JP2767295B2 - インドール―３―カルボニトリル化合物の製造方法 - Google Patents
インドール―３―カルボニトリル化合物の製造方法Info
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Description
本発明は、インドール−３−カルボアルデヒド化合物
を原料とするインドール−３−カルボニトリル化合物の
製造方法に関するものである。インドール−３−カルボ
ニトリル化合物は医薬、農薬等の合成中間体として有用
な化合物である。
を原料とするインドール−３−カルボニトリル化合物の
製造方法に関するものである。インドール−３−カルボ
ニトリル化合物は医薬、農薬等の合成中間体として有用
な化合物である。
従来、インドール−３−カルボアルデヒド化合物を原
料としてインドール−３−カルボニトリル化合物を製造
する方法としては、以下の方法が公知である。 インドール−３−カルボアルデヒドを塩酸ヒドロキシ
ルアミンと反応させてインドール−３−アルドオキシム
とし、次いでこれを塩化チオニルによりインドール−３
−カルボニトリルとする方法（J.Chem.Soc.,1956,285
3）；アルドオキシムにDMF中二酸化セレンを反応させる
方法（Synthesis,1979,722）；アルドオキシムにジシク
ロカルボジイミドを反応させる方法（Chem.Ber.,107,12
13（1974）） インドール−３−カルボアルデヒドを１−ニトロプロ
パン・酢酸溶液中で燐酸水素二アンモニウムと反応させ
てインドール−３−カルボニトリルとする方法（Org.Sy
nth.,col.vol.V.656） 酢酸または無水酢酸溶媒中、酢酸ソーダなどの有機酸
金属塩と塩酸ヒドロキシルアミンを反応させてインドー
ル−３−カルボニトリルを得る方法（特開平１−100157
号） しかしながら、の方法は、中間体としてインドール
−３−アルドオキシムを製造して単離した後にインドー
ル−３−カルボニトリルとするために、反応工程が２段
階となり、またの方法では高価な１−ニトロプロパン
を溶媒とするため、これらいずれの方法もインドール−
３−カルボニトリル化合物の工業的製造方法としては適
当ではない。の方法は、簡便な方法であるが、原料の
インドール−３−アルデヒドに対して１〜５倍モル当量
の有機酸金属塩を必要とし、かつ反応時間も２〜24時
間、通常10時間も要し、かならずしも工業的に満足でき
る方法ではない。
料としてインドール−３−カルボニトリル化合物を製造
する方法としては、以下の方法が公知である。 インドール−３−カルボアルデヒドを塩酸ヒドロキシ
ルアミンと反応させてインドール−３−アルドオキシム
とし、次いでこれを塩化チオニルによりインドール−３
−カルボニトリルとする方法（J.Chem.Soc.,1956,285
3）；アルドオキシムにDMF中二酸化セレンを反応させる
方法（Synthesis,1979,722）；アルドオキシムにジシク
ロカルボジイミドを反応させる方法（Chem.Ber.,107,12
13（1974）） インドール−３−カルボアルデヒドを１−ニトロプロ
パン・酢酸溶液中で燐酸水素二アンモニウムと反応させ
てインドール−３−カルボニトリルとする方法（Org.Sy
nth.,col.vol.V.656） 酢酸または無水酢酸溶媒中、酢酸ソーダなどの有機酸
金属塩と塩酸ヒドロキシルアミンを反応させてインドー
ル−３−カルボニトリルを得る方法（特開平１−100157
号） しかしながら、の方法は、中間体としてインドール
−３−アルドオキシムを製造して単離した後にインドー
ル−３−カルボニトリルとするために、反応工程が２段
階となり、またの方法では高価な１−ニトロプロパン
を溶媒とするため、これらいずれの方法もインドール−
３−カルボニトリル化合物の工業的製造方法としては適
当ではない。の方法は、簡便な方法であるが、原料の
インドール−３−アルデヒドに対して１〜５倍モル当量
の有機酸金属塩を必要とし、かつ反応時間も２〜24時
間、通常10時間も要し、かならずしも工業的に満足でき
る方法ではない。
本発明の目的は、インドール−３−カルボアルデヒド
化合物から収率よくかつ経済的にインドール−３−カル
ボニトリル化合物を製造することができる新規なインド
ール−３−カルボアルデヒド化合物の製造方法を提供す
ることにある。
化合物から収率よくかつ経済的にインドール−３−カル
ボニトリル化合物を製造することができる新規なインド
ール−３−カルボアルデヒド化合物の製造方法を提供す
ることにある。
すなわち、本発明は、一般式（Ｉ） 〔ただし、式中Ｒは水素原子または低級アルキル基を表
し、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、低級アル
コキシ基、低級アルキル基およびアルコキシカルボニル
基から選ばれる１種を表す〕で示されるインドール−３
−カルボアルデヒド化合物をギ酸溶媒中でヒドロキシル
アミンの酸塩と反応させることを特徴とする一般式（I
I） 〔ただし、式中ＲおよびＸは前記定義に同じ〕で示され
るインドール−３−カルボニトリル化合物の製造方法に
関するものである。 本発明方法の原料となるインドール−３−カルボアル
デヒドは、公知の方法により容易に製造するとが可能で
ある。例えば、インドールとジメチルギ酸アミドを反応
させて、高収率で得ることができる（Org.Synth.,39,3
0）。 本発明方法で使用するヒドロキシルアミンの酸塩は特
に限定されないが、好ましくは塩塩酸、硫酸塩などの鉱
酸塩である。ヒドロキシルアミンの酸塩の使用量につい
ては、上記インドール−３−カルボアルデヒド化合物に
対して等モル以上であればよいが、好ましくは１〜２倍
モル当量の範囲で使用される。 本発明方法において使用されるギ酸溶媒は、そのギ酸
の濃度が75％以上であればよいが、好ましくは85〜95％
の範囲の濃度のギ酸である。95％以上の濃度のギ酸を使
用する場合は、反応は10〜20分で完結する。このギ酸溶
媒の使用量は、原料インドール−３−カルボアルデヒド
化合物に対して５〜50重量倍、好ましくは８〜20重量倍
である。 本発明方法によって得られるインドール−３−カルボ
ニトリル化合物としては、例えばインドール−３−カル
ボアルデヒド、１−Ｎ−メチルインドール−３−カルボ
ニトリル、１−Ｎ−エチルインドール−３−カルボニト
リル、５−または６−ブロムインドール−３−カルボニ
トリル、５−または６−クロルインドール−３−カルボ
ニトリル、５−または６−ニトロインドール−３−カル
ボニトリル、５−または６−メトキシインドール−３−
カルボニトリル、３−シアノインドール−５−カルボン
酸エステル等が挙げられる。 本発明方法の一実施態様を例示すると、所定量のイン
ドール−３−カルボアルデヒド化合物、ヒドロキシルア
ミンの酸塩を所定量のギ酸に溶解または懸濁させ、これ
をギ酸の還流温度で加熱し、通常30分〜２時間程度反応
させればよい。この際、特開平１−100157号公報にある
ような有機酸の金属塩を添加する必要はない。反応終了
後、好ましくは溶媒のギ酸を留去し、水を添加して反応
混合物中の無機塩を溶解し、濾過などの手段で結晶を分
離するか溶媒抽出など公知手段で分離し、必要により再
結晶や吸着処理などの適当な方法で精製すればよい。
し、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、低級アル
コキシ基、低級アルキル基およびアルコキシカルボニル
基から選ばれる１種を表す〕で示されるインドール−３
−カルボアルデヒド化合物をギ酸溶媒中でヒドロキシル
アミンの酸塩と反応させることを特徴とする一般式（I
I） 〔ただし、式中ＲおよびＸは前記定義に同じ〕で示され
るインドール−３−カルボニトリル化合物の製造方法に
関するものである。 本発明方法の原料となるインドール−３−カルボアル
デヒドは、公知の方法により容易に製造するとが可能で
ある。例えば、インドールとジメチルギ酸アミドを反応
させて、高収率で得ることができる（Org.Synth.,39,3
0）。 本発明方法で使用するヒドロキシルアミンの酸塩は特
に限定されないが、好ましくは塩塩酸、硫酸塩などの鉱
酸塩である。ヒドロキシルアミンの酸塩の使用量につい
ては、上記インドール−３−カルボアルデヒド化合物に
対して等モル以上であればよいが、好ましくは１〜２倍
モル当量の範囲で使用される。 本発明方法において使用されるギ酸溶媒は、そのギ酸
の濃度が75％以上であればよいが、好ましくは85〜95％
の範囲の濃度のギ酸である。95％以上の濃度のギ酸を使
用する場合は、反応は10〜20分で完結する。このギ酸溶
媒の使用量は、原料インドール−３−カルボアルデヒド
化合物に対して５〜50重量倍、好ましくは８〜20重量倍
である。 本発明方法によって得られるインドール−３−カルボ
ニトリル化合物としては、例えばインドール−３−カル
ボアルデヒド、１−Ｎ−メチルインドール−３−カルボ
ニトリル、１−Ｎ−エチルインドール−３−カルボニト
リル、５−または６−ブロムインドール−３−カルボニ
トリル、５−または６−クロルインドール−３−カルボ
ニトリル、５−または６−ニトロインドール−３−カル
ボニトリル、５−または６−メトキシインドール−３−
カルボニトリル、３−シアノインドール−５−カルボン
酸エステル等が挙げられる。 本発明方法の一実施態様を例示すると、所定量のイン
ドール−３−カルボアルデヒド化合物、ヒドロキシルア
ミンの酸塩を所定量のギ酸に溶解または懸濁させ、これ
をギ酸の還流温度で加熱し、通常30分〜２時間程度反応
させればよい。この際、特開平１−100157号公報にある
ような有機酸の金属塩を添加する必要はない。反応終了
後、好ましくは溶媒のギ酸を留去し、水を添加して反応
混合物中の無機塩を溶解し、濾過などの手段で結晶を分
離するか溶媒抽出など公知手段で分離し、必要により再
結晶や吸着処理などの適当な方法で精製すればよい。
本発明方法において、インドール−３−カルボアルデ
ヒド化合物とヒドロキシルアミンの塩類とにより、まず
インドールのアルドオキシムを生じ、これに溶媒として
用いたギ酸が反応し、アルドオキシムのギ酸エステルを
生ずる。さらにこのアルドオキシムのギ酸エステルの熱
分解によりギ酸が脱離し、アルデヒドよりニトリルまで
連続して反応が進むものと考えられる。 以下実施例により、本発明をより詳細に説明する。
ヒド化合物とヒドロキシルアミンの塩類とにより、まず
インドールのアルドオキシムを生じ、これに溶媒として
用いたギ酸が反応し、アルドオキシムのギ酸エステルを
生ずる。さらにこのアルドオキシムのギ酸エステルの熱
分解によりギ酸が脱離し、アルデヒドよりニトリルまで
連続して反応が進むものと考えられる。 以下実施例により、本発明をより詳細に説明する。
【実施例１】 インドール−３−カルボアルデヒド1.45g（0.01モ
ル）、塩酸ヒドロキシルアミン0.83g（0.012モル）を還
流冷却器を反応容器に入れ、ギ酸（90％）40ml中で１時
間加熱還流した。 反応終了後、ギ酸溶媒を留去した後、水150mlを加え
生じた結晶を濾過し、乾燥してほぼ定量的に粗結晶1.41
gを得た。得られた粗結晶を酢酸エチルにより再結晶し
て、融点178〜179℃（文献値:178〜182.5℃）の橙色の
目的物であるインドール−３−カルボニトリルを1.34g
（収率95％）得た。 実施例２ Ｎ−メチルインドール−３−カルボアルデヒド1.59g
（0.01モル）、塩酸ヒドロキシルアミン0.83g（0.012モ
ル）をギ酸（90％）40ml中で１時間加熱還流した。反応
終了後、ギ酸溶媒を留去した後、水150mlを加え生じた
油状物を酢酸エチルで抽出し、有機層を食塩水で洗い中
性とした後、乾燥し、さらに溶媒を留去し減圧蒸留し
て、沸点150〜151℃/3mmHg、融点65℃（ベンゼン−ヘキ
サン）の１−Ｎ−メチルインドール−３−カルボニトリ
ル1.45g（収率94％）を得た。
ル）、塩酸ヒドロキシルアミン0.83g（0.012モル）を還
流冷却器を反応容器に入れ、ギ酸（90％）40ml中で１時
間加熱還流した。 反応終了後、ギ酸溶媒を留去した後、水150mlを加え
生じた結晶を濾過し、乾燥してほぼ定量的に粗結晶1.41
gを得た。得られた粗結晶を酢酸エチルにより再結晶し
て、融点178〜179℃（文献値:178〜182.5℃）の橙色の
目的物であるインドール−３−カルボニトリルを1.34g
（収率95％）得た。 実施例２ Ｎ−メチルインドール−３−カルボアルデヒド1.59g
（0.01モル）、塩酸ヒドロキシルアミン0.83g（0.012モ
ル）をギ酸（90％）40ml中で１時間加熱還流した。反応
終了後、ギ酸溶媒を留去した後、水150mlを加え生じた
油状物を酢酸エチルで抽出し、有機層を食塩水で洗い中
性とした後、乾燥し、さらに溶媒を留去し減圧蒸留し
て、沸点150〜151℃/3mmHg、融点65℃（ベンゼン−ヘキ
サン）の１−Ｎ−メチルインドール−３−カルボニトリ
ル1.45g（収率94％）を得た。
本発明方法により、インドール−３−カルボアルデヒ
ド化合物を原料に１段階反応で、しかも短時間かつ高収
率でインドール−３−カルボニトリル化合物を製造する
ことができ、インドール−３−カルボニトリル化合物の
工業的製造が可能となった。
ド化合物を原料に１段階反応で、しかも短時間かつ高収
率でインドール−３−カルボニトリル化合物を製造する
ことができ、インドール−３−カルボニトリル化合物の
工業的製造が可能となった。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） 〔ただし、式中Ｒは水素原子または低級アルキル基を表
し、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、低級アル
コキシ基、低級アルキル基およびアルコキシカルボニル
基から選ばれる１種を表す〕で示されるインドール−３
−カルボアルデヒド化合物をギ酸溶媒中でヒドロキシル
アミンの酸塩と反応させることを特徴とする一般式（I
I） 〔ただし、式中ＲおよびＸは前記定義に同じ〕で示され
るインドール−３−カルボニトリル化合物の製造方法。 - 【請求項２】ヒドロキシルアミンの酸塩がヒドロキシル
アミンの塩酸塩である特許請求の範囲第１項記載の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21960289A JP2767295B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | インドール―３―カルボニトリル化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21960289A JP2767295B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | インドール―３―カルボニトリル化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383969A JPH0383969A (ja) | 1991-04-09 |
| JP2767295B2 true JP2767295B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=16738105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21960289A Expired - Fee Related JP2767295B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | インドール―３―カルボニトリル化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767295B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI305486B (en) | 2004-08-27 | 2009-01-11 | Delta Electronics Inc | Heat-dissipating fan and its housing |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP21960289A patent/JP2767295B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0383969A (ja) | 1991-04-09 |
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Legal Events
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