JP2712621B2 - ポジ型ホトレジスト材料 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト材料Info
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- JP2712621B2 JP2712621B2 JP1235425A JP23542589A JP2712621B2 JP 2712621 B2 JP2712621 B2 JP 2712621B2 JP 1235425 A JP1235425 A JP 1235425A JP 23542589 A JP23542589 A JP 23542589A JP 2712621 B2 JP2712621 B2 JP 2712621B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- solvent
- bis
- trimethylsilyl
- aromatic polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規なポジ型ホトレジスト材料に関する。
［従来の技術］ 従来、集積回路などの製造においては、種々の感放射
線性材料が使用されている。しかし、近年製造工程の変
化などにより、高い耐熱性を有する感放射線性材料が必
要となってきているが、優れた耐熱性を有する感放射線
性材料は未だ得られていない。
線性材料が使用されている。しかし、近年製造工程の変
化などにより、高い耐熱性を有する感放射線性材料が必
要となってきているが、優れた耐熱性を有する感放射線
性材料は未だ得られていない。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、優れた耐熱性を有するポジ型ホトレジスト
材料に関する。
材料に関する。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、下記一般式（Ｉ） （式中、R5は から選ばれる基である。） で表される繰り返し構造単位からなる芳香族ポリイミド
からなるポジ型ホトレジスト材料を提供するものであ
る。
からなるポジ型ホトレジスト材料を提供するものであ
る。
本発明で使用される芳香族ポリイミドは、下記一般式
（II）で表される芳香族ジアミン（以下、「ジアミン
（II）」という。）と下記一般式（III）で表される芳
香族テトラカルボン酸二無水物（以下、「カルボン酸無
水物（III）」という。）を含むテトラカルボン酸無水
物との反応によって製造される。
（II）で表される芳香族ジアミン（以下、「ジアミン
（II）」という。）と下記一般式（III）で表される芳
香族テトラカルボン酸二無水物（以下、「カルボン酸無
水物（III）」という。）を含むテトラカルボン酸無水
物との反応によって製造される。
（ここで、R5は前記一般式（１）と同一である。） 本発明においてジアミンIIは、例えば1,2−ジクロロ
テトラメチルジシランと〔ビス（トリメチルシリル）ア
ミノ〕フェニルリチウムとを反応させてN,N,N′,N′−
テトラ（トリメチルシリル）ジアミンを得た後、得られ
たN,N,N′,N′−テトラ（トリメチルシル）ジアミンと
水とを反応させることによって製造するこがてぎる。
テトラメチルジシランと〔ビス（トリメチルシリル）ア
ミノ〕フェニルリチウムとを反応させてN,N,N′,N′−
テトラ（トリメチルシリル）ジアミンを得た後、得られ
たN,N,N′,N′−テトラ（トリメチルシル）ジアミンと
水とを反応させることによって製造するこがてぎる。
ここで、〔ビス（トリメチルシリル）アミノ〕フェニ
ルリチウムは、例えばブロモアニリンを塩基の存在下、
クロロトリメチルシランと反応させて〔ビス（トリメチ
ルシリル）アミノ〕ブロモベンゼンとし、さらに、この
〔ビス（トリメチルシリル）アミノ〕プロモベンゼンに
ブチルリチウムを反応せさることにより得ることができ
る。
ルリチウムは、例えばブロモアニリンを塩基の存在下、
クロロトリメチルシランと反応させて〔ビス（トリメチ
ルシリル）アミノ〕ブロモベンゼンとし、さらに、この
〔ビス（トリメチルシリル）アミノ〕プロモベンゼンに
ブチルリチウムを反応せさることにより得ることができ
る。
ジアミンIIの製法としては、具体的には〔ビス（トリ
メチルシリル）アミノ〕ブメモベンゼンとブチルリチム
とを、モル比で、通常1:1〜1:10、好ましくは1:3〜1:5
（〔ビス（トリメチルシリル）アミノ〕ブロモベンゼ
ン：ブチルリチウム）の割合で反応させることにより、
そのリチオ体とする。この反応の温度は、通常−100〜2
00であるが、−80〜80°の温度で行なうことが好まし
い。この反応に使用しうる溶媒としては、実質的にブチ
ルリチウムと反応しない溶媒が用いられ、特にエチルエ
ーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒が好
ましい。反応時間は、用いた試薬の量、溶媒の種類、反
応温度などに大きく左右されるが、数十分から数日間反
応させることが好ましい。
メチルシリル）アミノ〕ブメモベンゼンとブチルリチム
とを、モル比で、通常1:1〜1:10、好ましくは1:3〜1:5
（〔ビス（トリメチルシリル）アミノ〕ブロモベンゼ
ン：ブチルリチウム）の割合で反応させることにより、
そのリチオ体とする。この反応の温度は、通常−100〜2
00であるが、−80〜80°の温度で行なうことが好まし
い。この反応に使用しうる溶媒としては、実質的にブチ
ルリチウムと反応しない溶媒が用いられ、特にエチルエ
ーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒が好
ましい。反応時間は、用いた試薬の量、溶媒の種類、反
応温度などに大きく左右されるが、数十分から数日間反
応させることが好ましい。
次に、リチオ体を単離することなく、リチオ体と1,2
−ジクロロテトラメチルジシランとを、モル比で、通常
2:1〜5:1（リチオ体:1,2−ジクロロテトラメチルジシラ
ン）の割合で反応させてN,N,N′,N′−テトラ（トリメ
チルシリル）ジアミンとする。この反応の温度は、通常
−100〜200℃であるが、−80〜80℃の温度で行なうのが
好ましい。この反応に使用しうる溶媒としては、実質的
にリチオ体や1,2−クロロテトラメチルジシランと反応
しない溶媒が用いられ、特にエチルエーテル、テトラヒ
ドロフランなどのエーテル系溶媒が好ましい。また、こ
の反応ではクラウンエーテルなどのアミオン活性化剤を
共存させることもできる。反応時間は、用いた試薬の
量、溶媒の種類、反応温度などに大きく左右されるが、
数十分から数日間反応させることが好ましい。
−ジクロロテトラメチルジシランとを、モル比で、通常
2:1〜5:1（リチオ体:1,2−ジクロロテトラメチルジシラ
ン）の割合で反応させてN,N,N′,N′−テトラ（トリメ
チルシリル）ジアミンとする。この反応の温度は、通常
−100〜200℃であるが、−80〜80℃の温度で行なうのが
好ましい。この反応に使用しうる溶媒としては、実質的
にリチオ体や1,2−クロロテトラメチルジシランと反応
しない溶媒が用いられ、特にエチルエーテル、テトラヒ
ドロフランなどのエーテル系溶媒が好ましい。また、こ
の反応ではクラウンエーテルなどのアミオン活性化剤を
共存させることもできる。反応時間は、用いた試薬の
量、溶媒の種類、反応温度などに大きく左右されるが、
数十分から数日間反応させることが好ましい。
次いでN,N,N′,N′−テトラ（トリメチルシリル）ジ
アミンを水を用いて加水分解する。用いる水の量として
は、N,N,N′,N′−テトラ（トリメチルシリル）ジアミ
ンに対し最低２倍モル必要であるが、他の溶媒と併用し
てもよい。ここで用いる溶媒としては、メタノール、エ
タノール、プロパノールなどのアルコール系溶媒、エチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエ
ーテル系溶媒、ベンゼン、トルエンなどの芳香族系溶
媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミドなどのアミド系溶媒、アセトンなどが例記でき
る。また水と混合しない溶媒を使用するときには、四級
アンモニウム塩、クラウンエーテルなどの相間移動触媒
を共存させることもできる。反応時間は、用いた試薬の
量、溶媒の種類、反応温度などに大きく左右されるが、
数十分から数日間反応させることが好ましい。
アミンを水を用いて加水分解する。用いる水の量として
は、N,N,N′,N′−テトラ（トリメチルシリル）ジアミ
ンに対し最低２倍モル必要であるが、他の溶媒と併用し
てもよい。ここで用いる溶媒としては、メタノール、エ
タノール、プロパノールなどのアルコール系溶媒、エチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエ
ーテル系溶媒、ベンゼン、トルエンなどの芳香族系溶
媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミドなどのアミド系溶媒、アセトンなどが例記でき
る。また水と混合しない溶媒を使用するときには、四級
アンモニウム塩、クラウンエーテルなどの相間移動触媒
を共存させることもできる。反応時間は、用いた試薬の
量、溶媒の種類、反応温度などに大きく左右されるが、
数十分から数日間反応させることが好ましい。
本発明に用いるカルボン酸無水物IIIとしては、ピロ
メリット酸二無水物、3,3′4,4′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
メリット酸二無水物、3,3′4,4′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
芳香族ポリイミドの製造は、具体的には、例えば有機
溶媒中、ジアミン（II）とカルボン酸無水物（III）
を、モル比（ジアミン；テトラカルボン酸無水物）で通
常1:0.5〜1:2、好ましくは1:0.8〜1:1.2の割合で、−20
〜200℃で数分間から数日間反応させることによって、
芳香族ポリイミドの前駆体である下記一般式（IV）で表
わされる繰り返し構造単位を有するポリアミッ酸を製造
し、該ポリアミック酸を脱水縮合反応に供することによ
り行なわれる。
溶媒中、ジアミン（II）とカルボン酸無水物（III）
を、モル比（ジアミン；テトラカルボン酸無水物）で通
常1:0.5〜1:2、好ましくは1:0.8〜1:1.2の割合で、−20
〜200℃で数分間から数日間反応させることによって、
芳香族ポリイミドの前駆体である下記一般式（IV）で表
わされる繰り返し構造単位を有するポリアミッ酸を製造
し、該ポリアミック酸を脱水縮合反応に供することによ
り行なわれる。
（式中、R1〜R5は前記と同様である。） 反応の際に用いる有機溶媒は、生成するポリマーを溶
解するものであればよく、例えばＮ−メチル−２−ピロ
リドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクト
ン、テトラメチル尿素、ビス（メトキシエチル）エーテ
ル、テトラヒドロフラン、クロロホルム、1,4−ジオキ
サン、ピリジンなどの有機溶媒を挙げることができる。
なお、この有機溶媒には、そのほかの一般的な有機溶媒
であるアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチ
ル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジクロル
メタン、1,2−ジクロルエタン、1,4−ジクロルブタン、
トリクロルエタン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロルベン
ゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、ｔ−
ブチルベンゼン、トルエン、キシレンなどもポリマーを
析出させない程度に混合して使用することができる。
解するものであればよく、例えばＮ−メチル−２−ピロ
リドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクト
ン、テトラメチル尿素、ビス（メトキシエチル）エーテ
ル、テトラヒドロフラン、クロロホルム、1,4−ジオキ
サン、ピリジンなどの有機溶媒を挙げることができる。
なお、この有機溶媒には、そのほかの一般的な有機溶媒
であるアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチ
ル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジクロル
メタン、1,2−ジクロルエタン、1,4−ジクロルブタン、
トリクロルエタン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロルベン
ゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、ｔ−
ブチルベンゼン、トルエン、キシレンなどもポリマーを
析出させない程度に混合して使用することができる。
こうして得られたポリアミック酸は、脱水剤と塩基性
触媒とにより有機溶媒中で脱水閉環させることによっ
て、本発明の芳香族ポリイミドになる。ここで脱水剤と
しては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオ
ロ酢酸などの酸無水物を用いることができる。また、塩
基性触媒としては特に限定されるものではないが、ピリ
ジン、コリジン、ルチジン、トリエチルアミンなどの３
級アミンを用いることができる。
触媒とにより有機溶媒中で脱水閉環させることによっ
て、本発明の芳香族ポリイミドになる。ここで脱水剤と
しては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオ
ロ酢酸などの酸無水物を用いることができる。また、塩
基性触媒としては特に限定されるものではないが、ピリ
ジン、コリジン、ルチジン、トリエチルアミンなどの３
級アミンを用いることができる。
前記脱水剤の使用量は、ポリアミック酸の脱水閉環す
るカルボキシル基１等量に対して0.8〜10等量であり、
前記塩基性触媒の使用量は溶解する有機溶媒中で、使用
する脱水剤の0.5から20倍等量であり、反応温度は、通
常−20〜200℃である。反応に用いる有機溶媒は、ポリ
アミック酸の製造に用いたのと同じ溶媒を用いることが
できる。
るカルボキシル基１等量に対して0.8〜10等量であり、
前記塩基性触媒の使用量は溶解する有機溶媒中で、使用
する脱水剤の0.5から20倍等量であり、反応温度は、通
常−20〜200℃である。反応に用いる有機溶媒は、ポリ
アミック酸の製造に用いたのと同じ溶媒を用いることが
できる。
本発明の芳香族ポリイミドの固有粘度は、通常0.01〜
10dl/g、好ましくは0.05〜5dl/g（30°、N,N−ジメチル
アセトアミド中0.5g/dl）である。この固有粘度が0.01d
l/g未満であると、得られた成形品の機械的特性や耐熱
性が不十分となり、また10dl/gを超えると有機溶媒への
溶解性が低下する。
10dl/g、好ましくは0.05〜5dl/g（30°、N,N−ジメチル
アセトアミド中0.5g/dl）である。この固有粘度が0.01d
l/g未満であると、得られた成形品の機械的特性や耐熱
性が不十分となり、また10dl/gを超えると有機溶媒への
溶解性が低下する。
本発明の芳香族ポリイミドは、使用したテトラカルボ
ン酸二無水物の種類によりその溶解性が変化するが、N,
N′−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ピリジンなどの溶媒のすべ
てに、または一部に可溶となる。また、本発明の芳香族
ポリイミドは、紫外線、Ｘ線などの放射線の照射により
分子量の低下が認められる。さらに、本発明の芳香族ポ
リイミドは200〜250℃付近の高いガラス転移点を有し、
350〜400℃付近まで加熱しても顕著な重量変化は認めら
れない。
ン酸二無水物の種類によりその溶解性が変化するが、N,
N′−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ピリジンなどの溶媒のすべ
てに、または一部に可溶となる。また、本発明の芳香族
ポリイミドは、紫外線、Ｘ線などの放射線の照射により
分子量の低下が認められる。さらに、本発明の芳香族ポ
リイミドは200〜250℃付近の高いガラス転移点を有し、
350〜400℃付近まで加熱しても顕著な重量変化は認めら
れない。
［実施例］ 以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
合成例１ 1,2−ビス（アミノフェニル）テトラメチルジシランの
合成 ｐ−〔ビス（トリメチルシリル）アミノ〕ブロモベン
ゼン21.356g（67.5mmol）を、150mlのエチルエーテルに
溶解した溶液に窒素気流下、−10℃で42.2ml（67.5mmo
l）のブチルリチウム溶液（1.6モル濃度のヘキサン溶
液）を滴下した。滴下終了後、０℃で２時間撹拌したと
ころ、４−〔ビス（トリメチルシリル）アミノ〕フェニ
ルリチウムの溶液が得られた。引き続き、この溶液に1,
2−ジクロロテトラメチルジシラン6.311g（33.75mmol）
を０°で滴下し、０°で２時間、25℃で12時間、加熱還
流下で１時間撹拌した。精製した白色沈殿を分離後、液
相を蒸留精製し、156°/0.1Torr留分を捕集した。得ら
れた化合物は、赤外吸収スペクトルデータから1,2−ビ
ス〔４−N,N−ジ（トリメチルシリル）アミノフェニ
ル〕テトラメチルジシランであると同定された。
合成 ｐ−〔ビス（トリメチルシリル）アミノ〕ブロモベン
ゼン21.356g（67.5mmol）を、150mlのエチルエーテルに
溶解した溶液に窒素気流下、−10℃で42.2ml（67.5mmo
l）のブチルリチウム溶液（1.6モル濃度のヘキサン溶
液）を滴下した。滴下終了後、０℃で２時間撹拌したと
ころ、４−〔ビス（トリメチルシリル）アミノ〕フェニ
ルリチウムの溶液が得られた。引き続き、この溶液に1,
2−ジクロロテトラメチルジシラン6.311g（33.75mmol）
を０°で滴下し、０°で２時間、25℃で12時間、加熱還
流下で１時間撹拌した。精製した白色沈殿を分離後、液
相を蒸留精製し、156°/0.1Torr留分を捕集した。得ら
れた化合物は、赤外吸収スペクトルデータから1,2−ビ
ス〔４−N,N−ジ（トリメチルシリル）アミノフェニ
ル〕テトラメチルジシランであると同定された。
次に、得られた1,2−ビス〔４−N,N−ジ（トリメチル
シリル）アミノフェニル〕テトラメチルジシラン20gを1
0重量％の水を含むアセトン200ml中に溶解し、溶媒を減
圧留去することで加水分解し、下記式で表わされる1,2
−ビス（４−アミノフェニル）テトラメチルジシランを
得た。このものを、さらにヘキサンより再結晶すること
により精製した。
シリル）アミノフェニル〕テトラメチルジシラン20gを1
0重量％の水を含むアセトン200ml中に溶解し、溶媒を減
圧留去することで加水分解し、下記式で表わされる1,2
−ビス（４−アミノフェニル）テトラメチルジシランを
得た。このものを、さらにヘキサンより再結晶すること
により精製した。
以下に、得られた1,2−ビス（４−アミノフェニル）
テトラメチルジシランの性質を示す。
テトラメチルジシランの性質を示す。
融点： 108〜110° H1−NMR（CDCl3）［δ、ppm］： 0.25（12H）、3.50（4
H）、6.75ppm（8H） UVスペクトル：262nm（テトラヒドロフラン中）（εmax
＝23254） 分子量:300 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 63.94 8.05 9.32 実測値（％） 64.24 8.66 8.87 実施例１ （１） 1,2−ビス（４−アミノフェニル）テトラメチ
ルジシラン0.902gとビロメリット酸二無水物0.654gを12
mlのN,N−ジメチルアセトアミド中に溶解させ、10℃で
１時間、さらに20℃で３時間、窒素下で撹拌しながら反
応させた。反応後に、反応液へ多量の蒸留水中に注ぎ、
ポリアミック酸を析出させ、グラスフィルターで別
し、さらに多量の水で洗浄した後、デシケータ内で48時
間減圧乾燥した。収率は99％であった。
H）、6.75ppm（8H） UVスペクトル：262nm（テトラヒドロフラン中）（εmax
＝23254） 分子量:300 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 63.94 8.05 9.32 実測値（％） 64.24 8.66 8.87 実施例１ （１） 1,2−ビス（４−アミノフェニル）テトラメチ
ルジシラン0.902gとビロメリット酸二無水物0.654gを12
mlのN,N−ジメチルアセトアミド中に溶解させ、10℃で
１時間、さらに20℃で３時間、窒素下で撹拌しながら反
応させた。反応後に、反応液へ多量の蒸留水中に注ぎ、
ポリアミック酸を析出させ、グラスフィルターで別
し、さらに多量の水で洗浄した後、デシケータ内で48時
間減圧乾燥した。収率は99％であった。
得られたポリアミック酸の溶液粘度は、N,N−ジメチ
ルアセトアミド中、0.5g/dlの濃度、30℃で測定したと
ころ、0.85dl/gであった。またIRスペクトルは、3300cm
-1にOHの伸縮振動を、1656cm-1にNHCOの振動を、および
1717cm-1にCOOHに基づくCO基の伸縮振動を示し、生成物
がポリアミック酸であることを示した。
ルアセトアミド中、0.5g/dlの濃度、30℃で測定したと
ころ、0.85dl/gであった。またIRスペクトルは、3300cm
-1にOHの伸縮振動を、1656cm-1にNHCOの振動を、および
1717cm-1にCOOHに基づくCO基の伸縮振動を示し、生成物
がポリアミック酸であることを示した。
（２） （１）で得られたポリアミック酸1.556gを無水
酢酸／ピリジン／ベンゼン（重量比、1/1/3）混合液37g
に溶解させ、室温で一昼夜反応させた。反応溶液を多量
の蒸留水中に注ぎ、芳香族ポリイミドを析出させ、グラ
スフィルターで別し、さらに多量の水で洗浄した後、
デシケータ内で48時間減圧乾燥し、芳香族ポリイミドを
得た。収率は100％であった。
酢酸／ピリジン／ベンゼン（重量比、1/1/3）混合液37g
に溶解させ、室温で一昼夜反応させた。反応溶液を多量
の蒸留水中に注ぎ、芳香族ポリイミドを析出させ、グラ
スフィルターで別し、さらに多量の水で洗浄した後、
デシケータ内で48時間減圧乾燥し、芳香族ポリイミドを
得た。収率は100％であった。
以下に、得られた芳香族ポリイミドの性質を示す。
ガラス転移温度： 304℃（TMA） 重量減少開始温度： 421℃（N2下）、 410℃（Air下） 分解開始温度： 552℃（N2下）、 503℃（Air下） 赤外吸収スペクトル： 1725cm-1 （νC=O、伸縮振動） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｏ 計算値（％） 64.70 4.59 5.80 実測値（％） 64.43 4.58 5.82 実施例２〜４ （１） 実施例１（１）において、ピロメリツト酸二無
水物の代わりに、表−１に示す芳香族テトラカルボン酸
二無水物を用いた以外は、実施例１（１）と同じ条件で
ポリアミック酸を合成した。
水物の代わりに、表−１に示す芳香族テトラカルボン酸
二無水物を用いた以外は、実施例１（１）と同じ条件で
ポリアミック酸を合成した。
（２） 実施例１（２）で用いたポリアミック酸の代わ
りに、得られた各ポリアミック酸を表−２に示す量を用
いて、実施例１（２）と同様に芳香族ポリイミドを合成
した。得られた芳香族ポリイミドの性質を表−２に示
す。
りに、得られた各ポリアミック酸を表−２に示す量を用
いて、実施例１（２）と同様に芳香族ポリイミドを合成
した。得られた芳香族ポリイミドの性質を表−２に示
す。
試験例 実施例４（１）で得られたポリアミック酸0.1gおよび
実施例４（２）で得られたポリイミド0.1gを、それぞれ
10mlのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解させ、石英ガ
ラスに入れた。石英ガラスから8cmの距離で400Wの高圧
水銀灯を照射し、照射時間に対するポリマーの粘度低下
を調べ、感光性を評価した。ポリマー溶液を入れた石英
ガラスは水冷し、光照射によってポリマーの粘度低下を
生じ、感光性を示すことを確認した。図１に照射時間に
対する粘度変化の変化を示した。
実施例４（２）で得られたポリイミド0.1gを、それぞれ
10mlのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解させ、石英ガ
ラスに入れた。石英ガラスから8cmの距離で400Wの高圧
水銀灯を照射し、照射時間に対するポリマーの粘度低下
を調べ、感光性を評価した。ポリマー溶液を入れた石英
ガラスは水冷し、光照射によってポリマーの粘度低下を
生じ、感光性を示すことを確認した。図１に照射時間に
対する粘度変化の変化を示した。
［発明の効果］ 本発明の芳香族ポリイミドは、優れた耐熱性を有し、
さらに放射線感光性も有するため、例えばポジ型レジス
トして好適である。
さらに放射線感光性も有するため、例えばポジ型レジス
トして好適である。
図１は、試験例における紫外線照射時間とポリイミド溶
液およびポリアミック酸溶液の固有粘度との関係を示す
図である。
液およびポリアミック酸溶液の固有粘度との関係を示す
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位
からなる芳香族ポリイミドからなるポジ型ホトレジスト
材料。 （式中、R5は から選ばれる基を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235425A JP2712621B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | ポジ型ホトレジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235425A JP2712621B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | ポジ型ホトレジスト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397733A JPH0397733A (ja) | 1991-04-23 |
| JP2712621B2 true JP2712621B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=16985919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1235425A Expired - Lifetime JP2712621B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | ポジ型ホトレジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712621B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02305821A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 感光性共重合体組成物 |
| US5061509A (en) * | 1989-08-25 | 1991-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing polyimide thin film and method of manufacturing liquid crystal orientation film of polyimide |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1235425A patent/JP2712621B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 日本化学会第５８春季年会−講演予稿集▲ＩＩ▼ ２ＩＪ３５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0397733A (ja) | 1991-04-23 |
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Legal Events
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