JP2805256B2 - ヒドラジンカルボキサミド誘導体及びその製造方法、その用途ならびにその使用方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般式(I) （式中、R¹は水素原子又は低級アルキル基を示し、R²は
水素原子又は低級アルキル基を示し、R³は水素原子；水
酸基；低級アルキル基；低級アルコキシ基；低級アルキ
ルカルボニルオキシ基；フェニルカルボニルオキシ基；
又はフェニル環上に同一若しくは異なっても良いハロゲ
ン原子、低級アルキル基又は低級ハロアルキル基から選
択される１〜５個の置換基を有するフェニルカルボニル
オキシ基；を示し、R⁴は水素原子又は低級アルキル基を
示し、R³及びR⁴は一緒になって酸素原子を示すこともで
き、R⁵は水素原子；低級アルキルカルボニル基；低級ハ
ロアルキルカルボニル基；シクロアルキルカルボニル
基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルコキシジカ
ルボニル基；フェニルカルボニル基；同一又は異なって
も良いハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキ
ル基、低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基から
選択される１〜５個の置換基を有するフェニルカルボニ
ル基；又は同一又は異なっても良い１〜２個の水素原
子、低級アルキル基、フェニル基、又は同一又は異なっ
ても良いハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアル
キル基、低級アルコキシ基、若しくは低級ハロアルコキ
シ基から選択される１〜５個の置換基を有するフェニル
基から選択される置換基を有するアミノカルボニル基；
を示す。Ｘは１〜５個の同一又は異なっても良い、水素
原子；水酸基；ハロゲン原子；シアノ基；低級アルキル
基；低級ハロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロ
アルコキシ基；低級アルコキシアルキル基；低級アルケ
ニルオキシ基；シクロアルキルカルボニルオキシ基；低
級アルコキシカルボニルオキシ基；低級アルコキシカル
ボニルアルキルオキシ基；低級アルキルカルボニルアル
キルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；フェ
ノキシ基；メチレンジオキシ基；隣あった炭素原子と一
緒になった炭素原子数３〜４のアルケニレン基；アミノ
基；同一又は異なっても良い１〜２個の低級アルキル基
により置換されたアミノ基；同一又は異なっても良い１
〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカルボ
ニルオキシ基；又はジオキソラン基；を示し、Ｙは１〜
５個の同一又は異なっても良い、水素原子；水酸基；ハ
ロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハ
ロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロアルコキシ
基；低級アルケニルオキシ基；低級アルキルカルボニル
オキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級ハロ
アルキルスルホニルオキシ基；低級アルキルチオ基；低
級ハロアルキルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；
低級ハロアルキルスルフィニル基；低級アルキルスルホ
ニル基；低級ハロアルキルスルホニル基；低級アルコキ
シカルボニル基；アミノ基；ホルミル基、低級アルキル
カルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は同一又は
異なっても良い低級アルキル基により置換されたアミノ
カルボニル基から選択される１〜２個の置換基を有する
アミノ基；アミノカルボニル基；同一又は異なっても良
い１〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカ
ルボニル基; 同一又は異なっても良い１〜２個の低級ア
ルキル基により置換されたアミノスルホニル基；フェニ
ル基；又は隣あった炭素原子と一緒になって炭素原子数
２〜３のアザアルケニレン基；を示し、Ｚは１〜５個の
同一又は異なっても良い、水素原子；ハロゲン原子；シ
アノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハロアルキル基；
シクロアルキル基；同一又は異なっても良いハロゲン原
子又は低級アルキル基から選択される１〜５個の置換基
を有するシクロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハ
ロアルコキシ基；低級アルキルチオ基；低級ハロアルキ
ルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；低級ハロアル
キルスルフィニル基；低級アルキルスルホニル基；低級
ハロアルキルスルホニル基；低級アルキルカルボニル
基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルキルカルボ
ニルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級
ハロアルキルスルホニルオキシ基；フェノキシ基；１〜
５個の同一又は異なっても良いハロゲン原子、低級アル
キル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基又は低
級ハロアルコキシ基により置換されたフェノキシ基；ピ
リジルオキシ基；又は１〜４個の同一又は異なっても良
い、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル
基、低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基により
置換されたピリジルオキシ基；を示し、Ｗは酸素原子又
は硫黄原子を示す。）で表されるヒドラジンカルボキサ
ミド誘導体及びその製造方法、農園芸用殺虫剤並びにそ
の使用方法に関するものである。本発明の一般式(I) で
表されるヒドラジンカルボキサミド誘導体はＲ体又はＳ
体の立体異性体を有し、本発明はこれらのＲ体、Ｓ体又
はＲ体及びＳ体を任意の割合で含む混合物をも包含する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】特開昭４８−９１２２３号公報にセミカ
ルバジド類が殺虫剤として、特開昭５４−１１９０２９
号公報にチオセミカルバゾン類が農園芸用病害防除剤と
して、特開昭６３−９３７６１号公報に置換ヒドラゾン
類が有害生物防除剤として開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は新規な殺
虫剤を創出すべく鋭意研究を重ねた結果、一般式(I) で
表されるヒドラジンカルボキサミド誘導体が前記先行技
術等に記載も示唆もされておらず文献未記載の新規化合
物であり、且つ先行技術に比して低薬量で優れた殺虫効
果を有することを見出し、本発明を完成させたものであ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の一般式(I) で表
されるヒドラジンカルボキサミド誘導体の代表的な製造
方法としては、例えば下記に図示する製造方法により製
造することができる。 製法Ａ． （式中、R¹、R²、R³、R⁴、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＷは前記に同
じ。）一般式(IV)で表されるヒドラジンカルボキサミド
類を不活性溶媒の存在下又は不存在下に還元剤又は接触
還元により、一般式(I')で表されるヒドラジンカルボキ
サミド誘導体を製造することができる。本還元反応は適
当な還元剤又は触媒の存在下に接触還元で行うことがで
る。還元剤としては、例えばLiAlH₄、NaBH₃CN 、LiBH₃C
N 等の金属水素化物、NaHSO₃等の還元剤を使用すること
ができ、その使用量は一般式(IV)で表されるヒドラジン
カルボキサミド類に対して還元剤のハイドライドのモル
数に換算して等モル乃至過剰モルの範囲から選択して使
用すれば良い。

【０００５】本反応で使用できる不活性溶媒としては、
本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例
えばメタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、ブタノ−
ル等のアルコ−ル類、ジエチルエ−テル、ジグライム、
ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ−テル類、メチ
ルセロソルブ等のセロソルブ類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ス
ルホラン、水等を例示することができる。これらの不活
性溶媒は単独で使用しても良く、混合して使用すること
もできる。本反応は酸性乃至中性条件下で、ｐＨ１〜７
の範囲で行われ、好ましくはｐＨ４〜６の範囲であり、
反応系に塩化水素，臭化水素等を添加することによりｐ
Ｈを調整すれば良い。反応温度は−２０℃乃至使用する
不活性溶媒の沸点域の範囲から適宜選択すれば良い。反
応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数
分乃至４８時間の範囲である。反応終了後、目的物を含
む反応液から常法、例えば溶媒留去、溶媒抽出等を行
い、必要に応じて再結晶法、カラムクロマトグラフィ−
法等により精製することにより目的物を製造することが
できる。

【０００６】次に還元反応として接触還元を行う場合、
例えば『新実験化学講座』（１５巻−II：丸善）等に記
載の常法に従って行えば良く、例えば使用できる不活性
溶媒としては、例えばメタノ−ル、エタノ−ル、プロパ
ノ−ル、ブタノ−ル等のアルコ−ル類、メチルセロソル
ブ等のセロソルブ類、ジエチルエ−テル、ジグライム、
ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ−テル類、ヘキ
サン、シクロヘキサン等の炭化水素類、酢酸、酢酸エチ
ル等の脂肪酸又はそのエステル類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のア
ミド類、ジメチルイミダゾリン、テトラメチルウレア等
のウレア類を例示することができる。これらの不活性溶
媒は単独で使用しても良く、また混合して使用すること
もできる。

【０００７】本反応で使用する触媒としては、例えばパ
ラジウムカ−ボン、パラジウムブラック、二酸化白金、
ラネ−ニッケル等の代表的な接触還元触媒を使用するこ
とができ、その使用量は一般式(I) で表されるヒドラジ
ンカルボキサミド類に対して０．０００１％重量〜２０
％重量の範囲から適宜選択すれば良い。本反応の水素圧
は常圧乃至３００気圧の範囲から選択でき、好ましくは
常圧乃至５０気圧の範囲である。反応終了後，目的物を
含む反応液から還元剤を使用した場合と同様に処理する
ことにより目的物を製造することができる。

【０００８】製法Ｂ． （式中、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁵' 、⁵'' 、Ｘ、Ｙ、Ｚ
及びHalは前記に同じ。但しR⁵は水素原子を除く。）

【０００９】一般式(I')で表されるヒドラジンカルボキ
サミド誘導体を一般式(III) で表されるハライド類又は
一般式(II)で表されるイソシアネ−ト類と不活性溶媒及
び塩基の存在下に反応させることにより一般式(I) で表
されるヒドラジンカルボキサミド誘導体を製造すること
ができる。本反応で使用できる不活性溶媒としては本反
応の進行を阻害しないものであれば良く、例えば塩化メ
チレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化
水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素類、酢酸エチル等のエステル類、アセトニトリル、
ベンゾニトリル等のニトリル類、メチルセロソルブ、ジ
エチルエ−テル、ジグライム、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン等のエ−テル類、スルホラン、ジメチルスルホ
キシド等を例示することができ、これらの不活性溶媒は
単独で使用しても良く、混合して使用しても良い。

【００１０】本反応で使用できる塩基としては無機塩基
又は有機塩基を使用することができ、無機塩基として
は、例えばナトリウム、カリウム、マグネシウム若しく
はカルシウム等のアルカリ金属若しくはアルカリ土類金
属の水酸化物、炭酸塩若しくはアルコラ−ト等を、有機
塩基としては、例えばトリエチルアミン、ピリジン等を
例示することができる。本反応は等モル反応であるの
で、各反応剤を等モル使用すれば良いが、何れかを過剰
に使用することもできる。反応温度は０℃乃至使用する
不活性溶媒の沸点域の範囲から選択して使用すれば良
い。反応時間は反応規模、反応温度等により一定しない
が数分乃至４８時間の範囲から選択すれば良い。反応終
了後、目的物を含む反応液から常法により単離し、必要
に応じて再結晶法、カラムクロマトグラフィ−法等によ
り精製することにより目的物を製造することができる。

【００１１】以下に本発明の一般式(I) で表されるヒド
ラジンカルボキサミド誘導体の代表的な化合物を表１に
例示するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。一般式(I)

【００１２】以下に表１中、物性が粘稠物である化合物
の¹H−ＮＭＲのデ−タを表２に示す。

【００１３】本発明の一般式(I) で表されるヒドラジン
カルボキサミド誘導体を製造するための原料化合物であ
る一般式(IV)で表される化合物は、例えば下記に図示す
る製法により製造することができる。・R¹が水素原子の
場合。 （式中、R¹、R²、R³、R⁴、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＷは前記に同
じくし、R⁶は低級アルキル基を示し、Ｖはハロゲン原子
又は低級アルコキシ基、イミダゾ−ル基等の脱離基を示
す。）

【００１４】即ち、R¹が水素原子の場合、一般式(X) で
表される安息香酸エステル類と一般式(IX)で表される化
合物を不活性溶媒及び塩基の存在下に縮合反応させるこ
とにより、一般式(VIII)で表される化合物とし、該化合
物(VIII)を一般式(VII) で表されるヒドラジン類と反応
させることにより一般式(VI)で表される化合物とし、更
に該化合物(VI)を一般式(V) で表される化合物と反応さ
せることにより、一般式(IV)で表される化合物を製造す
ることができる。又、R¹が水素原子又は低級アルキル基
の場合、一般式(VIII)で表される化合物を、一般式(XI
I) 又は一般式(V) で表される化合物を一般式(VII) で
表されるヒドラジン類と反応させて得られる一般式(XI)
で表される化合物と反応させることにより一般式(IV)で
表される化合物を製造することができる。

【００１５】以下に本発明の代表的な実施例を示すが、
本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ ２−〔２−（４−シアノフェニル）−１−フ
ェニルエチル〕−Ｎ−（４−トリフルオロメトキシフェ
ニル）ヒドラジンカルボキサミドの製造（化合物No.
６） １−１． ０．７０ｇ（１．６ミリモル）の２−〔２−（４−シア
ノフェニル）−１−フェニルエチリデン〕−Ｎ−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）ヒドラジンカルボキサ
ミドを２０mlのテトラヒドロフラン及び３０mlのメタノ
−ルに溶解し、該溶液に０．２０ｇ（３．２ミリモル）
のシアノ水素化ホウ素ナトリウムを加えて室温で攪拌し
ながら飽和塩化水素メタノ−ル溶液を滴下し、室温で１
時間反応を行った。反応終了後、減圧下に溶媒を留去
し、酢酸エチルを加え重曹水で中和し、酢酸エチル層を
分液し、得られた目的物を含む酢酸エチルを無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去することによ
り目的物の粗結晶を得た。得られた粗結晶をエ−テルで
洗浄することにより目的物０．５４ｇを結晶として得
た。 物性 m.p. ２０４℃ 収率 ７７％．

【００１６】１−２． １．０ｇ（２．３ミリモル）の２−〔２−（４−シアノ
フェニル）−１−フェニルエチリデン〕−Ｎ−（４−ト
リフルオロメトキシフェニル）ヒドラジンカルボキサミ
ドを８０mlのテトラヒドロフランに溶解し、該溶液に
０．１ｇの５％パラジウム活性炭を加えて室温で振盪し
ながら６Kg／cm² の圧力で６０時間水素ガスを吸収させ
た。反応終了後、触媒を濾過し、濾液を減圧下に乾固し
目的物の粗結晶を得た。得られた粗結晶をエ−テル−n-
ヘキサン混合物で洗浄することにより目的物０．９７ｇ
を結晶として得た。 物性 m.p. ２０４℃ 収率 ９７％．

【００１７】実施例２ ２−〔２−（４−ニトロフェニ
ル）−１−フェニルエチル〕−Ｎ−（４−トリフルオロ
メトキシフェニル）ヒドラジンカルボキサミドの製造
（化合物No. ８） ０．４８ｇ（１．０ミリモル）の２−〔２−（４−ニト
ロフェニル）−１−フェニルエチリデン〕−Ｎ−（４−
トリフルオロメトキシフェニル）ヒドラジンカルボキサ
ミドを１０mlのテトラヒドロフラン及び１０mlのメタノ
−ルに溶解し、該溶液に０．０７ｇ（１ミリモル）のシ
アノ水素化ホウ素ナトリウムを加えて氷冷下に５mlの飽
和塩化水素メタノ−ル溶液を滴下し、３０分反応を行っ
た。反応終了後、減圧下に溶媒を留去し、酢酸エチルを
加え重曹水で中和し、酢酸エチル層を分液し、得られた
目的物を含む酢酸エチルを無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を減圧下に留去することにより目的物の粗結晶
を得た。得られた粗結晶をエ−テル−n-ヘキサンで洗浄
することにより目的物０．３６ｇを結晶として得た。 物性 m.p. １８８℃ 収率 ７５％．

【００１８】実施例３ ２−〔１−（４−クロロフェニ
ル）−２−（４−シアノフェニル）エチル〕−Ｎ−（４
−トリフルオロメトキシフェニル）ヒドラジンカルボチ
オアミドの製造（化合物No. ３３） ０．５０ｇ（１．０ミリモル）の２−〔１−（４−クロ
ロフェニル）−２−（４−シアノフェニル）エチリデ
ン〕−Ｎ−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ヒド
ラジンカルボチオアミドを１０mlのテトラヒドロフラン
及び３０mlのメタノ−ルに溶解し、該溶液に０．１９ｇ
（３．１ミリモル）のシアノ水素化ホウ素ナトリウムを
加えて室温下に５mlの飽和塩化水素メタノ−ル溶液を滴
下し、２時間反応を行った。反応終了後、減圧下に溶媒
を留去し、酢酸エチルを加え重曹水で中和し、酢酸エチ
ル層を分液し、得られた目的物を含む酢酸エチルを無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去するこ
とにより目的物の粗結晶を得た。得られた粗結晶をエ−
テル−n-ヘキサンで洗浄することにより目的物０．２７
ｇを結晶として得た。 物性 m.p. １９５℃ 収率 ５４％．

【００１９】実施例４ ２−アセチル−２−〔１−（３
−クロロフェニル）−２−（４−シアノフェニル）エチ
ル〕−Ｎ−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ヒド
ラジンカルボキサミドの製造（化合物No. ３５） 実施例１と同様にして得られる２−〔１−（３−クロロ
フェニル）−２−（４−シアノフェニル）エチル〕−Ｎ
−（４−トリフルオロメトキシフェニル）ヒドラジンカ
ルボキサミド０．７０ｇ（１．５ミリモル）を３０mlの
テトラヒドロフランに溶解し、該溶液に０．３５ｇ
（４．４ミリモル）の塩化アセチルと０．４５ｇ（４．
４ミリモル）のトリエチルアミンを室温下に加え、２時
間反応を行った。反応終了後、減圧下に溶媒を留去し、
酢酸エチルを加え目的物を抽出し、酢酸エチル層を分液
し、得られた目的物を含む酢酸エチルを無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去することにより目
的物の粗結晶を得た。得られた粗結晶をエ−テルで洗浄
することにより目的物０．５５ｇを結晶として得た。 物性 m.p. １７８℃ 収率 ５４％．

【００２０】本発明の一般式（Ｉ）で表されるヒドラジ
ンカルボキサミド誘導体を有効成分とする殺虫剤は水
稲、野菜、果樹、その他の作物及び花卉等を加害する各
種農林、園芸、貯穀害虫や衛生害虫或いは線虫等の害虫
防除に適しており、例えばリンゴコカクモンハマキ（Ad
oxophyes orana fasciata ）、チャノコカクモンハマキ
（Adoxophyes sp.）、リンゴコシンクイ（Grapholita i
nopinata）、ナシヒメシンクイガ（Grapholita mlesta
）、マメシンクイガ（Leguminivora glycinivorella
）、クワハマキ（Olethreutes mori）、チャノホソガ
(Caloptilia thevivora ）、リンゴホソガ（Caloptilia
zachrysa ）、キンモンホソガ（Phyllonorycter ringo
niella）、ナシホソガ（Spulerina astaurota ）、モン
シロチョウ（Piers rapae crucivora）、オオタバコガ
類（Heliothis sp. ）、コドリンガ（(Laspeyresia pom
onella）、コナガ（Plutella xylostella ）、リンゴヒ
メシンクイ（Argyresthia conjugella）、モモシンクイ
ガ（Carposina niponensis）、ニカメイガ（Chilo supp
ressalis）、コブノメイガ（Cnaphalocrocis medinali
s）、チャマダラメイガ（Ephestia elutella ）、クワ
ノメイガ（Glyphodes pyloalis）、サンカメイガ（Scir
pophaga incertulas）、イチモンジセセリ（Parnaragut
tata ）、アワヨトウ（Pseudaletia separata）、イネ
ヨトウ（Sesamia inferens）、ハスモンヨトウ（Spodop
tera litura ）、シロイチモンジヨトウ（Spodoptera e
xigua ）等の鱗翅目害虫、フタテンヨコバイ（Macroste
les fascifrons）、ツマグロヨコバイ（Nephotettix ci
ncticeps）、トビイロウンカ（Nilaparvata lugens）、
セジロウンカ（Sogatella furcifera ）、ミカンキジラ
ミ（Diaphorina citri）、ブドウコナジラミ（Aleurolo
bus taonabae）、タバココナジラミ（Bemisia tabac
i）、オンシツコナジラミ（Trialeurodes vaporariorum
）、ニセダイコンアブラムシ（Lipaphis erysimi）、
モモアカアブラムシ（Myzus persicae）、ツノロウムシ
（Ceroplastes ceriferus ）、ミカンワタカイガラムシ
（Pulvinaria aurantii ）、ミカンマルカイガラムシ
（Pseudaonidia duplex ）、ナシマルカイガラムシ（Co
mstockaspis perniciosa）、ヤノネカイガラムシ（Unas
pis yanonensis ）等の半翅目害虫、ヒメコガネ（Anom
ala rufocuprea ）、マメコガネ（Popillia japonica
）、タバコシバンムシ（Lasioderma serricorne ）、
ヒラタキクイムシ（Lyctus brunneus ）、ニジュウヤホ
シテントウ（Epilachna vigintioctopunctata ）、アズ
キゾウムシ（Callosobruchus chinensis）、ヤサイゾウ
ムシ（Listroderes costirostris）、コクゾウムシ（Si
tophilus zeamais）、ワタミゾウムシ（Anthonomus gra
ndis grandis）、イネミズゾウムシ（Lissorhoptrus or
yzophilus ）、ウリハムシ（Aulacophora femoralis
）、イネドロオイムシ（Oulema oryzae ）、キスジノ
ミハムシ（Phyllotreta striolata ）、コクゾウムシ
（Sitophilus zeamais）、マツノキクイムシ（Tomicusp
iniperda）、コロラドポテトビ−トル（Leptinotarsa d
ecemlineata ）、メキシカンビ−ンビ−トル（Epilachn
a varivestis）、コ−ンル−トワ−ム類（Diabrotica s
p ）等の甲虫目害虫、ウリミバエ（Dacus(Zeugodacus)
cucurbitae）、ミカンコミバエ（Dacus(Bactrocera)dor
salis）、イネハモグリバエ（Agromyzaoryzae ）、タマ
ネギバエ（Delia antiqua ）、タネバエ（Delia platur
a ）、ダイズサヤタマバエ（Asphondylia sp. ）、イエ
バエ（Musca domestica ）、アカイエカ（Culex pipien
s pipiens ）等の双翅目害虫、ミナミネグサレセンチュ
ウ（Pratylenchus coffeae）、ジャガイモシストセンチ
ュウ（Globodera rostochiensis ）、ネコブセンチュウ
（Meloidogyne sp. ）、ミカンネセンチュウ（Tylenchu
lus semipenetrans ）、ニセネグサレセンチュウ（Aphe
lenchus avenae）、ハガレセンチュウ（Aphelenchoides
ritzemabosi）等のハリセンチュウ目害虫等に対しても
殺虫効果を有し、特に鱗翅目、甲虫目等の害虫に対して
は顕著な効果を有するものである。尚、学名等は農林有
害動物・昆虫名鑑1987年版（日本応用動物昆虫学会編）
による。

【００２１】本発明の農園芸用殺虫剤は水田、果樹、野
菜、その他の作物及び花卉等を加害する前記害虫あるい
は衛生害虫に対して顕著な殺虫効果を有するものである
ので、害虫類の発生が予測される時期に合わせて、害虫
類の発生前又は発生が確認された時点で水田、果樹、野
菜、その他の作物、花卉等の水田水、茎葉又は土壌等及
び衛生害虫にあっては人畜に加害する上記害虫の発生若
しくは発生が予測される家屋内、家屋周辺の溝等に処理
することにより本発明の殺虫剤の所期の効果が奏せられ
るものである。しかし、本発明はこれらの態様のみに限
定されるものではない。

【００２２】本発明の一般式(I) で表されるヒドラジン
カルボキサミド誘導体を殺虫剤として使用する場合、農
薬製剤上の常法に従い、使用上都合の良い形状に製剤し
て使用するのが一般的である。即ち、本発明の一般式
(I) で表されるヒドラジンカルボキサミド誘導体は、こ
れらを適当な不活性担体に、又は必要に応じて補助剤と
一緒に、適当な割合に配合して溶解、分離、懸濁、混
合、含浸、吸着若しくは付着させ、適宜の剤形、例えば
懸濁剤、乳剤、液剤、水和剤、粒剤、粉剤、錠剤等に製
剤して使用すれば良い。

【００２３】本発明で使用できる不活性担体としては固
体又は液体の何れであっても良く、固体の担体になりう
る材料としては、例えばダイズ粉、穀物粉、木粉、樹皮
粉、鋸粉、タバコ茎粉、クルミ殻粉、ふすま、繊維素粉
末、植物エキス抽出後の残渣、粉砕合成樹脂等の合成重
合体、粘土類（例えばカオリン、ベントナイト、酸性白
土等）、タルク類（例えばタルク、ピロフィライド
等）、シリカ類（例えば珪藻土、珪砂、雲母、ホワイト
カ−ボン〔含水微粉珪素、含水珪酸ともいわれる合成高
分散珪酸で、製品により珪酸カルシウムを主成分として
含むものもある。〕）、活性炭、イオウ粉末、軽石、焼
成珪藻土、レンガ粉砕物、フライアッシュ、砂、炭酸カ
ルシウム、燐酸カルシウム等の無機鉱物性粉末、硫安、
燐安、硝安、尿素、塩安等の化学肥料、堆肥等を挙げる
ことができる。これらは単独で若しくは二種以上の混合
物の形で使用される。

【００２４】液体の担体になりうる材料としては、それ
自体溶媒能を有するものの他、溶媒能を有さずとも補助
剤の助けにより有効成分化合物を分散させうることとな
るものから選択され、例えば代表例として次に挙げる担
体を例示できるが、これらは単独で若しくは２種以上の
混合物の形で使用され、例えば水、アルコ−ル類（例え
ばメタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ
−ル、エチレングリコ−ル等）、ケトン類（例えばアセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、エ−テル
類（例えばエチルエ−テル、ジオキサン、セロソルブ、
ジプロピルエ−テル、テトラヒドロフラン等）、脂肪族
炭化水素類（例えばケロシン、鉱油等）、芳香族炭化水
素類（例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベン
トナフサ、アルキルナフタレン等) 、ハロゲン化炭化水
素類（例えばジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭
素、塩素化ベンゼン等）、エステル類（例えば酢酸エチ
ル、ジイソプピルフタレ−ト、ジブチルフタレ−ト、ジ
オクチルフタレ−ト等）、アミド類（例えばジメチルホ
ルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド等）、ニトリル類（例えばアセトニトリル等）、ジ
メチルスルホキシド類等を挙げることができる。

【００２５】他の補助剤としては次に例示する代表的な
補助剤を挙げることができ、これらの補助剤は目的に応
じて使用され、単独で、ある場合は二種以上の補助剤を
併用し、又ある場合には全く補助剤を使用しないことも
可能である。有効成分化合物の乳化、分散、可溶化及び
／又は湿潤の目的のために界面活性剤が使用され、例え
ばポリオキシエチレンアルキルエ−テル、ポリオキシエ
チレンアルキルアリ−ルエ−テル、ポリオキシエチレン
高級脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン樹脂酸エステ
ル、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレ−ト、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノオレエ−ト、アルキル
アリ−ルスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸縮合物、
リグニンスルホン酸塩、高級アルコ−ル硫酸エステル等
の界面活性剤を例示することができる。

【００２６】又、有効成分化合物の分散安定化、粘着及
び／又は結合の目的のために、次に例示する補助剤を使
用することもでき、例えばカゼイン、ゼラチン、澱粉、
メチルセルロ−ス、カルボキシメチルセルロ−ス、アラ
ビアゴム、ポリビニルアルコ−ル、松根油、糠油、ベン
トナイト、リグニンスルホン酸塩等の補助剤を使用する
こともできる。固体製品の流動性改良のために次に挙げ
る補助剤を使用することもでき、例えばワックス、ステ
アリン酸塩、燐酸アルキルエステル等の補助剤を使用で
きる。懸濁性製品の解こう剤として、例えばナフタレン
スルホン酸縮合物、縮合燐酸塩等の補助剤を使用するこ
ともできる。

【００２７】消泡剤としては、例えばシリコ−ン油等の
補助剤を使用することもできる。有効成分化合物の配合
割合は必要に応じて加減することができ、例えば粉剤或
いは粒剤とする場合は０．０１〜５０重量％、又乳剤或
いは水和剤とする場合も同様０．０１〜５０重量％が適
当である。本発明の一般式(I) で表されるヒドラジンカ
ルボキサミド誘導体を有効成分とする殺虫剤は、各種害
虫を防除するために、そのまま、又は水等で適宜希釈
し、若しくは懸濁させた形で害虫防除に有効な量を当該
害虫に、又は当該害虫の発生若しくは成育が好ましくな
い場所に適用して使用すればよい。

【００２８】本発明の一般式(I) で表されるヒドラジン
カルボキサミド誘導体を有効成分とする農園芸用殺虫剤
の使用量は種々の因子、例えば目的、対象害虫、作物の
生育状況、害虫の発生傾向、天候、環境条件、剤型、施
用方法、施用場所、施用時期等により変動するが、有効
成分化合物として１０ア−ル当たり０．１ｇ〜５Kgの範
囲から目的に応じて適宜選択すれば良い。本発明の一般
式(I) で表されるヒドラジンカルボキサミド誘導体を有
効成分とする農園芸用殺虫剤を更に防除対象害虫、防除
適期の拡大のため、或いは薬量の低減をはかる目的で他
の殺虫剤又は殺菌剤と混合して使用することも可能であ
る。

【００２９】以下に本発明の代表的な処方例及び試験例
を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
尚、処方例中、部とあるのは重量部を示す。 処方例１ 本発明化合物 ５０部 キシレン ４０部 ポリオキシエチレンノニルフェニルエ−テルと アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 １０部 以上を均一に混合溶解して乳剤とする。 処方例２ 本発明化合物 ３部 クレ−粉末 ８２部 珪藻土粉末 １５部 以上を均一に混合粉砕して粉剤とする。

【００３０】処方例３ 本発明化合物 ５部 ベントナイトとクレ−の混合粉末 ９０部 リグニンスルホン酸カルシウム ５部 以上を均一に混合し、適量の水を加えて混練し、造粒、
乾燥して粒剤とする。処方例４ 本発明化合物 ２０部 カオリンと合成高分散珪酸 ７５部 ポリオキシエチレンノニルフェニルエ−テルとアル キルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 ５部 以上を均一に混合粉砕して水和剤とする。

【００３１】試験例１ ハスモンヨトウ（Spodoptera
Litura) に対する殺虫試験 本発明化合物を有効成分とする薬剤を５００ppm に希釈
した薬液にキャベツ葉片（品種：四季穫）を約３０秒間
浸漬した。風乾後に直径９cmのプラスチックシャ−レに
入れ、ハスモンヨトウ２令幼虫を接種した後、蓋をして
２５℃恒温室に静置した。接種８日後に生死虫数を調査
し、下記の式により死虫率を算出し、下記の基準に従っ
て判定を行った。１区１０頭３連制 判定基準： Ａ・・・死虫率１００％ Ｂ・・・死虫率９９％〜９０％ Ｃ・・・死虫率８９％〜８０％ Ｄ・・・死虫率７９％〜５０％ Ｅ・・・死虫率４９％以下結果を表３に示す。

【００３１】

【００３２】試験例２． コクゾウ（Sitophilus zeam
ais)成虫に対する殺虫試験. 本発明化合物を有効成分とする薬剤を２００ppm に希釈
した薬液に玄米を約３０秒間浸漬した。風乾後に直径４
cmのガラスシャ−レに入れ，コクゾウ成虫を接種した
後，蓋をして２５℃恒温室に静置した．接種８日後に生
死虫数を調査し，試験例１に従って死虫率を算出し，試
験例１の基準に従って判定を行った．１区１０頭３連制
結果を表４に示す．

【００３３】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 317/42 Ｃ０７Ｃ 317/42 323/44 323/44 337/06 337/06 (72)発明者 西松 哲義 大阪府河内長野市南花台３−３−24− 502 (72)発明者 金岡 淳 大阪府河内長野市南花台３−３−24− 110 (56)参考文献 ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＡＢＳＴＲＡＣＴ Ｓ，1964，ＶＯＬ．58，13863Ｆ欄 (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C07C 281/06 A01N 47/34 C07C 309/65 C07C 309/66 C07C 311/39 C07C 317/42 C07C 323/44 C07C 337/06 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ^１は水素原子又は低級アルキル基を示し、Ｒ
   ^２は水素原子又は低級アルキル基を示し、Ｒ^３は水素原
   子；水酸基；低級アルキル基；低級アルコキシ基；低級
   アルキルカルボニルオキシ基；フェニルカルボニルオキ
   シ基；又はフェニル環上に同一若しくは異なっても良い
   ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級ハロアルキル基
   から選択される１〜５個の置換基を有するフェニルカル
   ボニルオキシ基；を示し、Ｒ^４は水素原子又は低級アル
   キル基を示し、Ｒ^３及びＲ^４は一緒になって酸素原子を
   示すこともでき、Ｒ^５は水素原子；低級アルキルカルボ
   ニル基；低級ハロアルキルカルボニル基；シクロアルキ
   ルカルボニル基；低級アルコキシカルボニル基；低級ア
   ルコキシジカルボニル基；フェニルカルボニル基；同一
   又は異なっても良いハロゲン原子、低級アルキル基、低
   級ハロアルキル基、低級アルコキシ基又は低級ハロアル
   コキシ基から選択される１〜５個の置換基を有するフェ
   ニルカルボニル基；又は同一又は異なっても良い１〜２
   個の水素原子、低級アルキル基、フェニル基、又は同一
   又は異なっても良いハロゲン原子、低級アルキル基、低
   級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、若しくは低級ハ
   ロアルコキシ基から選択される１〜５個の置換基を有す
   るフェニル基から選択される置換基を有するアミノカル
   ボニル基；を示す。Ｘは１〜５個の同一又は異なっても
   良い、水素原子；水酸基；ハロゲン原子；シアノ基；低
   級アルキル基；低級ハロアルキル基；低級アルコキシ
   基；低級ハロアルコキシ基；低級アルコキシアルキル
   基；低級アルケニルオキシ基；シクロアルキルカルボニ
   ルオキシ基；低級アルコキシカルボニルオキシ基；低級
   アルコキシカルボニルアルキルオキシ基；低級アルキル
   カルボニルアルキルオキシ基；低級アルキルスルホニル
   オキシ基；フェノキシ基；メチレンジオキシ基；隣あっ
   た炭素原子と一緒になった炭素原子数３〜４のアルケニ
   レン基；アミノ基；同一又は異なっても良い１〜２個の
   低級アルキル基により置換されたアミノ基；同一又は異
   なっても良い１〜２個の低級アルキル基により置換され
   たアミノカルボニルオキシ基；又はジオキソラン基；を
   示し、Ｙは１〜５個の同一又は異なっても良い、水素原
   子；水酸基；ハロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；アル
   キル基；低級ハロアルキル基；低級アルコキシ基；低級
   ハロアルコキシ基；低級アルケニルオキシ基；低級アル
   キルカルボニルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキ
   シ基；低級ハロアルキルスルホニルオキシ基；低級アル
   キルチオ基；低級ハロアルキルチオ基；低級アルキルス
   ルフィニル基；低級ハロアルキルスルフィニル基；低級
   アルキルスルホニル基；低級ハロアルキルスルホニル
   基；低級アルコキシカルボニル基；アミノ基；ホルミル
   基、低級アルキルカルボニル基、低級アルキルスルホニ
   ル基又は同一又は異なっても良い低級アルキル基により
   置換されたアミノカルボニル基から選択される１〜２個
   の置換基を有するアミノ基；アミノカルボニル基；同一
   又は異なっても良い１〜２個の低級アルキル基により置
   換されたアミノカルボニル基；同一又は異なっても良い
   １〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノスル
   ホニル基；フェニル基；又は隣あった炭素原子と一緒に
   なって炭素原子数２〜３のアザアルケニレン基；を示
   し、Ｚは１〜５個の同一又は異なっても良い、水素原
   子；ハロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；アルキル基；
   低級ハロアルキル基；シクロアルキル基；同一又は異な
   っても良いハロゲン原子又は低級アルキル基から選択さ
   れる１〜５個の置換基を有するシクロアルキル基；低級
   アルコキシ基；低級ハロアルコキシ基；低級アルキルチ
   オ基；低級ハロアルキルチオ基；低級アルキルスルフィ
   ニル基；低級ハロアルキルスルフィニル基；低級アルキ
   ルスルホニル基；低級ハロアルキルスルホニル基；低級
   アルキルカルボニル基；低級アルコキシカルボニル基；
   低級アルキルカルボニルオキシ基；低級アルキルスルホ
   ニルオキシ基；低級ハロアルキルスルホニルオキシ基；
   フェノキシ基；１〜５個の同一又は異なっても良いハロ
   ゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、低級
   アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基により置換され
   たフェノキシ基；ピリジルオキシ基；又は１〜４個の同
   一又は異なっても良い、ハロゲン原子、低級アルキル
   基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基又は低級ハ
   ロアルコキシ基により置換されたピリジルオキシ基；を
   示し、Ｗは酸素原子又は硫黄原子を示す。但し、Ｗが硫
   黄原子のとき、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 及びＲ ^４
   が水素原子の場合を除く。）で表されるヒドラジンカル
   ボキサミド誘導体。
2. 【請求項２】 R¹が水素原子又は低級アルキル基を示
   し、R²が水素原子又は低級アルキル基を示し、R³が水素
   原子又は低級アルキル基を示し、R⁴が水素原子又は低級
   アルキル基を示し、R⁵が水素原子を示し、Ｘが１〜５個
   の同一又は異なっても良い水素原子、ハロゲン原子、低
   級アルキル基、低級ハロアルキル基を示し、Ｙが１〜５
   個の同一又は異なっても良い水素原子、ハロゲン原子、
   シアノ基又はニトロ基を示し、Ｚが１〜５個の同一又は
   異なっても良い水素原子、ハロゲン原子、低級ハロアル
   キル基、低級ハロアルコキシ基、低級アルキルチオ基、
   低級ハロアルキルチオ基、低級アルキルスルフィニル
   基、低級ハロアルキルスルフィニル基、低級アルキルス
   ルホニル基又は低級ハロアルキルスルホニル基を示し、
   Ｗが酸素原子を示す請求項第１項記載のヒドラジンカル
   ボキサミド誘導体。
3. 【請求項３】 Ｘが３位であり、Ｙ又はＺが４位に置換
   している請求項第２項記載のヒドラジンカルボキサミド
   誘導体。
4. 【請求項４】 一般式(IV) （式中、R¹は水素原子又は低級アルキル基を示し、R²は
   水素原子又は低級アルキル基を示し、R³は水素原子；水
   酸基；低級アルキル基；低級アルコキシ基；低級アルキ
   ルカルボニルオキシ基；フェニルカルボニルオキシ基；
   又はフェニル環上に同一若しくは異なっても良いハロゲ
   ン原子、低級アルキル基又は低級ハロアルキル基から選
   択される１〜５個の置換基を有するフェニルカルボニル
   オキシ基；を示し、R⁴は水素原子又は低級アルキル基を
   示し、R³及びR⁴は一緒になって酸素原子を示すこともで
   きる。Ｘは１〜５個の同一又は異なっても良い、水素原
   子；水酸基；ハロゲン原子；シアノ基；低級アルキル
   基；低級ハロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロ
   アルコキシ基；低級アルコキシアルキル基；低級アルケ
   ニルオキシ基；シクロアルキルカルボニルオキシ基；低
   級アルコキシカルボニルオキシ基；低級アルコキシカル
   ボニルアルキルオキシ基；低級アルキルカルボニルアル
   キルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；フェ
   ノキシ基；メチレンジオキシ基；隣あった炭素原子と一
   緒になった炭素原子数３〜４のアルケニレン基；アミノ
   基；同一又は異なっても良い１〜２個の低級アルキル基
   により置換されたアミノ基；同一又は異なっても良い１
   〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカルボ
   ニルオキシ基；又はジオキソラン基；を示し、Ｙは１〜
   ５個の同一又は異なっても良い、水素原子；水酸基；ハ
   ロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハ
   ロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロアルコキシ
   基；低級アルケニルオキシ基；低級アルキルカルボニル
   オキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級ハロ
   アルキルスルホニルオキシ基；低級アルキルチオ基；低
   級ハロアルキルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；
   低級ハロアルキルスルフィニル基；低級アルキルスルホ
   ニル基；低級ハロアルキルスルホニル基；低級アルコキ
   シカルボニル基；アミノ基；ホルミル基、低級アルキル
   カルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は同一又は
   異なっても良い低級アルキル基により置換されたアミノ
   カルボニル基から選択される１〜２個の置換基を有する
   アミノ基；アミノカルボニル基；同一又は異なっても良
   い１〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカ
   ルボニル基; 同一又は異なっても良い１〜２個の低級ア
   ルキル基により置換されたアミノスルホニル基；フェニ
   ル基；又は隣あった炭素原子と一緒になって炭素原子数
   ２〜３のアザアルケニレン基；を示し、Ｚは１〜５個の
   同一又は異なっても良い、水素原子；ハロゲン原子；シ
   アノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハロアルキル基；
   シクロアルキル基；同一又は異なっても良いハロゲン原
   子又は低級アルキル基から選択される１〜５個の置換基
   を有するシクロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハ
   ロアルコキシ基；低級アルキルチオ基；低級ハロアルキ
   ルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；低級ハロアル
   キルスルフィニル基；低級アルキルスルホニル基；低級
   ハロアルキルスルホニル基；低級アルキルカルボニル
   基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルキルカルボ
   ニルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級
   ハロアルキルスルホニルオキシ基；フェノキシ基；１〜
   ５個の同一又は異なっても良いハロゲン原子、低級アル
   キル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基又は低
   級ハロアルコキシ基により置換されたフェノキシ基；ピ
   リジルオキシ基；又は１〜４個の同一又は異なっても良
   い、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル
   基、低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基により
   置換されたピリジルオキシ基；を示し、Ｗは酸素原子又
   は硫黄原子を示す。）で表される化合物を還元剤の存在
   下に還元反応を行うことからなる一般式(I') （式中、R¹、R²、R³、R⁴、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＷは前記に同
   じ。）で表されるヒドラジンカルボキサミド誘導体の製
   造方法。
5. 【請求項５】 一般式(I') （式中、R¹は水素原子又は低級アルキル基を示し、R²は
   水素原子又は低級アルキル基を示し、R³は水素原子；水
   酸基；低級アルキル基；低級アルコキシ基；低級アルキ
   ルカルボニルオキシ基；フェニルカルボニルオキシ基；
   又はフェニル環上に同一若しくは異なっても良いハロゲ
   ン原子、低級アルキル基又は低級ハロアルキル基から選
   択される１〜５個の置換基を有するフェニルカルボニル
   オキシ基；を示し、R⁴は水素原子又は低級アルキル基を
   示し、R³及びR⁴は一緒になって酸素原子を示すこともで
   きる。Ｘは１〜５個の同一又は異なっても良い、水素原
   子；水酸基；ハロゲン原子；シアノ基；低級アルキル
   基；低級ハロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロ
   アルコキシ基；低級アルコキシアルキル基；低級アルケ
   ニルオキシ基；シクロアルキルカルボニルオキシ基；低
   級アルコキシカルボニルオキシ基；低級アルコキシカル
   ボニルアルキルオキシ基；低級アルキルカルボニルアル
   キルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；フェ
   ノキシ基；メチレンジオキシ基；隣あった炭素原子と一
   緒になった炭素原子数３〜４のアルケニレン基；アミノ
   基；同一又は異なっても良い１〜２個の低級アルキル基
   により置換されたアミノ基；同一又は異なっても良い１
   〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカルボ
   ニルオキシ基；又はジオキソラン基；を示し、Ｙは１〜
   ５個の同一又は異なっても良い、水素原子；水酸基；ハ
   ロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハ
   ロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロアルコキシ
   基；低級アルケニルオキシ基；低級アルキルカルボニル
   オキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級ハロ
   アルキルスルホニルオキシ基；低級アルキルチオ基；低
   級ハロアルキルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；
   低級ハロアルキルスルフィニル基；低級アルキルスルホ
   ニル基；低級ハロアルキルスルホニル基；低級アルコキ
   シカルボニル基；アミノ基；ホルミル基，低級アルキル
   カルボニル基, 低級アルキルスルホニル基又は同一又は
   異なっても良い低級アルキル基により置換されたアミノ
   カルボニル基から選択される１〜２個の置換基を有する
   アミノ基；アミノカルボニル基；同一又は異なっても良
   い１〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカ
   ルボニル基; 同一又は異なっても良い１〜２個の低級ア
   ルキル基により置換されたアミノスルホニル基；フェニ
   ル基；又は隣あった炭素原子と一緒になって炭素原子数
   ２〜３のアザアルケニレン基；を示し、Ｚは１〜５個の
   同一又は異なっても良い、水素原子；ハロゲン原子；シ
   アノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハロアルキル基；
   シクロアルキル基；同一又は異なっても良いハロゲン原
   子又は低級アルキル基から選択される１〜５個の置換基
   を有するシクロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハ
   ロアルコキシ基；低級アルキルチオ基；低級ハロアルキ
   ルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；低級ハロアル
   キルスルフィニル基；低級アルキルスルホニル基；低級
   ハロアルキルスルホニル基；低級アルキルカルボニル
   基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルキルカルボ
   ニルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級
   ハロアルキルスルホニルオキシ基；フェノキシ基；１〜
   ５個の同一又は異なっても良いハロゲン原子，低級アル
   キル基，低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基又は低
   級ハロアルコキシ基により置換されたフェノキシ基；ピ
   リジルオキシ基；又は１〜４個の同一又は異なっても良
   い、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル
   基、低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基により
   置換されたピリジルオキシ基；を示し、Ｗは酸素原子又
   は硫黄原子を示す。）で表されるヒドラジンカルボキサ
   ミド誘導体を一般式(III) R⁵'-Hal (III) （式中、R⁵' は低級アルキルカルボニル基；低級ハロア
   ルキルカルボニル基；シクロアルキルカルボニル基；低
   級アルコキシカルボニル基；低級アルコキシジカルボニ
   ル基；フェニルカルボニル基；同一又は異なっても良い
   ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、
   低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基から選択さ
   れる１〜５個の置換基を有するフェニルカルボニル基；
   又は同一又は異なっても良い１〜２個の水素原子、低級
   アルキル基、フェニル基、又は同一又は異なっても良い
   ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、
   低級アルコキシ基、若しくは低級ハロアルコキシ基から
   選択される１〜５個の置換基を有するフェニル基から選
   択される置換基を有するアミノカルボニル基；を示し、
   Hal はハロゲン原子を示す。）で表されるハライド類、
   又は一般式(II) R⁵''-NCW (II) （式中、R⁵''低級アルキル基；フェニル基；同一又は異
   なっても良いハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロ
   アルキル基、低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ
   基から選択される１〜５個の置換基を有するフェニル
   基；を示す。）で表されるイソシアネ−ト類と反応させ
   ることを特徴とする一般式(I) （式中、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＷは前記
   に同じ。但し、R⁵は水素原子を除く。）で表されるヒド
   ラジンカルボキサミド誘導体の製造方法。
6. 【請求項６】 一般式(I) （式中、R¹は水素原子又は低級アルキル基を示し、R²は
   水素原子又は低級アルキル基を示し、R³は水素原子；水
   酸基；低級アルキル基；低級アルコキシ基；低級アルキ
   ルカルボニルオキシ基；フェニルカルボニルオキシ基；
   又はフェニル環上に同一若しくは異なっても良いハロゲ
   ン原子、低級アルキル基又は低級ハロアルキル基から選
   択される１〜５個の置換基を有するフェニルカルボニル
   オキシ基；を示し、R⁴は水素原子又は低級アルキル基を
   示し、R³及びR⁴は一緒になって酸素原子を示すこともで
   き、R⁵は水素原子；低級アルキルカルボニル基；低級ハ
   ロアルキルカルボニル基；シクロアルキルカルボニル
   基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルコキシジカ
   ルボニル基；フェニルカルボニル基；同一又は異なって
   も良いハロゲン原子, 低級アルキル基、低級ハロアルキ
   ル基、低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基から
   選択される１〜５個の置換基を有するフェニルカルボニ
   ル基；又は同一又は異なっても良い１〜２個の水素原
   子、低級アルキル基、フェニル基、又は同一又は異なっ
   ても良いハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアル
   キル基、低級アルコキシ基、若しくは低級ハロアルコキ
   シ基から選択される１〜５個の置換基を有するフェニル
   基から選択される置換基を有するアミノカルボニル基；
   を示す。Ｘは１〜５個の同一又は異なっても良い、水素
   原子；水酸基；ハロゲン原子；シアノ基；低級アルキル
   基；低級ハロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロ
   アルコキシ基；低級アルコキシアルキル基；低級アルケ
   ニルオキシ基；シクロアルキルカルボニルオキシ基；低
   級アルコキシカルボニルオキシ基；低級アルコキシカル
   ボニルアルキルオキシ基；低級アルキルカルボニルアル
   キルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；フェ
   ノキシ基；メチレンジオキシ基；隣あった炭素原子と一
   緒になった炭素原子数３〜４のアルケニレン基；アミノ
   基；同一又は異なっても良い１〜２個の低級アルキル基
   により置換されたアミノ基；同一又は異なっても良い１
   〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカルボ
   ニルオキシ基；又はジオキソラン基；を示し、Ｙは１〜
   ５個の同一又は異なっても良い、水素原子；水酸基；ハ
   ロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハ
   ロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロアルコキシ
   基；低級アルケニルオキシ基；低級アルキルカルボニル
   オキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級ハロ
   アルキルスルホニルオキシ基；低級アルキルチオ基；低
   級ハロアルキルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；
   低級ハロアルキルスルフィニル基；低級アルキルスルホ
   ニル基；低級ハロアルキルスルホニル基；低級アルコキ
   シカルボニル基；アミノ基；ホルミル基，低級アルキル
   カルボニル基, 低級アルキルスルホニル基又は同一又は
   異なっても良い低級アルキル基により置換されたアミノ
   カルボニル基から選択される１〜２個の置換基を有する
   アミノ基；アミノカルボニル基；同一又は異なっても良
   い１〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカ
   ルボニル基; 同一又は異なっても良い１〜２個の低級ア
   ルキル基により置換されたアミノスルホニル基；フェニ
   ル基；又は隣あった炭素原子と一緒になって炭素原子数
   ２〜３のアザアルケニレン基；を示し、Ｚは１〜５個の
   同一又は異なっても良い、水素原子；ハロゲン原子；シ
   アノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハロアルキル基；
   シクロアルキル基；同一又は異なっても良いハロゲン原
   子又は低級アルキル基から選択される１〜５個の置換基
   を有するシクロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハ
   ロアルコキシ基；低級アルキルチオ基；低級ハロアルキ
   ルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；低級ハロアル
   キルスルフィニル基；低級アルキルスルホニル基；低級
   ハロアルキルスルホニル基；低級アルキルカルボニル
   基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルキルカルボ
   ニルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級
   ハロアルキルスルホニルオキシ基；フェノキシ基；１〜
   ５個の同一又は異なっても良いハロゲン原子、低級アル
   キル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基又は低
   級ハロアルコキシ基により置換されたフェノキシ基；ピ
   リジルオキシ基；又は１〜４個の同一又は異なっても良
   い、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル
   基、低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基により
   置換されたピリジルオキシ基；を示し、Ｗは酸素原子又
   は硫黄原子を示す。）で表されるヒドラジンカルボキサ
   ミド誘導体を有効成分として含有することを特徴とする
   農園芸用殺虫剤。
7. 【請求項７】 R¹が水素原子又は低級アルキル基を示
   し、R²が水素原子又は低級アルキル基を示し、R³が水素
   原子又は低級アルキル基を示し、R⁴が水素原子又は低級
   アルキル基を示し、R⁵が水素原子を示し、Ｘが１〜５個
   の同一又は異なっても良い水素原子、ハロゲン原子、低
   級アルキル基、低級ハロアルキル基を示し、Ｙが１〜５
   個の同一又は異なっても良い水素原子、ハロゲン原子、
   シアノ基又はニトロ基を示し、Ｚが１〜５個の同一又は
   異なっても良い水素原子、ハロゲン原子、低級ハロアル
   キル基、低級ハロアルコキシ基、低級アルキルチオ基、
   低級ハロアルキルチオ基、低級アルキルスルフィニル
   基、低級ハロアルキルスルフィニル基、低級アルキルス
   ルホニル基又は低級ハロアルキルスルホニル基を示し、
   Ｗが酸素原子を示す請求項第６項記載の農園芸用殺虫
   剤。
8. 【請求項８】 Ｘが３位であり、Ｙ又はＺが４位に置換
   している請求項第７項記載の農園芸用殺虫剤。
9. 【請求項９】 有用作物を望ましからぬ害虫から防除す
   るために一般式(I) （式中、R¹は水素原子又は低級アルキル基を示し、R²は
   水素原子又は低級アルキル基を示し、R³は水素原子；水
   酸基；低級アルキル基；低級アルコキシ基；低級アルキ
   ルカルボニルオキシ基；フェニルカルボニルオキシ基；
   又はフェニル環上に同一若しくは異なっても良いハロゲ
   ン原子，低級アルキル基又は低級ハロアルキル基から選
   択される１〜５個の置換基を有するフェニルカルボニル
   オキシ基；を示し、R⁴は水素原子又は低級アルキル基を
   示し、R³及びR⁴は一緒になって酸素原子を示すこともで
   き、R⁵は水素原子；低級アルキルカルボニル基；低級ハ
   ロアルキルカルボニル基；シクロアルキルカルボニル
   基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルコキシジカ
   ルボニル基；フェニルカルボニル基；同一又は異なって
   も良いハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキ
   ル基、低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基から
   選択される１〜５個の置換基を有するフェニルカルボニ
   ル基；又は同一又は異なっても良い１〜２個の水素原
   子、低級アルキル基、フェニル基、又は同一又は異なっ
   ても良いハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアル
   キル基、低級アルコキシ基、若しくは低級ハロアルコキ
   シ基から選択される１〜５個の置換基を有するフェニル
   基から選択される置換基を有するアミノカルボニル基；
   を示す。Ｘは１〜５個の同一又は異なっても良い、水素
   原子；水酸基；ハロゲン原子；シアノ基；低級アルキル
   基；低級ハロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロ
   アルコキシ基；低級アルコキシアルキル基；低級アルケ
   ニルオキシ基；シクロアルキルカルボニルオキシ基；低
   級アルコキシカルボニルオキシ基；低級アルコキシカル
   ボニルアルキルオキシ基；低級アルキルカルボニルアル
   キルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；フェ
   ノキシ基；メチレンジオキシ基；隣あった炭素原子と一
   緒になった炭素原子数３〜４のアルケニレン基；アミノ
   基；同一又は異なっても良い１〜２個の低級アルキル基
   により置換されたアミノ基；同一又は異なっても良い１
   〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカルボ
   ニルオキシ基；又はジオキソラン基；を示し、Ｙは１〜
   ５個の同一又は異なっても良い、水素原子；水酸基；ハ
   ロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハ
   ロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハロアルコキシ
   基；低級アルケニルオキシ基；低級アルキルカルボニル
   オキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級ハロ
   アルキルスルホニルオキシ基；低級アルキルチオ基；低
   級ハロアルキルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；
   低級ハロアルキルスルフィニル基；低級アルキルスルホ
   ニル基；低級ハロアルキルスルホニル基；低級アルコキ
   シカルボニル基；アミノ基；ホルミル基、低級アルキル
   カルボニル基、低級アルキルスルホニル基又は同一又は
   異なっても良い低級アルキル基により置換されたアミノ
   カルボニル基から選択される１〜２個の置換基を有する
   アミノ基；アミノカルボニル基；同一又は異なっても良
   い１〜２個の低級アルキル基により置換されたアミノカ
   ルボニル基; 同一又は異なっても良い１〜２個の低級ア
   ルキル基により置換されたアミノスルホニル基；フェニ
   ル基；又は隣あった炭素原子と一緒になって炭素原子数
   ２〜３のアザアルケニレン基；を示し、Ｚは１〜５個の
   同一又は異なっても良い、水素原子；ハロゲン原子；シ
   アノ基；ニトロ基；アルキル基；低級ハロアルキル基；
   シクロアルキル基；同一又は異なっても良いハロゲン原
   子又は低級アルキル基から選択される１〜５個の置換基
   を有するシクロアルキル基；低級アルコキシ基；低級ハ
   ロアルコキシ基；低級アルキルチオ基；低級ハロアルキ
   ルチオ基；低級アルキルスルフィニル基；低級ハロアル
   キルスルフィニル基；低級アルキルスルホニル基；低級
   ハロアルキルスルホニル基；低級アルキルカルボニル
   基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルキルカルボ
   ニルオキシ基；低級アルキルスルホニルオキシ基；低級
   ハロアルキルスルホニルオキシ基；フェノキシ基；１〜
   ５個の同一又は異なっても良いハロゲン原子、低級アル
   キル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基又は低
   級ハロアルコキシ基により置換されたフェノキシ基；ピ
   リジルオキシ基；又は１〜４個の同一又は異なっても良
   い、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル
   基、低級アルコキシ基又は低級ハロアルコキシ基により
   置換されたピリジルオキシ基；を示し、Ｗは酸素原子又
   は硫黄原子を示す。）で表されるヒドラジンカルボキサ
   ミド誘導体を有効成分として含有する農園芸用殺虫剤
   を、１０ア−ル当たり０．１ｇ〜５Kgの範囲の有効成分
   量で薬剤処理することを特徴とする望ましからぬ害虫の
   防除方法。