JP2812838B2 - 薄膜形成装置のクリーニング方法 - Google Patents
薄膜形成装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JP2812838B2 JP2812838B2 JP18361592A JP18361592A JP2812838B2 JP 2812838 B2 JP2812838 B2 JP 2812838B2 JP 18361592 A JP18361592 A JP 18361592A JP 18361592 A JP18361592 A JP 18361592A JP 2812838 B2 JP2812838 B2 JP 2812838B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- thin film
- compound
- germanium
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
該装置の治具・部品、配管に堆積したゲルマニウムまた
はゲルマニウム化合物の薄膜、ゲルマニウムを添加した
シリコンまたはシリコン化合物の薄膜をN2プラズマ雰
囲気下でクリーニングする際に生成するヘキサフルオロ
ゲルマン酸アンモニウム等を、窒素雰囲気下で加熱また
はClF3 ガスあるいはF2 ガスと接触させて、装置、
治具、部品、配管を傷つけることなく除去する薄膜形成
装置のクリーニング方法に関する。
等を原料としてゲルマニウムまたはゲルマニウム化合物
を成膜する装置、シリコン系化合物薄膜にモノゲルマン
等を原料としてゲルマニウムをドーピングした薄膜を形
成する装置の内部には、水素化ゲルマニウム化合物、そ
の窒素化物等の化合物、水素化シリコンに微量のゲルマ
ニウムを含有した化合物等が付着あるいは堆積する。こ
の様な場合、反応装置内部のパーティクル発生の原因と
なるため、随時クリーニングしなければならない。
物、堆積物は、人力による掻き出し、拭き取り、サンド
ブラスト、酸アルカリによる湿式洗浄等の方法で除去さ
れている。また、この様な化合物を大気中に放出すると
発火等の危険性も伴う。したがって、反応装置を開放す
ることなく、安全かつ簡便なクリーニング法が望まれて
いる。
lF3 ガスを用いたクリーニング方法が開示され、さら
に特開平2−77579号には、プラズマCVD装置に
おいて、ClF3 ガスを用いたプラズマレスおよびプラ
ズマによるクリーニング方法が開示されている。しか
し、プラズマクリーニングで実施した場合、白色付着物
が生成するため、これを除去する必要がある。
点に鑑み、鋭意検討した結果、特定の温度での加熱また
は特定の温度のClF3 ガスあるいはF2 ガスを使用し
て、当該化合物と接触反応させる際に生成する白色付着
物を除去することにより装置を開放することなく容易に
堆積物を除去できることを見出した。
たシリコンまたはシリコン化合物の薄膜およびゲルマニ
ウムまたはゲルマニウム化合物の薄膜を製造する装置内
壁、該装置の治具・部品、配管に堆積した該化合物をN
2中のプラズマ雰囲気で除去する際に生成するヘキサフ
ルオロゲルマン酸アンモニウムおよびヘキサフルオロゲ
ルマニウム酸ヒドラジニウムを、反応装置内部を窒素雰
囲気下で220℃以上に加熱するか、100℃以上の温
度でClF3 ガスあるいはF2 ガスと反応させ除去する
ことを特徴とする薄膜形成装置のクリーニング方法を提
供するものである。
しては、ClF3 ガスあるいはF2ガスと、プラズマ雰
囲気中で反応させた後、該ガス等と100℃以上で反応
させるもので、具体的には、プラズマ雰囲気中で除去す
る場合には、希釈ガスとしてN2 ガスを使用するとCl
F3 ガスあるいはF2 ガスと装置内部に付着、堆積した
ゲルマニウムを含有した化合物との反応によりヘキサフ
ルオロゲルマン酸アンモニウム、ヘキサフルオロゲルマ
ニウム酸ヒドラジニウム等の生成が起こる。そのため、
ヘキサフルオロゲルマン酸アンモニウム等が生成した場
合には、反応装置内部を220℃以上に加熱するか、C
lF3 ガスあるいはF2 ガス雰囲気下で100℃以上の
温度で加熱することによりこれら化合物を簡単に除去で
きる。
薄膜形成装置内壁、該装置の治具・部品、配管等の付着
物、堆積物をクリーニング処理できる。
るが、本発明はかかる実施例により限定されるものでは
ない。
料ガスとしてアモルファスシリコン膜にゲルマニウムを
微量添加した薄膜を形成した。その際反応器壁には、薄
膜が付着すると同時に粉体が生成した。この装置内部に
プラズマ雰囲気中でN2 で希釈した1vol%ClF3
ガスを圧力2torrで導入し、装置内部のクリーニン
グを試みた。ClF3 ガス導入後に反応器内部を観察し
たところ、白色の化合物が付着していた。同様にN2 で
希釈した1vol%F2 ガスを圧力2torrで導入し
クリーニングを試みたところ、同じく白色の化合物が付
着していた。
分析法にて分析したところ、ヘキサフルオロゲルマニウ
ム酸ヒドラジニウム等を含有するヘキサフルオロゲルマ
ン酸アンモニウムを主成分とする化合物であった。
lF3 ガス雰囲気中で分析したところ、100℃付近か
ら急激に反応を開始し気化した(図1)。同様の分析を
100vol%F2 ガス雰囲気中にて実施しが、ClF
3 ガスの場合と同じ結果が得られた。また、窒素雰囲気
下でこの粉末を常温から徐々に加熱したところ220℃
から重量減少が確認された。
を行った。反応器内部に白色の化合物が付着していた。
反応器内部に150℃の10vol%ClF3ガスを圧
力2torrで導入した。その結果、生成した白色の化
合物は完全に除去できた。また、ClF3 ガスをF2 ガ
スに代えて同条件で除去を行ったところ、白色の化合物
は、完全に除去できた。
分の温度110℃に保持し、プラズマ雰囲気したN2で
希釈した1vol%ClF3 ガスを圧力2torrの条
件で導入しクリーニングを行った。その結果、白色の化
合物は生成せず完全にクリーニングできた。また、Cl
F3 ガスをF2 ガスに代えて同条件でクリーニングを行
ったところ、白色の化合物は生成せず完全にクリーニン
グできた。
のプラズマ雰囲気下におけるクリーニング方法は、薄膜
形成装置、治具、部品、配管等に付着、堆積したゲルマ
ニウム、ゲルマニウム含有化合物を装置の開放を行うこ
となく、安全かつ効率的に除去クリーニングを可能にす
るものである。
酸アンモニウム)の熱重量分析の結果を示す。
Claims (1)
- 【請求項1】 ゲルマニウムを添加したシリコンまたは
シリコン化合物の薄膜およびゲルマニウムまたはゲルマ
ニウム化合物の薄膜を製造する装置内壁、該装置の治具
・部品、配管に堆積した該化合物をN2中のプラズマ雰
囲気で除去する際に生成するヘキサフルオロゲルマン酸
アンモニウムおよびヘキサフルオロゲルマニウム酸ヒド
ラジニウムを、反応装置内部を窒素雰囲気下で220℃
以上に加熱するか、100℃以上の温度でClF3 ガス
あるいはF2 ガスと反応させ除去することを特徴とする
薄膜形成装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18361592A JP2812838B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 薄膜形成装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18361592A JP2812838B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 薄膜形成装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0625662A JPH0625662A (ja) | 1994-02-01 |
JP2812838B2 true JP2812838B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=16138887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18361592A Expired - Lifetime JP2812838B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 薄膜形成装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2812838B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030010354A1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-01-16 | Applied Materials, Inc. | Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber |
DE102005047081B4 (de) * | 2005-09-30 | 2019-01-31 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum plasmalosen Ätzen von Silizium mit dem Ätzgas ClF3 oder XeF2 |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP18361592A patent/JP2812838B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0625662A (ja) | 1994-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20060040054A1 (en) | Passivating ALD reactor chamber internal surfaces to prevent residue buildup | |
WO1997023663A1 (en) | A plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber | |
JP2812838B2 (ja) | 薄膜形成装置のクリーニング方法 | |
KR102615363B1 (ko) | 드라이 에칭 방법 또는 드라이 클리닝 방법 | |
JP2776700B2 (ja) | 珪フッ化アンモニウムのクリーニング方法 | |
JP3780307B2 (ja) | エピタキシャル成長炉系のクリーニング方法 | |
KR100240532B1 (ko) | 반도체 기판상에 규화 텅스텐 피복을 증착시키기 전에 증착챔버의 알루미늄 함유면들을 예비처리하기 위한 방법 | |
JP3025156B2 (ja) | 成膜装置のクリーニング方法 | |
JP3117069B2 (ja) | アルコキシシラン非完全分解物のクリーニング方法 | |
JP2901778B2 (ja) | Hfガスによる窒化珪素のクリーニング方法 | |
JP3770718B2 (ja) | フッ化アンモニウムの付着した基体のクリーニング方法 | |
JP2856613B2 (ja) | アルコキシシラン非完全分解物のクリーニング方法 | |
JP2776713B2 (ja) | 混合クリーニングガス組成物 | |
JP2842744B2 (ja) | エピタキシャル成長装置のクリーニング方法 | |
JPH0633054A (ja) | 塩化アンモニウムのクリーニング方法 | |
KR102237848B1 (ko) | 반도체 제조 장치의 클리닝 방법 | |
JP2000297377A (ja) | Si3N4成膜装置のクリーニング方法 | |
JP2877212B2 (ja) | ウエーハの気相エッチング方法 | |
JP3468412B2 (ja) | クリーニングガス | |
JP2885589B2 (ja) | 混合クリーニングガス組成物 | |
JP3183846B2 (ja) | クリーニングガス及びエッチングガス | |
JP2000038675A (ja) | クリーニングガス | |
JPH0322050B2 (ja) | ||
JPH0649627A (ja) | 窒化珪素のクリーニング方法 | |
JPH06326034A (ja) | プラズマcvd装置のクリーニング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100807 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100807 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110807 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110807 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110807 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |