JP2736894B2 - 光ピックアップ並びにそれを備えた光ディスク装置及びロータリエンコーダ - Google Patents

光ピックアップ並びにそれを備えた光ディスク装置及びロータリエンコーダ

Info

Publication number
JP2736894B2
JP2736894B2 JP63129935A JP12993588A JP2736894B2 JP 2736894 B2 JP2736894 B2 JP 2736894B2 JP 63129935 A JP63129935 A JP 63129935A JP 12993588 A JP12993588 A JP 12993588A JP 2736894 B2 JP2736894 B2 JP 2736894B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
light
waveguide
layer
beam splitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63129935A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01300438A (ja
Inventor
浩行 峯邑
美雄 佐藤
信義 坪井
広明 小柳
真司 大山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63129935A priority Critical patent/JP2736894B2/ja
Priority to AU35205/89A priority patent/AU603298B2/en
Priority to CA000600672A priority patent/CA1318399C/en
Priority to US07/357,171 priority patent/US4978187A/en
Priority to EP89109636A priority patent/EP0343688B1/en
Priority to DE89109636T priority patent/DE68908473T2/de
Publication of JPH01300438A publication Critical patent/JPH01300438A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2736894B2 publication Critical patent/JP2736894B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
    • G01P3/42—Devices characterised by the use of electric or magnetic means
    • G01P3/44—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed
    • G01P3/48—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage
    • G01P3/481—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals
    • G01P3/486—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals delivered by photo-electric detectors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
    • G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ディスク等の情報記録媒体から情報を記
録、消去或は再生するための光ピックアップ及びそれ備
えた装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の導波路型光ピックアップの一例を第20図に示
す。この例は特開昭61−296540号公報に示されている。
第20図において、10は半導体レーザ、20は基板、30は基
板と導波層の間の誘電体層、40は導波層、50はディス
ク、52は信号ピット、60はレーザ光、70は光検出器、80
はビームスプリッタ、90は光路変換手段として集光グレ
ーティングカプラをそれぞれ示す。
この導波路型光ピックアップは基板20上に酸化や蒸着
等によって誘電体層30を設け、さらに蒸着あるいはスパ
ッタリング等により導波層40を形成し、ビームスプリッ
タ80、集光グレーティングカプラ90等を導波層40上に設
けられた別の誘電体層にフォトリソグラフィあるいは電
子ビーム描画法とプラズマエッチング法等により作成す
る。
次に上記構成に基づく従来の導波路型光ピックアップ
の動作について説明する。半導体レーザ10から出射した
レーザ光60は導波層40内を伝搬してビームスプリッタ80
に入射し、ここで回折されなかった０次光は集光グレー
ティングカプラ90によりディスク50上の信号ピット52に
集光される。ディスク50からの反射光は集光グレーティ
ングカプラ90により再び導波層40内に導かれ、先ほどと
逆方向に進行する戻り導波光となりビームスプリッタ80
に入射する。ビームスプリッタ80は２つの集光グレーテ
ィングから成り、前記戻り導波光を２分割して光検出器
70に集光する。光検出器は光源を挾んで両側に位置し、
夫々の側の光検出器70は２分割された光検出器であり、
半導体レーザ10から出射したレーザ光60をディスク50に
照射する際のフォーカス誤差信号、トラッキング誤差信
号、信号ピット52の記録情報を再生するために用いられ
る。第20図ではフォーカス誤差をフーコー法、トラッキ
ング誤差をプッシュプル法で検出する場合を示している
が、これらは本発明の説明をするにあたり支障とならな
いので省略する。
〔発明が解決しようとする課題〕
一般に、大容量記憶装置である光ディスク等の情報記
録媒体のアクセス時間は、光ピックアップをリニアモー
タでいかに速く移動させることができるかで決定され、
その速さは光ピックアップの重量によって支配される。
そのため従来から、アクセス時間を短くするために、光
ピックアップの軽量化及び小型化進められており、集積
化された導波路型の光ピックアップの研究開発が盛んに
行なわれている。
一方、光ピックアップではディスク面からの反射光が
光源に戻ると、該ディスク面が外部共振器のはたらきを
して光源の発振状態が不安定になり、再生信号のS/N比
が低下する。そのため、一般に普及しているバルク型の
光ピックアップでは1/4波長板と偏光ビームスプリッタ
の組合せ等によって光源への戻り光を防止している。
しかし、上記従来発表されている導波路型光ピックア
ップでは、前記戻り導波光のうちビームスプリッタ80の
１次回折光は光検出器70に集光されるが、０次回折光は
半導体レーザ10に戻ってしまうという問題があった。従
って、従来の導波路型光ピックアップは再生信号のS/N
比が低下する問題があった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、光源への戻り光
を防止でき、これによって再生信号のS/N比の低下を防
止することのできる導波路型の光ピックアップを提供す
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明に係る光ピックアッ
プは、光源からの出射光を伝搬させる平面状の光導波路
と、前記出射光を前記光導波路から外部空間に取り出し
て情報記録媒体上に集光し且つ前記情報記録媒体からの
反射光を光導波路内に導く光路変換手段と、該光路変換
手段で導かれた反射光を前記出射光の光路と分岐して光
検出器に導くビームスプリッタを具備する光ピックアッ
プにおいて、前記光源から前記光路変換手段に向う光路
にTE偏光（トランスバーサル エレクトリック ウェー
ブ,S偏光ともいう）とTM偏光（トランスバーサル マグ
ネティック ウェーブ,P偏光ともいう）の一方を選択的
に通過させるフィルターを設け、前記光路変換手段から
前記情報記録媒体に向かう光路に光を往復して通過させ
ることによって光の偏光状態を変える偏光切換手段を設
けたのである。
前記フィルターとしては、前記光導波路に平行に金属
層を装荷した金属クラッド光導波路が一般的である。
前記偏光切換手段は、異方性結晶を用いた1/4波長板
の他に表面レリーフ型ホログラムから成る1/4波長板も
挙げられる。
前記光路切換手段は、集光グレーティングカプラによ
り形成するのがよい。
光源は半導体レーザを用いるのがよい。半導体レーザ
の発振光はTE偏光成分が多い。そこで、金属層を出射光
の電界の振動方向に対して平行に配設したものがTM偏光
をカットするTEパスフィルタとなる。
金属層を出射光の電界の振動方向に対して直交する側
に配設したものがTE偏光をカットするTMパスフィルタと
なる。
金属層等の前記フィルタと光導波路との間に該光導波
路より屈折率の小さな導電体のバッファ層を介在させる
のがよい。
前記光源から前記光路変換手段に向う光路に表面レリ
ーフ型ホログラムより成る偏光ビームスプリッタを設
け、前記光源と偏光ビームスプリッタの間の光路に該偏
光ビームスプリッタに対しブラッグ角の方向にTM偏光を
カットするTEパスフィルタを設けてもよい。この場合は
特に、光源をTE偏光を出射光とする半導体レーザにて形
成して、フィルタ自体の配設を省いてもよい。
あるいは、前記光源から前記光路変換手段に向う光路
に表面レリーフ型ホログラムより成る偏光ビームスプリ
ッタを設け、光源と前記偏光ビームスプリッタ間の前記
フィルタとしてTE偏光をカットするTMパスフィルタを設
けてもよい。この場合、当該偏光ビームスプリッタは前
記光路変換手段を通った反射光であって前記偏光切換手
段を通過してTE偏光となった光がブラッグ角で入射する
向きに配設されることが好ましい。
半導体層の膜厚の違いにより吸光特性が逆転すること
を利用して、前記情報記録媒体から前記光検出器に向う
光路に設けられてTE偏光とTM偏光の一方を選択的に通過
させる半導体層を設けるのもよい。
前記集光グレーティングカプラ、ビームスプリッタ、
1/4波長板の少なくとも一つを、金属層と光導波路の間
の前記バッファ層と同一面内に形成してもよい。
前記光導波路に、光源からの光波が入射する第１の光
導波路と、この第１の光導波路と独立な第２の光導波路
と、前記両光導波路の間に形成された円環状の第３の光
導波路からなる波長選択手段を設けると共に、第1,第２
及び第３の光導波路の表面に前記金属層を装荷してもよ
い。
前記バッファ層の屈折率を可変とする光ピックアップ
もよい。
また、前記したいずれかの光ピックアップは、光ディ
スク装置、ロータリエンゴーダ等の各種装置において、
情報記録媒体から情報を光学的に読み取る手段として利
用することができる。
〔作用〕
本発明によれば、光源からの出射光がフィルターによ
って例えばTM偏光がカットされてTE偏光だけとなって光
導波路内を通過し、この光が光路変換手段により外部空
間に取り出され偏光切換手段を通して情報記録媒体上に
集光され、その反射光が再び、前記偏光切換手段及び光
路変換手段を通って光導波路内に導入される。その際、
偏光切換手段によって前記TE偏光がTM偏光となってビー
ムスプリッタによって前記出射光と分岐されて光検出器
に導かれ、そこで情報が判読される。その際、ビームス
プリッタを通過して光源に向うノイズ光もTM偏光である
ため、このノイズ光は、フィルターによってカットさ
れ、光源へは入射しない。すなわち、光源への戻り光が
防止される。
フィルターとして金属層を平面状の光導波路に平行に
設けることにより、適宜TEモードパスフィルタ又はTMモ
ードパスフィルタを形成できる。
偏光切換手段として1/4波長板を用いることにより出
射光がTE偏光であれば、情報記録媒体からの反射光はTM
偏光となり、これにより前記フィルターが、その役割を
果たすことになる。ここで、表面レリーフ型のホログラ
ムよりなる1/4波長板を用いると光学部品点数が減り、
軽量化を図れる。
バッファ層を設けると、金属層等のフィルターを直接
光導波路に設けることによる特性劣化がなくなる。
偏光ビームスプリッタを用いると、光源と光検出器の
相対位置をずらすことが可能となると共に、ノイズ光の
光源への戻りを一層確実に防止できる。この場合に、TE
偏光を出射光とする半導体レーザを光源とすれば、フィ
ルタの配設を省くことができる。
半導体層は、膜厚が変わるとTMモードパスフィルタに
も、TEモードパスフィルターにもなりえるため、これを
利用して、光検出器へのノイズ光の入射を確実に防止で
きる。
波長選択手段により半導体レーザ等の光源の発振波長
のバラツキが防止される。
バッファ層の屈折率を可変とすると、消光比やディス
ク等への照射パワーを可変にできる。
〔実施例〕
先ず、本発明の作用効果が得られる前提となる原理を
第３図乃至第５図に基づいて説明する。
第３図に表面に金属層を装荷した光導波路を示す。第
３図において、20は基板、40は導波層、60はレーザ光、
100は金属層をそれぞれ示す。
一般に、高屈折率の媒質（導波層）のまわりを低屈折
率の媒質（クラッド質）で覆えば、光波の入射角の小さ
いとき、光波は導波層内を伝搬することができる。第３
図の導波路では基板と空気層が導波層をはさむ構成であ
る。このとき、光波の導波モードの特徴は、導波層とク
ラッド層の境界面で電磁界が全反射するのではなく、電
磁界はクラッド層に浸み出したエバネッセント・フィー
ルドと呼ばれる界成分を持ち、かつ光波は反射時にグー
スヘンシェンシフトと呼ばれる移動を伴うことにある。
第３図の導波路では基板と空気層がクラッド層を構成す
る。また、導波層の外側に透明誘電体クラッド層（空気
層）の代わりに金属層を装荷することを金属クラッディ
ングという。
一方、光の波長領域では、金属は誘電率が負でかつ損
失の大きい誘電体として取扱うことができる。したがっ
て、金属クラッディングを施した上記構成の導波路で
は、エバネッセント・フィールドと金属層との相互作用
によって導波光は伝搬損失を受ける。この特性は導波光
の偏光状態、即ち光波の電界の振動方向の違いによって
異なる。TM偏光の場合には電界が金属層と垂直方向に振
動するのでエバネッセント・フィールドの電界分布が深
く金属中に浸透し、金属層の影響を強く受けるため損失
が大きいが、TE偏光の場合には電界が金属層と平行に振
動するので損失が小さい。この現象を利用してTEモード
パスフィルタを構成することができる。
理論的な取扱いは西原浩著「光集積回路」等に説明さ
れており、ここでは結果だけを引用する。例えば、光の
波長λ＝1.3μｍ、金属としてアルミニウム（εｍ＝−1
14−j37）、基板をスライドガラス（ns＝1.502）、導波
層の厚みをＴ＝８μｍとし、適当な導波層を仮定して伝
搬損失を計算すると、TE0モードの伝搬損失がわずか0.6
dB/cmであるのに対して、TM0モードは36dB/cmもの大き
な伝搬損失をうける。金属層の長さを2cmとすれば70dB
以上の消光比が得られることになる。
第４図は金属層と導波層の間に低屈折率の誘電体バッ
ファ層を挿入した光導波路を示す。第４図において、20
は基板、31はバッファ層、40は導波層、60はレーザ光、
100は金属層をそれぞれ示す。バッファ層は導波モード
に対する金属層の影響をやわらげるはたらきをする。第
３図の場合と同様に、バッファ層の効果もまたTMモード
において顕著に現われるので、バッファ層の膜厚を変え
てTEモードパスフィルタの消光比を設定することができ
る。一般に、バッファ層を挿入した場合でも、金属装荷
によるTMモードの伝搬損失はTEモードに比較して１桁以
上大きい。
第５図は上記の導波路型のTEモードパスフィルタと1/
4波長板とを組み合わせて構成した戻り光防止手段の基
本構成を示す。第５図において、10は半導体レーザ、50
はディスク、60はレーザ光、61は反射光、101は導波路
型のTEモードパスフィルタ、110は1/4波長板をそれぞれ
示す。半導体レーザ10からTE偏光で出射したレーザ光60
は導波路型のTEモードパスフィルタ101を通過し、1/4波
長板110によって円偏光に変換されてディスク50に導か
れ、ディスクからの反射光61は再び1/4波長板110を通る
と、TM偏光に変換されるため導波路型のTEモードパスフ
ィルタ101で吸収されて半導体レーザ10には戻らない。
この基本構成を用いて、戻り光防止手段を有する導波路
型光ピックアップを実現することができる。
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例に係る光学系を
示す概略構成を示す側面図及び平面図である。これらの
図において、10は半導体レーザからなる光源、20は基
板、30は誘電体層、40は光導波路である導波層、50はデ
ィスク、60はレーザ光、70は光検出器、80はビームスプ
リッタ、90は集光グレーティングカプラから成る光路変
換手段、100は金属層より成るフィルター、110は異方性
結晶を用いた1/4波長板をそれぞれ示す。
本実施例では導波層40の表面で半導体レーザ10とビー
ムスプリッタ80の間の位置に金属層100を備え、第３図
で説明したTEモードパスフィルタを形成し、集光グレー
ティングカプラ90とディスク50の間に1/4波長板110を配
置して、第５図に示した戻り光防止光学系を構成した。
半導体レーザ10からの出射光をTE偏光になるようにすれ
ば、戻り光防止手段を有する導波路型光ピックアップを
提供することができる。金属層の形成方法としては、第
４図に示したように導波層との間にバッファ層をはさむ
構成とすることもできる。その際、バッファ層として液
晶やLiNbO3等の非線形光学材料を用いて屈折率を変える
ように制御すれば、消光比やディスクへの照射パワーを
可変にできる。
尚、第20図の従来例では半導体レーザ10が光導波路の
外部に取付けられているため、導波層40への入射効率が
低く、取付位置の調整も困難である。本実施例では、半
導体レーザ10を基板上に形成して光導波路内となる構造
として、光利用効率の向上と、取付位置調整を不要にす
る配慮をした。半導体レーザ10としてはGaAsのダブル・
ヘテロ接合や量子井戸構造のものが一般に用いられてい
るが、導波層40内で安定に発振させるためにはDFBやDBR
構造のものが適している。
本発明に適合する半導体レーザ10の形成方法として
は、GaAs基板上に発光層を形成するもののほかに、Si基
板上にMBE法やMOCVD法等によってGaAsの発光層を形成す
るものがある。基板としてSiを用いた場合には、光ピッ
クアップの制御回路等がICやLSIのプロセスを用いて同
一基板上に容易に集積化できる利点がある。このとき導
波路はSi基板上にSiO2等の誘電体層（ｎ＝1.446）、コ
ーニング7059ガラス等の導波層（ｎ＝1.534）を順次積
層して形成する。
本実施例の導波路型光ピックアップの動作について
は、金属層100で光源である半導体レーザへの戻り光す
なわちTM偏光をカットすることにより戻り光が防止され
る点以外は、第20図に示した従来例と同様である。
次に、第９図の他の実施例を説明する前に、その前提
となる原理を第６図乃至第８図に基づいて説明する。
第６図及び第７図は波長オーダのグレーティングにレ
ーザ光が入射した場合の回折現象を表す模式図である。
第６図において60はレーザ光、85はクレーティングを示
す。第６図はグレーティング85にレーザ光60がTE偏光で
入射する場合である。レーザ光60の電界はグレーティン
グ85のレリーフ溝と平行に振動する。一方、第７図はグ
レーティング85にレーザ光60がTM偏光で入射する場合で
ある。レーザ光60の電界はグレーティング85のレリーフ
溝と垂直に振動する。矢印の長さはレーザ光60の波長に
対応している。グレーティング85の周期が波長オーダに
なるとTE偏光の場合とTM偏光の場合とでグレーティング
85とレーザ光60の相互作用の違いが顕著になり、図のよ
うにTE偏光は回折し（第６図）、TM偏光は回折せずに透
過する（第７図）といった状態を実現できる。
第８図はアプライド・オプティクス・23,14（1984
年）第2303頁から第2310頁（Appl.Opt.23,14（1984）pp
2303〜2310）に記載されているグレーティングによるレ
ーザ光の回折効率を計算によって求めた結果を示す。第
８図においてη１は１次回折効率、ｈ及びｄはグレーテ
ィングの溝の高さ及びピッチ、λはレーザ光の波長をそ
れぞれ示す。レーザ光の波長λに比較してグレーティン
グのピッチｄを小さくする（横軸の右へ移る）と図のよ
うにTE偏光は回折し、TM偏光は透過することが示され
る。また、こうした回折効率は入射角がブラッグ角のと
きに最大となることが知られている。この現象を利用し
てグレーティング型すなわち表面レリーフ型ホログラム
から成る偏光ビームスプリッタを構成できる。
このような現象はマクロ的に見ればグレーティングの
屈折率がTE偏光とTM偏光とで異なるものとして理解でき
る。これは光学異方性結晶と同じ性質であり、表面レリ
ーフ型ホログラムからなる1/4波長板を形成することが
できる（特開昭62−212940号公報参照）。
第９図は、前記表面レリーフ型の1/4波長板を用いた
場合の本発明の一実施例である。第９図において、10は
半導体レーザ、60はレーザ光、70は光検出器、80はビー
ムスプリッタ、90は集光グレーティングカプラ、100は
金属層、110は表面レリーフ型ホログラムからなる1/4波
長板をそれぞれ示す。
1/4波長板110は、上述したグレーティングの性質を利
用して作成する。ここでは1/4波長板110のグレーティン
グピッチをレーザ光60の波長よりも小さくし、レーザ光
60を入射角45〜90度の範囲で入射させる構成とした。こ
こでグレーティングの溝の長さはTE偏光とTM偏光の屈折
率の違いによって生じる光路差が丁度1/4波長となるよ
うに選ぶ。これにより、表面レリーフ型ホログラムから
成る1/4波長板に前記の異方性結晶を用いた1/4波長板と
同じ作用をさせることができる。
こうした構成によって光学部品の数を少なくして光ピ
ックアップを軽量化し、アクセス時間を速めることがで
きる。
第10図はグレーティング型すなわち表面レリーフ型ホ
ログラムから成る偏光ビームスプリッタを用いた場合の
本発明の一実施例である。第10図において、10は半導体
レーザ、60はレーザ光、70は光検出器、80はビームスプ
リッタ、90は集光グレーティングカプラ、100は金属
層、110は第９図のものと同様の1/4波長板、120は偏光
ビームスプリッタをそれぞれ示す。
ここでは表面レリーフ型ホログラムから成る偏光ビー
ムスプリッタ120のグレーティングピッチはレーザ光60
の波長よりも小さくして、１次以外の回折光をなくし、
半導体レーザ10からTE偏光の出射光をブラッグ角で入射
させる構成として回折効率を高めている。
次に上記実施例の導波路型光ピックアップの動作につ
いて説明する。半導体レーザ10から出射したレーザ光60
はTE偏光であり、金属層100の影響を受けずに偏光ビー
ムスプリッタ120で回折されて1/4波長板110に入射す
る。1/4波長板110によって円偏光に変換されたレーザ光
は、集光グレーティングカプラ90により導波層40から外
部空間に取り出されてディスク上に集光される。ディス
クからの反射光は集光グレーティングカプラ90により再
び導波層40内に導かれ、先ほどと逆方向に進行する戻り
導波光となり1/4波長板110に入射する。1/4波長板110に
よってTM偏光に変換された戻り導波光は偏光ビームスプ
リッタ120を透過してビームスプリッタ80に入射し、こ
こで２分割されて光検出器70に集光する。
本実施例によればビームスプリッタ80を半導体レーザ
10からディスクに至る光路上から分離して配置できるの
でビームスプリッタ80の回折効率を高めて設計でき、光
利用効率を向上できる。また、半導体レーザ10の出射光
が偏光ビームスプリッタ120にブラッグ角の方向から斜
めに入射するので、その反射光が半導体レーザ10に戻ら
ず、発振が安定化する。半導体レーザ10をTE偏光を出射
するものにすれば、本実施例では金属層を省くことも安
定性の多少の低下を無視できる場合は、可能である。
次に、本発明における金属層100のはたらきについて
述べる。本発明の光ピックアップでは1/4波長板110や偏
光ビームスプリッタ120のように光波の偏光状態によっ
て動作の異なる光学素子を用いており、光源からの出射
光をTE偏光として設計しているため、ここにTM偏光成分
が混ざっているとノイズの原因となる。ところが、一般
に半導体レーザにはTM偏光成分が含まれており、半導体
レーザ10の後に金属層100を用いたTEモードパスフィル
タを置くことによって、TM偏光成分を除去することがで
きる。また、グレーティング型の偏光ビームスプリッタ
120は第８図を見てもわかるように消光比がバルク型の
もののように大きくできない可能性があり、そうした場
合に金属層100は上記した戻り光防止の役割を果たす。
また、本発明では、半導体レーザ10からの出射光がTE
偏光の場合について示したが、TM偏光の場合でも基本的
な構成は変わらない。ただし、偏光ビームスプリッタが
半導体レーザからの出射光を透過し、ディスクからの反
射光を回折するようになるため、光学系の配置を変える
必要がある。このとき、ディスクからの反射光が偏光ビ
ームスプリッタに対してブラッグ角で入射するようにす
れば、回折効率を高くすることができる。これを第11図
に基づいて具体的に説明する。
第11図は光源からの出射光がTM偏光の場合、グレーテ
ィング型の偏光ビームスプリッタを用いた一実施例であ
る。第11図において10は半導体レーザ、60はレーザ光、
70は光検出器、90は集光グレーティングカプラ、100は
金属層、110は1/4波長板、120は偏光ビームスプリッタ
をそれぞれ示す。
光源がTM偏光なので金属層100はTMモードパスフィル
タを構成する。この点は後述する第11図および第12図で
詳しく説明する。半導体レーザ10から出射したTM偏光の
レーザ光60は偏光ビームスプリッタ120を透過し、1/4波
長板110を通って円偏光になり、集光グレーティングカ
プラ90によって光ディスクに集光される。光ディスクか
らの反射光は集光グレーティングカプラ90によって導波
層40内に入り、1/4波長板110を通ってTE偏光になり、偏
光ビームスプリッタ120にブラッグ角で入射し、２分割
されて光検出器70に導かれる。この構成では偏光ビーム
スプリッタ120はTE偏光、TM偏光の光路分離だけでな
く、光ディスクからの反射光を光検出器70に集光する機
能をも兼ねることができる。このため、第10図の実施例
（光源がTE偏光の場合）に比べてビームスプリッタを１
つ省略できる。当然のことながら、本実施例でもビーム
スプリッタ80を用いてもよい。
第12図は本発明によるTEモードパスフィルターの一実
施例である。第12図において、20は基板、30は誘電体
層、40は導波層、100は金属層をそれぞれ示す。光波がT
M偏光のとき、エバネッセント・フィールドの電界は導
波層40の面内方向に振動するので、第12図のように金属
層100を導波層40と同一面内に並行して形成すれば、第
３図で説明したのと同じ理由によって、導波層40を通過
する光波のTE偏光成分が強く減衰されるのでTMモードパ
スフィルタを実現できる。
この導波路型TMモードパスフィルタは基板20上に酸化
や蒸着等によって誘電体層30を設け、さらにイオン打ち
込みや熱拡散等によって導波層40および金属層100を作
成する。このとき、金属層100は損失の大きな方向性結
合器とみなすこともできる。
また、第12図では導波層40と金属層100の間に誘電体
層30をはさんだ構成となっているが、誘電体層30の厚さ
を変えてTMモードパスフィルタの特性を変えられるのは
第４図の場合と同様である。
第13図は本発明のTMモードパスフィルタを用いた導波
路型光ピックアップを示す概略構成図である。第13図に
おいて、10は半導体レーザ、60はレーザ光、70は光検出
器、80はビームスプリッタ、90は集光グレーティングカ
プラ、100は金属層、140は第12図に示した３次元導波路
をそれぞれ示す。
半導体レーザ10の出射光はTM偏光であり、金属層100
と３次元導波路140は上に示したTMモードパスフィルタ
を構成しており、これを通過した光波は２次元の導波層
40内に拡散する構成となっている。このような導波路は
基板上に積層して作った導波層40に、イオン打ち込みや
熱拡散等によって屈折率の高い３次元導波路140を形成
して得られる。
本実施例の導波路型光ピックアップは第１図のものと
光源の偏光状態以外は同一であるので、動作の説明は省
略する。また、本実施例では1/4波長板を光ピックアッ
プの構成に加えていないが、第１図の実施例のように導
波路の外部にバルク型のものを配置しても、又は第９図
の実施例のように導波路内にグレーティング型のものを
形成してもよい。
導波路型のTMモードパスフィルタとしては、上に述べ
た金属層を用いるものの他に半導体層を用いるものもあ
る。第12図はトランザクションオブ アイ・イー・アイ
・シー・イー，イー70,4（1987年）第35頁から第36頁
（Trans.IEICE,E70,4（1987）pp35〜36）からの引用で
ある。ａ−Si:H層を導波層表面に形成して得られる導波
路は、ａ−Si:H層の膜厚が薄いとTMモードパスフィルタ
として動作し、膜厚が厚いとTMモードパスフィルタとし
て動作する。その値が0.05μｍのときにTMモードパスフ
ィルタとして25dB以上の消光比を得ている。
第15図は上の半導体層を利用したTMモードパスフィル
タを用いた導波路型光ピックアップを示す概略構成図で
ある。第15図において、10は半導体レーザ、60はレーザ
光、70は光検出器、80はビームスプリッタ、90は集光グ
レーティングカプラ、100は金属層、110は1/4波長板、1
30はａ−Si:H層をそれぞれ示す。
本実施例は第９図の導波路型光ピックアップにａ−S
i:H層130を加えたものである。光検出器70はTM偏光に変
換されたディスクからの反射光だけを受光することが望
ましい。ところが、半導体レーザ10からの出射光がTE偏
光であり、ビームスプリッタ80、集光グレーティングカ
プラ90、1/4波長板110等による反射光がノイズとなって
光検出器70に入射し、再生信号のS/N比を低下させてし
まう。このとき、ａ−Si:H層130によって構成されたTM
モードパスフィルタを光検出器70の前に配置することに
よって不要なTE偏光成分を除去することができる。
ここでは、ａ−Si:H層を用いたTMモードパスフィルタ
を光検出器70のノイズ除去に使用した実施例を示した
が、金属層によるTMモードパスフィルタで置き換えても
よい。同様に、これを光源の戻り光防止に用いることも
できる。また、ａ−Si:H層を例として記述したがこれを
他の半導体薄膜に置き換えてもよい。
第16図は導波路型の波長選択手段を用いた本発明の導
波路型光ピックアップを示す概略図である。第16図にお
いて、10は半導体レーザ、60はレーザ光、70は光検出
器、80はビームスプリッタ、90は集光グレーティングカ
プラ、100は金属層、140及び141は３次元導波路、142は
円環状３次元導波路をそれぞれ示す。
ビームスプリッタ80、集光グレーティングカプラ90等
は回析型の光学素子であり、光源の波長が変化すると位
相整合条件を満たさなくなるので、集光スポットの位置
がずれたり収差が生じたりする。ところが、一般に半導
体レーザは温度や出力によって発振波長が変化する。第
16図において半導体レーザ10からの出射光は第１の３次
元導波140を伝搬し、円環状の３次元導波路142によって
共振する波長だけが取り出されて第２の３次元導波路14
1に移る。このとき金属層100はこれら３つの導波路の上
に形成されているので、波長とTE偏光の選択が同時に行
われる。この構成によって、ビームスプリッタ80、集光
グレーティングカプラ90等は回析型の光学素子が設計の
通りの性能を発揮することができ、かつ半導体レーザ10
への戻り光の防止も同時にできる。
第17図は本発明の導波路型光ピックアップを構成する
のに好適な導波路の一構造及びその製造方法を示す。第
17図において、20は基板、30は誘電体層、31はバッファ
層、40は導波層、90は集光グレーティングカプラ、100
は金属層をそれぞれ示す。
第17図の実施例では導波層40と金属層100の間のバッ
ファ層31と集光グレーティングカプラ90を形成する誘電
体層とを共通にした場合を示す。これによって、基板上
に誘電体層30、導波層40、バッファ層31を順次積層した
のち、金属層100を積層し、バッファ層31に溝を作って
集光グレーティングカプラ90を形成すれば、製作プロセ
スを簡略化することができる。ここではバッファ層31に
集光グレーティングカプラ90を形成する場合を示した
が、ビームスプリッタや1/4波長板等の他の回析型光学
素子を形成してもよい。
第18図は本発明の導波路型光ピックアップを備えた光
ディスク装置を示す概略構成図である。
光ディスク装置は、サブミクロンオーダに集光したレ
ーザ光を用いて情報を記録媒体に高密度に記録し、かつ
再生するもので、映像や音声などの大容量の情報を記録
でき、今後の情報化社会には不可欠である。光ディスク
装置は、例えば、「日経エレクトロニクス」（1984.3.2
6）で公知のように（１）再生専用形、（２）追記形、
（３）書換え可能形の３つの形態があり、再生専用形及
び追記形はほぼ実用の段階に達している。一方、書き換
え可能形には、未だ確立された方法はなく、光磁気材料
や相変化材料等を用いた書換え可能形光ディスクの研究
開発が活発に進められている。
第18図において50は光ディスク、200は導波路型光ピ
ックアップ、220はモータ、230は制御部をそれぞれ示
す。光ディスク50はモータ220によって回転され、導波
路型光ピックアップ200は光ディスク50上にレーザ光を
集光して情報を記録・再生・消去する。制御部230は導
波路型光ピックアップの動作の制御及び入出力信号の処
理を行なう。これによってアクセス時間が速く、戻り光
の影響による信号の劣化のない光ディスク装置を実現で
きる。
第19図は本発明の導波路型光ピックアップを備えたロ
ータリエンコーダシステムを示す概略構成図である。第
19図において200は導波路型ピックアップ、210はロータ
をそれぞれ示す。モータのロータ210には第19図に示す
ように反射率の異なる２種類の線が描かれており、導波
路型光ピックアップ200によってそのパターンを再生
し、単位時間当りのカウント数によってロータ210の回
転速度を知ることができる。これによって、小型軽量の
ロータリエンコーダを実現できる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、TE偏光とTM偏光の一方を透過させる
フィルタと、偏光切換手段との組合せによって光源への
戻り光を防止することができ、これによって再生信号の
S/N比の低下を防止することのできる導波路型の光ピッ
クアップを実現できる。
偏光切換手段に表面レリーフ型ホログラムからなる1/
4波長板を用いれば、光学部品点数が減り、全体として
軽量化できる。
バッファ層の介在により光導波路にフィルタが直接固
定されないため、該光導波路の特性が製造上の原因で劣
化するおそれが少ない。
表面レリーフ型ホログラムからなる偏光ビームスプリ
ッタを設ければ、ビームスプリッタの回折効率を高めて
設計でき、光利用効率を向上できる。また、光源への戻
り光防止も一層確実となる。
光検出器の手前に半導体層よりなるフィルターを設け
れば、ノイズ光の入射を防止できる。
波長選択手段を光導波路に設ければ、光源の発振波長
のバラツキに伴う収差の発生等の問題がなくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の一実施例に係る光学系の概
略構成を示す側面図及び平面図であり、第３図は表面に
金属層を装荷した光導波路を示す斜視図、第４図は金属
層と導波層の間に低屈折率の誘電体バッファ層を挿入し
た光導波路を示す斜視図、第５図は導波路型のTEモード
パスフィルタと1/4波長板とを組み合わせて構成した戻
り光防止手段の基本構成図、第６図及び第７図は波長オ
ーダのグレーティングにレーザ光が入射した場合の回折
現象を表す模式図、第８図はグレーティングによるレー
ザ光の回折効率を計算した結果を示す特性図、第９図は
グレーティング型の1/4波長板を用いた場合の本発明の
一実施例を示す概略構成図、第10図及び第11図はグレー
ティング型の偏光ビームスプリッタを用いた場合の本発
明のそれぞれ異なる実施例を示す概略構成図、第12図は
本発明によるTMモードパスフィルタの一実施例を示す斜
視図、第13図は本発明のTMモードパスフィルタを用いた
導波路型光ピックアップを示す概略構成図、第14図は半
導体層を用いた導波路型のTMモードパスフィルタの特性
の実測結果を示す特性図、第15図は半導体層を用いた導
波路型のTMモードパスフィルタを用いた導波路型光ピッ
クアップを示す概略構成図、第16図は導波路型の波長選
択手段を用いた本発明の導波路型光ピックアップを示す
概略構成図、第17図は本発明の導波路型光ピックアップ
を構成するのに好適な導波路の一構造及び製造方法を示
す側面図、第18図は本発明に係る光ピックアップを備え
た光ディスク装置の概略構成図、第19図は本発明の導波
路型光ピックアップを備えたロータリエンコーダシステ
ムを示す概略構成図、第20図は従来の導波路型光ピック
アップの光学系を示す概略構成図である。 10……半導体レーザ、20……基板、30……誘電体層、30
……バッファ層、40……導波層、50……ディスク、60…
…レーザ光、61……反射光、70……光検出器、80……ビ
ームスプリッタ、90……集光グレーティングカプラ、10
0……金属層、101……導波路型TEモードパスフィルタ、
110……1/4波長板、120……偏光ビームスプリッタ、130
……半導体層、140,141……３次元導波路、142……リン
グ型３次元導波路、200……導波路型光ピックアップ、2
10……ロータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小柳 広明 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 大山 真司 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 平１−273239（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−271931（ＪＰ，Ａ)

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】光源からの出射光を伝搬させる平面状の光
    導波路と、前記出射光を前記光導波路から外部空間に取
    り出して情報記録媒体上に集光し且つ前記情報記録媒体
    からの反射光を光導波路内に導く光路変換手段と、該光
    路変換手段で導かれた反射光を前記出射光の光路と分岐
    して光検出器に導くビームスプリッタとを具備する光ピ
    ックアップにおいて、前記光源を前記光導波路内に形成
    するとともに、該光源から前記光路変換手段に向う光路
    にTE偏光とTM偏光のいずれか一方を通過させる一つのフ
    ィルターを有し、該フィルターは、前記光導波路に平行
    して装荷された金属層であり、前記光路変換手段から前
    記情報記録媒体に向かう光路に光を往復して通過させる
    ことによって偏光状態を変える偏光切換手段を有し、前
    記フィルターと前記光導波路との間に該光導波路よりも
    屈折率の小さな誘電体のバッファ層を介在させたことを
    特徴とする光ピックアップ。
  2. 【請求項２】前記偏光切換手段は異方性結晶を用いた1/
    4波長板または表面レリーフ型ホログラムから成る1/4波
    長板である請求項１記載の光ピックアップ。
  3. 【請求項３】集光グレーティングカプラにより前記光路
    変換手段が形成されている請求項１又は２に記載の光ピ
    ックアップ。
  4. 【請求項４】前記出射光がTE偏向であり、前記金属層が
    導波層に対して平行に配設されている請求項１乃至３の
    いずれかに記載の光ピックアップ。
  5. 【請求項５】前記出射光がTM偏光であり、前記金属層が
    導波層内にあって且つ光路の両側に配設されている請求
    項１乃至３のいずれかに記載の光ピックアップ。
  6. 【請求項６】前記光源から前記光路変換手段に向う光路
    に表面レリーフ型ホログラムより成る偏光ビームスプリ
    ッタを設け、該偏光ビームスプリッタと前記光路との間
    に該偏光ビームスプリッタに対しブラッグ角の方向に前
    記フィルタとしてTM偏光をカットするTEパスフィルタを
    設けた請求項１乃至４のいずれかに記載の光ピックアッ
    プ。
  7. 【請求項７】前記光源から前記光路変換手段に向う光路
    に表面レリーフ型ホログラムより成る偏光ビームスプリ
    ッタを有し、前記フィルタとしてTE偏光をカットするTM
    パスフィルタを有し、当該偏光ビームスプリッタは前記
    偏光切換手段を通過してTE偏光となった反射光がブラッ
    グ角で入射する向きに配設されている請求項１乃至３又
    は５のいずれかに記載の光ピックアップ。
  8. 【請求項８】前記フィルタに代えて光源をTE偏光を出射
    光とする半導体レーザとした請求項６記載の光ピックア
    ップ。
  9. 【請求項９】前記情報記録媒体から前記光検出器に向う
    光路に設けられてTE偏光とTM偏光の一方を選択的に通過
    させる半導体層を有する請求項１乃至７のいずれかに記
    載の光ピックアップ。
  10. 【請求項１０】前記集光グレーティングカプラ、ビーム
    スプリッタ、1/4波長板の少なくとも一つが、金属層と
    光導波路の間の前記バッファ層と同一面内に形成されて
    いる請求項６又は７のいずれかに記載の光ピックアッ
    プ。
  11. 【請求項１１】前記光導波路に、光源からの光波が入射
    する第１の光導波路と、この第１の光導波路と独立な第
    ２の光導波路と、前記両光導波路の間に形成された円環
    状の第３の光導波路からなる波長選択手段を設けると共
    に、第１、第２及び第３の光導波路の表面に前記金属層
    を装荷した請求項１乃至９のいずれかに記載の光ピック
    アップ。
  12. 【請求項１２】前記バッファ層の屈折率を可変とした請
    求項６乃至11のいずれかに記載の光ピックアップ。
  13. 【請求項１３】光ディスク、該ディスクの回転手段、前
    記光ディスクに対して情報の書き込み、消去或は再生を
    行う光ピックアップ及び該光ピックアップの制御手段を
    具備する光ディスク装置において、請求項１記載の光ピ
    ックアップを備えたことを特徴とする光ディスク装置。
  14. 【請求項１４】ロータに描かれた線を光照射によって読
    むことによって回転速度を測定するロータリエンコーダ
    において、請求項１記載の光ピックアップを有すること
    を特徴とするロータリエンコーダ。
JP63129935A 1988-05-27 1988-05-27 光ピックアップ並びにそれを備えた光ディスク装置及びロータリエンコーダ Expired - Lifetime JP2736894B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63129935A JP2736894B2 (ja) 1988-05-27 1988-05-27 光ピックアップ並びにそれを備えた光ディスク装置及びロータリエンコーダ
AU35205/89A AU603298B2 (en) 1988-05-27 1989-05-25 Optical element, optical disc and rotary encoder with the optical element
CA000600672A CA1318399C (en) 1988-05-27 1989-05-25 Optical element, optical disc and rotary encoder with the optical element
US07/357,171 US4978187A (en) 1988-05-27 1989-05-26 Optical element, optical disc and rotary encoder with the optical element
EP89109636A EP0343688B1 (en) 1988-05-27 1989-05-29 Optical element, optical system and rotary encoder with the optical element
DE89109636T DE68908473T2 (de) 1988-05-27 1989-05-29 Optischer Teil, optische Anordnung und drehbarer Kodierer mit diesem Teil.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63129935A JP2736894B2 (ja) 1988-05-27 1988-05-27 光ピックアップ並びにそれを備えた光ディスク装置及びロータリエンコーダ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01300438A JPH01300438A (ja) 1989-12-04
JP2736894B2 true JP2736894B2 (ja) 1998-04-02

Family

ID=15022066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63129935A Expired - Lifetime JP2736894B2 (ja) 1988-05-27 1988-05-27 光ピックアップ並びにそれを備えた光ディスク装置及びロータリエンコーダ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4978187A (ja)
EP (1) EP0343688B1 (ja)
JP (1) JP2736894B2 (ja)
AU (1) AU603298B2 (ja)
CA (1) CA1318399C (ja)
DE (1) DE68908473T2 (ja)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE68921065T2 (de) * 1988-08-05 1995-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optischer kopf.
GB2225482B (en) * 1988-11-23 1992-10-14 Stc Plc Multichannel cavity laser
KR940005100B1 (ko) * 1989-06-30 1994-06-10 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 광디스크장치
US5077822A (en) * 1989-09-22 1991-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Optical film or strip waveguide having a dielectric waveguiding layer
US5031993A (en) * 1989-11-16 1991-07-16 International Business Machines Corporation Detecting polarization state of an optical wavefront
JPH04219657A (ja) * 1990-04-13 1992-08-10 Ricoh Co Ltd 光磁気情報記録再生装置及びモードスプリッタ
US5164930A (en) * 1990-07-25 1992-11-17 Pioneer Electronic Corporation Optical pickup
US5418765A (en) * 1991-04-19 1995-05-23 Ricoh Company, Ltd. Apparatus for recording and reproducing optical information having an optical waveguide
JPH05205486A (ja) * 1991-04-26 1993-08-13 Naohiro Tanno 光導波路記録媒体及び光再生装置
JP3373560B2 (ja) * 1992-09-29 2003-02-04 株式会社リコー 光磁気情報記録再生装置
JP3135389B2 (ja) * 1992-10-23 2001-02-13 松下電器産業株式会社 情報再生方法、情報記録再生方法、情報再生装置、記録媒体及び光ヘッド
DE69228422T2 (de) * 1992-11-24 1999-09-30 Ibm Optischer Isolator für Wellenleiter
US5677902A (en) * 1996-06-28 1997-10-14 Eastman Kodak Company Beam splitter for optical recording
US5710753A (en) * 1996-06-28 1998-01-20 Eastman Kodak Company Multi-element grating beam splitter using double refraction to reduce optical feedback and associated light source noise
US6850475B1 (en) * 1996-07-30 2005-02-01 Seagate Technology, Llc Single frequency laser source for optical data storage system
US6266313B1 (en) * 1996-12-20 2001-07-24 Pioneer Electronic Corporation Optical pickup for recording or reproducing system
EP1098300B1 (en) * 1997-01-17 2003-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical pickup and optical disk apparatus using the same
KR100243134B1 (ko) * 1997-08-30 2000-02-01 윤종용 기록 재생용 광픽업 장치
US6285813B1 (en) * 1997-10-03 2001-09-04 Georgia Tech Research Corporation Diffractive grating coupler and method
US6605195B2 (en) 2000-04-14 2003-08-12 Seagate Technology Llc Multi-layer deposition process using four ring sputter sources
DE10253907A1 (de) * 2002-09-20 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optischer Abtastkopf und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2005024469A2 (en) * 2003-09-04 2005-03-17 Sioptical, Inc. Interfacing multiple wavelength sources to thin optical waveguides utilizing evanescent coupling
US7444045B2 (en) 2003-10-14 2008-10-28 3M Innovative Properties Company Hybrid sphere-waveguide resonators
US7259855B2 (en) 2003-10-14 2007-08-21 3M Innovative Properties Company Porous microsphere resonators
US7352933B2 (en) 2004-05-27 2008-04-01 3M Innovative Properties Company Dielectric microcavity sensors
US7271379B2 (en) * 2004-05-27 2007-09-18 3M Innovative Properties Company Dielectric microcavity fluorosensors excited with a broadband light source
US7616855B2 (en) * 2004-11-15 2009-11-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Integrated waveguide and method for designing integrated waveguide
US7532790B2 (en) * 2006-03-29 2009-05-12 3M Innovative Properties Company Method of coupling light into microresonators
US7616851B1 (en) * 2008-06-26 2009-11-10 Lockheed Martin Corporation Tunable wavelength filter device
US8947076B2 (en) 2010-01-18 2015-02-03 Bourns, Inc. High resolution non-contacting multi-turn position sensor
JP6379245B1 (ja) * 2017-03-16 2018-08-22 沖電気工業株式会社 光導波路素子及び受信回路
CN111213050A (zh) * 2017-10-12 2020-05-29 新加坡科技研究局 化学品传感器及其形成方法
CN110070954B (zh) * 2019-04-01 2021-03-16 华南师范大学 一种基于古斯汉欣位移的电子分束方法及电子分束器
BR112022003104A2 (pt) * 2019-08-21 2022-05-17 Bae Systems Plc Guia de onda óptica

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5832662B2 (ja) * 1976-12-24 1983-07-14 松下電器産業株式会社 回転体の回転速度表示装置
US4747090A (en) * 1982-10-14 1988-05-24 Omron Tateisi Electronics Co. Integral pickup for an optical digital disc using saw deflection and lenses
US4733065A (en) * 1984-06-27 1988-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Optical head device with diffraction grating for separating a light beam incident on an optical recording medium from a light beam reflected therefrom
DE3586076D1 (de) * 1984-09-03 1992-06-25 Omron Tateisi Electronics Co Vorrichtung zur verarbeitung optischer daten.
DE3546795C2 (ja) * 1984-10-01 1993-09-23 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo, Jp
US4720824A (en) * 1984-12-28 1988-01-19 Olympus Optical Co., Ltd. Information reading apparatus with a light beam scanning technique
JP2508624B2 (ja) * 1985-06-24 1996-06-19 三菱電機株式会社 光学式ヘツド装置
US4779259A (en) * 1985-04-25 1988-10-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical head assembly with efficient light source coupling surface and method of construction
FR2588093B1 (fr) * 1985-09-27 1987-11-20 Thomson Csf Polariseur par absorption differentielle, son procede de realisation et dispositif mettant en oeuvre ledit procede
JPS6331033A (ja) * 1986-07-25 1988-02-09 Asahi Glass Co Ltd 光ピツクアツプ
JP2629812B2 (ja) * 1988-04-25 1997-07-16 ソニー株式会社 光再生ピックアップ
JPH01271931A (ja) * 1988-04-22 1989-10-31 Sony Corp 光学的再生ヘッド

Also Published As

Publication number Publication date
EP0343688A3 (en) 1990-02-28
AU3520589A (en) 1990-01-25
JPH01300438A (ja) 1989-12-04
EP0343688B1 (en) 1993-08-18
CA1318399C (en) 1993-05-25
AU603298B2 (en) 1990-11-08
US4978187A (en) 1990-12-18
DE68908473D1 (de) 1993-09-23
EP0343688A2 (en) 1989-11-29
DE68908473T2 (de) 1994-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2736894B2 (ja) 光ピックアップ並びにそれを備えた光ディスク装置及びロータリエンコーダ
JP2539406B2 (ja) 固体光ピツクアツプ
EP1001413B1 (en) Optical pickup and optical device
US5085496A (en) Optical element and optical pickup device comprising it
US4876680A (en) Monolithic optical pick-up using an optical waveguide
JPH07182687A (ja) 光ピックアップ
US5835472A (en) Optical pickup device with substantially mutually orthogonal reflection surfaces
US5652737A (en) Magneto-optical disk pick-up device having mode splitter using cut off effect caused by tapered waveguide
JPH1139701A (ja) 光ディスク装置
JP2629838B2 (ja) 光学ヘッド
US5710753A (en) Multi-element grating beam splitter using double refraction to reduce optical feedback and associated light source noise
JP2710809B2 (ja) 交差型回折格子およびこれを用いた偏波回転検出装置
EP0469552A2 (en) Optical pickup device
JPS6371946A (ja) 光学的情報記録再生装置
KR100261085B1 (ko) 광픽업장치
KR100224886B1 (ko) 광픽업장치
JPH07272311A (ja) 光集積回路及び光ピックアップ
JPH09145922A (ja) 回折用光学素子およびこれを用いた光ピックアップ装置
KR100593690B1 (ko) 편광 측정 모듈
KR100595509B1 (ko) 광디스크 재생장치의 베이스 광학계
JPS63183635A (ja) 光学的情報記録再生装置
JPH05342683A (ja) 光導波路素子および光集積素子
JPH04298831A (ja) 記録情報読取装置
JPH05101475A (ja) 光ピツクアツプ
JPH04372750A (ja) 光ピックアップ

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080116

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080116

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116

Year of fee payment: 11