JP2712060B2 - 書換え形光情報記録媒体 - Google Patents
書換え形光情報記録媒体Info
- Publication number
- JP2712060B2 JP2712060B2 JP3080491A JP8049191A JP2712060B2 JP 2712060 B2 JP2712060 B2 JP 2712060B2 JP 3080491 A JP3080491 A JP 3080491A JP 8049191 A JP8049191 A JP 8049191A JP 2712060 B2 JP2712060 B2 JP 2712060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- film
- protective film
- base material
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報の記録、
再生及び消去を行うことのできる、いわゆる書換え形光
情報記録媒体（以下、単に光媒体と呼ぶ。）の記録・消
去の繰り返し耐久性の改善に関するものであって、記録
膜に隣接する保護膜の新規材料を提供する。
再生及び消去を行うことのできる、いわゆる書換え形光
情報記録媒体（以下、単に光媒体と呼ぶ。）の記録・消
去の繰り返し耐久性の改善に関するものであって、記録
膜に隣接する保護膜の新規材料を提供する。
【０００２】
【従来の技術】光照射、主にレーザ光の照射によって生
じた物質の非晶質状態と結晶質状態の間の可逆的な構造
変化（相変化）を積極的に情報の記録に利用した相変化
形書換え可能な光情報記録媒体は、情報の高速処理能力
に加えて記録容量が大きく、将来の情報蓄積装置として
期待されている。
じた物質の非晶質状態と結晶質状態の間の可逆的な構造
変化（相変化）を積極的に情報の記録に利用した相変化
形書換え可能な光情報記録媒体は、情報の高速処理能力
に加えて記録容量が大きく、将来の情報蓄積装置として
期待されている。
【０００３】この光媒体には情報処理の高速化が一段と
厳しくなる中で、高速記録した情報をより高速で消去す
る性能が求められている。一方、一旦記録した情報を消
去し、さらにその上に別の情報を記録する、いわゆる記
録・消去の繰り返しの安定動作が必要不可欠である。こ
の記録・消去の繰り返しの安定動作は少なくとも１０５
回以上を必要とする。
厳しくなる中で、高速記録した情報をより高速で消去す
る性能が求められている。一方、一旦記録した情報を消
去し、さらにその上に別の情報を記録する、いわゆる記
録・消去の繰り返しの安定動作が必要不可欠である。こ
の記録・消去の繰り返しの安定動作は少なくとも１０５
回以上を必要とする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光媒体の記録・消去繰
り返し特性には記録膜材料や保護膜材料の性質が強く反
映される。記録膜材料では記録・消去前後での体積変
化、相分離、等が記録・消去繰り返し特性の劣化要因と
なる。例えば、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上の化
合物組成にＳｂを若干過剰にしたＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ３元
系記録膜材料は記録・消去繰り返し特性の優れたもので
あることが知られている。しかし、たとえ記録・消去繰
り返し特性の優れた記録膜材料を用いても記録膜材料の
みでは必ずしも良好な記録・消去繰り返し特性が得られ
るものではなく、ここで、保護膜材料が記録・消去繰り
返し特性を向上させるうえで重要な役割を果たす。保護
膜材料は残留応力、粒径、耐熱性そして記録膜に対する
付着力、等が記録・消去繰り返し特性に影響する。例え
ば、残留応力を意図的に高くしたＳｉＯ２やＺｎＳを保
護膜に用いると記録・消去繰り返し動作は大きく低下
し、１０５回以下となるが、残留応力を出来る限り低く
すると１０５回程度の記録・消去繰り返し動作を安定に
行うことが可能となる。しかし、１０６回に到達する記
録・消去繰り返し動作を安定に行うことは容易なもので
はなかった。
り返し特性には記録膜材料や保護膜材料の性質が強く反
映される。記録膜材料では記録・消去前後での体積変
化、相分離、等が記録・消去繰り返し特性の劣化要因と
なる。例えば、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上の化
合物組成にＳｂを若干過剰にしたＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ３元
系記録膜材料は記録・消去繰り返し特性の優れたもので
あることが知られている。しかし、たとえ記録・消去繰
り返し特性の優れた記録膜材料を用いても記録膜材料の
みでは必ずしも良好な記録・消去繰り返し特性が得られ
るものではなく、ここで、保護膜材料が記録・消去繰り
返し特性を向上させるうえで重要な役割を果たす。保護
膜材料は残留応力、粒径、耐熱性そして記録膜に対する
付着力、等が記録・消去繰り返し特性に影響する。例え
ば、残留応力を意図的に高くしたＳｉＯ２やＺｎＳを保
護膜に用いると記録・消去繰り返し動作は大きく低下
し、１０５回以下となるが、残留応力を出来る限り低く
すると１０５回程度の記録・消去繰り返し動作を安定に
行うことが可能となる。しかし、１０６回に到達する記
録・消去繰り返し動作を安定に行うことは容易なもので
はなかった。
【０００５】本発明者等は、相変化形光媒体の記録・消
去繰り返し動作の耐久性が記録膜に隣接する保護膜の種
々の特性により影響を受けて１０５回程度に止まってい
ることに注目し、その改善方法について新規保護膜材料
の観点から鋭意検討した結果、本発明を完成した。すな
わち、本発明は、記録・消去繰り返し動作の耐久性を向
上させた書換え形光情報記録媒体を提供することを目的
とする。
去繰り返し動作の耐久性が記録膜に隣接する保護膜の種
々の特性により影響を受けて１０５回程度に止まってい
ることに注目し、その改善方法について新規保護膜材料
の観点から鋭意検討した結果、本発明を完成した。すな
わち、本発明は、記録・消去繰り返し動作の耐久性を向
上させた書換え形光情報記録媒体を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するためになされたものであって、次の手段を講ずるこ
とにより可能なものとなる。すなわち、記録膜に隣接す
る保護膜の母材中に、記録膜の構成元素の少なくとも１
種類の元素を含有させることにより解決をはかる。さら
に、詳しく述べると、本発明の書換え形光情報記録媒体
は、請求項１では、光照射によって記録膜の非晶質状態
と結晶質状態の間の可逆的な相転移を生ぜしめ、もって
情報の記録及び消去を可能にする書換え形光情報記録媒
体において、記録膜の構成元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｓｅの５元素であって、その記録膜に隣接する保護
膜がその母材に記録膜を構成する元素の少なくとも１種
類以上を含有することを特徴とする。請求項２は、光照
射によって記録膜の非晶質状態と結晶質状態の間の可逆
的な相転移を生ぜしめ、もって情報の記録及び消去を可
能にする書換え形光情報記録媒体において、記録膜の構
成元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元素であっ
て、記録膜に隣接する保護膜の母材が酸化物からなるこ
とを特徴とする。請求項３は、請求項１または２におい
て、記録膜に隣接する保護膜の母材が、ＳｉＯ，ＳｉＯ
２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からな
ることを特徴とする。請求項４は、請求項１、２、３に
おいて、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ
２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母
材中に記録膜を構成する５元素の少なくとも１種類を含
ませたとき、保護膜中に含有された記録膜構成元素の含
有量が４〜２２ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とす
る。請求項５は、請求項１ないし４において、保護膜の
母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少
なくとも１種類からなり、該母材中に記録膜を構成する
５元素の１種類を含ませたとき、保護膜中に含有された
記録膜構成元素の含有量が４〜１５ｍｏｌ％の範囲にあ
ることを特徴とする。請求項６は、請求項１ないし５に
おいて、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ
２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母
材中に記録膜を構成する５元素を含ませたとき、保護膜
中に含有された記録膜材料構成元素の含有量が１３〜２
２ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とする。請求項７
は、光照射によって記録膜の非晶質状態と結晶質状態の
間の可逆的な相転移を生ぜしめ、もって情報の記録及び
消去を可能にする書換え形光情報記録媒体において、記
録膜を構成する元素がＧｅ，ＴｅそしてＳｂの３元素で
あって、記録膜に隣接する保護膜の母材がＳｉＯ，Ｓｉ
Ｏ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類から
なることを特徴とするものである。請求項８は、請求項
７において、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２
Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母材
中にとＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元素の少なく
とも１種類を含ませたとき、前記５元素のうち保護膜中
に含有された元素の含有量が４〜２２ｍｏｌ％の範囲に
あることを特徴とする。請求項９は、請求項７または８
において、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ
３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母材中
にＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元素の１種類を含
ませたとき、前記５元素のうち保護膜中に含有された元
素の含有量が４〜１５ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴
とする。また請求項１０は、請求項７または８におい
て、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔ
ａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母材中にＧ
ｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元素を含ませたとき、
保護膜中に含有された前記５元素の含有量が１３〜２２
ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とするものである。
するためになされたものであって、次の手段を講ずるこ
とにより可能なものとなる。すなわち、記録膜に隣接す
る保護膜の母材中に、記録膜の構成元素の少なくとも１
種類の元素を含有させることにより解決をはかる。さら
に、詳しく述べると、本発明の書換え形光情報記録媒体
は、請求項１では、光照射によって記録膜の非晶質状態
と結晶質状態の間の可逆的な相転移を生ぜしめ、もって
情報の記録及び消去を可能にする書換え形光情報記録媒
体において、記録膜の構成元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｓｅの５元素であって、その記録膜に隣接する保護
膜がその母材に記録膜を構成する元素の少なくとも１種
類以上を含有することを特徴とする。請求項２は、光照
射によって記録膜の非晶質状態と結晶質状態の間の可逆
的な相転移を生ぜしめ、もって情報の記録及び消去を可
能にする書換え形光情報記録媒体において、記録膜の構
成元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元素であっ
て、記録膜に隣接する保護膜の母材が酸化物からなるこ
とを特徴とする。請求項３は、請求項１または２におい
て、記録膜に隣接する保護膜の母材が、ＳｉＯ，ＳｉＯ
２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からな
ることを特徴とする。請求項４は、請求項１、２、３に
おいて、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ
２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母
材中に記録膜を構成する５元素の少なくとも１種類を含
ませたとき、保護膜中に含有された記録膜構成元素の含
有量が４〜２２ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とす
る。請求項５は、請求項１ないし４において、保護膜の
母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少
なくとも１種類からなり、該母材中に記録膜を構成する
５元素の１種類を含ませたとき、保護膜中に含有された
記録膜構成元素の含有量が４〜１５ｍｏｌ％の範囲にあ
ることを特徴とする。請求項６は、請求項１ないし５に
おいて、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ
２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母
材中に記録膜を構成する５元素を含ませたとき、保護膜
中に含有された記録膜材料構成元素の含有量が１３〜２
２ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とする。請求項７
は、光照射によって記録膜の非晶質状態と結晶質状態の
間の可逆的な相転移を生ぜしめ、もって情報の記録及び
消去を可能にする書換え形光情報記録媒体において、記
録膜を構成する元素がＧｅ，ＴｅそしてＳｂの３元素で
あって、記録膜に隣接する保護膜の母材がＳｉＯ，Ｓｉ
Ｏ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類から
なることを特徴とするものである。請求項８は、請求項
７において、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２
Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母材
中にとＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元素の少なく
とも１種類を含ませたとき、前記５元素のうち保護膜中
に含有された元素の含有量が４〜２２ｍｏｌ％の範囲に
あることを特徴とする。請求項９は、請求項７または８
において、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ
３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母材中
にＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元素の１種類を含
ませたとき、前記５元素のうち保護膜中に含有された元
素の含有量が４〜１５ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴
とする。また請求項１０は、請求項７または８におい
て、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔ
ａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなり、該母材中にＧ
ｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元素を含ませたとき、
保護膜中に含有された前記５元素の含有量が１３〜２２
ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】記録膜の構成がＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅ
の５元系またはＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂの３元系であって、記
録膜に隣接する保護膜の母材中に記録膜の構成元素の少
なくとも１種類以上を含有させることにより、詳細は十
分明らかではないが、特に、記録膜と保護膜の付着力が
高まり、記録・消去繰り返し動作の耐久性を向上でき
る。
の５元系またはＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂの３元系であって、記
録膜に隣接する保護膜の母材中に記録膜の構成元素の少
なくとも１種類以上を含有させることにより、詳細は十
分明らかではないが、特に、記録膜と保護膜の付着力が
高まり、記録・消去繰り返し動作の耐久性を向上でき
る。
【０００８】
【実施例】実施例１ 本発明の光媒体の構成の一例を図１に示す。透明基板１
１上に保護膜１２、記録膜１３、保護膜１４そして金属
膜１５を順次積層した構成である。透明基板１１には十
分洗浄を施したガラス基板を、保護膜１２及び保護膜１
４には記録膜の構成元素を含有したＳｉＯ２を、そして
金属膜１５にはＡｌ合金をそれぞれ用いた。基板材料は
ガラスに限定されるものではなく、利用可能なものであ
ればよく、例えばポリカーボネートやＰＭＭＡといった
樹脂を用いることもできる。保護膜１２及び保護膜１４
そして金属膜１５の膜厚は、それぞれ１２０ｎｍ、２０
ｎｍそして１００ｎｍ程度とした。記録膜１３にはＧ
ｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，ＢｉそしてＳｅの５元素を構成元素と
し、 ｛（ＧｅＴｅ）２［（Ｓｂ−Ｂｉ）２（Ｔｅ−Ｓ
ｅ）３］１｝１−ｘ・Ｓｂｘ，Ｘ＝０．６，Ｂｉ＝４．
４ａｔ％，Ｓｅ＝４．４ａｔ％を用いた。記録膜１３の
膜厚は約２０ｎｍとした。 保護膜１２、保護膜１４、記録膜１３そして金属膜１４
はすべての高周波マグネトロン・スパッタ法により成膜
した。特に、前記保護膜はＳｉＯ２ターゲットと記録膜
の構成元素の少なくとも１種類からなるターゲットをそ
れぞれ用意して２元同時スパッタ法によって成膜する
か、あるいは複合ターゲットを用意してスパッタするこ
とにより成膜した。成膜方法は高周波マグネトロン・ス
パッタ法に限定されるものではなく、例えば、直流スパ
ッタ法、真空蒸着法、スピンコート法そしてプラズマＣ
ＶＤ法、等の成膜を行うことを出来るいかなる方法であ
ってもよい。記録膜の組成は光電子分光分析法そして保
護膜の組成はＥＤＡＸによりそれぞれ確認した。
１上に保護膜１２、記録膜１３、保護膜１４そして金属
膜１５を順次積層した構成である。透明基板１１には十
分洗浄を施したガラス基板を、保護膜１２及び保護膜１
４には記録膜の構成元素を含有したＳｉＯ２を、そして
金属膜１５にはＡｌ合金をそれぞれ用いた。基板材料は
ガラスに限定されるものではなく、利用可能なものであ
ればよく、例えばポリカーボネートやＰＭＭＡといった
樹脂を用いることもできる。保護膜１２及び保護膜１４
そして金属膜１５の膜厚は、それぞれ１２０ｎｍ、２０
ｎｍそして１００ｎｍ程度とした。記録膜１３にはＧ
ｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，ＢｉそしてＳｅの５元素を構成元素と
し、 ｛（ＧｅＴｅ）２［（Ｓｂ−Ｂｉ）２（Ｔｅ−Ｓ
ｅ）３］１｝１−ｘ・Ｓｂｘ，Ｘ＝０．６，Ｂｉ＝４．
４ａｔ％，Ｓｅ＝４．４ａｔ％を用いた。記録膜１３の
膜厚は約２０ｎｍとした。 保護膜１２、保護膜１４、記録膜１３そして金属膜１４
はすべての高周波マグネトロン・スパッタ法により成膜
した。特に、前記保護膜はＳｉＯ２ターゲットと記録膜
の構成元素の少なくとも１種類からなるターゲットをそ
れぞれ用意して２元同時スパッタ法によって成膜する
か、あるいは複合ターゲットを用意してスパッタするこ
とにより成膜した。成膜方法は高周波マグネトロン・ス
パッタ法に限定されるものではなく、例えば、直流スパ
ッタ法、真空蒸着法、スピンコート法そしてプラズマＣ
ＶＤ法、等の成膜を行うことを出来るいかなる方法であ
ってもよい。記録膜の組成は光電子分光分析法そして保
護膜の組成はＥＤＡＸによりそれぞれ確認した。
【０００９】静止状態における記録・消去繰り返し特性
は図２に示すように８３０ｎｍの波長のレーザ光源と開
口数がおよそ０．５２の対物レンズよりなる光ヘッド２
１よりレーザ光線２２をガラス基板１１側より記録膜１
３にレーザ光線２２を集光、照射することにより調べ
た。記録・消去繰り返し特性の測定に先立って、レーザ
アニールあるいは加熱処理によって記録膜１３に記録膜
を溶融することなしに初期結晶化を施した。加熱処理を
施す際には金属膜１５の表面をさらに保護膜（約１００
ｎｍ）で覆うようにした。記録は信号コントラスト、Ｃ
を と定義し、コントラストを約３０％そして記録パルス幅
５０ｎｓ一定として行った。消去は消去パルス幅を１０
０ｎｓ一定として行った。
は図２に示すように８３０ｎｍの波長のレーザ光源と開
口数がおよそ０．５２の対物レンズよりなる光ヘッド２
１よりレーザ光線２２をガラス基板１１側より記録膜１
３にレーザ光線２２を集光、照射することにより調べ
た。記録・消去繰り返し特性の測定に先立って、レーザ
アニールあるいは加熱処理によって記録膜１３に記録膜
を溶融することなしに初期結晶化を施した。加熱処理を
施す際には金属膜１５の表面をさらに保護膜（約１００
ｎｍ）で覆うようにした。記録は信号コントラスト、Ｃ
を と定義し、コントラストを約３０％そして記録パルス幅
５０ｎｓ一定として行った。消去は消去パルス幅を１０
０ｎｓ一定として行った。
【００１０】図３に測定した記録・消去繰り返し回数と
ＳｉＯ２保護膜母材に含有する記録膜材料（記録膜と同
様の組成）の含有量の関係を示す。ＳｉＯ２に記録膜材
料が未含有のとき記録・消去繰り返し回数は１０５回に
止まるものであったが、記録膜材料の含有量が１３〜２
２ｍｏｌ％の範囲にあると記録・消去繰り返し回数は１
０５回以上に向上する効果が認められた。記録膜材料の
含有量は望ましくは１６〜２０ｍｏｌ％の範囲にあると
よく、このとき１０６回以上の記録・消去繰り返し回数
を得ることが可能であった。記録・消去繰り返し回数の
向上は詳細は明らかではないが記録膜と保護膜の付着力
が高められるためと思われる。保護膜中の記録膜の含有
量が多くなると記録・消去繰り返し回数が低下するよう
になるのは保護膜中でのレーザ光の吸収が多くなること
と関係があるものと思われる。ここで、記録膜材料を含
有する保護膜は必ずしも記録膜の両側に隣接する必要は
なく、効果が得られるものであればいずれか一方であっ
ても差し支えない。
ＳｉＯ２保護膜母材に含有する記録膜材料（記録膜と同
様の組成）の含有量の関係を示す。ＳｉＯ２に記録膜材
料が未含有のとき記録・消去繰り返し回数は１０５回に
止まるものであったが、記録膜材料の含有量が１３〜２
２ｍｏｌ％の範囲にあると記録・消去繰り返し回数は１
０５回以上に向上する効果が認められた。記録膜材料の
含有量は望ましくは１６〜２０ｍｏｌ％の範囲にあると
よく、このとき１０６回以上の記録・消去繰り返し回数
を得ることが可能であった。記録・消去繰り返し回数の
向上は詳細は明らかではないが記録膜と保護膜の付着力
が高められるためと思われる。保護膜中の記録膜の含有
量が多くなると記録・消去繰り返し回数が低下するよう
になるのは保護膜中でのレーザ光の吸収が多くなること
と関係があるものと思われる。ここで、記録膜材料を含
有する保護膜は必ずしも記録膜の両側に隣接する必要は
なく、効果が得られるものであればいずれか一方であっ
ても差し支えない。
【００１１】保護膜の含有される記録膜材料は必ずしも
記録膜と同様の組成である必要はなく、さらに記録膜の
構成元素の少なくとも１種類以上であって記録・消去繰
り返し回数の向上がはかられる含有量であればよい。例
えば、前記記録膜よりＢｉあるいはＳｅ、ＢｉとＳｅの
両者を除いた記録膜材料を含有させたいずれの場合も前
記と同様の含有量の範囲で記録・消去繰り返し回数を高
めることが可能であった。さらには、ＧｅＴｅ，Ｓｂ２
Ｔｅ３あるいはＢｉ２Ｔｅ３などの記録膜の構成元素の
２種類からなる材料を含有させた場合も前記と同様の含
有量の範囲で記録・消去繰り返し回数を高めることが可
能であった。ＳｉＯ２に記録膜材料の構成元素の１種類
であるＳｂを含有させた場合、図４に示すように、その
含有量がおよそ４〜１５ｍｏｌ％の範囲にあると記録・
消去繰り返し回数を改善する効果が高められるものであ
った。望ましくは７〜１３ｍｏｌ％の範囲にあればよ
く、このとき１０６回以上の記録・消去繰り返し回数を
得ることが可能であった。また、Ｓｂ以外の記録膜の構
成元素を用いた場合においてもおよそ同様の効果が得ら
れた。
記録膜と同様の組成である必要はなく、さらに記録膜の
構成元素の少なくとも１種類以上であって記録・消去繰
り返し回数の向上がはかられる含有量であればよい。例
えば、前記記録膜よりＢｉあるいはＳｅ、ＢｉとＳｅの
両者を除いた記録膜材料を含有させたいずれの場合も前
記と同様の含有量の範囲で記録・消去繰り返し回数を高
めることが可能であった。さらには、ＧｅＴｅ，Ｓｂ２
Ｔｅ３あるいはＢｉ２Ｔｅ３などの記録膜の構成元素の
２種類からなる材料を含有させた場合も前記と同様の含
有量の範囲で記録・消去繰り返し回数を高めることが可
能であった。ＳｉＯ２に記録膜材料の構成元素の１種類
であるＳｂを含有させた場合、図４に示すように、その
含有量がおよそ４〜１５ｍｏｌ％の範囲にあると記録・
消去繰り返し回数を改善する効果が高められるものであ
った。望ましくは７〜１３ｍｏｌ％の範囲にあればよ
く、このとき１０６回以上の記録・消去繰り返し回数を
得ることが可能であった。また、Ｓｂ以外の記録膜の構
成元素を用いた場合においてもおよそ同様の効果が得ら
れた。
【００１２】実施例２ 保護膜母材にＳｉＯ２に代わってＳｉＯを用いる以外は
全て実施例１と同様とした。記録膜組成と同様の成分を
含有させた場合、その測定結果は前記図３と同様であっ
た。ＳｉＯ保護膜母材に記録膜材料が未含有のとき、記
録・消去繰り返し回数は１０５回に止まるものであった
が、記録膜材料の含有量が１３〜２２ｍｏｌ％の範囲に
あると記録、消去繰り返し回数は１０５回以上に向上す
る効果が認められた。記録膜材料の含有量は望ましくは
１６〜２０ｍｏｌ％の範囲にあると良く、このとき１０
６回以上の記録・消去繰り返し回数を得ることが出来
た。さらに、保護膜の母材に含有させる材料は記録膜と
同様の組成に限定されず記録膜の構成元素の少なくとも
１種類以上からなればよく、前記実施例１と同様の効果
が得られた。
全て実施例１と同様とした。記録膜組成と同様の成分を
含有させた場合、その測定結果は前記図３と同様であっ
た。ＳｉＯ保護膜母材に記録膜材料が未含有のとき、記
録・消去繰り返し回数は１０５回に止まるものであった
が、記録膜材料の含有量が１３〜２２ｍｏｌ％の範囲に
あると記録、消去繰り返し回数は１０５回以上に向上す
る効果が認められた。記録膜材料の含有量は望ましくは
１６〜２０ｍｏｌ％の範囲にあると良く、このとき１０
６回以上の記録・消去繰り返し回数を得ることが出来
た。さらに、保護膜の母材に含有させる材料は記録膜と
同様の組成に限定されず記録膜の構成元素の少なくとも
１種類以上からなればよく、前記実施例１と同様の効果
が得られた。
【００１３】実施例３ 保護膜母材にＳｉＯ２に代わってＡｌ２Ｏ３を用いる以
外は全て実施例１と同様とした。測定結果は図５に示す
ように実施例１と同様であった。Ａｌ２Ｏ３保護膜母材
に記録膜材料が未含有のとき、記録・消去繰り返し回数
は１０５回に止まるものであったが、記録膜材料の含有
量が１３〜２２ｍｏｌ％の範囲にあると記録・消去繰り
返し回数は１０５回以上に向上する効果が認められた。
記録膜材料の含有量は望ましくは１６〜２０ｍｏｌ％の
範囲にあると良く、このとき１０６回以上の記録・消去
繰り返し回数を得ることが出来た。さらに、保護膜の母
材に含有させる材料は記録膜と同様の組成に限定されず
記録膜の構成元素の少なくとも１種類以上からなればよ
く、前記実施例１と同様の効果が得られた。
外は全て実施例１と同様とした。測定結果は図５に示す
ように実施例１と同様であった。Ａｌ２Ｏ３保護膜母材
に記録膜材料が未含有のとき、記録・消去繰り返し回数
は１０５回に止まるものであったが、記録膜材料の含有
量が１３〜２２ｍｏｌ％の範囲にあると記録・消去繰り
返し回数は１０５回以上に向上する効果が認められた。
記録膜材料の含有量は望ましくは１６〜２０ｍｏｌ％の
範囲にあると良く、このとき１０６回以上の記録・消去
繰り返し回数を得ることが出来た。さらに、保護膜の母
材に含有させる材料は記録膜と同様の組成に限定されず
記録膜の構成元素の少なくとも１種類以上からなればよ
く、前記実施例１と同様の効果が得られた。
【００１４】実施例４ 保護膜母材にＳｉＯ２に代わってＴａ２Ｏ５を用いる以
外は全て実施例１と同様とした。測定結果を図６に示
す。記録膜組成と同様の成分を含有させた場合、その測
定結果は前記図３と同様に良好であった。Ｔａ２Ｏ５保
護膜母材に記録膜材料が未含有のとき、記録・消去繰り
返し回数は１０回５に止まるものであったが、記録膜材
料の含有量が１３〜２２ｍｏｌ％の範囲にある記録・消
去繰り返し回数は１０５回以上に向上する効果が認めら
れた。記録膜材料の含有量は、望ましくは１６〜２０ｍ
ｏｌ％の範囲にあると良く、このとき １０６回以上の
記録・消去繰り返し回数を得ることが出来た。さらに、
保護膜の母材に含有させる材料は記録膜と同様の組成に
限定されず記録膜の構成元素の少なくとも１種類以上か
らなればよく、前記実施例１と同様の効果が得られた。
外は全て実施例１と同様とした。測定結果を図６に示
す。記録膜組成と同様の成分を含有させた場合、その測
定結果は前記図３と同様に良好であった。Ｔａ２Ｏ５保
護膜母材に記録膜材料が未含有のとき、記録・消去繰り
返し回数は１０回５に止まるものであったが、記録膜材
料の含有量が１３〜２２ｍｏｌ％の範囲にある記録・消
去繰り返し回数は１０５回以上に向上する効果が認めら
れた。記録膜材料の含有量は、望ましくは１６〜２０ｍ
ｏｌ％の範囲にあると良く、このとき １０６回以上の
記録・消去繰り返し回数を得ることが出来た。さらに、
保護膜の母材に含有させる材料は記録膜と同様の組成に
限定されず記録膜の構成元素の少なくとも１種類以上か
らなればよく、前記実施例１と同様の効果が得られた。
【００１５】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、相変化形
光媒体の記録・消去繰り返し耐久性に関して、記録膜の
構成をＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元系またはＧ
ｅ，Ｔｅ，Ｓｂの３元系とし、記録膜に隣接する保護膜
の母材中に記録膜の構成元素の少なくとも１種類以上を
含有させることにより、記録膜と保護膜との付着力を高
めて記録・消去繰り返し動作を安定に１０５回以上行う
ことが可能となり、耐久性を著しく向上することができ
る。
光媒体の記録・消去繰り返し耐久性に関して、記録膜の
構成をＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅの５元系またはＧ
ｅ，Ｔｅ，Ｓｂの３元系とし、記録膜に隣接する保護膜
の母材中に記録膜の構成元素の少なくとも１種類以上を
含有させることにより、記録膜と保護膜との付着力を高
めて記録・消去繰り返し動作を安定に１０５回以上行う
ことが可能となり、耐久性を著しく向上することができ
る。
【図１】本発明の１実施例の光媒体の構成を示す拡大断
面図である。
面図である。
【図２】静止状態での記録・消去特性の測定系を示す配
置図である。
置図である。
【図３】保護膜の母材がＳｉＯ2 であって、保護膜に含
有される記録膜材料の含有量と記録・消去繰り返し回数
の関係を示す線図である。
有される記録膜材料の含有量と記録・消去繰り返し回数
の関係を示す線図である。
【図４】保護膜の母材がＳｉＯ2 であって、保護膜に含
有される記録膜材料（Ｓｂ）の含有量と記録・消去繰り
返し回数の関係を示す線図である。
有される記録膜材料（Ｓｂ）の含有量と記録・消去繰り
返し回数の関係を示す線図である。
【図５】保護膜の母材がＡｌ2 Ｏ3 であって、保護膜に
含有される記録膜材料の含有量と記録・消去繰り返し回
数の関係を示す線図である。
含有される記録膜材料の含有量と記録・消去繰り返し回
数の関係を示す線図である。
【図６】保護膜の母材がＴａ2 Ｏ5 であって、保護膜に
含有される記録膜材料の含有量と記録・消去繰り返し回
数の関係を示す線図である。
含有される記録膜材料の含有量と記録・消去繰り返し回
数の関係を示す線図である。
11 透明基板 12 保護膜 13 記録膜 14 保護膜 15 金属膜 21 光ヘッド 22 レ―ザ光 23 パルス発生器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−71895（ＪＰ，Ａ)
Claims (10)
- 【請求項１】 光照射によって記録膜の非晶質状態と結
晶質状態の間の可逆的な相転移を生ぜしめ、もって情報
の記録及び消去を可能にする書換え形光情報記録媒体に
おいて、記録膜の構成元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉそ
してＳｅの５元素であって、その記録膜に隣接する保護
膜がその母材に記録膜を構成する元素の少なくとも１種
類以上を含有することを特徴とする書換え形光情報記録
媒体。 - 【請求項２】 光照射によって記録膜の非晶質状態と結
晶質状態の間の可逆的な相転移を生ぜしめ、もって情報
の記録及び消去を可能にする書換え形光情報記録媒体に
おいて、記録膜の構成元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉそ
してＳｅの５元素であって、その記録膜に隣接する保護
膜の母材が酸化物からなることを特徴とする請求項１記
載の書換え形光情報記録媒体。 - 【請求項３】 光照射によって記録膜の非晶質状態と結
晶質状態の間の可逆的な相転移を生ぜしめ、もって情報
の記録及び消去を可能にする書換え形光情報記録媒体に
おいて、記録膜を構成する元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂ
ｉそしてＳｅの５元素であって、保護膜の母材がＳｉ
Ｏ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１
種類からなることを特徴とする請求項１または２記載の
書換え形光情報記録媒体。 - 【請求項４】 記録膜を構成する元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓ
ｂ，ＢｉそしてＳｅの５元素であって、しかも保護膜の
母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少
なくとも１種類からなり、記録膜材料の５元素の少なく
とも１種類が保護膜の母材に含有されるとき、その含有
量が４〜２２ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とする請
求項１、２、３の何れか１つの項に記載の書換え形光情
報記録媒体。 - 【請求項５】 記録膜を構成する元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓ
ｂ，ＢｉそしてＳｅの５元素であって、しかも保護膜の
母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少
なくとも１種類からなり、記録膜材料の５元素の１種類
が保護膜の母材に含有されるとき、その含有量が４〜１
５ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とする請求項１ない
し４の何れか１つの項に記載の書換え形光情報記録媒
体。 - 【請求項６】 記録膜を構成する元素がＧｅ，Ｔｅ，Ｓ
ｂ，ＢｉそしてＳｅの５元素であって、しかも保護膜の
母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少
なくとも１種類からなり、記録膜材料の５元素が保護膜
の母材に含有されるとき、その含有量が１３〜２２ｍｏ
ｌ％の範囲にあることを特徴とする請求項１ないし５の
何れか１つの項に記載の書換え形光情報記録媒体。 - 【請求項７】 光照射によって記録膜の非晶質状態と結
晶質状態の間の可逆的な相転移を生ぜしめ、もって情報
の記録及び消去を可能にする書換え形光情報記録媒体に
おいて、記録膜を構成する元素がＧｅ，ＴｅそしてＳｂ
の３元素であって、保護膜の母材がＳｉＯ，ＳｉＯ２，
Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種類からなるこ
とを特徴とする書換え形光情報記録媒体。 - 【請求項８】 記録膜を構成する元素がＧｅ，Ｔｅそし
てＳｂの３元素であって、しかも保護膜の母材がＳｉ
Ｏ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１
種類からなり、保護膜の母材中にＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｓｅの５元素の少なくとも１種類を含ませたとき、
その含有量が４〜２２ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴
とする請求項７に記載の書換え形光情報媒体。 - 【請求項９】 記録膜を構成する元素がＧｅ，Ｔｅそし
てＳｂの３元素であって、しかも保護膜の母材がＳｉ
Ｏ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１
種類からなり、保護膜の母材中にＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｓｅの５元素の１種類を含ませたとき、その含有量
が４〜１５ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とする請求
項７または８に記載の書換え形光情報記録媒体。 - 【請求項１０】 記録膜を構成する元素がＧｅ，Ｔｅそ
してＳｂの３元素であって、しかも保護膜の母材がＳｉ
Ｏ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１
種類からなり、保護膜の母材中にＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｓｅの５元素を含ませたとき、その含有量が１３〜
２２ｍｏｌ％の範囲にあることを特徴とする請求項７ま
たは８に記載の書換え形光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080491A JP2712060B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 書換え形光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080491A JP2712060B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 書換え形光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594640A JPH0594640A (ja) | 1993-04-16 |
| JP2712060B2 true JP2712060B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=13719769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3080491A Expired - Lifetime JP2712060B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 書換え形光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712060B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007088682A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法、並びにその製造装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0471895A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-06 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3080491A patent/JP2712060B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0594640A (ja) | 1993-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW407271B (en) | Rewritable optical information medium | |
| JP3666854B2 (ja) | 情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH03224790A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2712060B2 (ja) | 書換え形光情報記録媒体 | |
| JPH11513166A (ja) | 可逆性光情報媒体 | |
| RU2232436C2 (ru) | Перезаписываемая оптическая информационная среда | |
| JP2003341240A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4093846B2 (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2712060C (ja) | ||
| JP2000339764A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2903969B2 (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
| JP4109011B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2596478B2 (ja) | 書換え形光情報記録媒体 | |
| JP3506621B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3729833B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH03224791A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0469282A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JPH07307036A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP2903970B2 (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
| JP2538798B2 (ja) | 書換え型光情報記録媒体 | |
| JPH08180414A (ja) | 光学的情報記録方法 | |
| JPS63167440A (ja) | 情報を記録もしくは記録及び消去する方法 | |
| JP2687900B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2798247B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH07214913A (ja) | 光記録媒体 |