JP2707483B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
の半導体基板表面に平行なPN接合面を有する半導体装
置の、ボンディングパッドとなる導体膜の構造およびそ
の製造方法に関するものである。とくに、半導体基板表
面に平行に浅いPN接合面が形成される高周波用の可変
容量ダイオード装置等に適したものである。
体装置と外部回路の接続はワイヤボンディングによって
行われる。半導体素子表面の導体膜と素子を搭載する基
板あるいはリードフレームとの間でワイヤボンディング
が行われる。
グは、図4に示したように、PN接合が形成された半導
体基板40の表面に形成されたアルミニウムの導体膜42に
直接行っていた。また、この部分は製造途中のウエハー
から切断、分離される前の可変容量ダイオードが、特性
の検査のために自動機械による検査針(プローブ)を接
触される部分でもある。ところが、可変容量ダイオード
の大容量化と、100MHz以上の高周波における使用
を目的としてPN接合面の深さを浅くすると、図4に示
したように導体膜12の同じ部分にワイヤボンディングし
たり、検査針を接触させることによってPN接合面を破
壊することが多く、これによって耐圧が低下し、リーク
電流が増加するといった問題が生じる。特に、検査針は
通常先端が鋭く尖ったタングステンの針であり、接触面
に強い衝撃力が加わるので破壊の原因を発生しやすく、
その後のワイヤボンディングによる破壊を助長すると考
えられる。
30のPN接合が形成された部分の表面からその周囲の酸
化膜31上に跨がるアルミニウムの導体膜32を形成し、ボ
ンディングパッドや検査針専用の領域を設ける構造も考
えられる。しかし、そのための素子面積の増加に伴う収
量低下によるコストアップ、アルミニウムの電極幅に制
約される抵抗の増加の問題が生じる。また、導体膜32と
酸化膜31下面の半導体領域とは同電位でなく、それらの
間に浮遊容量が発生する問題も生じる。
グパッドとは別に検査針の接触可能な領域をPN接合が
形成された部分に設けることにより、PN接合を破壊す
ることなく検査針の接触とワイヤボンディングが可能な
半導体装置およびその製造方法を提供するものである。
囲に存在する必要はないから小型化が可能であり、導体
抵抗も小さく、また、導体膜と半導体領域との間に浮遊
容量が発生することのない半導体装置およびその製造方
法を提供するものである。
形成された半導体基板の表面の一部に酸化膜等の絶縁膜
を介して導体膜を形成し、この導体膜を検査針の接触可
能な領域とし、絶縁膜のない半導体基板の表面に形成し
た導体膜をボンディングパッドとすることによって、上
記の課題を解決するものである。
接合面が形成された半導体装置において、該PN接合面
が形成された部分の半導体基板表面の一部に絶縁膜を具
え、その絶縁膜上と該PN接合面の表面側の層の絶縁膜
を設けてない表面に跨がる導体膜を具え、該PN接合面
の表面側の層の絶縁膜を設けてない表面の導体膜をボン
ディングパッドとしたことに特徴を有するものである。
面が形成された半導体装置の製造方法において、該PN
接合面が形成された部分の半導体基板表面の一部に絶縁
膜を形成し、その絶縁膜表面と該PN接合面の表面側の
層の絶縁膜を設けてない表面に跨がる導体膜を形成し、
該PN接合面の表面側の層の絶縁膜のない表面の導体膜
にワイヤボンディングすることに特徴を有するものであ
る。
を介して導体膜を設けその部分に検査針を当てることに
よって浅いPN接合が検査針の接触時の衝撃力から保護
される。また、半導体基板表面と導体膜は同電位とな
り、浮遊容量の発生を防止することができる。
いて説明する。図1は、本発明の実施例を示す、(a)
は平面図、(b)は正面断面図である。半導体基板10内
に可変容量ダイオードを形成する例を示したもので、基
板表面側のP型領域とその下側のN+ 領域とによって浅
いPN接合が形成されている。このPN接合が形成され
る部分の周囲の領域は表面がSiO 2 の絶縁膜11で覆われる
が、この絶縁膜11をPN接合の形成された部分の表面、
すなわちP型領域の表面の一部にも形成する。この場合
は、周囲の絶縁膜とは分離されて島状に形成されたSiO 2
の絶縁膜11がP型領域表面にも形成されている。
板表面と絶縁膜11の表面に跨がる導体膜12がアルミニウ
ムの蒸着、エッチング等によって形成される。この導体
膜12は絶縁膜11上の部分と半導体基板10の表面の部分と
が導通されるのに充分な厚さに形成する。そして、半導
体基板10の表面の導体膜12に金線13等がワイヤボンディ
ングされて接続が行われる。島状の絶縁膜11の上の導体
膜12は、検査針が接触される領域である。
に絶縁膜11が形成されている。これによって、検査針の
接触時の衝撃等からPN接合は保護され、ワイヤボンデ
イングによるPN接合の破損の発生をほとんど防止する
ことができる。そして、素子の歩留り、信頼性が著しく
向上する。しかも、ボンディングパッドとこの下の半導
体領域とは同じ電位となるので、浮遊容量を発生するこ
ともなくなる。
(a)は平面図、(b)は正面断面図である。半導体基
板20内に可変容量ダイオードを形成する例を示したもの
で、基板表面側のP型領域とその下側のN+ 領域とによ
って浅いPN接合が形成されている。このPN接合が形
成される部分の周囲の領域はSiO 2 の絶縁膜21で覆われる
が、この絶縁膜21をPN接合の形成された部分の表面、
すなわちP型領域の表面まで伸ばして形成した例を示し
ている。
は、拡散等の半導体基板の処理後に半導体基板表面に形
成したSiO 2 等の酸化膜の窓開けの際のマスクを変えるの
みでよい。PN接合上面に形成する絶縁膜を残すように
酸化膜のエッチングを行い、導体膜を所定のパターンで
形成するのみでよい。
い部分に形成されている半導体装置でも、検査時の検査
針の接触とこれに続くワイヤボンディングによるPN接
合の破壊を防止することが可能となり、素子の歩留り、
信頼性が大幅に向上する。また、素子の面積を増加させ
る必要もなく、コスト面でも有利となる。更に、浮遊容
量の発生を防止できるので、素子の特性を維持すること
も容易となる。
正面断面図
(b)正面断面図
図
断面図
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体基板の表面に平行なPN接合面が
形成された半導体装置の製造方法において、該PN接合
面が形成された部分の半導体基板表面の一部に絶縁膜を
形成し、その絶縁膜表面と該PN接合面の表面側の層の
絶縁膜のない表面に跨がる導体膜を形成し、該PN接合
面の表面側の層の絶縁膜のない表面の導体膜にワイヤボ
ンディングし、前記絶縁膜表面に設けた導体膜に検査針
を当てて検査することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項2】 半導体基板の表面に平行なPN接合面が
形成された可変容量ダイオード装置の製造方法におい
て、該PN接合面が形成された部分の半導体基板表面の
一部に絶縁膜を形成し、その絶縁膜表面と該PN接合面
の表面側の層の絶縁膜のない表面に跨がる導体膜を形成
し、該PN接合面の表面側の層の絶縁膜のない表面の導
体膜にワイヤボンディングし、前記絶縁膜表面に設けた
導体膜に検査針を当てて検査することを特徴とする可変
容量ダイオード装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5120603A JP2707483B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5120603A JP2707483B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06310560A JPH06310560A (ja) | 1994-11-04 |
JP2707483B2 true JP2707483B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=14790346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5120603A Expired - Fee Related JP2707483B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2707483B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5517487B2 (ja) * | 1972-08-30 | 1980-05-12 | ||
JPS54128272A (en) * | 1978-03-29 | 1979-10-04 | Hitachi Ltd | Structure of bonding pad |
JPS62165344A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH01130534U (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-05 | ||
JPH0473939A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
JPH04152576A (ja) * | 1990-10-16 | 1992-05-26 | Toko Inc | 可変容量ダイオード装置 |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5120603A patent/JP2707483B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH06310560A (ja) | 1994-11-04 |
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