JP2744877B2 - マイクロ・ミニチュア構造の組立方法 - Google Patents

マイクロ・ミニチュア構造の組立方法

Info

Publication number
JP2744877B2
JP2744877B2 JP5202223A JP20222393A JP2744877B2 JP 2744877 B2 JP2744877 B2 JP 2744877B2 JP 5202223 A JP5202223 A JP 5202223A JP 20222393 A JP20222393 A JP 20222393A JP 2744877 B2 JP2744877 B2 JP 2744877B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
photoresist layer
processed
metal structure
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5202223A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06224178A (ja
Inventor
ロン−シェン・ファン
ハンス・ヘルムート・ザッペ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH06224178A publication Critical patent/JPH06224178A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2744877B2 publication Critical patent/JP2744877B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
    • B81C99/0085—Manufacture of substrate-free structures using moulds and master templates, e.g. for hot-embossing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/002—Electrostatic motors
    • H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
    • H02N1/008—Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03—Microengines and actuators
    • B81B2201/035—Microgears
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03—Microengines and actuators
    • B81B2201/037—Microtransmissions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的にマイクロ・マシ
ン作成及びマイクロ組立技術に関し、より詳細には、従
来型薄膜シリコン高分子組立技術では達成不可能な技術
に基づく積層マイクロ・ミニチュア構造の組立方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ技術は半導体及び積層回路に適
用可能なプロセスから導かれた多くの積層マイクロ組立
技術を含んでいる。これらの技術は、化学的エッチン
グ、反応性イオンエッチング、酸素エッチング、ドライ
プラズマエッチング，メタライゼーション、金属付着、
フォトリソグラフィ、熱拡散、イオンインプランテーシ
ョン及び化学的蒸着を含む。近年、マイクロマシン作成
及びマイクロ組立技術は、大量かつ低価格で各種能動お
よび受動的マイクロ構造を有利に供給するため使用され
てきた。多くの構造の中で、提案済の構造は、アクチュ
エータとセンサ、マイクロモータと可動ジョイント、レ
バー、ギア、スライダ、およびバネといった他の各種デ
バイスとの間におけるものである。
【０００３】歴史的には、多くの表面マシン化マイクロ
構造はシリコン高分子に基づく構造である。これらの構
造は、１内至２μｍのオーダの層構造を生み出すためエ
ッチングされた化学的蒸着ポリクリスタルシリコン膜に
よって、従来組み立てられている。これらの最小の厚さ
は、いくつかの応用では効果を減少させるシリコン高分
子に基づく構造の本質的制約をもたらす。例えば、サブ
マイクロニュートンオーダの一定の力とサブマイクロニ
ュートンメートルのオーダのトルクを発生することがで
きるシリコン高分子マイクロ・アクチュエータが生産さ
れてきた。これらのデバイスはメガヘルツの周波数で小
物体を移動させるときに使用できる。一方、サイズ１ミ
リ立方メートルあるいはそれ以上の物体を１００Ｇのよ
うな高い加速度で移動させることが望まれる。その目的
のため、ミリニュートンオーダの力が必要である。本レ
ベルでのマイクロ構造の組立には、物体の移動に使用す
るエネルギーが最大限利用されるように十分な鉛直方向
すなわち平面外の剛性と加速度方向における非常に低い
スチフネスを与える設計を必要とする。
【０００４】米国特許Ｎｏ．５、０２５、３４６は被加
工システムでシリコン高分子薄膜技術を使用して、側面
誘導型共鳴マイクロアクチュエータ構造の組立を提案し
ている。組立では４つのマスクプロセスに基づき、そこ
では厚さ２μｍのシリコン高分子層を燐シリコンガラス
（ＰＳＧ）の被加工層上へ低温化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）
する。適切なパターン化に従って、該被加工層を溶解
し、自立アクチュエータ構造と支持システムを作成す
る。ここで、本明細書の全体を通じて「自立構造」と
は、支持部により基板に自立して支持されている構造を
意味する。該支持システムは、アクチェータ構造面内で
の高周波側面運動に対してアクチュエータを支持するシ
リコン高分子ビームを複数含んでいる。しかしながら鉛
直方向の厚さがわずか２μｍの時には、鉛直方向のスチ
フネスが非常に小さく、望ましい加速度方向に対して垂
直な方向にも低いスチフネスが支持ビームによりもたら
される。この低い鉛直方向のスチフネスは都合の悪い大
きな鉛直運動を発生させる。幸い、与えられた方向の厚
さを増加させると、機械的なスチフネスは厚さの３乗の
関数で増加する。一方、それと直交方向のスチフネスは
厚さに比例して増加するのみである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、マイクロ
構造、特に自立構造への適用においては、その支持部の
鉛直方向の高さを増加させるのが望ましい。これには、
従来型の薄膜付着技術における厚さの限界を解決する組
立方法を必要とする。これに加えて、加速度方向での構
造的な厚さを制限することによって、支持部のアスペク
ト比（即ち、鉛直方向の厚さすなわち高さと横方向の厚
さすなわち幅の比）が高い値を有する構造の組立を可能
にすることが必要となる。１００μｍオーダの厚さの構
造を作成する各種Ｘ線技術が提案されているが、これら
の厚さは必要とする厚さよりはるかに大きい。むしろ、
１０μｍオーダの鉛直方向の厚さすなわち高さで、アス
ペクト比が約１０：１のマイクロ構造を提供することが
望ましい。
【０００６】従って本発明の目的は、例えば鉛直方向の
厚さすなわち高さがオーダ１０μｍ（１０内至２０μ
ｍ）、アスペクト比約１０：１といったような、シリコ
ン高分子薄膜技術の本質的な厚さ制約を受けない自立ミ
ニチュア化構造の組立を可能にすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】該自立構造の組立方法
は、反転材料と、厚さ構造のマイクロマシーン化と最小
化された平面内特徴を犠牲にしない厚さ構造の増加を可
能にする先進的なリソグラフィックメッキ技術によって
達成される。本発明の都合の良い面では、基板材料を選
択し、基板材料上に被加工層材料を付着し、形状を決定
するため被加工層をパターン化する、ステップを含む被
加工システムに基づく方法を使用する。フォトレジスト
層の材料を被加工層上に付着し、コントラストを強調し
たフォトリソグラフィによってパターン化し、フォトレ
ジスト鋳型を形成する。電気的メッキ構造はレジスト鋳
型の形状と同一になり、シリコン高分子構造の厚さの何
倍もの厚さを持ち得る。該フォトレジスト鋳型と被加工
層をその後エッチング液を使用して溶解し、自立金属構
造を形成する。
【０００８】
【実施例】図１の具体例では、静電気マイクロ・アクチ
ュエータ・デバイス１０としてミニチュア構造を形成す
る。該デバイス１０は、基板１２の縦方向端の両端に間
隔をおいて配列された一対の金属性アンカ１４、１６を
その上にマウントした該基板１２と、該基板１２の横方
向の両端でアンカ１４、１６間の該基板上で形成された
間隔を有する一対の金属性ステータ１８、２０を含んで
いる。該アンカ１４、１６間で自立金属性アクチュエー
タ２２が支持されており、ここで該アクチュエータ２２
は複数の金属性支持部２４、２６、２８及び３０を通じ
て該アンカ１４及び１６にマウントされている。該支持
部は該アクチュエータ２２を該アンカ１４及び１６に結
び付け、図１中の矢印で指示したＡ−Ａ方向への面内運
動を許す、フレキシブルビームである。該運動を促進す
るために、図１中で次元”ｄ”で表されている該支持部
の厚さすなわち幅は比較的薄くなっている。このよう
に、アクチュエータ構造の最大次元が約１ミリメートル
である一方、厚さ”ｄ”は約１マイクロメートルであ
る。このことは、指定方向にアクチュエータを移動させ
ることを可能にする十分な支持フレキシビリティを保証
する。アクチュエータの位置決めに使用される該移動力
は該ステータ１８及び２０によって提供される。両ステ
ータはそれぞれ、内向きに広がる複数の電極３２、３４
を含む。アクチュエータはまた、外向きに広がる複数の
アクチュエータ電極３６、３８を含む。該アクチュエー
タ電極３６、３８はそれぞれステータ電極３２、３４に
より差込まれあるいは組合わされる。ステータ１８と２
０間に直流電圧を付加し、アクチュエータ２２の下に位
置する伝導体５４を適用することで（図１に指摘な
し）、従来知られているように、アクチュエータ運動を
付加電位の極性に依存してＡ−Ａ方向に引起こす静電気
力を発生させる。
【０００９】該アクチュエータ・デバイス１０を完成
し、アクチュエータ２２により移動させられる要素を接
着するため、アクチュエータ２２の上面上に接着プラッ
トフォーム４０を形成する。該アクチュエータ２２が複
数のエッチ孔４２を含むことをさらに記する。ここで該
エッチ孔４２の目的は最終リリース段階で下にある被加
工層を除去するためにエッチング液を通過させることで
あり、これは以下でより詳細に説明する。
【００１０】ここで今図２から１４に戻ると、アクチュ
エータデバイス１０を組立てるための望ましい方法は、
図２で示されているように、シリコンウエハから従来型
形式で作成可能な絶縁基板１２で開始される。該基板１
２は酸化シリコン及び窒化シリコンのコーティング５
０、５２でパッシベーションを受ける。該基板１２の厚
さは変動が有り得るが、典型的に約１００内至５００マ
イクロメートルである。該酸化シリコンコーティングの
厚さは約５０００オングストローム、該窒化シリコンコ
ーティングの厚さは約０．５マイクロメートルである。
窒化シリコンコーティングの上面には、厚さ約０．５マ
イクロメートルの薄い伝導性金属層５４を付着させる。
該伝導性金属層５４はｐ型ポリクリスタルシリコンのよ
うなドープされた半導体材料で有り得る。代わりにこの
層は、銅やクロムを含有する典型元素を含み得る選択性
金属成分をスパッタすることで付着される。
【００１１】この伝導性金属層の付着後、該伝導性金属
層５４はフォトリソグラフィとプラズマエッチングプロ
セスによりパターン化される。図３で示すように、フォ
トレジスト層５６を該伝導性金属層５４上に形成し、第
１の光学マスク５７を該フォトレジスト層５６上に位置
させる。該フォトレジスト材料は従来型の材料である。
これらの材料は、適当な光の露光下で、フォトレジスト
材料を溶解させる後続のフォト成長にそれほどの抵抗を
示さないという共通の特徴を有する。該マスクは、クロ
ムあるいは水晶といった従来型材料から形成される。フ
ォトレジスト層５６は、該構造面に垂直な軸に沿って下
向きの平行光源を使用して投影される。３６５ナノメー
トル付近の波長を持つ紫外線領域光を含む各種平行光源
を使用して、該フォトレジスト材料を露光する。該露光
レジストは約一時間約４９℃（１２０°Ｆ）でベーキン
グされる。従来型レジスト溶剤を使用して、露光レジス
トを溶解し、図４で示したようなレジストパターンを形
成する。典型的には、フォトレジスト組立ではまた、提
供されたレジスト材料と互換性のある適切なレジスト溶
剤を提供する。
【００１２】該パターン化フォトレジスト層５６を、プ
ラズマエッチングによって伝導性金属層５４をパターン
化するために使用する。カーボンテトラクロライド（Ｃ
Ｃｌ4 ）プラズマエッチングの使用が望ましい。このプ
ロセスでは、該フォトレジスト層５６により未防護の伝
導性金属層５４部分を除去する。該プラズマエッチング
プロセスに続いて、フォトレジスト層５６を溶解し、図
５に示したようにパターン化された伝導性金属層５４を
生じさせる。
【００１３】伝導性金属層５４及び窒化シリコンコーテ
ィング５２の上面には、ガラス材料かつ望ましくはシリ
コン高分子ガラス（ＰＳＧ）から作成した被加工層５８
を付着する。この作成は図６に描写されている。該ＰＳ
Ｇ被加工層は低温化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）あるいはプラ
ズマ強調化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって蒸着される。
この蒸着法に続いて、被加工層は、該アンカ１４、１６
と該ステータ１８、２０の内部次元を画定するために使
用されるプレート形状にパターン化される。図７に示さ
れるように、被加工層５８はフォトレジスト層６０で被
膜され、フォトレジストと被加工層上に置かれた第２の
光学マスク６１を使用した従来型リソグラフィによって
パターン化され、該構造面に垂直な軸に沿って下向きの
平行光源を使用して引続き該フォトレジストと被加工層
を投影する。この目的のため再度、何らかの従来型フォ
トレジスト材料と、クロムあるいは水晶といった何らか
の従来型マスク材料が使用可能である。３６５ナノメー
トル付近の波長を持つ紫外線領域光を含む各種平行光源
を使用して、該フォトレジスト材料を露光する。該露光
レジストは約一時間４９℃（１２０°Ｆ）でベーキング
される。パターン化されたフォトレジスト層で保護され
ないＰＳＧ層を溶解するために、フッ化水素酸といった
フッ化水素（ＨＦ）に基づく溶液を使用する。最後に、
残りのフォトレジストをレジスト溶剤中に溶解し、図８
で示すようなパターン化された被加工層を生じる。
【００１４】被加工層５８と窒化シリコン層５２の上面
には、電気的メッキシード層（図示せず）をスパッタリ
ングで付着する。該メッキシード層は金属元素の１つか
ら形成することも可能であるが、銅、ニッケル、クロム
から作ることが望ましい。一度メッキシード層が付着さ
れ、フォトレジスト層６２は、図９で示すように該シー
ド層上に付着される。該フォトレジスト層６２は、その
下の中央に位置付けられている被加工層５８を有する基
板１２の痕跡全体にわたって広がる。フォトレジスト層
６２の厚さは、アンカ１４と１６、ステータ１８と２０
及びアクチュエータ２２を含む金属成分の厚さを決定す
る。このように、例えば、フォトレジスト層６２は厚さ
約１０マイクロメートル、あるいは１０内至２０の範囲
の厚さのオーダである。フォトレジスト層６２は２マイ
クロメートル以下の厚さでないことが望ましい。フォト
レジスト層６２はブランド名ＡＺ４０００とＡＺ６００
０として販売されている製品を含む従来型フォトレジス
ト材料から形成可能である。
【００１５】フォトレジスト材料は従来の方法により、
構造上で引伸ばされる。その後、図９に示されるよう
に、脂肪酸アルカリ金属塩材料あるいは類似材料から作
成可能なバリア層６４をフォトレジスト層上に引伸ば
す。コントラスト強調層６６を該バリア層６４上に引伸
ばす。該コントラスト強調層６６は、該フォトレジスト
層中に非常に鋭いエッジの直線状側面壁表面を成長させ
る目的で、引続くフォトリソグラフィ中で鋭い光学コン
トラストを提供するために使用される。このことは、コ
ントラスト強調のリソグラフィ構造の形成となる。該コ
ントラスト強調層６６を、例えばジアリル・ニトロンを
その中に含む１つ内至それ以上の漂白性染料から作成す
ることが望ましい。”漂白性染料”という表現は、臨界
エネルギーレベル以上のフォトリソグラフィ光源からの
輻射に曝された時、該コントラスト強調層が透明にな
り、より低エネルギーでは不透明であり続けるという事
実に関連している。該コントラスト強調層は活性化状態
では下敷きのフォトレジスト材料のフォト成長を可能と
する光学スイッチとして機能する。このことは下敷きの
フォトレジスト材料の一様なフォト成長を促進させ、下
部が低露光の間上部が高露光にならないようにする。推
奨するコントラスト強調材料は、トレードマーク”ＣＥ
Ｍ ３８８”でＧｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃ
ｏｒｐｏｒａｔｉｏｎより入手可能である。該臨界エネ
ルギーレベルはフォトレジストとコントラスト強調層の
厚さによって変化する。
【００１６】ここで図１０に関連して、第３の光学マス
ク６８を使用してフォトレジスト層６２、バリア６４と
コントラスト強調層６６をパターン化し、引続き電気的
メッキのための鋳型を形成する。該第３の光学マスク６
８は、複合ポジティッブフォトレジスト層として提供さ
れるフォトレジスト層６２、バリア層６４、コントラス
ト強調層６６と共に、クロムあるいは水晶から従来より
形成可能である。適切な輻射露光と選択性レジスト硬化
によって、複合フォトレジスト層の露光領域が引続くフ
ォト成長と硬化により溶解される一方、該第３の光学マ
スク６８下のレジスト部は元のままである。複合フォト
レジスト層をパターン化するため選択する該輻射源は、
低い口径（ＮＡ）値の投影システムである。該システム
は、該構造面内に実質的に垂直方向の、紫外線領域望ま
しくは３６５ナノメートル付近の波長の高精度に平行化
された輻射を提供する。その露光レジストはその後現像
されるがベーキングされない。
【００１７】複合フォトレジスト層のパターン化によっ
て図１１に描写されるているように、図１図示の金属性
アンカ１４と１６、アクチュエータ２２、ステータ１８
と２０の形状と配置を決定する鋳型構造が生じる。この
鋳型構造はさらに複数のエッチ孔４２を画定する。すで
に描写されたフォトリソグラフィパターン化プロセスを
使用して、高さ２０μｍまでで９：１から１０：１ある
いはさらに高いアスペクト比の支持部を備える自立金属
構造の形成が可能なフォトレジスト型板すなわち鋳型を
容易に作成可能であり、平面外方向に対しかなり厚い
（図１において）金属構造の成長を可能にする一方、差
込まれた電極の間隔といった、非常に薄い特徴が該構造
面内に形成されることを可能にする。該説明方法で形成
されたフォトレジストを使用して、図１２で示される金
属構造６９を、メッキシード層を電気めっき電極として
使用した電気メッキによって蒸着可能である。該メッキ
材料は何らかの金属元素で有り得、被加工層が燐シリコ
ンガラスである時、銅、ニッケル、クロムといった遷移
元素であれば望ましい。
【００１８】該金属メッキ段階に続いて、メッキされた
金属層６９上のフォトレジスト層７０を蒸着することで
以下に述べるように、接着プラットフォーム４０（図１
５）を形成する。該フォトレジスト層７０は従来型レジ
スト材料から形成される。第４の光学マスク７２をフォ
トレジスト層７０上に置く。再度、該光学マスクはクロ
ムあるいは水晶といった従来型材料である。これらの構
造は図１３に示されている。該フォトレジスト層７０を
波長３６５ナノメートル付近の紫外線領域の光を提供す
る平行光源で露光する。この光は該構造の平面に垂直な
軸に沿って下向きである。その露光レジストはその後現
像されベーキングされない。該パターン化されたレジス
トを電気メッキ鋳型として使用し、図１４で示すよう
に、金属構造７４を形成する。この構造は、レジスト層
７０が溶解される時、接着プラットフォーム４０を形成
する。
【００１９】接着プラットフォーム４０の形成に続い
て、フォトレジスト層６２、バリア層６４、コントラス
ト強調層６６からなる複合フォトレジスト層と被加工層
５８とを全て溶解し、金属性アンカ１４の構造、ステー
タ１８、２０の構造、支持部２４−３０と差込まれた電
極３２−３８を含む自立アクチュエータ２２の構造を形
成する。この配置の断面形状は図１５に示されている。
図１５は、図１４に対して金属性アンカ１４および１６
のコーナ部分を誇張して描写している。被加工層５８を
溶解するため使用するエッチング液は、被加工層が燐シ
リコンガラスから形成され、金属性構造６９が銅やクロ
ムから形成される時には、フッ化水素酸、あるいは他の
何らかのＨＦに基づく溶液であることが望ましい。これ
らの材料は、室温下の被加工層中で毎分約１マイクロメ
ートル内至それ以上のエッチレートを有利に提供し、銅
あるいはクロム金属構造では無視可能なエッチレートを
提供する。このように、フッ化水素に基づくエッチング
液はＰＳＧ被加工層５８と銅、クロム金属構造６８に関
して選択的に良好なエッチングを提供する。エッチング
液は、複合ポジティブフォトレジスト層のパターン化に
より金属性構造６９に形成されたエッチ孔４２を通じて
被加工層の溶解に供給される。
【００２０】高アスペクト比を有する構造を該組立方法
を使用して常套的に形成することは認知されると思われ
る。マイクロ・アクチュエータデバイス１０のような高
アスペクト比構造は、鉛直すなわち平面外偏向を最小化
し、良好な平面内操作力を発生することが望まれる、各
種応用可能な構造であることが期待される。例えば、高
アスペクト比マイクロ・アクチュエータは磁気的、光学
的記録のサブミクロントラッキングに経済的な使用が可
能である。本適用例は図１６と図１７に示されている。
図１６は本発明に従って組立てた、トラッキングアーム
支持アセンブリ１０４と１対の磁気ヘッド１０８及び１
１０をその上にマウントしたスライダ１０６との間にサ
ンドイッチされた、マイクロ・アクチュエータ１０２を
示すスライダ・トラッキングシステム１００を描写して
いる。該マイクロ・アクチュエータ１０２は基板１１２
と、自立アクチュエータ構造１１４と、スライダ１０６
がマウントされた接着プラットフォーム１１６、を含む
ものとして示されている。図１６の該デバイスは、大き
な鉛直スチフネス（４０ｋＮ／ｍ）と１ｍＮの力を持つ
ように作成され、負荷１０ミリグラムで１マイクロメー
トルのトラッキングに対し１．６ｋＨｚの帯域幅を与え
る。
【００２１】ヘッド・トラッキングシステム１２０に対
する別な組立を図１７に描写する。スライダ１２２は、
低い空気軸受表面１２４を持つように示されている。薄
膜ヘッド１２６を本発明に従って、マイクロ・アクチュ
エータ１２８を通じて、スライダ１２２にマウントす
る。再度、該マイクロアクチュエータ１２８により、非
常に微細なトラッキング訂正を与える。
【００２２】図１８と１９は平面内操作力、今回の場合
には領域効果型多重電極マイクロアクチュエータ構造１
３０を成長させるための望ましいマイクロアクチュエー
タ組立を描写している。この電極の木構造は、それぞれ
多重ブランチ１３６と１３８を有する１対のステータ１
３２と１３４を含む。各ブランチは代わって、図１９に
より詳細に示されているようなそこから側面外向きに広
がっている複数のフィンガ１４０と１４２を有する。該
木構造はさらに図１９にまた描写されているようにそこ
から側面に広がっている複数の電極フィンガ１４８を持
つ、複数のブランチ１４６を有するアクチュエータ１４
４を含む。該アクチュエータ１４４は複数の支持メンバ
１５０、１５２、１５４と１５６によって、１対のアン
カ構造１５８、１６０にマウントされる。本アプローチ
では各対のフィンガは、全領域にわたる電場エネルギー
を力とトルクに変換し小さな操作範囲内に一定の入出力
関係を維持するエネルギー保存セルを形成する。１平方
ミリメートルの領域平面外の厚さ２０マイクロメートル
で、幅６マイクロメートル、空気ギャップ２マイクロメ
ートルの電極、組合せられたフィンガに対し２５マイク
ロメートルでその他の部分で５マイクロメートルのブラ
ンチ幅、１００ボルトの最大電圧を有するよう図１８と
図１９の構造を計測するならば、１．１ミリニュートン
の側面力が達成可能である。構造的な完全性のため電極
の木構造１３０を、全可動アクチュエータ電極を共に保
持するためのトッププレートと共に提供可能である。該
プレートを金属か、あるいはプロセス互換性のある誘電
性材料から形成する。該プレートとステータ電極ブラン
チ間の分離距離を５マイクロメートルとすれば、０．３
ミリニュートンの小さな鉛直力が得られる。シリコン高
分子から作成された比較可能な構造より少なくとも３オ
ーダ異なっている値の鉛直スチフネスは、最小の平面外
偏向でこの負荷を調整可能である。
【００２３】
【発明の効果】それゆえ本発明は、例えば鉛直方向の高
さがオーダ１０μｍ（１０内至２０μｍ）、アスペクト
比約１０：１といったような、シリコン高分子薄膜技術
の本質的な厚さ制約を受けない自立ミニチュア化構造の
組立を可能にする効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明によって組立てられたマイクロア
クチュエータ構造の概略設計図を示した図である。
【図２】図２は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、アクチュエータ構造を基板１２
から形成する最初の段階を示した図である。
【図３】図３は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、フォトレジスト層５６と第１の
光学マスクを該伝導性金属層５４上に形成する段階を示
した図である。
【図４】図４は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、第１の光学マスク５７を利用し
てフォトレジスト層５６のパターンを形成する段階を示
した図である。
【図５】図５は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、フォトレジスト層５６のパータ
ンにより伝導性金属層５４のパターンを形成する段階を
示した図である。
【図６】図６は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、伝導性金属層５４及び窒化シリ
コンコーティング上面に被加工層５８を蒸着する段階を
示した図である。
【図７】図７は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、被加工層５８上にフォトレジス
ト層６０、第２の光学マスク６１を形成する段階を示し
た図である。
【図８】図８は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、第２の光学マスク６１を利用し
てパターン化された被加工層５８を形成する段階を示し
た図である。
【図９】図９は図１の該マイクロアクチュエータ構造の
組立の各種段階の中で、パターン化された被加工層５８
上にフォトレジスト層６２、バリア層６４とコントラス
ト強調層６６を形成する段階を示した図である。
【図１０】図１０は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、第３の光学マスク６８を利
用してコントラスト強調層６６をパターン化する段階を
示した図である。
【図１１】図１１は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、フォトレジスト層６２、バ
リア層６４とコントラスト強調層６６の複合フォトレジ
スト層をパターン化する段階を示した図である。
【図１２】図１２は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、図１１で示した構造に自立
金属構造６９を電気メッキにより蒸着する段階を示した
図である。
【図１３】図１３は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、図１１の構造上にフォトレ
ジスト層７０と第４の光学マスク７２を形成する段階を
示した図である。
【図１４】図１４は図１の該マイクロアクチュエータ構
造の組立の各種段階の中で、第４の光学マスクを使用し
てフォトレジスト構造７０をパターン化し、金属構造７
４を形成する段階を示した図である。
【図１５】図１５は図１中のライン３−３にそって切取
られた断面図である。
【図１６】図１６は磁気的及び又は光学記憶デバイスに
対するスライダ・トラッキングシステム概略の末端図で
ある。
【図１７】図１７は磁気的及び又は光学記憶デバイスに
対するヘッドトラッキングシステムの概略側面図であ
る。
【図１８】図１８は本発明に基づいて組立てられた領域
効果型多重電極マイクロアクチュエータシステムの概略
設計図である。
【図１９】図１９は図１８の領域効果型マイクロアクチ
ュエータの一部の詳細図である。
【符号の説明】
１０ 静電気マイクロアクチュエータデバイス １２ 基板 １４、１６ アンカ １８、２０ ステータ ２２ アクチュエータ ２４、２６、２８、３０ 支持部 ３２、３４ 電極 ３６、３８ アクチュエータ電極 ４０ 接着プラットフォーム ４２ エッチ孔 ５０ 酸化シリコンコーティング ５２ 窒化シリコンコーティング ５４ 伝導性金属層 ５６ フォトレジスト層 ５７ 第１の光学マスク ５８ 被加工層 ６０、６２ フォトレジスト層 ６１ 第２の光学マスク ６４ バリア層 ６６ コントラスト強調層 ６８ 第３の光学マスク ６９ メッキされた金属層 ７０ フォトレジスト層 ７２ 第４の光学マスク ７４ 金属構造 １００ トラッキングシステム １０２ マイクロアクチュエータ １０４ 支持アセンブリ １０６ スライダ １０８、１１０ 磁気ヘッド １１２ 基板 １１４ アクチュエータ構造 １１６ スライダ １２０ ヘッドトラッキングシステム １２２ スライダ １２４ 軸受表面 １２６ 薄膜ヘッド １２８ マイクロアクチュエータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス・ヘルムート・ザッペ アメリカ合衆国95120 カリフォルニア 州、サン・ノゼ、ヒルクレスト・コート 1374 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/306 G03F 7/26 C23C 28/00

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板材料を選択する段階と、 上記基板材料上に被加工層の材料を付着する段階と、上記被加工層をパターン化して形状を画定する段階と、 上記パターン化された被加工層上にフォトレジスト層の
    材料を付着する段階と、高さと幅の比からなるアスペクト比が少なくとも９：１
    の支持部を備える自立金属構造を形成するように上記フ
    ォトレジスト層の材料を鋳型状にコントラスト強調フォ
    トリソグラフィによりパターン化する段階と、 上記パターン化されたフォトレジスト層を鋳型にして 上
    記自立金属構造の材料をメッキする段階と、 エッチング液を使用して上記パターン化されたフォトレ
    ジスト層及び上記被加工層を溶解し上記自立金属構造を
    形成する段階とを有する金属構造の組立方法。
  2. 【請求項２】上記被加工層の材料と上記自立金属構造の
    材料と上記エッチング液とは、上記自立金属構造より実
    質的に高いレートで上記被加工層をエッチングする高エ
    ッチング選択性を提供するように選択される、請求項１
    記載の方法。
  3. 【請求項３】上記被加工層がガラス材料から形成され、
    上記自立金属構造の材料が遷移元素から形成され、上記
    エッチング液がＨＦ（フッ化水素）ベースの酸材料から
    形成される、請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】上記被加工層は燐シリコンガラス（ＰＳ
    Ｇ）であり、上記自立金属構造は銅あるいはクロムであ
    り、上記エッチング液はフッ化水素酸（ＨＦ）である、
    請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】上記フォトレジスト層を付着する段階は、
    コントラスト強調層を上記フォトレジスト層上に付着す
    る段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】上記コントラスト強調層は漂白性染料をそ
    の中に有する成分から形成される、請求項１記載の方
    法。
  7. 【請求項７】上記フォトレジスト層のパターン化段階
    は、上記フォトレジスト層をマスキングし、波長約０．
    ３６５μｍである平行輻射源を提供する低い数値の口径
    の投影システムを使用してフォトレジスト層のマスクさ
    れていない部分を露光する、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】上記フォトレジスト層を約２μｍ以上の厚
    さで形成する、請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】基板材料と該基板材料上に配置された自立
    金属構造との組立方法において、該自立金属構造が、 基板材料を選択する段階と、 上記基板材料上に被加工層の材料を付着する段階と、上記被加工層をパターン化して形状を画定する段階と、 上記パターン化された被加工層上にフォトレジスト層の
    材料を付着する段階と、高さと幅の比からなるアスペクト比が少なくとも９：１
    の支持部を備える自立金属構造を形成するように、上記
    フォトレジスト層をマスクし、上記フォトレジスト層の
    マスクされていない部分を波長が約０．３６５μｍの平
    行輻射源を使用して露光し、上記フォトレジスト層をフ
    ォト成長させて上記マスクされていない部分を除去する
    ことにより、実質的に垂直な側壁を有する鋳型状にコン
    トラスト強調フォトリソグラフィによりパターン化する
    段階と、 上記パターン化されたフォトレジスト層を鋳型にして 上
    記自立金属構造の材料をメッキする段階と、 エッチング液を使用して上記パターン化されたフォトレ
    ジスト層及び上記被加工層を溶解し上記自立金属構造を
    形成する段階とを有する金属構造の組立方法。
JP5202223A 1992-09-21 1993-08-16 マイクロ・ミニチュア構造の組立方法 Expired - Lifetime JP2744877B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US948189 1992-09-21
US07/948,189 US5364742A (en) 1992-09-21 1992-09-21 Micro-miniature structures and method of fabrication thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06224178A JPH06224178A (ja) 1994-08-12
JP2744877B2 true JP2744877B2 (ja) 1998-04-28

Family

ID=25487442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5202223A Expired - Lifetime JP2744877B2 (ja) 1992-09-21 1993-08-16 マイクロ・ミニチュア構造の組立方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5364742A (ja)
EP (1) EP0592094B1 (ja)
JP (1) JP2744877B2 (ja)
KR (1) KR970008324B1 (ja)
CN (1) CN1077300C (ja)
DE (1) DE69323381T2 (ja)
MY (1) MY109365A (ja)
SG (1) SG42895A1 (ja)
TW (1) TW226475B (ja)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5481396A (en) * 1994-02-23 1996-01-02 Aura Systems, Inc. Thin film actuated mirror array
US5804314A (en) * 1994-03-22 1998-09-08 Hewlett-Packard Company Silicon microstructures and process for their fabrication
US5705318A (en) * 1994-06-06 1998-01-06 Case Western Reserve University Micromotors and methods of fabrication
US6360424B1 (en) 1994-06-06 2002-03-26 Case Western Reserve University Method of making micromotors with utilitarian features
US6029337A (en) * 1994-06-06 2000-02-29 Case Western Reserve University Methods of fabricating micromotors with utilitarian features
WO1995034943A1 (en) * 1994-06-10 1995-12-21 Case Western Reserve University Micromotors with utilitarian features and methods of their fabrication
US5788468A (en) * 1994-11-03 1998-08-04 Memstek Products, Llc Microfabricated fluidic devices
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US6547973B2 (en) * 1996-07-30 2003-04-15 Agilent Technologies, Inc. Fabrication of suspended structures using a sacrificial layer
DE69632950T2 (de) * 1996-07-31 2005-08-25 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Integrierte Mikrostrukturen aus Halbleitermaterial und ein Verfahren zu deren Herstellung
WO1998020486A1 (en) 1996-11-01 1998-05-14 Seagate Technology, Inc. Actuator arm integrated piezoelectric microactuator
US6393685B1 (en) 1997-06-10 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Microjoinery methods and devices
US6007968A (en) * 1997-10-29 1999-12-28 International Business Machines Corporation Method for forming features using frequency doubling hybrid resist and device formed thereby
US6023378A (en) * 1998-01-20 2000-02-08 Seagate Technology, Inc. Optical data storage system with improved head lens assembly
US6735055B1 (en) 1998-05-07 2004-05-11 Seagate Technology Llc Microactuator structure with vibration attenuation properties
US6362939B1 (en) 1998-05-07 2002-03-26 Seagate Technology Llc. Balanced microactuator suspension
US6320730B1 (en) 1998-09-26 2001-11-20 Seagate Technology Llc Low-stress disc drive microactuator cradle
US6389189B1 (en) 1998-10-23 2002-05-14 Corning Incorporated Fluid-encapsulated MEMS optical switch
US6404942B1 (en) 1998-10-23 2002-06-11 Corning Incorporated Fluid-encapsulated MEMS optical switch
US6297936B1 (en) 1998-11-09 2001-10-02 Seagate Technology Llc Integral load beam push-pull microactuator
US6233124B1 (en) 1998-11-18 2001-05-15 Seagate Technology Llc Piezoelectric microactuator suspension assembly with improved stroke length
US6361703B1 (en) 1999-03-04 2002-03-26 Caterpillar Inc. Process for micro-texturing a mold
US6351354B1 (en) 1999-05-07 2002-02-26 Seagate Technology Llc Head to flexure interconnection for disc drive microactuator
KR100323693B1 (ko) * 1999-05-20 2002-02-07 구자홍 미세 구조물 제조방법
US6414823B1 (en) 1999-06-09 2002-07-02 Seagate Technology Llc Coil-structures for magnetic microactuator
US6507463B1 (en) 1999-06-11 2003-01-14 Seagate Technology, Inc. Micro disc drive employing arm level microactuator
CN100402850C (zh) 1999-06-28 2008-07-16 加利福尼亚技术学院 微型制造的弹性体的阀和泵***
US8550119B2 (en) 1999-06-28 2013-10-08 California Institute Of Technology Microfabricated elastomeric valve and pump systems
US8052792B2 (en) 2001-04-06 2011-11-08 California Institute Of Technology Microfluidic protein crystallography techniques
US6929030B2 (en) 1999-06-28 2005-08-16 California Institute Of Technology Microfabricated elastomeric valve and pump systems
US7052545B2 (en) 2001-04-06 2006-05-30 California Institute Of Technology High throughput screening of crystallization of materials
US7217321B2 (en) 2001-04-06 2007-05-15 California Institute Of Technology Microfluidic protein crystallography techniques
US7244402B2 (en) 2001-04-06 2007-07-17 California Institute Of Technology Microfluidic protein crystallography
US8709153B2 (en) 1999-06-28 2014-04-29 California Institute Of Technology Microfludic protein crystallography techniques
US6899137B2 (en) 1999-06-28 2005-05-31 California Institute Of Technology Microfabricated elastomeric valve and pump systems
US7144616B1 (en) 1999-06-28 2006-12-05 California Institute Of Technology Microfabricated elastomeric valve and pump systems
US7459022B2 (en) 2001-04-06 2008-12-02 California Institute Of Technology Microfluidic protein crystallography
US7306672B2 (en) 2001-04-06 2007-12-11 California Institute Of Technology Microfluidic free interface diffusion techniques
US7195670B2 (en) 2000-06-27 2007-03-27 California Institute Of Technology High throughput screening of crystallization of materials
US6798609B1 (en) 1999-07-28 2004-09-28 Seagate Technology, Inc. Magnetic microactuator with capacitive position sensor
US6859345B2 (en) * 1999-08-17 2005-02-22 Seagate Technology Llc Bending microactuator having a two-piece suspension design
US6643426B1 (en) 1999-10-19 2003-11-04 Corning Incorporated Mechanically assisted release for MEMS optical switch
DE19955975A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-23 Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh Lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen
US6574077B1 (en) 1999-12-02 2003-06-03 Seagate Technology Llc Microactuator assembly having improved standoff configuration
US6697232B1 (en) 2000-03-24 2004-02-24 Seagate Technology Llc Bonded transducer-level electrostatic microactuator for disc drive system
US6785086B1 (en) 2000-04-05 2004-08-31 Seagate Technology Llc Transducer-level microactuator with dual-axis control
US20050118073A1 (en) 2003-11-26 2005-06-02 Fluidigm Corporation Devices and methods for holding microfluidic devices
US7279146B2 (en) 2003-04-17 2007-10-09 Fluidigm Corporation Crystal growth devices and systems, and methods for using same
US6683757B1 (en) 2000-04-05 2004-01-27 Seagate Technology Llc Slider-level microactuator for precise head positioning
US7867763B2 (en) 2004-01-25 2011-01-11 Fluidigm Corporation Integrated chip carriers with thermocycler interfaces and methods of using the same
US6683758B2 (en) 2000-06-01 2004-01-27 Seagate Technology Llc Fabrication method for integrated microactuator coils
US7351376B1 (en) 2000-06-05 2008-04-01 California Institute Of Technology Integrated active flux microfluidic devices and methods
US6765766B2 (en) 2000-07-11 2004-07-20 Seagate Technology Llc Bonding tub improved electromagnetic microactuator in disc drives
US6851120B2 (en) * 2000-07-13 2005-02-01 Seagate Technology Llc Micro-actuator structure for improved stability
EP1334347A1 (en) 2000-09-15 2003-08-13 California Institute Of Technology Microfabricated crossflow devices and methods
US7678547B2 (en) 2000-10-03 2010-03-16 California Institute Of Technology Velocity independent analyte characterization
US7258774B2 (en) 2000-10-03 2007-08-21 California Institute Of Technology Microfluidic devices and methods of use
US7097809B2 (en) 2000-10-03 2006-08-29 California Institute Of Technology Combinatorial synthesis system
US6778350B2 (en) 2000-10-06 2004-08-17 Seagate Technology Llc Feed forward control of voice coil motor induced microactuator disturbance
US7232109B2 (en) 2000-11-06 2007-06-19 California Institute Of Technology Electrostatic valves for microfluidic devices
US6951632B2 (en) 2000-11-16 2005-10-04 Fluidigm Corporation Microfluidic devices for introducing and dispensing fluids from microfluidic systems
AU2002230524A1 (en) 2000-11-16 2002-05-27 California Institute Of Technology Apparatus and methods for conducting assays and high throughput screening
US6614628B2 (en) 2001-01-19 2003-09-02 Seagate Technology Llc Moving coil micro actuator with reduced rotor mass
US6960437B2 (en) 2001-04-06 2005-11-01 California Institute Of Technology Nucleic acid amplification utilizing microfluidic devices
US6752922B2 (en) 2001-04-06 2004-06-22 Fluidigm Corporation Microfluidic chromatography
JP5162074B2 (ja) 2001-04-06 2013-03-13 フルイディグム コーポレイション ポリマー表面修飾
US7075162B2 (en) 2001-08-30 2006-07-11 Fluidigm Corporation Electrostatic/electrostrictive actuation of elastomer structures using compliant electrodes
US7192629B2 (en) 2001-10-11 2007-03-20 California Institute Of Technology Devices utilizing self-assembled gel and method of manufacture
AU2002332983B2 (en) * 2001-10-25 2005-10-06 Micro Relay Holdings Pty Ltd A method of fabrication of micro-devices
AUPR846701A0 (en) * 2001-10-25 2001-11-15 Microtechnology Centre Management Limited A method of fabrication of micro-devices
US8440093B1 (en) 2001-10-26 2013-05-14 Fuidigm Corporation Methods and devices for electronic and magnetic sensing of the contents of microfluidic flow channels
US7691333B2 (en) 2001-11-30 2010-04-06 Fluidigm Corporation Microfluidic device and methods of using same
US7118910B2 (en) 2001-11-30 2006-10-10 Fluidigm Corporation Microfluidic device and methods of using same
EP2666849A3 (en) 2002-04-01 2014-05-28 Fluidigm Corporation Microfluidic particle-analysis systems
EP2298448A3 (en) 2002-09-25 2012-05-30 California Institute of Technology Microfluidic large scale integration
JP5695287B2 (ja) 2002-10-02 2015-04-01 カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー 微小流体の核酸解析
CN100365510C (zh) * 2003-01-15 2008-01-30 友达光电股份有限公司 制作一金属图案的方法
US20050145496A1 (en) 2003-04-03 2005-07-07 Federico Goodsaid Thermal reaction device and method for using the same
US7604965B2 (en) 2003-04-03 2009-10-20 Fluidigm Corporation Thermal reaction device and method for using the same
US7476363B2 (en) 2003-04-03 2009-01-13 Fluidigm Corporation Microfluidic devices and methods of using same
EP1615721B1 (en) 2003-04-03 2014-06-18 Fluidigm Corporation Microfluidic devices and methods of using same
US8828663B2 (en) 2005-03-18 2014-09-09 Fluidigm Corporation Thermal reaction device and method for using the same
JP4838135B2 (ja) 2003-05-20 2011-12-14 フルイディグム コーポレイション マイクロ流体素子およびこれを撮像するための方法および装置
DE10333840B4 (de) 2003-07-24 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse, das eine Umverdrahrungsstruktur aufweist und Verfahren zu deren Herstellung
US7583853B2 (en) 2003-07-28 2009-09-01 Fluidigm Corporation Image processing method and system for microfluidic devices
US7413712B2 (en) 2003-08-11 2008-08-19 California Institute Of Technology Microfluidic rotary flow reactor matrix
US6831539B1 (en) 2003-08-28 2004-12-14 Seagate Technology Llc Magnetic microactuator for disc with integrated head connections and limiters drives
US7277257B2 (en) * 2003-12-05 2007-10-02 Seagate Technology Llc Transducer-level microactuator for a magnetic recording system
US7407799B2 (en) 2004-01-16 2008-08-05 California Institute Of Technology Microfluidic chemostat
SG187392A1 (en) 2004-01-25 2013-02-28 Fluidigm Corp Crystal forming devices and systems and methods for making and using the same
US8025831B2 (en) 2004-05-24 2011-09-27 Agency For Science, Technology And Research Imprinting of supported and free-standing 3-D micro- or nano-structures
US7217428B2 (en) * 2004-05-28 2007-05-15 Technology Innovations Llc Drug delivery apparatus utilizing cantilever
GB0412097D0 (en) * 2004-05-29 2004-06-30 Rolls Royce Plc Method of producing a self supporting form from a coating material
US7276453B2 (en) * 2004-08-10 2007-10-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
US7224883B2 (en) * 2005-03-31 2007-05-29 Xerox Corporation Actuator and latching systems and methods
US7695632B2 (en) * 2005-05-31 2010-04-13 Lam Research Corporation Critical dimension reduction and roughness control
US7815868B1 (en) 2006-02-28 2010-10-19 Fluidigm Corporation Microfluidic reaction apparatus for high throughput screening
US8623231B2 (en) * 2008-06-11 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for etching an ultra thin film
CN104599979B (zh) * 2015-01-05 2017-06-20 中国科学院物理研究所 自支撑三维器件及其制备方法
AT520718B1 (de) * 2018-01-30 2019-07-15 Joanneum Res Forschungsgmbh Verfahren zur herstellung eines formeinsatzes mit (sub-)mikrostrukturen sowie werkstück mit (sub-)mikrostrukturen

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5108874A (en) * 1982-11-01 1992-04-28 Microsi, Inc. Composite useful in photolithography
US4677049A (en) * 1983-09-28 1987-06-30 General Electric Company Spin castable photobleachable layer forming compositions
US4663275A (en) * 1984-09-04 1987-05-05 General Electric Company Photolithographic method and combination including barrier layer
JPS6179226A (ja) * 1984-09-27 1986-04-22 Hitachi Ltd パタ−ン形成方法
US4614119A (en) * 1985-03-08 1986-09-30 The Foxboro Company Resonant hollow beam and method
JPH0821567B2 (ja) * 1985-03-14 1996-03-04 富士通株式会社 超微細管の製造方法
US4764244A (en) * 1985-06-11 1988-08-16 The Foxboro Company Resonant sensor and method of making same
EP0239376A3 (en) * 1986-03-27 1988-05-11 Gec-Marconi Limited Contrast enhanced photolithography
US4925770A (en) * 1986-05-20 1990-05-15 Director General Of Agency Of Industrial Science And Technology Contrast-enhancing agent for photolithography
JP2524993B2 (ja) * 1987-03-04 1996-08-14 沖電気工業株式会社 レジストパタ−ンの形成方法
EP0280197A3 (en) * 1987-02-23 1990-05-23 Oki Electric Industry Company, Limited Process for forming photoresist pattern
US4740410A (en) * 1987-05-28 1988-04-26 The Regents Of The University Of California Micromechanical elements and methods for their fabrication
JPS6410245A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pattern forming method
US5196295A (en) * 1987-07-31 1993-03-23 Microsi, Inc. Spin castable mixtures useful for making deep-UV contrast enhancement layers
US5106723A (en) * 1988-03-10 1992-04-21 Microsi, Inc. Contrast enhancement layer compositions, alkylnitrones, and use
US5180655A (en) * 1988-10-28 1993-01-19 Hewlett-Packard Company Chemical compositions for improving photolithographic performance
US5025346A (en) * 1989-02-17 1991-06-18 Regents Of The University Of California Laterally driven resonant microstructures
US5072288A (en) * 1989-02-21 1991-12-10 Cornell Research Foundation, Inc. Microdynamic release structure
CA2011927C (en) * 1989-06-02 1996-12-24 Alan Lee Sidman Microlithographic method for producing thick, vertically-walled photoresist patterns
US5206983A (en) * 1991-06-24 1993-05-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of manufacturing micromechanical devices

Also Published As

Publication number Publication date
SG42895A1 (en) 1997-10-17
DE69323381T2 (de) 1999-09-30
EP0592094B1 (en) 1999-02-03
MY109365A (en) 1997-01-31
JPH06224178A (ja) 1994-08-12
KR940007969A (ko) 1994-04-28
KR970008324B1 (ko) 1997-05-23
EP0592094A3 (en) 1994-10-12
CN1077300C (zh) 2002-01-02
US5364742A (en) 1994-11-15
DE69323381D1 (de) 1999-03-18
CN1085667A (zh) 1994-04-20
EP0592094A2 (en) 1994-04-13
TW226475B (ja) 1994-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2744877B2 (ja) マイクロ・ミニチュア構造の組立方法
US6020215A (en) Process for manufacturing microstructure
JP4056559B2 (ja) マイクロ機械加工構造物の製法およびかかる方法を使用して製造されたマイクロ機械加工構造物
JP2833807B2 (ja) 集積方式の走査型トンネル顕微鏡
US6815363B2 (en) Method for nanomachining high aspect ratio structures
US10403463B2 (en) Method for the fabrication of electron field emission devices including carbon nanotube electron field emission devices
CN101284643A (zh) 一种制造微机电***(mems)器件结构的方法
US20080284028A1 (en) Integrated device fabricated using one or more embedded masks
US6667823B2 (en) Monolithic in-plane shutter switch
US6362083B1 (en) Method for fabricating locally reinforced metallic microfeature
Okuyama et al. Micromachining with SR and FEL
KR100931552B1 (ko) 회로 패턴의 분할 방법, 스텐실 마스크의 제조 방법, 스텐실 마스크, 및 노광 방법
Cros et al. High aspect ratio structures achieved by sacrificial conformal coating
JP5172532B2 (ja) 微細構造体
US6429034B1 (en) Method of making high aspect ratio features during surface micromachining
JP3491941B2 (ja) マイクロ構造体の製造方法
JPH08168099A (ja) 静電アクチュエータおよびその製造方法
JPS6033505A (ja) 回折格子の製造方法
Courcimault et al. Microsystems for the fabrication of nano-scale structures
JP3577694B2 (ja) 光スイッチ
JP3422428B2 (ja) 微細加工レジストパターンの形成方法
JPH0823685A (ja) 静電アクチュエータ
Subramanian Single mask, multiple level single crystal silicon processes: MEMS out-of-plane actuators and three-dimensional wire arrays
TW200412628A (en) Method to fabricate vertical comb actuator by surface micromachining technology
WO2002064495A2 (en) Enhanced sacrificial layer etching technique for microstructure release