JP2788779B2 - 回路基板用素材板 - Google Patents
回路基板用素材板Info
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- JP2788779B2 JP2788779B2 JP2056428A JP5642890A JP2788779B2 JP 2788779 B2 JP2788779 B2 JP 2788779B2 JP 2056428 A JP2056428 A JP 2056428A JP 5642890 A JP5642890 A JP 5642890A JP 2788779 B2 JP2788779 B2 JP 2788779B2
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- Japan
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- layer
- copper
- circuit board
- polymer material
- adhesion
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- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、コンピュータ、ワードプロセッサ等の電子
回路基板に使用される基材板に関するものである。
回路基板に使用される基材板に関するものである。
[従来の技術] 従来、電子回路基板の素材板としては、ガラスクロス
にエポキシ樹脂等を含浸させたシート(プリプレグ)を
積層したものやポリイミドフィルム,ポリエステルフィ
ルム等を絶縁層とし、その表面に導電層として18〜75μ
m程度の厚さの銅箔を熱圧着した銅張積層板が汎用され
ている。
にエポキシ樹脂等を含浸させたシート(プリプレグ)を
積層したものやポリイミドフィルム,ポリエステルフィ
ルム等を絶縁層とし、その表面に導電層として18〜75μ
m程度の厚さの銅箔を熱圧着した銅張積層板が汎用され
ている。
これらの銅張積層板において、金属である銅箔と高分
子材料層(絶縁層)との密着性を確保するために、高分
子材料層表面に特殊な表面処理(プラズマ処理等)を施
したり、あるいは銅箔表面を電気化学的に粗化したりす
ることが一般に行なわれている。
子材料層(絶縁層)との密着性を確保するために、高分
子材料層表面に特殊な表面処理(プラズマ処理等)を施
したり、あるいは銅箔表面を電気化学的に粗化したりす
ることが一般に行なわれている。
この他、密着性の向上のためには、高分子材料層と銅
層の間に、クロム,ニッケル等の異種金属のアンカー層
を形成することも試みられている。
層の間に、クロム,ニッケル等の異種金属のアンカー層
を形成することも試みられている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記のような従来の回路基板用素材板
において、高分子材料層や銅層の接着面に表面処理を施
すといった方法では、両者の充分な密着性が確保されな
いという問題があった。
において、高分子材料層や銅層の接着面に表面処理を施
すといった方法では、両者の充分な密着性が確保されな
いという問題があった。
即ち、回路基板を製造するにあたっては、回路形成の
ためのエッチング,錫等の表面メッキを施すための薬品
処理,穴開け加工等の物理加工,半田フュージング等の
加熱処理等において種々の化学的・物理的な負荷が素材
板に加わることとなるが、従来の回路基板用素材板では
高分子材料層と銅層の密着力が不充分なため、これらの
工程を経るなかで高分子材料層と銅層の間に剥離が生じ
やすい。また、製造工程中だけでなく、電子部品を実装
する際の加熱工程や、あるいは電子機器に組み込まれて
からの経時変化によって剥離が生じる危険性もある。こ
のような高分子材料層と銅層の密着性の問題は、回路の
細密多層化・高密度実装化が進む今日、信頼性の上から
も増々重大な問題となっている。
ためのエッチング,錫等の表面メッキを施すための薬品
処理,穴開け加工等の物理加工,半田フュージング等の
加熱処理等において種々の化学的・物理的な負荷が素材
板に加わることとなるが、従来の回路基板用素材板では
高分子材料層と銅層の密着力が不充分なため、これらの
工程を経るなかで高分子材料層と銅層の間に剥離が生じ
やすい。また、製造工程中だけでなく、電子部品を実装
する際の加熱工程や、あるいは電子機器に組み込まれて
からの経時変化によって剥離が生じる危険性もある。こ
のような高分子材料層と銅層の密着性の問題は、回路の
細密多層化・高密度実装化が進む今日、信頼性の上から
も増々重大な問題となっている。
一方、高分子材料層と銅層の間に、クロム,ニッケル
等の異種金属のアンカー層を設ける方法では、ある程度
の密着性が確保されるものの、銅箔だけの場合と同じ条
件ではエッチングできず、アンカー層のエッチング工程
が繁雑となる上、特別な排水処理設備が必要となるとい
う問題があり、実用的ではない。
等の異種金属のアンカー層を設ける方法では、ある程度
の密着性が確保されるものの、銅箔だけの場合と同じ条
件ではエッチングできず、アンカー層のエッチング工程
が繁雑となる上、特別な排水処理設備が必要となるとい
う問題があり、実用的ではない。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、
高分子材料層と銅層の密着性に優れ、かつ回路形成も容
易である回路基板用素材板を提供することを目的とする
ものである。
高分子材料層と銅層の密着性に優れ、かつ回路形成も容
易である回路基板用素材板を提供することを目的とする
ものである。
[課題を解決するための手段] 本発明の回路基板用素材板は、高分子材料層によって
銅層が担持されている回路基板用素材板において、前記
高分子材料層の表面に窒化銅のスパッタ蒸着層が形成さ
れ、この窒化銅のスパッタ蒸着層の表面に前記銅層が形
成されたことを特徴とする回路基板用素材板。ものであ
る。
銅層が担持されている回路基板用素材板において、前記
高分子材料層の表面に窒化銅のスパッタ蒸着層が形成さ
れ、この窒化銅のスパッタ蒸着層の表面に前記銅層が形
成されたことを特徴とする回路基板用素材板。ものであ
る。
なお、本明細書においては、便宜上、回路基板用素材
「板」としているが、リジット回路基板用だけでなくフ
レキシブル回路基板用の素材となるものも含む意味であ
ることは言うまでもない。
「板」としているが、リジット回路基板用だけでなくフ
レキシブル回路基板用の素材となるものも含む意味であ
ることは言うまでもない。
[作用] 本発明の回路基板用素材板においては、高分子材料層
と銅層の間に設けられた窒化銅層が両者の密着力を高め
る機能を果たし、回路基板形成の際の錫メッキ等の置換
メッキにおける過酷な条件での薬品処理を含む各種薬品
処理や加熱処理、物理的衝撃によってもその密着力の低
下が少ない。また、窒化銅層はその上の銅層と同様な条
件で良好なエッチングを行なうことかでき、排水処理も
既存の設備をそのまま利用できる。
と銅層の間に設けられた窒化銅層が両者の密着力を高め
る機能を果たし、回路基板形成の際の錫メッキ等の置換
メッキにおける過酷な条件での薬品処理を含む各種薬品
処理や加熱処理、物理的衝撃によってもその密着力の低
下が少ない。また、窒化銅層はその上の銅層と同様な条
件で良好なエッチングを行なうことかでき、排水処理も
既存の設備をそのまま利用できる。
本発明の回路基板用素材板を製造するには、まず、ガ
ラス−エポキシシート,ポリイミドフィルム,ポリエス
テルフィルム,エチレン・フロロエチレン共重合体フィ
ルム等からなる高分子材料層の表面に、1000Å以下(特
に5〜300Åが好ましい)の窒化銅の薄膜を付着させ
る。通常、この素材板は曲率半径100mm程度に曲げられ
巻取られるので、この際にクラックの発生を避けるため
1000Å以下が望ましい。また、窒化銅の均一なスパッタ
を行うためには5Å以上が必要であるが、300Å以上と
なるとスパッタ時の熱にて素材にカールを生じることが
ある。
ラス−エポキシシート,ポリイミドフィルム,ポリエス
テルフィルム,エチレン・フロロエチレン共重合体フィ
ルム等からなる高分子材料層の表面に、1000Å以下(特
に5〜300Åが好ましい)の窒化銅の薄膜を付着させ
る。通常、この素材板は曲率半径100mm程度に曲げられ
巻取られるので、この際にクラックの発生を避けるため
1000Å以下が望ましい。また、窒化銅の均一なスパッタ
を行うためには5Å以上が必要であるが、300Å以上と
なるとスパッタ時の熱にて素材にカールを生じることが
ある。
この窒化銅層は、蒸着,CVD(化学的気相成長法),ゾ
ルゲル法等のセラミック膜形成方法等によって形成され
るが、特に、銅をターゲット,窒素ガスをキャリアガス
として用いた反応性スパッター蒸着法によって形成する
ことが好ましい。この際、高分子材料層にポリイミドフ
ィルムを用いると、より良好な結果が得られる。また、
高分子材料層の表面に対して、窒素ガス,酸素ガス,ア
ルゴンガス等のプラズマ処理を行なうことによって窒化
銅層の密着性を高めることができる。このとき、窒素ガ
スのプラズマ処理を採用すれば、キャリアガスが同一と
なるため、窒化銅層を形成する際の反応性スパッター蒸
着法と一体の真空系のインラインプロセス化が可能であ
る。
ルゲル法等のセラミック膜形成方法等によって形成され
るが、特に、銅をターゲット,窒素ガスをキャリアガス
として用いた反応性スパッター蒸着法によって形成する
ことが好ましい。この際、高分子材料層にポリイミドフ
ィルムを用いると、より良好な結果が得られる。また、
高分子材料層の表面に対して、窒素ガス,酸素ガス,ア
ルゴンガス等のプラズマ処理を行なうことによって窒化
銅層の密着性を高めることができる。このとき、窒素ガ
スのプラズマ処理を採用すれば、キャリアガスが同一と
なるため、窒化銅層を形成する際の反応性スパッター蒸
着法と一体の真空系のインラインプロセス化が可能であ
る。
次に、上記のようにして形成した窒化銅層の上に、蒸
着法,メッキ法及びそれらの組み合わせによって銅層を
形成させるが、スパッター蒸着法にて0.1〜1μmの膜
厚とし、その後必要に応じて電気メッキを行なうことが
望ましい。また、窒化銅層の表面に窒素ガス,酸素ガ
ス,アルゴンガス等のプラズマ処理を行なうことによ
り、窒化銅層と銅層の密着性を高めることができる。
着法,メッキ法及びそれらの組み合わせによって銅層を
形成させるが、スパッター蒸着法にて0.1〜1μmの膜
厚とし、その後必要に応じて電気メッキを行なうことが
望ましい。また、窒化銅層の表面に窒素ガス,酸素ガ
ス,アルゴンガス等のプラズマ処理を行なうことによ
り、窒化銅層と銅層の密着性を高めることができる。
[実施例] 第1図(a)〜(d)は本発明実施例による回路基板
用素材板の製造工程を示す断面図である。
用素材板の製造工程を示す断面図である。
本実施例においては、高分子材料層としての50μm厚
のポリイミドフィルム1(商品名:カプトン200H,米国
デュポン社製)を用い、このポリイミドフィルム1の表
面にアルゴンプラズマ処理を施した後(第1図
(a))、銅をターゲット,窒素をキャリアガスとて反
応性スパッター法により200Åの窒化銅層2を設けた
(第1図(b))。その後、アルゴンをキャリアガスと
したスパッター法により窒化銅層2上に1μmの銅層3
を設けた(第1図(c))。そして、更にその上に電解
メッキを施し、スパッター法による銅層3と電解メッキ
による銅層4の全体の厚さを35μmとして、第1図
(d)に示されるような回路基板用素材板を作製した。
のポリイミドフィルム1(商品名:カプトン200H,米国
デュポン社製)を用い、このポリイミドフィルム1の表
面にアルゴンプラズマ処理を施した後(第1図
(a))、銅をターゲット,窒素をキャリアガスとて反
応性スパッター法により200Åの窒化銅層2を設けた
(第1図(b))。その後、アルゴンをキャリアガスと
したスパッター法により窒化銅層2上に1μmの銅層3
を設けた(第1図(c))。そして、更にその上に電解
メッキを施し、スパッター法による銅層3と電解メッキ
による銅層4の全体の厚さを35μmとして、第1図
(d)に示されるような回路基板用素材板を作製した。
次に、上記のようにして作製した回路基板用素材板に
ついて、ポリイミドフィルム1と銅層3,4間の剥離試験
を行なったところ、10mm幅当り1.8kgの引き剥がし強さ
が得られた。
ついて、ポリイミドフィルム1と銅層3,4間の剥離試験
を行なったところ、10mm幅当り1.8kgの引き剥がし強さ
が得られた。
また、比較品として、窒化銅層を形成しない以外は上
記の実施例品と同様の構成の回路基板用素材板につい
て、剥離試験を行なったところ、10mm幅当り0.8kgと実
施例品のものの半分以下の引き剥がし強さしか得られな
かった。
記の実施例品と同様の構成の回路基板用素材板につい
て、剥離試験を行なったところ、10mm幅当り0.8kgと実
施例品のものの半分以下の引き剥がし強さしか得られな
かった。
また、得られた回路基板用素材板に、フォトリソグラ
フィにて導体幅50μm,導体間ピッチ100μmの回路パタ
ーンを形成した。この工程は、アルカリ現像タイプのレ
ジストを使用し、1.1.1トリクロルエタンにて現像処理
を行い、塩化第2鉄水溶液にて銅及び窒化銅のエッチン
グを行ない、アセトンにてレジストの剥離処理を行な
い、塩酸とテトラフルオロホウ酸による酸性の塩化第1
錫水溶液を主成分とした無電解錫メッキを行なった。か
かる工程中、ポリイミドフィルムと導体間に剥離の発生
はなかった。また、作製された回路パターンについて50
0g/cmに相当する粘着テープの貼着・剥離試験を行なっ
たが、両者間の剥離は生じなかった。
フィにて導体幅50μm,導体間ピッチ100μmの回路パタ
ーンを形成した。この工程は、アルカリ現像タイプのレ
ジストを使用し、1.1.1トリクロルエタンにて現像処理
を行い、塩化第2鉄水溶液にて銅及び窒化銅のエッチン
グを行ない、アセトンにてレジストの剥離処理を行な
い、塩酸とテトラフルオロホウ酸による酸性の塩化第1
錫水溶液を主成分とした無電解錫メッキを行なった。か
かる工程中、ポリイミドフィルムと導体間に剥離の発生
はなかった。また、作製された回路パターンについて50
0g/cmに相当する粘着テープの貼着・剥離試験を行なっ
たが、両者間の剥離は生じなかった。
一方、比較のため、窒化銅層を介在させずに作製した
回路基板用素材板について同様の工程を施したところ、
回路パターンの作製工程中にポリイミドと導体間に一部
剥離が発生し、また粘着テープの貼着・剥離試験では導
体はフィルムから全面剥離してしまった。
回路基板用素材板について同様の工程を施したところ、
回路パターンの作製工程中にポリイミドと導体間に一部
剥離が発生し、また粘着テープの貼着・剥離試験では導
体はフィルムから全面剥離してしまった。
[発明の効果] 以上のように、本発明の回路基板用素材板は、高分子
材料層と銅層の間に窒化銅層が設けられているので、両
者の密着性が従来に比べて大幅に向上しており、回路形
成の際の薬品処理,物理加工,熱処理,更には部品実装
工程等の後加工においても密着性の低下が少なく、高分
子材料層と銅層の剥離が生じにくい。
材料層と銅層の間に窒化銅層が設けられているので、両
者の密着性が従来に比べて大幅に向上しており、回路形
成の際の薬品処理,物理加工,熱処理,更には部品実装
工程等の後加工においても密着性の低下が少なく、高分
子材料層と銅層の剥離が生じにくい。
また、本発明の回路基板用素材板は、銅層だけの従来
品と同様な条件でエッチングを行なうことができ、新た
に特別な排水処理を行なう必要もないので、既存の設備
を使用して容易に回路形成することができるという利点
もある。
品と同様な条件でエッチングを行なうことができ、新た
に特別な排水処理を行なう必要もないので、既存の設備
を使用して容易に回路形成することができるという利点
もある。
絶縁層(高分子材料層)と導体層(銅層)の密着性に
優れた本発明の回路基板用素材板は、回路の細密多層化
・高密度実装化が進む今日、工業的価値は大である。
優れた本発明の回路基板用素材板は、回路の細密多層化
・高密度実装化が進む今日、工業的価値は大である。
第1図(a)〜(d)は本発明実施例による回路基板用
素材板の製造工程を示す断面図である。 [主要部分の符号の説明] 1……ポリイミドフィルム(高分子材料層) 2……窒化銅層 3……スパッター法による銅層 4……電解メッキによる銅層
素材板の製造工程を示す断面図である。 [主要部分の符号の説明] 1……ポリイミドフィルム(高分子材料層) 2……窒化銅層 3……スパッター法による銅層 4……電解メッキによる銅層
フロントページの続き (72)発明者 株本 昭 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古河電気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−301907(JP,A) 特開 昭56−142869(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H05K 3/00,3/10 - 3/24,3/38 B32B 15/08 C23C 14/00 - 14/58
Claims (1)
- 【請求項1】高分子材料層によって銅層が担持されてい
る回路基板用素材板において、前記高分子材料層の表面
に窒化銅のスパッタ蒸着層が形成され、この窒化銅のス
パッタ蒸着層の表面に前記銅層が形成されたことを特徴
とする回路基板用素材板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2056428A JP2788779B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 回路基板用素材板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2056428A JP2788779B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 回路基板用素材板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03259594A JPH03259594A (ja) | 1991-11-19 |
JP2788779B2 true JP2788779B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=13026820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2056428A Expired - Fee Related JP2788779B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 回路基板用素材板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2788779B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6042929A (en) * | 1998-03-26 | 2000-03-28 | Alchemia, Inc. | Multilayer metalized composite on polymer film product and process |
JP2000165002A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Furontekku:Kk | 電子機器用基板及びその製造方法と電子機器 |
JP2000294921A (ja) | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Victor Co Of Japan Ltd | プリンス基板及びその製造方法 |
JP2007036571A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102007021896A1 (de) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Flexibles Leiterplattenmaterial und Verfahren zum Herstellen desselben |
JP5487473B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2014-05-07 | 国立大学法人東北大学 | 配線基板及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP2056428A patent/JP2788779B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03259594A (ja) | 1991-11-19 |
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