JP2777937B2 - 樹脂製光学素子及びその製造方法 - Google Patents
樹脂製光学素子及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射防止性、密着性、
耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を用いたクリーニング
液によるクリーニングに対する耐久性に優れた反射防止
層を有する樹脂製光学素子及びその製造方法に関する。
耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を用いたクリーニング
液によるクリーニングに対する耐久性に優れた反射防止
層を有する樹脂製光学素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂製光学素子は、従来より、ポリカー
ボネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）などからなる樹
脂製基板に光の透過率を向上させるための反射防止層を
形成して製造されている。このような反射防止層として
は、ＭｇＦ２（屈折率ｎ：１．３８０）からなる単層の
反射防止層が知られている。膜厚９４ｎｍのＭｇＦ２層
をポリカーボネート樹脂基板に形成して得た光学素子の
反射特性は、図３中曲線ａで示され、可視域中央付近で
の反射率は１％となる。
ボネート樹脂（屈折率ｎ：１．５７０）などからなる樹
脂製基板に光の透過率を向上させるための反射防止層を
形成して製造されている。このような反射防止層として
は、ＭｇＦ２（屈折率ｎ：１．３８０）からなる単層の
反射防止層が知られている。膜厚９４ｎｍのＭｇＦ２層
をポリカーボネート樹脂基板に形成して得た光学素子の
反射特性は、図３中曲線ａで示され、可視域中央付近で
の反射率は１％となる。
【０００３】また、ＺｒＯ２（屈折率ｎ：１．９５０）
及びＳｉＯ２（屈折率ｎ：１．４７７）とからなる２層
構造、Ａｌ２Ｏ３（屈折率ｎ：１．６３１）、ＴｉＯ２
（屈折率ｎ：２．３４９）及びＳｉＯ２（屈折率ｎ：
１．４７７）からなる反射防止層が知られている。図３
中、ポリカーボネート樹脂基板に膜厚１３３ｎｍのＺｒ
Ｏ２層と膜厚８８ｎｍのＳｉＯ２層とからなる反射防止
層を形成した場合の反射特性は曲線ｂで、膜厚８０ｎｍ
のＡｌ２Ｏ３層、膜厚１１１ｎｍのＴｉＯ２層及び膜厚
８８ｎｍのＳｉＯ２層からなる反射防止層を形成した場
合の反射特性は、曲線ｃで示される。図示されるよう
に、これら反射防止層の可視域中央付近の反射率は各々
２．７％と、１．６％である。
及びＳｉＯ２（屈折率ｎ：１．４７７）とからなる２層
構造、Ａｌ２Ｏ３（屈折率ｎ：１．６３１）、ＴｉＯ２
（屈折率ｎ：２．３４９）及びＳｉＯ２（屈折率ｎ：
１．４７７）からなる反射防止層が知られている。図３
中、ポリカーボネート樹脂基板に膜厚１３３ｎｍのＺｒ
Ｏ２層と膜厚８８ｎｍのＳｉＯ２層とからなる反射防止
層を形成した場合の反射特性は曲線ｂで、膜厚８０ｎｍ
のＡｌ２Ｏ３層、膜厚１１１ｎｍのＴｉＯ２層及び膜厚
８８ｎｍのＳｉＯ２層からなる反射防止層を形成した場
合の反射特性は、曲線ｃで示される。図示されるよう
に、これら反射防止層の可視域中央付近の反射率は各々
２．７％と、１．６％である。
【０００４】更に可視域の反射防止特性を向上させるた
めに、様々な材料からなる多層構造の反射防止層が開発
されており、具体的には、膜厚３６ｎｍのＡｌ２Ｏ
３層、膜厚５ｎｍのＴｉＯ２層、膜厚３６ｎｍのＡｌ２
Ｏ３層、膜厚１１１ｎｍのＴｉＯ２層及び膜厚８８ｎｍ
のＳｉＯ２層からなる反射防止層が知られている。これ
をポリカーボネート樹脂基板に形成した場合の反射特性
は、図３中、曲線ｄで示され、可視域中央付近での反射
率は０．５％となる。また、従来では、このような反射
防止層は、常温で真空蒸着法により、各層を順次積層し
て形成されていた。
めに、様々な材料からなる多層構造の反射防止層が開発
されており、具体的には、膜厚３６ｎｍのＡｌ２Ｏ
３層、膜厚５ｎｍのＴｉＯ２層、膜厚３６ｎｍのＡｌ２
Ｏ３層、膜厚１１１ｎｍのＴｉＯ２層及び膜厚８８ｎｍ
のＳｉＯ２層からなる反射防止層が知られている。これ
をポリカーボネート樹脂基板に形成した場合の反射特性
は、図３中、曲線ｄで示され、可視域中央付近での反射
率は０．５％となる。また、従来では、このような反射
防止層は、常温で真空蒸着法により、各層を順次積層し
て形成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
反射防止層では、高融点物質であるＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ
２及びＳｉＯ２などを樹脂基板に蒸着するため、積層中
の高融点蒸着物質からの輻射熱により樹脂基板が膨張
し、この際の基板と反射防止層との熱膨張差によって、
反射防止層にクラックが発生するという問題があった。
また、積層中にクラックが発生しなくても、熱膨張した
樹脂基板に形成した反射防止層には内部応力が蓄積され
るため、基板と反射防止層との密着性に劣り、反射防止
層には力や温度変化が加わった場合、例えば積層後基板
が冷却される際、樹脂基板が空気中の水分を吸収して膨
張する場合、或いはエーテルなどの揮発性溶剤をしみこ
ませたクリーニングペーパーで反射防止層表面を拭いた
場合にクラックが発生し易かった。
反射防止層では、高融点物質であるＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ
２及びＳｉＯ２などを樹脂基板に蒸着するため、積層中
の高融点蒸着物質からの輻射熱により樹脂基板が膨張
し、この際の基板と反射防止層との熱膨張差によって、
反射防止層にクラックが発生するという問題があった。
また、積層中にクラックが発生しなくても、熱膨張した
樹脂基板に形成した反射防止層には内部応力が蓄積され
るため、基板と反射防止層との密着性に劣り、反射防止
層には力や温度変化が加わった場合、例えば積層後基板
が冷却される際、樹脂基板が空気中の水分を吸収して膨
張する場合、或いはエーテルなどの揮発性溶剤をしみこ
ませたクリーニングペーパーで反射防止層表面を拭いた
場合にクラックが発生し易かった。
【０００６】本発明は、このような従来技術に伴う問題
点を解決しようとするものであり、基板と反射防止層と
の密着性に擾れるとともに、耐擦傷性、耐湿性に優れ、
エーテルなどの揮発性溶剤を含むクリーニング液を用い
た場合のクリーニングに対する耐久性に優れた反射防止
層を有する光学素子を提供することを目的としている。
点を解決しようとするものであり、基板と反射防止層と
の密着性に擾れるとともに、耐擦傷性、耐湿性に優れ、
エーテルなどの揮発性溶剤を含むクリーニング液を用い
た場合のクリーニングに対する耐久性に優れた反射防止
層を有する光学素子を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る樹脂製光学
素子は、樹脂基板と、該樹脂基板上に形成される下地層
と、該下地層上に形成される反射防止層とを有する樹脂
製光学素子であって、前記下地層がＣｏＯ層で形成さ
れ、前記反射防止層がＡｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳ
ｉＯ２層から形成されることを特徴としている。また、
本発明に係る樹脂製光学素子の製造方法は、ポリカーボ
ネート樹脂からなる樹脂基板上に、ＣｏＯ層で形成され
る下地層と、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳｉＯ２層
から形成される反射防止層とを真空蒸着法にて形成する
に際して、前記樹脂基板の温度を８０℃以下に維持した
ことを特徴とする。
素子は、樹脂基板と、該樹脂基板上に形成される下地層
と、該下地層上に形成される反射防止層とを有する樹脂
製光学素子であって、前記下地層がＣｏＯ層で形成さ
れ、前記反射防止層がＡｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳ
ｉＯ２層から形成されることを特徴としている。また、
本発明に係る樹脂製光学素子の製造方法は、ポリカーボ
ネート樹脂からなる樹脂基板上に、ＣｏＯ層で形成され
る下地層と、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳｉＯ２層
から形成される反射防止層とを真空蒸着法にて形成する
に際して、前記樹脂基板の温度を８０℃以下に維持した
ことを特徴とする。
【０００８】以下、本発明に係る樹脂製光学素子及びそ
の製造方法を更に詳しく説明する。本発明では、下地層
及び反射防止層を構成する各層の積層順、積層枚数、膜
厚等は、反射防止を行なう光の波長帯域及び屈折率など
の樹脂基板の材質などにより適宜選択される。ここで、
図１を参照して、本発明に係る樹脂製光学素子の好まし
い１態様を説明する。図１は本発明に係る樹脂製光学素
子の好ましい１態様を示す断面概略図である。図示され
るように、この光学素子１は、樹脂基板ａ上に、下地層
ｂと、第１層のＡｌ２Ｏ３層ｃ，第２層のＴｉＯ２層
ｄ、第３層のＡｌ２Ｏ３層ｅ、第４層のＴｉＯ２層ｆ及
び第５層のＳｉＯ２層ｇからなる反射防止層ｈとを有し
ている。
の製造方法を更に詳しく説明する。本発明では、下地層
及び反射防止層を構成する各層の積層順、積層枚数、膜
厚等は、反射防止を行なう光の波長帯域及び屈折率など
の樹脂基板の材質などにより適宜選択される。ここで、
図１を参照して、本発明に係る樹脂製光学素子の好まし
い１態様を説明する。図１は本発明に係る樹脂製光学素
子の好ましい１態様を示す断面概略図である。図示され
るように、この光学素子１は、樹脂基板ａ上に、下地層
ｂと、第１層のＡｌ２Ｏ３層ｃ，第２層のＴｉＯ２層
ｄ、第３層のＡｌ２Ｏ３層ｅ、第４層のＴｉＯ２層ｆ及
び第５層のＳｉＯ２層ｇからなる反射防止層ｈとを有し
ている。
【０００９】 下地層ｂは、ＣｏＯ層で形成される。Ｃ
ｏＯは、樹脂基板ａとの付着性に優れるとともに、熱膨
張率が基板ａと反射防止層ｈを構成する材料の中間にあ
り、これらの間の熱膨張差を緩和する働きがある。この
ような構成の光学素子１において、各層の膜厚は、基板
の材質、反射防止を行なう光の波長帯域等により選択さ
れるが、可視域の光において反射防止を行なう場合、基
板ａをポリカーボネート樹脂とすると、前記下地層ｂの
膜厚を１０ｎｍ以下、好ましくは１〜５ｎｍ、反射防止
層ｈを構成する第１層ｃを膜厚３２〜４６ｎｍ、好まし
くは３３〜３９ｎｍ、第２層ｄを膜厚２０ｎｍ以下、好
ましくは２〜８ｎｍ、第３層ｅを膜厚３２〜４６ｎｍ、
好ましくは３３〜３９ｎｍ、第４層ｆを膜厚９５〜１２
８ｎｍ、好ましくは１０１〜１１９ｎｍ，第５層ｇを膜
厚７５〜１１０ｎｍ、好ましくは７９〜９７ｎｍに設定
することが望ましい。
ｏＯは、樹脂基板ａとの付着性に優れるとともに、熱膨
張率が基板ａと反射防止層ｈを構成する材料の中間にあ
り、これらの間の熱膨張差を緩和する働きがある。この
ような構成の光学素子１において、各層の膜厚は、基板
の材質、反射防止を行なう光の波長帯域等により選択さ
れるが、可視域の光において反射防止を行なう場合、基
板ａをポリカーボネート樹脂とすると、前記下地層ｂの
膜厚を１０ｎｍ以下、好ましくは１〜５ｎｍ、反射防止
層ｈを構成する第１層ｃを膜厚３２〜４６ｎｍ、好まし
くは３３〜３９ｎｍ、第２層ｄを膜厚２０ｎｍ以下、好
ましくは２〜８ｎｍ、第３層ｅを膜厚３２〜４６ｎｍ、
好ましくは３３〜３９ｎｍ、第４層ｆを膜厚９５〜１２
８ｎｍ、好ましくは１０１〜１１９ｎｍ，第５層ｇを膜
厚７５〜１１０ｎｍ、好ましくは７９〜９７ｎｍに設定
することが望ましい。
【００１０】各層の膜厚をこのような値に設定すること
により、可視域での反射防止性に優れ、且つ基板ａと反
射防止層ｈの密着性に擾れた光学素子を得ることができ
る。即ち、反射防止層ｈを構成する各層Ｃ，ｄ，ｅ，
ｆ，ｇを上記値に設定することにより、光の干渉によ
り、充分な反射特性を得られる。また、下地層ｂは、膜
厚１０ｎｍ以下で基板ａ及び反射防止層ｈ間の膨張差の
緩和が充分可能である他、この値を越えると光の吸収が
大きくなるため好ましくない。
により、可視域での反射防止性に優れ、且つ基板ａと反
射防止層ｈの密着性に擾れた光学素子を得ることができ
る。即ち、反射防止層ｈを構成する各層Ｃ，ｄ，ｅ，
ｆ，ｇを上記値に設定することにより、光の干渉によ
り、充分な反射特性を得られる。また、下地層ｂは、膜
厚１０ｎｍ以下で基板ａ及び反射防止層ｈ間の膨張差の
緩和が充分可能である他、この値を越えると光の吸収が
大きくなるため好ましくない。
【００１１】 本発明に係る樹脂製光学素子の製造方法
では、ポリカーボネート樹脂からなる樹脂基板上に、Ｃ
ｏＯ層で形成される下地層と、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２
層及びＳｉＯ２層から形成される反射防止層とを真空蒸
着法にて形成しており、この際、樹脂基板の温度を８０
℃以下、好ましくは３０〜８０℃に維持している。基板
の温度をこのような値に維持することにより、樹脂製基
板の熱膨張を押え、基板と反射防止層との熱膨張差によ
る影響を有効に緩和することができる。
では、ポリカーボネート樹脂からなる樹脂基板上に、Ｃ
ｏＯ層で形成される下地層と、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２
層及びＳｉＯ２層から形成される反射防止層とを真空蒸
着法にて形成しており、この際、樹脂基板の温度を８０
℃以下、好ましくは３０〜８０℃に維持している。基板
の温度をこのような値に維持することにより、樹脂製基
板の熱膨張を押え、基板と反射防止層との熱膨張差によ
る影響を有効に緩和することができる。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【実施例】以下、本発明に係る光学素子及びその製造方
法の実施例を説明するが、本発明はこの実施例に限定さ
れるものではない。 （実施例１） 電子ビーム真空蒸着装置内に、ポリカーボネート樹脂
（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据え付け、真
空度１×１０−５ｔｏｒｒで、ＣｏＯを約０．５ｎｍ／
秒の蒸着速度にて膜厚約２ｎｍとなるように下地層を形
成した。この際、基板の温度は３０℃であった。次に、
反射防止層の第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を１．８ｎｍ
／秒の蒸着速度にて膜厚約３６ｎｍとなるように形成し
た。この際、基板の温度は５０℃であった。その後、真
空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、
反射防止層の第２層として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ
／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形成した。この際、基
板の温度は６０℃であった。
法の実施例を説明するが、本発明はこの実施例に限定さ
れるものではない。 （実施例１） 電子ビーム真空蒸着装置内に、ポリカーボネート樹脂
（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据え付け、真
空度１×１０−５ｔｏｒｒで、ＣｏＯを約０．５ｎｍ／
秒の蒸着速度にて膜厚約２ｎｍとなるように下地層を形
成した。この際、基板の温度は３０℃であった。次に、
反射防止層の第１層として、Ａｌ２Ｏ３層を１．８ｎｍ
／秒の蒸着速度にて膜厚約３６ｎｍとなるように形成し
た。この際、基板の温度は５０℃であった。その後、真
空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、
反射防止層の第２層として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ
／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形成した。この際、基
板の温度は６０℃であった。
【００１７】この第２層上に、反射防止層の第３層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−５
ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の
蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍの
第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。最後
に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１．３
ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。この
際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却するため
に５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃となっ
た時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出した。
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−５
ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の
蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍの
第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。最後
に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１．３
ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。この
際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却するため
に５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃となっ
た時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出した。
【００１８】 （比較例１） 電子ビーム真空蒸着装置内に、ポリカーボネート樹脂
（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据え付け、真
空度１×１０−５ｔｏｒｒで、反射防止層の第１層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は５０℃で
あった。その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなる
まで酸素を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ
２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形
成した。この際、基板の温度は６０℃であった。
（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据え付け、真
空度１×１０−５ｔｏｒｒで、反射防止層の第１層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は５０℃で
あった。その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなる
まで酸素を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ
２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形
成した。この際、基板の温度は６０℃であった。
【００１９】この第２層上に、反射防止層の第３層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−５
ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の
蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍの
第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。最後
に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１．３
ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。この
際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却するため
に５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃となっ
た時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出した。
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、基
板温度を５５℃とした。次いで、真空度が９×１０−５
ｔｏｒｒとなるまで酸素を導入し、反射防止層の第４層
として、ＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて
膜厚約５５ｎｍ形成した。この際、基板の温度は８０℃
であった。基板を冷却するために５分間蒸着を中止し、
基板温度５５℃とした。更に酸素を真空度９×１０−５
ｔｏｒｒまで導入してＴｉＯ２層を約０．５ｎｍ／秒の
蒸着速度にて膜厚約５５ｎｍ形成し、合計１１０ｎｍの
第４層とした。この時基板温度は８０℃であった。最後
に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約１．３
ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成した。この
際、基板の温度は７５℃であった。基板を冷却するため
に５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が５５℃となっ
た時点で装置に大気を導入し、光学素子を取り出した。
【００２０】 （比較例２） 電子ビーム真空蒸着装置内に、ポリカーボネート樹脂
（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据え付け、真
空度１×１０−５ｔｏｒｒで、反射防止層の第１層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は５０℃で
あった。その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなる
まで酸素を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ
２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形
成した。この際、基板の温度は６０℃であった。
（屈折率ｎ：１．５７０）からなる基板を据え付け、真
空度１×１０−５ｔｏｒｒで、反射防止層の第１層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は５０℃で
あった。その後、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなる
まで酸素を導入し、反射防止層の第２層として、ＴｉＯ
２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約５ｎｍ形
成した。この際、基板の温度は６０℃であった。
【００２１】この第２層上に、反射防止層の第３層とし
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。次いで、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなる
まで酸素を導入し、反射防止層の第４層として、ＴｉＯ
２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約１１０ｎ
ｍ形成した。この際、基板の温度は１１０℃であった。
最後に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約
１．３ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成し
た。この際、基板の温度は１０５℃であった。基板を冷
却するために５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が８
０℃となった時点で装置に大気を導入し、光学素子を取
り出した。
て、Ａｌ２Ｏ３層を約１．８ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜
厚約３６ｎｍ形成した。この際、基板の温度は７５℃で
あった。次いで、真空度が９×１０−５ｔｏｒｒとなる
まで酸素を導入し、反射防止層の第４層として、ＴｉＯ
２層を約０．５ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約１１０ｎ
ｍ形成した。この際、基板の温度は１１０℃であった。
最後に、反射防止層の第５層として、ＳｉＯ２層を約
１．３ｎｍ／秒の蒸着速度にて膜厚約８８ｎｍ形成し
た。この際、基板の温度は１０５℃であった。基板を冷
却するために５分間蒸着装置内に放置し、基板温度が８
０℃となった時点で装置に大気を導入し、光学素子を取
り出した。
【００２２】 このようにして得られた実施例１及び比
較例１〜２の光学素子を用いて、以下に説明する試験方
法により、密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を
含むクリーニング液に対する耐久性を測定した。即ち、
密着性テストでは、幅１８ｍｍのセロハンテープを反射
防止層に張り付け、４５゜方向の角度から瞬時に引きは
がして剥離状態を観察した。耐擦傷性では、レンズクリ
ーニングペーパーにより１５０往復反射防止層表面をこ
すり、傷発生の有無を観察した。耐湿性テストでは、温
度６０℃、湿度９０％の条件下に光学素子を放置し、４
８時間後にその表面を観察した。また、クリーニング液
を用いた場合の耐久性では、エーテル７０重量％とメタ
ノール３０重量％とからなるクリーニング液で、レンズ
クリーニングペーパーを濡らし、１５０往復反射防止層
表面をこすり、傷発生の有無を観察した。結果を表１に
示す。
較例１〜２の光学素子を用いて、以下に説明する試験方
法により、密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を
含むクリーニング液に対する耐久性を測定した。即ち、
密着性テストでは、幅１８ｍｍのセロハンテープを反射
防止層に張り付け、４５゜方向の角度から瞬時に引きは
がして剥離状態を観察した。耐擦傷性では、レンズクリ
ーニングペーパーにより１５０往復反射防止層表面をこ
すり、傷発生の有無を観察した。耐湿性テストでは、温
度６０℃、湿度９０％の条件下に光学素子を放置し、４
８時間後にその表面を観察した。また、クリーニング液
を用いた場合の耐久性では、エーテル７０重量％とメタ
ノール３０重量％とからなるクリーニング液で、レンズ
クリーニングペーパーを濡らし、１５０往復反射防止層
表面をこすり、傷発生の有無を観察した。結果を表１に
示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】 表１に示されるように、実施例１の光学
素子は、密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含
むクリーニング液に対する耐久性の各テストでまったく
異常が無い。下地層がなく、基板を８０℃以下に維持し
て反射防止層を形成した比較例１の光学素子は、クリー
ニング液に対する耐久性にやや劣り、下地層がなく、反
射防止層形成時に基板温度が８０℃を越えた比較例２の
光学素子は耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含むクリ
ーニング液に対する耐久性のいずれにおいても劣ってい
る。また、上記試験前後の光学素子の反射特性を測定し
たところ、本実施例の光学素子は、可視域において優れ
た反射特性を示し、且つこの上記テスト前後でほとんど
反射特性が変化しなかった。
素子は、密着性、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含
むクリーニング液に対する耐久性の各テストでまったく
異常が無い。下地層がなく、基板を８０℃以下に維持し
て反射防止層を形成した比較例１の光学素子は、クリー
ニング液に対する耐久性にやや劣り、下地層がなく、反
射防止層形成時に基板温度が８０℃を越えた比較例２の
光学素子は耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含むクリ
ーニング液に対する耐久性のいずれにおいても劣ってい
る。また、上記試験前後の光学素子の反射特性を測定し
たところ、本実施例の光学素子は、可視域において優れ
た反射特性を示し、且つこの上記テスト前後でほとんど
反射特性が変化しなかった。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、反射防止特性、特
に可視域での反射防止特性に優れ、かつ密着性に特に優
れると共に、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含むク
リーニング液に対する耐久性に優れた反射防止層を有
し、光学フィルタ、レンズ及びパネル等の多くの用途に
好適に使用できる光学素子を提供することが可能であ
る。また、ポリカーボネート樹脂からなる樹脂基板上
に、下地層と反射防止層とを真空蒸着法にて形成するに
際して、前記樹脂基板の温度を８０℃以下に維持するこ
とで、成膜を容易に行なえる。
に可視域での反射防止特性に優れ、かつ密着性に特に優
れると共に、耐擦傷性、耐湿性及び揮発性溶剤を含むク
リーニング液に対する耐久性に優れた反射防止層を有
し、光学フィルタ、レンズ及びパネル等の多くの用途に
好適に使用できる光学素子を提供することが可能であ
る。また、ポリカーボネート樹脂からなる樹脂基板上
に、下地層と反射防止層とを真空蒸着法にて形成するに
際して、前記樹脂基板の温度を８０℃以下に維持するこ
とで、成膜を容易に行なえる。
【図１】本発明に係る光学素子の断面概略図。
【図２】従来の反射防止層を有する樹脂製光学素子の反
射特性を示すグラフ。
射特性を示すグラフ。
１ 光学素子 ａ 樹脂製基板 ｂ 下地層 ｃ 第１層 ｄ 第２層 ｅ 第３層 ｆ 第４層 ｇ 第５層 ｈ 反射防止層
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂基板と、該樹脂基板上に形成される
下地層と、該下地層上に形成される反射防止層とを有す
る樹脂製光学素子であって、 前記下地層がＣｏＯ層で形成され、 前記反射防止層がＡｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層及びＳｉＯ
２層から形成される、ことを特徴とする樹脂製光学素
子。 - 【請求項２】 前記樹脂基板がポリカーボネート樹脂か
らなり、前記下地層の厚さが１０ｎｍ以下であり、前記
反射防止層が厚さ３２〜４６ｎｍのＡｌ２Ｏ３層、厚さ
２０ｎｍ以下のＴｉＯ２層、厚さ３２〜４６ｎｍのＡｌ
２Ｏ３層、厚さ９５〜１２８ｎｍのＴｉＯ２層及び厚さ
７５〜１１０ｎｍのＳｉＯ２層を順次積層してなること
を特徴とする請求項１記載の樹脂製光学素子。 - 【請求項３】 ポリカーボネート樹脂からなる樹脂基板
上に、ＣｏＯ層で形成される下地層と、Ａｌ２Ｏ３層、
ＴｉＯ２層及びＳｉＯ２層から形成される反射防止層と
を真空蒸着法にて形成するに際して、前記樹脂基板の温
度を８０℃以下に維持したことを特徴とする樹脂製光学
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418669A JP2777937B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 樹脂製光学素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418669A JP2777937B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 樹脂製光学素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242701A JPH04242701A (ja) | 1992-08-31 |
| JP2777937B2 true JP2777937B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=18526463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2418669A Expired - Lifetime JP2777937B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 樹脂製光学素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2777937B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6703131B1 (en) | 1999-06-24 | 2004-03-09 | Nippon Arc Co., Ltd. | Coated article |
| JP2007013015A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2590020B2 (ja) | 1990-02-16 | 1997-03-12 | 旭光学工業株式会社 | 表面高反射鏡 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156001A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラスチツク製光学部品の反射防止膜 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2418669A patent/JP2777937B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2590020B2 (ja) | 1990-02-16 | 1997-03-12 | 旭光学工業株式会社 | 表面高反射鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04242701A (ja) | 1992-08-31 |
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