JP2765247B2 - プロ−ブ針 - Google Patents
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- JP2765247B2 JP2765247B2 JP3025936A JP2593691A JP2765247B2 JP 2765247 B2 JP2765247 B2 JP 2765247B2 JP 3025936 A JP3025936 A JP 3025936A JP 2593691 A JP2593691 A JP 2593691A JP 2765247 B2 JP2765247 B2 JP 2765247B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特にマイクロ波帯ＩＣ
等の高速デバイスの評価に用いられるプロ−ブ針に関す
るものである。
等の高速デバイスの評価に用いられるプロ−ブ針に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来のプロ−ブ針の一例を示す構
成図であり、この図において、１は導体針、２は被測定
素子、４はプロ−ブカ−ド基板であって、このプロ−ブ
カ−ド基板４上に各導体針１およびブレ−ド５が固定さ
れる。ブレ−ド５は一般に５０Ωの特性インピ−ダンス
を有するマイクロストリップ線路が形成されたセラミッ
ク板である。６はチップコンデンサであって、一般に数
１０μＦ〜数μＦの容量であり、被測定素子２の発振防
止に用いられる。
成図であり、この図において、１は導体針、２は被測定
素子、４はプロ−ブカ−ド基板であって、このプロ−ブ
カ−ド基板４上に各導体針１およびブレ−ド５が固定さ
れる。ブレ−ド５は一般に５０Ωの特性インピ−ダンス
を有するマイクロストリップ線路が形成されたセラミッ
ク板である。６はチップコンデンサであって、一般に数
１０μＦ〜数μＦの容量であり、被測定素子２の発振防
止に用いられる。
【０００３】次に、動作について説明する。一般に被測
定素子２はマイクロ波帯ＩＣ等の高速デバイスであり、
高周波信号が通過できるプロ−ブ針が用いられる。マイ
クロ波帯の高周波信号では各導体針１間の信号の干渉を
防止し、また、マイクロ波帯での不要な反射を避けるた
めに、プロ−ブカ−ド基板４上ではブレ−ド５を用い
る。ブレ−ド５は一般に５０Ωのマイクロストリップ線
路となっているため、高周波的に特性の明らかな分布定
数線路となり、不要な反射が生じない。また、ブレ−ド
５の接地電極が信号線路裏面にあるために、各ブレ−ド
５間のアイソレ−ションが良くなるという利点もある。
しかしながら、プロ−ブカ−ド基板４と被測定素子２を
結線する部分では、寸法上の制約からこういったブレ−
ドとすることができず、導体針１を用いている。ところ
が、被測定素子２の近傍では、場合によっては導体針１
間の距離が約１０μｍ程度に近接するため、各導体針１
間に寄生容量が生じてしまう問題点がある。特に、マイ
クロ波帯ではこの寄生容量の影響が大きく、場合によっ
ては導体針１間の干渉により被測定素子２の特性が変化
してしまうこともあり、問題となっている。
定素子２はマイクロ波帯ＩＣ等の高速デバイスであり、
高周波信号が通過できるプロ−ブ針が用いられる。マイ
クロ波帯の高周波信号では各導体針１間の信号の干渉を
防止し、また、マイクロ波帯での不要な反射を避けるた
めに、プロ−ブカ−ド基板４上ではブレ−ド５を用い
る。ブレ−ド５は一般に５０Ωのマイクロストリップ線
路となっているため、高周波的に特性の明らかな分布定
数線路となり、不要な反射が生じない。また、ブレ−ド
５の接地電極が信号線路裏面にあるために、各ブレ−ド
５間のアイソレ−ションが良くなるという利点もある。
しかしながら、プロ−ブカ−ド基板４と被測定素子２を
結線する部分では、寸法上の制約からこういったブレ−
ドとすることができず、導体針１を用いている。ところ
が、被測定素子２の近傍では、場合によっては導体針１
間の距離が約１０μｍ程度に近接するため、各導体針１
間に寄生容量が生じてしまう問題点がある。特に、マイ
クロ波帯ではこの寄生容量の影響が大きく、場合によっ
ては導体針１間の干渉により被測定素子２の特性が変化
してしまうこともあり、問題となっている。
【０００４】図９は、図８のプロ−ブ針のＢ−Ｂ′間の
断面図を模式的に示したものであり、各導体針１間に寄
生容量Ｃが生じていることを示している。さて、一般に
マイクロ波信号を通過させる信号用針と、直流バイアス
を印加するバイアス針が用いられる。図８では、左側の
導体針１がバイアス針、右側の導体針１が信号用針であ
る。直流バイアスを印加するバイアス針であっても、被
測定素子２のマイクロ波信号がバイアス針に漏れるた
め、この漏れてきたマイクロ波信号が他の導体針１に漏
れないよう十分なマイクロ波帯におけるアイソレ−ショ
ンが必要となる。さらに、高周波的に被測定素子２が安
定となるように、高周波除去用バイパスコンデンサとし
てチップコンデンサ６を付加している。
断面図を模式的に示したものであり、各導体針１間に寄
生容量Ｃが生じていることを示している。さて、一般に
マイクロ波信号を通過させる信号用針と、直流バイアス
を印加するバイアス針が用いられる。図８では、左側の
導体針１がバイアス針、右側の導体針１が信号用針であ
る。直流バイアスを印加するバイアス針であっても、被
測定素子２のマイクロ波信号がバイアス針に漏れるた
め、この漏れてきたマイクロ波信号が他の導体針１に漏
れないよう十分なマイクロ波帯におけるアイソレ−ショ
ンが必要となる。さらに、高周波的に被測定素子２が安
定となるように、高周波除去用バイパスコンデンサとし
てチップコンデンサ６を付加している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このチ
ップコンデンサ６と被測定素子２との間に長さ数ｍｍ程
度導体針１が入るため、導体針１のインダクタンスが入
ってしまい、高周波的には必ずしも良好なバイパスコン
デンサとして機能しなくなっていた。このため、場合に
よっては被測定素子２が発振してしまうという問題が生
じていた。
ップコンデンサ６と被測定素子２との間に長さ数ｍｍ程
度導体針１が入るため、導体針１のインダクタンスが入
ってしまい、高周波的には必ずしも良好なバイパスコン
デンサとして機能しなくなっていた。このため、場合に
よっては被測定素子２が発振してしまうという問題が生
じていた。
【０００６】上記従来例では図８のように、チップコン
デンサ６を付加していたが、コンデンサと抵抗を直列接
続したもの（以下、抵抗コンデンサと呼ぶ）を付加する
ことにより、マイクロ波的に安定な測定ができることが
知られている。この場合も同様に導体針１のインダクタ
ンスにより発振防止効果が弱くなってしまい、問題とな
っていた。また、ブレ−ド５の部分では特性インピ−ダ
ンスの一定な分布定数線路であったが、導体針１の部分
では分布定数線路として機能しなくなり、特性インピ−
ダンスが異なってしまう。このため、高周波帯域では導
体針１の部分で不要な反射が生じてしまう。さらに、上
述したような従来のプロ−ブ針の構成においては、導体
針１間に寄生容量Ｃが生じてしまい、導体針１間のアイ
ソレ−ションが悪くなる。また、高周波除去用バイパス
コンデンサとして用いているチップコンデンサ６と被測
定素子２との間に導体針１が入るため、導体針１のイン
ダクタンスが入ってしまい、場合によっては被測定素子
２が発振してしまう。さらに、導体針１の部分が分布定
数線路として機能せず、高周波帯域では不要な反射が生
じてしまう等の問題点があった。
デンサ６を付加していたが、コンデンサと抵抗を直列接
続したもの（以下、抵抗コンデンサと呼ぶ）を付加する
ことにより、マイクロ波的に安定な測定ができることが
知られている。この場合も同様に導体針１のインダクタ
ンスにより発振防止効果が弱くなってしまい、問題とな
っていた。また、ブレ−ド５の部分では特性インピ−ダ
ンスの一定な分布定数線路であったが、導体針１の部分
では分布定数線路として機能しなくなり、特性インピ−
ダンスが異なってしまう。このため、高周波帯域では導
体針１の部分で不要な反射が生じてしまう。さらに、上
述したような従来のプロ−ブ針の構成においては、導体
針１間に寄生容量Ｃが生じてしまい、導体針１間のアイ
ソレ−ションが悪くなる。また、高周波除去用バイパス
コンデンサとして用いているチップコンデンサ６と被測
定素子２との間に導体針１が入るため、導体針１のイン
ダクタンスが入ってしまい、場合によっては被測定素子
２が発振してしまう。さらに、導体針１の部分が分布定
数線路として機能せず、高周波帯域では不要な反射が生
じてしまう等の問題点があった。
【０００７】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、導体針間の寄生容量を少なくで
き、導体針間のアイソレ−ションを良好にできるプロ−
ブ針を得ることを目的とする。
ためになされたもので、導体針間の寄生容量を少なくで
き、導体針間のアイソレ−ションを良好にできるプロ−
ブ針を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１に
記載の発明は、導体針の内少なくとも１本の導体針を先
端部を除いて誘電体膜により覆い、誘電体膜面上と他の
導体針の導体面上とを蒸着または塗布により導電性物質
で覆い電気的に結線したものである。
記載の発明は、導体針の内少なくとも１本の導体針を先
端部を除いて誘電体膜により覆い、誘電体膜面上と他の
導体針の導体面上とを蒸着または塗布により導電性物質
で覆い電気的に結線したものである。
【０００９】また、請求項２に記載の発明は、導体針の
内少なくとも１本の導体針を先端部を除いて誘電体膜ま
たは抵抗体膜により覆い、その上を抵抗体膜または誘電
体膜により覆い、抵抗体膜または誘電体膜の上部膜面と
他の導体針の導体面上とを導電性物質により覆い電気的
に結線したものである。
内少なくとも１本の導体針を先端部を除いて誘電体膜ま
たは抵抗体膜により覆い、その上を抵抗体膜または誘電
体膜により覆い、抵抗体膜または誘電体膜の上部膜面と
他の導体針の導体面上とを導電性物質により覆い電気的
に結線したものである。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、誘電体膜
により覆われた導体針と、導体面上が導電性物質により
覆われ、前記誘電体膜面上と電気的に結線された導体針
をと交互に設けたものである。
により覆われた導体針と、導体面上が導電性物質により
覆われ、前記誘電体膜面上と電気的に結線された導体針
をと交互に設けたものである。
【００１１】
【作用】本発明の請求項１に記載のプロ−ブ針は、導体
針を誘電体膜により覆い、さらに、前記誘電体膜面上と
他の導体針の導体面上を導電性物質により覆うことによ
り被測定素子直前まで、いわゆる同軸線路とすることが
でき、導体針間のアイソレ−ションが向上する。
針を誘電体膜により覆い、さらに、前記誘電体膜面上と
他の導体針の導体面上を導電性物質により覆うことによ
り被測定素子直前まで、いわゆる同軸線路とすることが
でき、導体針間のアイソレ−ションが向上する。
【００１２】また、本発明の請求項２に記載のプロ−ブ
針は、導体針を誘電体膜および抵抗体膜により覆うこと
により、被測定素子直前に抵抗コンデンサを付加した状
態と電気的に等価な状態を実現でき、被測定素子との間
に生じる寄生インダクタンスの低減が可能となって、被
測定素子の発振を防止できる。
針は、導体針を誘電体膜および抵抗体膜により覆うこと
により、被測定素子直前に抵抗コンデンサを付加した状
態と電気的に等価な状態を実現でき、被測定素子との間
に生じる寄生インダクタンスの低減が可能となって、被
測定素子の発振を防止できる。
【００１３】また、本発明の請求項３に記載のプロ−ブ
針は、誘電体膜により覆われた導体針と、導体面上が導
電性物質により覆われ、前記誘電体膜面上と電気的に結
線された導体針とを交互に所要数設けたことにより、導
体針の特性インピ−ダンスが高周波帯においても良好で
不要な反射が生じない。
針は、誘電体膜により覆われた導体針と、導体面上が導
電性物質により覆われ、前記誘電体膜面上と電気的に結
線された導体針とを交互に所要数設けたことにより、導
体針の特性インピ−ダンスが高周波帯においても良好で
不要な反射が生じない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面について説明
する。図１は本発明にかかる請求項１に記載の発明の実
施例を示すプロ−ブ針の構成斜視図で、３は前記導体針
１を覆っている導電性物質であって、その他の符号は図
８，図９と同一構成部分を示すものである。
する。図１は本発明にかかる請求項１に記載の発明の実
施例を示すプロ−ブ針の構成斜視図で、３は前記導体針
１を覆っている導電性物質であって、その他の符号は図
８，図９と同一構成部分を示すものである。
【００１５】図２は、図１のＡ−Ａ′部分の断面を示し
ており、７は誘電体膜である。製造に当っては、導体針
１にスパッタ等の方法により蒸着するなどして誘電体膜
７を形成した後、両導体針１をプロ−ブカ−ド基板４上
のブレ−ド５に固定し、被測定素子２のパッド配置に応
じて各ブレ−ド５をプロ−ブカ−ド基板４にはんだ付け
等の方法により固定する。この後、各導体針１上に導電
性物質３を導体針１の先端部を除いて蒸着または塗布す
ることにより図２の断面形状のプロ−ブ針が形成でき
る。この場合、粘性の高いものを蒸着または塗布する
と、図１０の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、徐
々に膜厚が厚くなって導体針１間の空間が徐々に埋めら
れ、図２のように導電物質３が空間を埋めるように構成
される。本発明における半導体装置の評価方法では、導
体針１の導体面上を直接に導電性物質３により覆った針
を被測定素子２の高周波的な接地電極に接触させること
により、プロ−ブ針上の接地電極と低い寄生インダクタ
ンスにて結線でき、導体針１間のアイソレ−ションを向
上し、被測定素子２の発振を防止し、不要な信号の反射
を押えることが可能となる。
ており、７は誘電体膜である。製造に当っては、導体針
１にスパッタ等の方法により蒸着するなどして誘電体膜
７を形成した後、両導体針１をプロ−ブカ−ド基板４上
のブレ−ド５に固定し、被測定素子２のパッド配置に応
じて各ブレ−ド５をプロ−ブカ−ド基板４にはんだ付け
等の方法により固定する。この後、各導体針１上に導電
性物質３を導体針１の先端部を除いて蒸着または塗布す
ることにより図２の断面形状のプロ−ブ針が形成でき
る。この場合、粘性の高いものを蒸着または塗布する
と、図１０の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、徐
々に膜厚が厚くなって導体針１間の空間が徐々に埋めら
れ、図２のように導電物質３が空間を埋めるように構成
される。本発明における半導体装置の評価方法では、導
体針１の導体面上を直接に導電性物質３により覆った針
を被測定素子２の高周波的な接地電極に接触させること
により、プロ−ブ針上の接地電極と低い寄生インダクタ
ンスにて結線でき、導体針１間のアイソレ−ションを向
上し、被測定素子２の発振を防止し、不要な信号の反射
を押えることが可能となる。
【００１６】図３〜図５は、本発明にかかる請求項２に
記載の発明の実施例をそれぞれ示す図２と同様な断面図
であり、８は抵抗体膜であり、図２の誘電体膜７と同様
な工程により形成可能である。
記載の発明の実施例をそれぞれ示す図２と同様な断面図
であり、８は抵抗体膜であり、図２の誘電体膜７と同様
な工程により形成可能である。
【００１７】以下、まず、図１，図２に示す請求項１に
記載の発明の実施例を詳細に説明する。図１に示すよう
に、被測定素子２の近傍まで導体針１を導電性物質３に
より覆っており、図２に示すＡ−Ａ′断面を見ればわか
るように、左側の導体針１の導体面と、右側の導体針１
上の誘電体膜７の面上とを電気的に結線している。左側
の導体針１を被測定素子２の接地電極や高周波的に接地
電極と同等な電源端子等に結線してやることにより、右
側の導体針１は、いわゆる同軸線路となる。このよう
に、同軸線路構成としたため、他の導体針１との間の寄
生容量Ｃはなくなり、さらに線路の特性インピ−ダンス
が一定になるため、不要な高周波信号の反射が少なくな
る。
記載の発明の実施例を詳細に説明する。図１に示すよう
に、被測定素子２の近傍まで導体針１を導電性物質３に
より覆っており、図２に示すＡ−Ａ′断面を見ればわか
るように、左側の導体針１の導体面と、右側の導体針１
上の誘電体膜７の面上とを電気的に結線している。左側
の導体針１を被測定素子２の接地電極や高周波的に接地
電極と同等な電源端子等に結線してやることにより、右
側の導体針１は、いわゆる同軸線路となる。このよう
に、同軸線路構成としたため、他の導体針１との間の寄
生容量Ｃはなくなり、さらに線路の特性インピ−ダンス
が一定になるため、不要な高周波信号の反射が少なくな
る。
【００１８】次に、図３〜図５に示す請求項２に記載の
発明の実施例について説明する。これらの実施例では、
図３〜図５に示すように、導体針１を誘電体膜７および
抵抗体膜８により覆っている。すなわち、図３は一方の
導体針１を誘電体膜７で覆い、その上を抵抗体膜８で覆
ったものである。図４は、図３と逆の構成、すなわち、
一方の導体針１を抵抗体膜８で覆い、その上を誘電体膜
７で覆ったものである。また、図５は、図３の誘電体膜
７と抵抗体膜８を交互に２層ずつ設けたものである。
発明の実施例について説明する。これらの実施例では、
図３〜図５に示すように、導体針１を誘電体膜７および
抵抗体膜８により覆っている。すなわち、図３は一方の
導体針１を誘電体膜７で覆い、その上を抵抗体膜８で覆
ったものである。図４は、図３と逆の構成、すなわち、
一方の導体針１を抵抗体膜８で覆い、その上を誘電体膜
７で覆ったものである。また、図５は、図３の誘電体膜
７と抵抗体膜８を交互に２層ずつ設けたものである。
【００１９】このように、誘電体膜７および抵抗体膜８
を交互に設けることにより、導体針１に直列コンデンサ
および抵抗体を付加したことになる。これは従来例で示
したチップコンデンサ６に抵抗体を直列に結線したもの
（抵抗コンデンサ）と同等であり、被測定回路の発振防
止に有効となる。さらに、図１に示すように、被測定素
子２の近傍にまで上記コンデンサおよび抵抗体を形成で
きることにより、被測定素子２との間に介在する寄生イ
ンダクタンスを小さくできるため、高周波帯域でも良好
な発振防止が可能となる。
を交互に設けることにより、導体針１に直列コンデンサ
および抵抗体を付加したことになる。これは従来例で示
したチップコンデンサ６に抵抗体を直列に結線したもの
（抵抗コンデンサ）と同等であり、被測定回路の発振防
止に有効となる。さらに、図１に示すように、被測定素
子２の近傍にまで上記コンデンサおよび抵抗体を形成で
きることにより、被測定素子２との間に介在する寄生イ
ンダクタンスを小さくできるため、高周波帯域でも良好
な発振防止が可能となる。
【００２０】次に、図６，図７に示す請求項３に記載の
発明の実施例について説明する。図６の実施例では、誘
電体膜７により覆われた導体針１と、導体面上が導電性
物質３により覆われ、誘電体膜７面上と電気的に結線さ
れた導体針１とを交互に設けたもので、被測定素子２中
の分布定数線路の接地線とプロ−ブ針上の接地線とを低
いインダクタンスで結線できるため、線路の特性インピ
−ダンスの乱れが少なくなり、不要な信号の反射が生じ
にくくなる。また、図７に示す実施例では、図６の誘電
体膜７をさらに抵抗体膜８で覆ったものである。これら
の実施例では、導電性物質３により覆われない導体針１
の先端部においても接地電極が近傍にあることから分布
定数線路と見ることができ、高周波信号の反射を低減で
きる。
発明の実施例について説明する。図６の実施例では、誘
電体膜７により覆われた導体針１と、導体面上が導電性
物質３により覆われ、誘電体膜７面上と電気的に結線さ
れた導体針１とを交互に設けたもので、被測定素子２中
の分布定数線路の接地線とプロ−ブ針上の接地線とを低
いインダクタンスで結線できるため、線路の特性インピ
−ダンスの乱れが少なくなり、不要な信号の反射が生じ
にくくなる。また、図７に示す実施例では、図６の誘電
体膜７をさらに抵抗体膜８で覆ったものである。これら
の実施例では、導電性物質３により覆われない導体針１
の先端部においても接地電極が近傍にあることから分布
定数線路と見ることができ、高周波信号の反射を低減で
きる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に記載の発明は、導体針の内少なくとも１本の導体針を
先端部を除いて誘電体膜により覆い、誘電体膜面上と他
の導体針の導体面上とを蒸着または塗布により導電性物
質で覆い電気的に結線したので、被測定素子直前まで、
いわゆる同軸線路とすることができ、導体針間の寄生容
量の低減、すなわちアイソレーションの向上ができ、ま
た、導電性物質は蒸着または塗布により形成されるの
で、機械的ストレスが加わらず、狭ピッチ、多数本数の
針を有するものや複雑な形状のものでも容易に形成でき
る効果がある。なお、導体針を固定した後にレジスト等
により針先を保護し、Ａｇペースト入り樹脂のような導
電性で粘性が高い物質を吹付塗布することにより、針に
ストレスを加えずに導電性物質を付けることができる。
蒸着の場合も同様に形成できる。また、この方法では針
先のみ保護すればよいので、針先の近傍数十〜百μｍの
位置で導電性物質により覆うことが可能となるので、従
来の方法の数ｍｍより格段に短くすることが可能となっ
て、より高周波まで使用可能な導体針を実現できる利点
がある。
に記載の発明は、導体針の内少なくとも１本の導体針を
先端部を除いて誘電体膜により覆い、誘電体膜面上と他
の導体針の導体面上とを蒸着または塗布により導電性物
質で覆い電気的に結線したので、被測定素子直前まで、
いわゆる同軸線路とすることができ、導体針間の寄生容
量の低減、すなわちアイソレーションの向上ができ、ま
た、導電性物質は蒸着または塗布により形成されるの
で、機械的ストレスが加わらず、狭ピッチ、多数本数の
針を有するものや複雑な形状のものでも容易に形成でき
る効果がある。なお、導体針を固定した後にレジスト等
により針先を保護し、Ａｇペースト入り樹脂のような導
電性で粘性が高い物質を吹付塗布することにより、針に
ストレスを加えずに導電性物質を付けることができる。
蒸着の場合も同様に形成できる。また、この方法では針
先のみ保護すればよいので、針先の近傍数十〜百μｍの
位置で導電性物質により覆うことが可能となるので、従
来の方法の数ｍｍより格段に短くすることが可能となっ
て、より高周波まで使用可能な導体針を実現できる利点
がある。
【００２２】また、本発明の請求項２に記載の発明は、
導体針の内少なくとも１本の導体針を先端部を除いて誘
電体膜または抵抗体膜により覆い、その上を抵抗体膜ま
たは誘電体膜により覆い、抵抗体膜または誘電体膜の上
部膜面と他の導体針の導体面上とを導電性物質により覆
い電気的に結線したので、被測定素子直前に抵抗コンデ
ンサを付加した状態と等価となり、被測定素子の発振を
防止できる効果がある。
導体針の内少なくとも１本の導体針を先端部を除いて誘
電体膜または抵抗体膜により覆い、その上を抵抗体膜ま
たは誘電体膜により覆い、抵抗体膜または誘電体膜の上
部膜面と他の導体針の導体面上とを導電性物質により覆
い電気的に結線したので、被測定素子直前に抵抗コンデ
ンサを付加した状態と等価となり、被測定素子の発振を
防止できる効果がある。
【００２３】また、本発明の請求項３に記載の発明は、
誘電体膜により覆われた導体針と、導体面上が導電性物
質により覆われ、前記誘電体膜面上と電気的に結線され
た導体針をと交互に設けたので、導体針の特性インピ−
ダンスが高周波帯においても乱れが少ない結線が可能と
なり、不要な信号の反射を低減できる。
誘電体膜により覆われた導体針と、導体面上が導電性物
質により覆われ、前記誘電体膜面上と電気的に結線され
た導体針をと交互に設けたので、導体針の特性インピ−
ダンスが高周波帯においても乱れが少ない結線が可能と
なり、不要な信号の反射を低減できる。
【図１】本発明の一実施例によるプロ−ブ針を示す斜視
図である。
図である。
【図２】図１の実施例のＡ−Ａ′線線による断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施例を示す図１のＡ−Ａ′線に
よる断面図に相当する断面図である。
よる断面図に相当する断面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す図１のＡ−Ａ′線に
よる断面図に相当する断面図である。
よる断面図に相当する断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す図１のＡ−Ａ′線に
よる断面図に相当する断面図である。
よる断面図に相当する断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施例を示す図１のＡ−
Ａ′線による断面図に相当する断面図である。
Ａ′線による断面図に相当する断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施例を示す図１のＡ−
Ａ′線による断面図に相当する断面図である。
Ａ′線による断面図に相当する断面図である。
【図８】従来のプロ−ブ針の一例を示す斜視図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ′線による断面図である。
【図１０】図２の導電性物質の形成過程を示す図であ
る。
る。
１ 導体針 ２ 被測定素子 ３ 導電性物質 ４ プロ−ブカ−ド基板 ５ ブレ−ド ６ チップコンデンサ ７ 誘電体膜 ８ 抵抗体膜
Claims (3)
- 【請求項１】被測定物のパッド配置に応じて配置された
少なくとも２本の導体針を有するプロ−ブ針において、
前記導体針の内少なくとも１本の導体針を先端部を除い
て誘電体膜により覆い、前記誘電体膜面上と他の導体針
の導体面上とを蒸着または塗布により導電性物質で覆い
電気的に結線したことを特徴とするプロ−ブ針。 - 【請求項２】被測定物のパッド配置に応じて配置された
少なくとも２本の導体針を有するプロ−ブ針において、
前記導体針の内少なくとも１本の導体針を先端部を除い
て誘電体膜または抵抗体膜により覆い、その上を抵抗体
膜または誘電体膜により覆い、前記抵抗体膜または誘電
体膜の上部膜面と他の導体針の導体面上とを導電性物質
により覆い電気的に結線したことを特徴とするプロ−ブ
針。 - 【請求項３】被測定物のパッド配置に応じて配置された
導体針を有するプロ−ブ針において、誘電体膜により覆
われた導体針と、導体面上が導電性物質により覆われ、
前記誘電体膜面上と電気的に結線された導体針とを交互
に設けたことを特徴とするプロ−ブ針。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025936A JP2765247B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | プロ−ブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025936A JP2765247B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | プロ−ブ針 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04265863A JPH04265863A (ja) | 1992-09-22 |
| JP2765247B2 true JP2765247B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=12179661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3025936A Expired - Lifetime JP2765247B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | プロ−ブ針 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765247B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9207260B2 (en) | 2011-11-07 | 2015-12-08 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Probe block, probe card and probe apparatus both having the probe block |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100549932B1 (ko) * | 1998-09-08 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 에폭시형 프로브 카드 |
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| JP2013224912A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続装置および高周波モジュール |
| JP6383256B2 (ja) * | 2014-11-06 | 2018-08-29 | シャープ株式会社 | 半導体トランジスタのテスト方法、及び、テストソケット |
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| JPS5518110U (ja) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | ||
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| JPH02110992A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン接続方法 |
| JPH02231738A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プローブボード |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3025936A patent/JP2765247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9207260B2 (en) | 2011-11-07 | 2015-12-08 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Probe block, probe card and probe apparatus both having the probe block |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04265863A (ja) | 1992-09-22 |
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