0085】製造例7:ヒドロキシフェニル基含有重合
体A−7の合成 o−クレゾール1490部、30%フォルマリン114
5部、脱イオン水130部及び蓚酸6.5部をフラスコ
に入れ60分加熱還流させた。次いで15%塩酸を1
3.5部を加え40分加熱還流させた後、400部の約
15℃の脱イオン水を加え内容物を約75℃に保ち樹脂
を沈殿させた。ついで35%水酸化ナトリウム溶液を加
え中和後水層を除去し、400部の脱イオン水を加え7
5℃で樹脂を洗浄した後水層を除去し、更に同様な洗浄
操作を2度繰り返した後、減圧下に約120℃で乾燥し
てノボラックフェノール樹脂(重合体A−7)を得た。
分子量600。
体A−7の合成 o−クレゾール1490部、30%フォルマリン114
5部、脱イオン水130部及び蓚酸6.5部をフラスコ
に入れ60分加熱還流させた。次いで15%塩酸を1
3.5部を加え40分加熱還流させた後、400部の約
15℃の脱イオン水を加え内容物を約75℃に保ち樹脂
を沈殿させた。ついで35%水酸化ナトリウム溶液を加
え中和後水層を除去し、400部の脱イオン水を加え7
5℃で樹脂を洗浄した後水層を除去し、更に同様な洗浄
操作を2度繰り返した後、減圧下に約120℃で乾燥し
てノボラックフェノール樹脂(重合体A−7)を得た。
分子量600。
【0086】製造例8:ヒドロキシフェニル基含有重合
体A−8の合成 テトラヒドロフラン60部、p−ヒドロキシスチレン2
1部、n−ブチルアクリレート9部及びアゾビスイソブ
チロニトリル3部をフラスコに入れ容器内を窒素置換
後、撹拌しつつ100℃で2時間加熱した。生成物を7
00mlのトルエン中に注ぎ込み生成した沈殿を分離
し、100mlのアセトンに溶解した後、再び700m
lもトルエン中に注ぎ込んだ。沈殿を60℃で減圧乾燥
して重合体A−8を得た。分子量約14000;n−ブ
チルアクリレート/p−ヒドロキシスチレン=35/6
5(重合比)。
体A−8の合成 テトラヒドロフラン60部、p−ヒドロキシスチレン2
1部、n−ブチルアクリレート9部及びアゾビスイソブ
チロニトリル3部をフラスコに入れ容器内を窒素置換
後、撹拌しつつ100℃で2時間加熱した。生成物を7
00mlのトルエン中に注ぎ込み生成した沈殿を分離
し、100mlのアセトンに溶解した後、再び700m
lもトルエン中に注ぎ込んだ。沈殿を60℃で減圧乾燥
して重合体A−8を得た。分子量約14000;n−ブ
チルアクリレート/p−ヒドロキシスチレン=35/6
5(重合比)。
【0087】製造例9:ビニルエーテル化合物B−1の
合成 ビスフェノールA45.6g、2−クロロエチルビニル
エーテル80ml及びトルエン100mlを250ml
のフラスコに入れ、窒素置換後20gの水酸化ナトリウ
ムを投入し、80℃30分加熱した。その後4.56g
のテトラブチルアンモニウムブロマイドを20mlの2
−クロロエチルビニルエーテルに溶解した溶液を投入
し、95℃で5時間加熱反応させた。反応物を3回脱イ
オン水で洗浄した後、油層を分離した。油層を蒸留して
未反応2−クロロエチルビニルエーテル及びトルエンを
除去してビニルエーテル化合物B−1を得た。この化合
物は一分子中にビニルエーテル基を2個含んでいた。
合成 ビスフェノールA45.6g、2−クロロエチルビニル
エーテル80ml及びトルエン100mlを250ml
のフラスコに入れ、窒素置換後20gの水酸化ナトリウ
ムを投入し、80℃30分加熱した。その後4.56g
のテトラブチルアンモニウムブロマイドを20mlの2
−クロロエチルビニルエーテルに溶解した溶液を投入
し、95℃で5時間加熱反応させた。反応物を3回脱イ
オン水で洗浄した後、油層を分離した。油層を蒸留して
未反応2−クロロエチルビニルエーテル及びトルエンを
除去してビニルエーテル化合物B−1を得た。この化合
物は一分子中にビニルエーテル基を2個含んでいた。
【0088】製造例10:ビニルエーテル化合物B−2
の合成 o−クレゾール1490部、30%フォルマリン114
5部、脱イオン水130部及び蓚酸6.5部をフラスコ
に入れ60分加熱還流させた。次いで15%塩酸を1
3.5部を加え40分加熱還流させた。次いで400部
の約15℃の脱イオン水を加え、内容物を約75℃に保
ち樹脂を沈殿させた。次いで35%水酸化ナトリウム溶
液を加え中和後水層を除去し、更に、400部の脱イオ
ン水を加え75℃で樹脂を洗浄した後水層を除去、更に
同様な洗浄操作を2度繰り返した後、減圧下に約120
℃で乾燥してノボラックフェノール樹脂を得た。ビスフ
ェノールA45.6gの代わりに当該樹脂を15gを使
用する以外は製造例9と全く同様の方法でビニルエーテ
ル化合物B−2を得た。この化合物は一分子中にビニル
エーテル基約3.5個を含んでいた。
の合成 o−クレゾール1490部、30%フォルマリン114
5部、脱イオン水130部及び蓚酸6.5部をフラスコ
に入れ60分加熱還流させた。次いで15%塩酸を1
3.5部を加え40分加熱還流させた。次いで400部
の約15℃の脱イオン水を加え、内容物を約75℃に保
ち樹脂を沈殿させた。次いで35%水酸化ナトリウム溶
液を加え中和後水層を除去し、更に、400部の脱イオ
ン水を加え75℃で樹脂を洗浄した後水層を除去、更に
同様な洗浄操作を2度繰り返した後、減圧下に約120
℃で乾燥してノボラックフェノール樹脂を得た。ビスフ
ェノールA45.6gの代わりに当該樹脂を15gを使
用する以外は製造例9と全く同様の方法でビニルエーテ
ル化合物B−2を得た。この化合物は一分子中にビニル
エーテル基約3.5個を含んでいた。
【0089】製造例11:ビニルエーテル化合物B−3
の合成 トリメチロールプロパン1モルとトリレンジイソシアネ
ート3モルとを反応させたポリイソシアネートの75%
エチレングリコールジメチルエーテル溶液875部と2
−ヒドロキシエチルビニルエーテル264部とをジブチ
ル錫ジアセテート1部の存在下に35℃で3時間反応し
てビニルエーテル化合物B−3を得た。この化合物は一
分子中にビニルエーテル基を3個含んでいた。固形分約
81%。実施例1 重合体A−1 100部 ビニルエーテル化合物B−1 60部 光酸発生化合物C−1(注1) 10部 の混合物をジエチレングリコールジメチルエーテルに溶
解して20重量%の溶液とした。
の合成 トリメチロールプロパン1モルとトリレンジイソシアネ
ート3モルとを反応させたポリイソシアネートの75%
エチレングリコールジメチルエーテル溶液875部と2
−ヒドロキシエチルビニルエーテル264部とをジブチ
ル錫ジアセテート1部の存在下に35℃で3時間反応し
てビニルエーテル化合物B−3を得た。この化合物は一
分子中にビニルエーテル基を3個含んでいた。固形分約
81%。実施例1 重合体A−1 100部 ビニルエーテル化合物B−1 60部 光酸発生化合物C−1(注1) 10部 の混合物をジエチレングリコールジメチルエーテルに溶
解して20重量%の溶液とした。
【0090】シリコンウェハー上に乾燥膜厚で1μmに
なるようにスピンコターで塗装した後90℃で10分間
乾燥した。
なるようにスピンコターで塗装した後90℃で10分間
乾燥した。
【0091】この基板に波長356nmの紫外光を照射
量を段階的に変化させて照射し120℃で20分加熱し
た後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロオ
キサイド水溶液を用いて現像した。
量を段階的に変化させて照射し120℃で20分加熱し
た後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロオ
キサイド水溶液を用いて現像した。
【0092】紫外線照射量に対する現像後の膜の残存率
曲線から求めたγ値(注2)は11.0と、コントラス
トが極めて高い値を示し、未露光部分の膜の減少、膨潤
は全く見られなかった。
曲線から求めたγ値(注2)は11.0と、コントラス
トが極めて高い値を示し、未露光部分の膜の減少、膨潤
は全く見られなかった。
【0093】同様にシリコンウェハー上に1μmの膜を
形成し、パターンマスクを用いて365nmの紫外光線
を露光量8mj/cm2で照射した後、上記したのと全
く同様に処理してライン/スペース=1/1μmの画像
を形成した。画像パターンの断面形状をウェハー表面と
画像パターン壁面とのなす角度で評価した。角度は89
度であり極めて優れたパターン形状であった。画像形成
最低露光量は6mj/cm2であった。
形成し、パターンマスクを用いて365nmの紫外光線
を露光量8mj/cm2で照射した後、上記したのと全
く同様に処理してライン/スペース=1/1μmの画像
を形成した。画像パターンの断面形状をウェハー表面と
画像パターン壁面とのなす角度で評価した。角度は89
度であり極めて優れたパターン形状であった。画像形成
最低露光量は6mj/cm2であった。
【0094】(注1) 光酸発生化合物C−1:下記式
のものを用いた。
のものを用いた。
【0095】
【化31】
【0096】(注2) γ値:コントラストを表す指標
であり、値が大きいほどコントラストは高い。測定は
「フォトポリマー懇話会編、フォトポリマーハンドブッ
ク、101〜103頁、(1989)工業調査会」記載
の方法によった。
であり、値が大きいほどコントラストは高い。測定は
「フォトポリマー懇話会編、フォトポリマーハンドブッ
ク、101〜103頁、(1989)工業調査会」記載
の方法によった。
【0097】実施例2 重合体A−2 100部 ビニルエーテル化合物B−2 25部 光酸発生化合物C−2(注3) 7.5部 増感色素1(注4) 1部 の混合物を実施例1と同様にして溶解し、シリコンウェ
ハー上に乾燥膜厚3μmになるようにスピンコータで塗
装し、50℃で10分間乾燥した。
ハー上に乾燥膜厚3μmになるようにスピンコータで塗
装し、50℃で10分間乾燥した。
【0098】この基板を488nmの可視光線を用いる
以外は実施例1と全く同様にして、γ値を求めた。γ値
は10.1と、コントラストが極めて高い値を示し、未
露光部分の膜の減少、膨潤は全く認められなかった。
以外は実施例1と全く同様にして、γ値を求めた。γ値
は10.1と、コントラストが極めて高い値を示し、未
露光部分の膜の減少、膨潤は全く認められなかった。
【0099】次いで照射光線として488nmの可視光
を用い、露光量を3mj/cm2とする以外は実施例1
と全く同様にして画像パターンの形状を評価した。角度
は87度であり極めて優れたパターン形状であった。画
像形成最低露光量は2mj/cm2であった。
を用い、露光量を3mj/cm2とする以外は実施例1
と全く同様にして画像パターンの形状を評価した。角度
は87度であり極めて優れたパターン形状であった。画
像形成最低露光量は2mj/cm2であった。
【0100】(注3) 光酸発生化合物C−2:下記式
のものを用いた。
のものを用いた。
【0101】
【化32】
【0102】(注4) 増感色素1:下記式のものを用
いた。
いた。
【0103】
【化33】
【0104】実施例3 重合体A−3 100部 ビニルエーテル化合物B−3(固形分81%) 20部 光酸発生化合物C−3(注5) 5部 の混合物を実施例1と同様にして溶解し、ポリイミドフ
ィルムに18μmの銅箔をラミネートした基板にロール
コーターで乾燥膜厚5μmとなるように塗装し、110
℃で10分間乾燥した。
ィルムに18μmの銅箔をラミネートした基板にロール
コーターで乾燥膜厚5μmとなるように塗装し、110
℃で10分間乾燥した。
【0105】この基板を実施例1と全く同様にしてγ値
を求めた。γ値は9.9と極めて高かった。
を求めた。γ値は9.9と極めて高かった。
【0106】次いで同様にして作成した基板上にライン
/スペース=50/50μmフォトマスクを介して超高
圧水銀灯で365nmでモニタした光量で12mj/c
m2露光後130℃で15分加熱した。次いで3%炭酸
ソーダ水溶液で現像を行った後、塩化銅を用いて露出し
た銅をエッチングし、次いで3%苛性ソーダ水溶液で基
板上の被膜を除去することにより優れたエッチングパタ
ーンが基板上に形成された。
/スペース=50/50μmフォトマスクを介して超高
圧水銀灯で365nmでモニタした光量で12mj/c
m2露光後130℃で15分加熱した。次いで3%炭酸
ソーダ水溶液で現像を行った後、塩化銅を用いて露出し
た銅をエッチングし、次いで3%苛性ソーダ水溶液で基
板上の被膜を除去することにより優れたエッチングパタ
ーンが基板上に形成された。
【0107】(注5) 光酸発生化合物C−3:下記式
のものを用いた。
のものを用いた。
【0108】
【化34】
【0109】実施例4 重合体A−4(固形分62.5%) 80部 重合体A−7 65部 ビニルエーテル化合物B−1 60部 光酸発生化合物C−1 10部 の混合物をジエチレングリコールジメチルエーテルに溶
解して20重量%の溶液とした。
解して20重量%の溶液とした。
【0110】シリコンウェハー上に乾燥膜厚で1μmに
なるようにスピンコターで塗装した後90℃で10分間
乾燥した。
なるようにスピンコターで塗装した後90℃で10分間
乾燥した。
【0111】この基板に波長356nmの紫外光を照射
量を段階的に変化させて照射し120℃で20分加熱し
た後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロオ
キサイド水溶液を用いて現像した。
量を段階的に変化させて照射し120℃で20分加熱し
た後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロオ
キサイド水溶液を用いて現像した。
【0112】紫外線照射量に対する現像後の膜の残存率
曲線から求めたγ値は10.2と、コントラストが極め
て高い値を示し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見
られなかった。
曲線から求めたγ値は10.2と、コントラストが極め
て高い値を示し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見
られなかった。
【0113】同様にシリコンウェハー上に1μmの膜を
形成し、パターンマスクを用いて365nmの紫外光線
を露光量8mj/cm2で照射した後、上記したのと全
く同様に処理してライン/スペース=1/1μmの画像
を形成した。画像パターンの断面形状をウェハー表面と
画像パターン壁面とのなす角度で評価した。角度は89
度であり極めて優れたパターン形状であった。画像形成
最低露光量は6mj/cm2であった。
形成し、パターンマスクを用いて365nmの紫外光線
を露光量8mj/cm2で照射した後、上記したのと全
く同様に処理してライン/スペース=1/1μmの画像
を形成した。画像パターンの断面形状をウェハー表面と
画像パターン壁面とのなす角度で評価した。角度は89
度であり極めて優れたパターン形状であった。画像形成
最低露光量は6mj/cm2であった。
【0114】実施例5 重合体A−5(固形分50%) 200部 重合体A−8 100部 ビニルエーテル化合物B−2 100部 光酸発生化合物C−2 7.5部 増感色素1 1部 の混合物を実施例4と同様にして溶解し、シリコンウェ
ハー上に乾燥膜厚3μmになるようにスピンコータで塗
装し、50℃で10分間乾燥した。
ハー上に乾燥膜厚3μmになるようにスピンコータで塗
装し、50℃で10分間乾燥した。
【0115】この基板を488nmの可視光線を用いる
以外は実施例4と全く同様にして、γ値を求めた。γ値
は11.3と、コントラストが極めて高い値を示し、未
露光部分の膜の減少、膨潤は全く認められなかった。
以外は実施例4と全く同様にして、γ値を求めた。γ値
は11.3と、コントラストが極めて高い値を示し、未
露光部分の膜の減少、膨潤は全く認められなかった。
【0116】次いで上記の条件で塗装、乾燥した基板を
照射光線として488nmの可視光を用い、露光量を2
mj/cm2とし、露光後の加熱条件を90℃、10分
とする以外は実施例4と全く同様にして画像パターンの
形状を評価した。角度は88度であり極めて優れたパタ
ーン形状であった。画像形成最低露光量は1.5mj/
cm2であった。
照射光線として488nmの可視光を用い、露光量を2
mj/cm2とし、露光後の加熱条件を90℃、10分
とする以外は実施例4と全く同様にして画像パターンの
形状を評価した。角度は88度であり極めて優れたパタ
ーン形状であった。画像形成最低露光量は1.5mj/
cm2であった。
【0117】実施例6 重合体A−6(固形分62.5%) 112部 重合体A−8 30部 ビニルエーテル化合物B−3(固形分81%) 15部 光酸発生化合物C−3 5部 の混合物を実施例4と同様にして溶解し、ポリイミドフ
ィルムに18μmの銅箔をラミネートした基板にロール
コーターで乾燥膜厚5μmとなるように塗装し、100
℃で15分間乾燥した。
ィルムに18μmの銅箔をラミネートした基板にロール
コーターで乾燥膜厚5μmとなるように塗装し、100
℃で15分間乾燥した。
【0118】この基板を実施例4と全く同様にしてγ値
を求めた。γ値は9.8と極めて高かった。
を求めた。γ値は9.8と極めて高かった。
【0119】次いで同様にして作成した基板上にライン
/スペース=50/50μmフォトマスクを介して超高
圧水銀灯で365nmでモニタした光量で10mj/c
m2露光後100℃で15分加熱した。次いで3%炭酸
ソーダ水溶液で現像を行った後、塩化銅を用いて露出し
た銅をエッチングし、次いで3%苛性ソーダ水溶液で基
板上の被膜を除去しすることにより優れたエッチングパ
ターンが基板上に形成された。
/スペース=50/50μmフォトマスクを介して超高
圧水銀灯で365nmでモニタした光量で10mj/c
m2露光後100℃で15分加熱した。次いで3%炭酸
ソーダ水溶液で現像を行った後、塩化銅を用いて露出し
た銅をエッチングし、次いで3%苛性ソーダ水溶液で基
板上の被膜を除去しすることにより優れたエッチングパ
ターンが基板上に形成された。
【0120】比較例1 カルボキシル基含有重合体1 アクリル酸 288部 スチレン 300部 n−ブチルアクリレート 300部 2−ヒドロキシエチルアクリレート 112部 t−ブチルパーオキシベンゾエート 100部 よりなる混合物を、110度に加熱し撹拌されている2
−ブトキシエタノール1000部中に2時間を要して滴
下した後、その温度に更に2時間保って重合体1を得
た。固形分約50%、カルボキシル基4モル/kg、芳
香族環含有量20.7重量部/100重量部重合体。
−ブトキシエタノール1000部中に2時間を要して滴
下した後、その温度に更に2時間保って重合体1を得
た。固形分約50%、カルボキシル基4モル/kg、芳
香族環含有量20.7重量部/100重量部重合体。
【0121】 重合体1(固形分50%) 200部 感光剤1(注6) 30部 をジエチレングリコールジメチルエーテルで20%溶液
としてシリコンウェハー上に乾燥膜厚1.3μmとなる
ようスピンコーターで塗装し、120℃で20分乾燥し
た後、実施例1と同様にして特性曲線を得た。γ値は
2.1であり、未露光部は露光部が完全に溶解した時点
で約30%溶解した。
としてシリコンウェハー上に乾燥膜厚1.3μmとなる
ようスピンコーターで塗装し、120℃で20分乾燥し
た後、実施例1と同様にして特性曲線を得た。γ値は
2.1であり、未露光部は露光部が完全に溶解した時点
で約30%溶解した。
【0122】現像液を0.5%炭酸ソーダ水溶液に変更
して同様にγ値を測定した。γ値は3.3であり、未露
光部は露光部が完全に溶解した時点で約3%溶解した。
して同様にγ値を測定した。γ値は3.3であり、未露
光部は露光部が完全に溶解した時点で約3%溶解した。
【0123】露光量を80mj/cm2とし、現像液に
0.5%炭酸ソーダ水溶液を使用する以外は実施例1と
全く同様にして基板上にパターンを形成し、その断面を
観察した。基板とパターンのなす角度は79度であっ
た。本例では露光量60mj/cm2以下では画像を形
成できなかった。
0.5%炭酸ソーダ水溶液を使用する以外は実施例1と
全く同様にして基板上にパターンを形成し、その断面を
観察した。基板とパターンのなす角度は79度であっ
た。本例では露光量60mj/cm2以下では画像を形
成できなかった。
【0124】(注6) 感光剤1:下記式のものを用い
た。
た。
【0125】
【化35】
【0126】比較例2 重合体2 o−クレゾール1490部30%フォルマリン1145
部、脱イオン水130部及び蓚酸6.5部をフラスコに
入れ60分加熱還流させた。次いで15%塩酸を13.
5部を加え40分加熱還流させた。次いで400部の約
15℃の脱イオン水を加え、内容物を約75℃に保ち樹
脂を沈殿させた。次いで35%水酸化ナトリウム溶液を
加え中和後水層を除去し、更に400部の脱イオン水を
加え75℃で樹脂を洗浄した後水層を除去し、更に同様
な洗浄操作を2度繰り返した後、減圧下に約120℃で
乾燥してノボラックフェノール樹脂(重合体2)を得
た。分子量約600であった。
部、脱イオン水130部及び蓚酸6.5部をフラスコに
入れ60分加熱還流させた。次いで15%塩酸を13.
5部を加え40分加熱還流させた。次いで400部の約
15℃の脱イオン水を加え、内容物を約75℃に保ち樹
脂を沈殿させた。次いで35%水酸化ナトリウム溶液を
加え中和後水層を除去し、更に400部の脱イオン水を
加え75℃で樹脂を洗浄した後水層を除去し、更に同様
な洗浄操作を2度繰り返した後、減圧下に約120℃で
乾燥してノボラックフェノール樹脂(重合体2)を得
た。分子量約600であった。
【0127】 重合体2 100部 感光剤1 20部 を比較例1と同様にして溶解しシリコンウェハー上に
1.3μmの被膜を形成した。実施例1と全く同様にし
てγ値を測定した。
1.3μmの被膜を形成した。実施例1と全く同様にし
てγ値を測定した。
【0128】γ値は4.6で、露光部が完全に溶解した
時点で未露光部が約15%溶解した。次いで、露光量が
80mj/cm2とする以外は実施例1と全く同様にし
てパターンを形成し、その断面を観察した。基板とパタ
ーンのなす角度は82度であった。本例では55mj/
cm2以下ではパターンを形成することができなかっ
た。
時点で未露光部が約15%溶解した。次いで、露光量が
80mj/cm2とする以外は実施例1と全く同様にし
てパターンを形成し、その断面を観察した。基板とパタ
ーンのなす角度は82度であった。本例では55mj/
cm2以下ではパターンを形成することができなかっ
た。
【0129】実施例7 厚さ75μmの表面に膜厚3μmのアミノアルキド樹脂
被膜系易剥離処理を施したポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、 重合体A−2 100部 ビニルエーテル化合物B−1 30部 光酸発生化合物C−1 8部 をエチレングリコールモノエチルエーテルに溶解して3
0重量%の溶液としたレジストを乾燥膜厚5μmになる
ようにロールコーターで塗布した後、50℃で10分間
乾燥した。次いでシリコーンで離型処理した厚さ100
μmのポリエチレンテレフタレートフィルムをレジスト
面に装着してドライフィルム型レジストとした。
被膜系易剥離処理を施したポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、 重合体A−2 100部 ビニルエーテル化合物B−1 30部 光酸発生化合物C−1 8部 をエチレングリコールモノエチルエーテルに溶解して3
0重量%の溶液としたレジストを乾燥膜厚5μmになる
ようにロールコーターで塗布した後、50℃で10分間
乾燥した。次いでシリコーンで離型処理した厚さ100
μmのポリエチレンテレフタレートフィルムをレジスト
面に装着してドライフィルム型レジストとした。
【0130】このドライフィルム型レジストを、厚さ1
00μmポリイミドフィルムに18μmの銅箔をラミネ
ートした基板に、ロール温度100℃のラミネーターを
用いて圧着した。
00μmポリイミドフィルムに18μmの銅箔をラミネ
ートした基板に、ロール温度100℃のラミネーターを
用いて圧着した。
【0131】この基板を実施例1と全く同様にして露光
後支持フィルムを剥離し、110℃で10分間加熱処理
した後実施例1と全く同様にしてγ値を求めた。その結
果、γ値は8.5と極めて高く、また未露光部の膜の減
少、膨潤は全く認められなかった。
後支持フィルムを剥離し、110℃で10分間加熱処理
した後実施例1と全く同様にしてγ値を求めた。その結
果、γ値は8.5と極めて高く、また未露光部の膜の減
少、膨潤は全く認められなかった。
【0132】次いで同様にして作成した基板を露光後に
支持フィルムを剥離する以外は実施例3と全く同様にし
て基板上にエッチングパターンを形成した。その結果、
パターン欠陥の無い優れたエッチングパターンが得られ
た。
支持フィルムを剥離する以外は実施例3と全く同様にし
て基板上にエッチングパターンを形成した。その結果、
パターン欠陥の無い優れたエッチングパターンが得られ
た。
【0133】実施例8 実施例7において基板にレジストフィルムを圧着後支持
フィルムを剥離することにより基板上に転写レジスト膜
を型性せしめる以外は実施例7と全く同様にしてγ値の
測定及びエッチングパターンの形成を行った。その結
果、γ値は8.7と極めて高く、未露光部の減少、膨潤
は全く認められず、また得られたエッチングパターンは
欠陥がなく優れていた。
フィルムを剥離することにより基板上に転写レジスト膜
を型性せしめる以外は実施例7と全く同様にしてγ値の
測定及びエッチングパターンの形成を行った。その結
果、γ値は8.7と極めて高く、未露光部の減少、膨潤
は全く認められず、また得られたエッチングパターンは
欠陥がなく優れていた。
【0134】実施例9 厚さ75μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に第一層として厚さ2μmのポリビニルアルコール被膜
層を形成し、更にその上に 重合体A−5(固形分50%) 200部 重合体A−8 100部 ビニルエーテル化合物B−2 100部 光酸発生化合物C−2 7.5部 増感色素1 1部 をメトキシプロパノールに溶解し25重量%とした溶液
を乾燥膜厚8μmとなるようにロールコーターで塗布
し、60℃で5分間乾燥して転写フィルム型レジストを
得た。
に第一層として厚さ2μmのポリビニルアルコール被膜
層を形成し、更にその上に 重合体A−5(固形分50%) 200部 重合体A−8 100部 ビニルエーテル化合物B−2 100部 光酸発生化合物C−2 7.5部 増感色素1 1部 をメトキシプロパノールに溶解し25重量%とした溶液
を乾燥膜厚8μmとなるようにロールコーターで塗布
し、60℃で5分間乾燥して転写フィルム型レジストを
得た。
【0135】実施例6と同様な基板上にロール温度75
℃のラミネーターを用いてこの転写フィルム型レジスト
を圧着した後支持フィルムを剥離した。次いで実施例5
と全く同様にしてγ値を求めた。その結果、γ値は1
1.1と極めて高い値を示した。また未露光部の膜の減
少、膨潤は全く認められなかった。
℃のラミネーターを用いてこの転写フィルム型レジスト
を圧着した後支持フィルムを剥離した。次いで実施例5
と全く同様にしてγ値を求めた。その結果、γ値は1
1.1と極めて高い値を示した。また未露光部の膜の減
少、膨潤は全く認められなかった。
【0136】次いで同様にして基板上に形成した転写フ
ィルムレジスト膜上に488nmの波長のアルゴンイオ
ンレーザー光線を用いた直接描画機により2mJ/cm
2のエネルギー密度でライン/スペース=30μm/3
0μmのパターンを描画した。次いで100℃で15分
加熱後3%炭酸ソーダ水溶液で現像し、塩化第2銅を用
いて露出した銅をエッチングし、更に基板上に残存する
レジスト被膜を3%苛性ソーダ水溶液で除去したとこ
ろ、欠陥の無い優れたエッチングパターンが基板上に形
成された。
ィルムレジスト膜上に488nmの波長のアルゴンイオ
ンレーザー光線を用いた直接描画機により2mJ/cm
2のエネルギー密度でライン/スペース=30μm/3
0μmのパターンを描画した。次いで100℃で15分
加熱後3%炭酸ソーダ水溶液で現像し、塩化第2銅を用
いて露出した銅をエッチングし、更に基板上に残存する
レジスト被膜を3%苛性ソーダ水溶液で除去したとこ
ろ、欠陥の無い優れたエッチングパターンが基板上に形
成された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−106038(JP,A) 特開 昭55−12995(JP,A) 特開 昭48−89003(JP,A) 特開 平5−100428(JP,A) 特開 平5−100429(JP,A) 特開 平6−161110(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03F 7/00 - 7/18
Claims (9)
- 【請求項1】 A) 重合体1kgあたり0.5〜10
当量の範囲内のカルボキシル基と重合体1kgあたり少
なくとも1当量のヒドロキシフェニル基を含有し、そし
て500〜100000の範囲内の数平均分子量及び0
℃以上のガラス転移温度を有する重合体、 B) 一分子中に少なくとも2個以上のビニルエーテル
基を含有する化合物、及び C) 活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物
を含むことを特徴とする感光性組成物。 - 【請求項2】 ビニルエーテル基含有化合物(B)が、
式−R−O−CH=CH2[ここで、Rは炭素数1〜6
の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表わす]で
示されるビニルエーテル基を2〜4個含有する低分子量
又は高分子量の化合物である請求項1記載の組成物。 - 【請求項3】 ビニルエーテル基含有化合物B)を重合
体A)100重量部に対して5〜150重量部の範囲内
で含有する請求項1又は2記載の組成物。 - 【請求項4】 光酸発生化合物(C)が、下記式(I)
〜(XIV) 【化1】 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】 【化6】 【化7】 【化8】 [式中、R1及びR2はそれぞれ独立に炭素数1〜12
のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表
す] 【化9】 [式中、R1及びR2は上記と同じ意味を有する] 【化10】 よりなる群から選ばれる請求項1〜3のいずれか一項に
記載の組成物。 - 【請求項5】 光酸発生化合物C)を重合体A)とビニ
ルエーテル基含有化合物B)との合計量100重量部に
対して0.1〜40重量部の範囲内で含有する請求項1
〜4のいずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項6】 フェノチアジン系、アントラセン系、コ
ロネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、ピレン
系、メロシアニン系及びケトクマリン系よりなる群から
選ばれる増感色素を重合体A)100重量部に対して
0.1〜10重量部の範囲内で更に含有する請求項1〜
5のいずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項7】 請求項1〜6のいずれか一項に記載の感
光性組成物を基板に塗布する工程、該基板を加熱する工
程、活性エネルギー線を選択的に照射する工程、照射後
に基板を加熱する工程、塩基性現像液で現像する工程を
順次行うことを特徴とするパターンの形成方法。 - 【請求項8】 請求項1〜6のいずれか一項に記載の感
光性組成物を、活性光線を透過しうる透明な支持フィル
ム上に塗布し乾燥して感光性被膜層を形成せしめ、ドラ
イフィルムレジストをつくる工程、該ドライフィルム型
レジストの感光性被膜層を基板に圧着する工程、該基板
を加熱する工程、活性エネルギー線を支持フィルムを通
して選択的に照射する工程、照射後に基板を加熱する工
程、加熱後に支持フィルムを剥離し、塩基性現像液で現
像する工程を順次行なうことを特徴とするパターンの形
成方法。 - 【請求項9】 請求項1〜6のいずれか一項に記載の感
光性組成物を転写フィルム上に塗布し乾燥して感光性被
膜層を形成せしめ、転写フィルム型レジストをつくる工
程、該転写フィルム型レジストの感光性被膜層を基板に
圧着する工程、該基板を加熱する工程、加熱後に転写フ
ィルムを剥離し、活性エネルギー線を選択的に照射する
工程、照射後に基板を加熱する工程、塩基性現像液で現
像する工程を順次行なうことを特徴とするパターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6099139A JP2824209B2 (ja) | 1993-04-16 | 1994-04-14 | 感光性組成物及びパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11376993 | 1993-04-16 | ||
JP5-119353 | 1993-04-23 | ||
JP5-113769 | 1993-04-23 | ||
JP11935393 | 1993-04-23 | ||
JP6099139A JP2824209B2 (ja) | 1993-04-16 | 1994-04-14 | 感光性組成物及びパターンの形成方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15078598A Division JP2916137B2 (ja) | 1993-04-16 | 1998-05-15 | 感光性組成物及びパターンの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07146552A JPH07146552A (ja) | 1995-06-06 |
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ID=27308870
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6099139A Expired - Fee Related JP2824209B2 (ja) | 1993-04-16 | 1994-04-14 | 感光性組成物及びパターンの形成方法 |
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---|---|
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US6124077A (en) * | 1997-09-05 | 2000-09-26 | Kansai Paint Co., Ltd. | Visible light-sensitive compositions and pattern formation process |
JP3810538B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2006-08-16 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型画像形成材料 |
WO1999054788A1 (fr) * | 1998-04-17 | 1999-10-28 | Kansai Paint Co., Ltd. | Composition de resine photosensible |
TW554239B (en) | 1999-05-20 | 2003-09-21 | Kansai Paint Co Ltd | Positive type actinic ray-curable dry film and pattern-forming method by use of the same |
US6555286B1 (en) | 1999-08-25 | 2003-04-29 | Kansai Paint Co., Ltd. | Positive type actinic-ray-curable dry film and pattern-forming method by use of the same |
JP4481551B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2010-06-16 | 関西ペイント株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法 |
KR101309252B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2013-09-17 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 실록산 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
JP6270024B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2018-01-31 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、それを用いる半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3779778A (en) * | 1972-02-09 | 1973-12-18 | Minnesota Mining & Mfg | Photosolubilizable compositions and elements |
DE2829511A1 (de) * | 1978-07-05 | 1980-01-24 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
DE3730783A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
JP2668609B2 (ja) * | 1991-10-07 | 1997-10-27 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
JP2668608B2 (ja) * | 1991-10-07 | 1997-10-27 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
JPH06161110A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-07 | Nitto Denko Corp | 耐熱性ポジ型フォトレジスト組成物およびそれを用いた感光性基材ならびにパターン形成方法 |
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