JP2702279B2 - ガス検知素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は都市ガスや液化石油ガス等の燃料ガス用の
漏洩検知器やガス漏れ警報器等のためのセンサとして使
用されるガス検知素子に関する。

［従来の技術］ 従来の燃料ガス用のガス漏れ警報器に使用される半導
体式ガス検知素子は検出対象の燃料ガス以外の水素やア
ルコールに対しても感度を有していた。これが警報器の
誤警報の大きな原因となっていた。そのため水素やアル
コール等の妨害（干渉）ガスとよばれる雑ガスに対する
感度を選択的に低下させた、言い換えれば燃料ガス等に
対し選択的な感度を有する、半導体式ガス検知素子が求
められている。

特定のガスに対して選択的な感度を有する半導体式ガ
ス検知素子を得るために、従来は半導体式ガス検知素子
の表面層に各種の活性物質を担持させてフィルター層と
したり、活性な物質よりなるフィルター層を新たに設け
た半導体式ガス検知素子等があった。

このフィルター層（３）を設けた従来の半導体式ガス
検知素子（５′）を第10図に示した。本素子は白金製の
金属電極（４）のまわりに酸化錫（SnO₂）、酸化亜鉛
（ZnO）等の金属酸化物半導体層（１′）を設け更にそ
れを覆うようにして、例えば、アルミナ等の担体にPt,P
d等の活性な貴金属を担持したフィルター層（３）を設
けている。以上の従来の半導体式ガス検知素子（５′）
においては金属酸化物半導体層そのものやガスと接触す
る外表面にのみ注目し、その金属酸化物半導体層
（１′）の全体にあるいは外表面に選択的に添加物を添
加したり、それらの半導体層を多層化したり又はフィル
ター層を付加することによってガス感度の選択性を変化
させていた。

以上の従来のガス選択性向上のための方策を再考して
みた結果、従来の半導体式ガス検知素子は雰囲気（ガス
雰囲気）−金属酸化物半導体層（１′）間の界面の反応
にのみ注目していたと考えられる。しかし半導体式ガス
検知素子にはもう一つの界面として金属酸化物半導体層
（１′）−金属電極（４）間の界面（Ｍ）が存在する。
この界面（Ｍ）に到達するまでに検知対象ガスは半導体
層（１′）中で反応するため、この界面（Ｍ）はガス感
度特性とは直接関係が無いと考えられていた。

［発明が解決しようとする課題］ 以上のようなフィルター層を設けた従来の半導体式ガ
ス検知素子はフィルター層を有するために構造が複雑に
なり量産性に欠けていた。更にこのような半導体式ガス
検知素子は高濃度の燃料ガスと接触した場合はフィルタ
ー層において接触燃焼が起き、その反応熱によって内部
半導体が高温にさらされて変質し感度が低下したりする
等構成上の問題があった。

本発明は燃料ガスに対する選択性が高く、フィルター
層等を使用しない単純な構造で量産性にすぐれた、新し
い構成のガス検知素子を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明者は金属酸化物半導体層（１′）−金属電極
（４）間の界面（Ｍ）がガス感度特性において重要な役
割を果していることを見出した。その内容を以下に説明
する。発明者はその界面（Ｍ）を形成する一つの重要な
要素として電極（４）の表面に着目した。その表面上に
各種の金属又は非金属を付着させてそれらのガス感度特
性に及ぼす影響を詳細に試験した。その結果、電極表面
の状態が重要な因子であることが分かった。また、同一
の電極材料であってもその電極表面に同種又は異種の金
属を付着させることによって特定のガスに対する選択性
を得られることや、その選択性の程度を制御できること
が分った。尚本発明において付着とは電着、化学蒸着及
び熱分解による付着を包含する。

界面（Ｍ）を形成するもう１つの要素である金属酸化
物半導体層（１′）についてはそれを酸化錫、酸化イン
ジウムあるいは酸化亜鉛に置き換えた時に、白金電極表
面に白金やパラジウムを電着したものを例としてガス感
度特性に及ぼす影響を調べた。その結果金属酸化物半導
体層の種類、すなわち酸化錫、酸化インジウムあるいは
酸化亜鉛、によって著しく異なる影響を及ぼすことが分
った。特に、酸化錫の場合は影響が大きく、次に酸化亜
鉛、そして酸化インジウムの順に影響は減少した。これ
らの傾向は、ポテンシャル障壁層としての機能を有する
付着層に由来するものであり、電極と半導体層の界面
（Ｍ）に形成されたポテンシャル障壁の状態（例えばポ
テンシャルの高さ）やそれらの界面の化学的活性状態に
深く関係していると考えらえる。

以上の経緯により発明された本発明に係るガス検知素
子は、 白金、パラジウム、ロジウム、金、銀、銅、酸化ケイ素
のうちから選択された少なくとも１つの物質を有する付
着層を外面に形成した貴金属製電極、 前記貴金属製電極を覆って形成した酸化錫を主成分と
する半導体層、 を具備する。

［作用］ 本発明のガス検知素子は白金、パラジウム、ロジウ
ム、金、銀、銅又は酸化ケイ素等の物質を有する付着層
を外面に形成した貴金属製電極を半導体層で覆って形成
したことによって、各種の可燃性ガスについて水素やア
ルコール等の雑ガスに対する感度を抑え、燃料ガスに対
する選択性を与える。

［実施例］ 以下、特にガス感度特性に対して大きな影響を示した
酸化錫を金属酸化物半導体層として使用した場合に得ら
れた結果を具体的実施例として説明する。

（具体的実施例１） 第１図にこの発明のガス検知素子の第１の実施例を示
す。このガス検知素子（５）はコイル状の電極（４）の
回りに0.1原子％のアンチモンを添加した酸化錫を主成
分として半導体層（１）を直径約0.45mmの球状に形成し
ている。

上記のアンチモンを添加した酸化錫は塩化錫と少量の
塩化アンチモンの水溶液にアンモニア水を滴下し、加水
分解して生成される水酸化錫と水酸化アンチモンの混合
ゲルを電気炉で約600℃で焼成して酸化物として得られ
たものである。こうして得られたアンチモンを添加した
酸化錫を蒸留水に分散してペースト状にしたものによっ
てコイル状の電極（４）を直径約0.45mmφで覆って塗付
し、その後電極（４）に電流を流して約600℃で加熱焼
結することによって半導体層（１）を形成した。

又コイル状の電極（４）は市販の白金線（20μｍφ）
をコイル状に数回〜十数回巻回して電極（４）として形
成したものである。次に0.01mol/lの塩化白金酸（H₂PtC
l₆）水溶液中でこの電極（４）を陰極とし、白金線を陽
極として2.0Vの電圧を印加して電極（４）表面に白金を
電着させた。この白金の電着により一種の白金の付着層
が電極（４）の外面に形成される。この電着時間を０秒
から120秒まで種々に変化させて得られた複数の電極
（４）に上記の半導体層（１）を各々形成して複数のガ
ス検知素子を得た。

これらの複数のガス検知素子を第２図に示すブリッジ
回路に接続して清浄空気中、水素1vol％のガス中、及び
メタン0.1vol％のガス中において各々のガス検知素子出
力を測定した。本回路ではガス検知素子（５）と他の固
定抵抗（Ro），（R₁），（R₂）によってブリッジ回路を
構成して電源（ｅ）によって素子印加電圧Ｅを加え、ブ
リッジ電圧V_Bをガス検知素子出力として測定している。

以上の電気的諸因子の間の関係を式で表現すると次の
ようになる。清浄空気中のガス検知素子（５）の抵抗値
Rsaが測定対象ガス雰囲気中で抵抗値Rsgに変化した時、
それに対応して、ガス検知素子出力V_BはVaからVgに変化
する。その時のガス検知素子出力V_Bの変化分（ΔＶ）を
感度と呼び、次式（１）により定義する。

ΔＶ＝Vg−Va …（１） なお、ΔＶは素子印加電圧Ｅ、素子抵抗値Rsa、Rsgお
よび素子の負荷抵抗となる固定抵抗（Ro）の抵抗値Ro′
とにより次式で与えられる。

以上のような測定回路によって得られた結果を以下に
示す。第３図は、各々のガス検知素子の清浄空気中での
出力を白金電極表面への電着時間に対してプロットした
ものである。このようなデータを以後電着時間依存性を
示すデータという。ここで電着時間０秒の点は電着を行
なわない比較例のガス検知素子に対するデータである。
清浄空気中でのガス検知素子出力は電着時間の増加と共
に減少する。すなわち、素子抵抗が増加する。この増加
現象は、白金電極と酸化錫半導体との接触抵抗が増加す
ること、すなわちポテンシャル障壁の高さが増加するこ
と（ポテンシャル障壁が高くなったこと）によって生じ
たと考えられる。

第４図に燃料ガスの代表例としてのメタン（CH₄）
（0.1vol％）に対する感度（ΔＶ）及び妨害ガスの代表
例としての水素（H₂）（1.0vol％）に対する感度（Δ
Ｖ）の電着時間依存性を示す。水素感度は電着時間20秒
までに著しく低下し（約64％低下）、その後徐々に低下
していく。一方、メタン感度は、同様に電着時間20秒ま
でに31％低下し、以後は徐々に低下していく。この結果
を水素／メタン感度比（H₂（1.0vol％）／CH₄（0.1vol
％））の電着時間依存性を示す第５図に示す。

第５図は電着時間20秒の間に、ある一定量の白金が電
着されるまで感度比の値が低下し、以後ほぼ一定となっ
ていることを示している。つまり、ある一定量以上の白
金を電着させることによって感度比が向上することがわ
かった。

これらの現象から次のようなことが推定された。

（１）ガス検知素子の感度： 先に説明した電極と半導体層の界面に形成されるポテ
ンシャル障壁が白金の白金電極表面への電着により高く
なることや、この界面で起きる検知対象ガスとの化学反
応（主に、酸化錫半導体表面に存在する負電荷をもった
吸着酸素との酸化反応）及びその反応に伴うポテンシャ
ル障壁が低減されることによって検知対象ガスの感度が
支配されている。

（２）ガス検知素子の水素に対する選択的な感度の低
下： 白金が電着された白金電極表面では、素子の動作温度
付近で水素に対する酸化活性がメタンやイソブタンに対
するそれに比べて大きく低下している。このためメタン
との反応によって以上に説明したポテンシャル障壁を低
減させる程度は水素との反応によってポテンシャル障壁
を低減させる程度と比べて大きくなり、その結果水素に
対するメタンの選択性が大きくなっていると考えられ
る。

以上の実験において、白金電極表面への白金の電着量
をファラデーの法則によって求めた結果を第１表に示し
た。

この第１表及び第４図から白金を1.3×10^-6mol/cm²以
上白金電極表面上に電着することが必要であることが分
かった。

次に、第６図（ａ）及び第６図（ｂ）に各々比較例と
して白金電極に電着を行っていないガス検知素子（Ａ）
及び前述の白金を電着した白金電極（電着時間90秒）を
使用した本発明のガス検知素子（Ｂ）の濃度1000ppmの
各種のガス：メタン（CH₄）、イソブタン（ｉ−C
₄H₁₀）、水素（H₂）、一酸化炭素（CO）及びエチルアル
コール（C₂H₅OH）に対する感度（ΔＶ）の素子印加電圧
依存性を示す。

第６図（ａ）及び第６図（ｂ）を比較すれば分るよう
に、本発明のガス検知素子（Ｂ）は同じ素子印加電圧
（2.3V程度）において、イソブタン、メタン等の燃料ガ
スに対する相対感度を水素、一酸化炭素、エチルアルコ
ール等の雑ガスに対する相対感度の３〜４倍程度にさせ
ている。これに比べて比較例のガス検知素子（Ａ）は素
子印加電圧2.3V程度で燃料ガス（特にメタン）に対する
相対感度を雑ガス（特に水素）に対する相対感度と同程
度にさせているに過ぎない。すなわち本発明のガス検知
素子（Ｂ）は素子印加電圧Ｅを適当に選択することによ
って雑ガスに対する優れた燃料ガス選択性が得られる。

また、大量生産される民生用の都市ガス用警報器など
はコスト低減等の面から素子印加電圧の誤差が±１％程
度の簡単な構成の電源回路によって駆動されている。こ
れらの民生用の都市ガス用警報器では検出対象ガスであ
るイソブタンやメタンに対しては、実際のガスを使用し
て各々のガス検知素子毎に警報器としての警報設定を行
なうので以上の素子印加電圧の誤差は問題とならない。
一方雑ガスに対する感度が素子印加電圧の誤差によって
各々のガス検知素子毎に異なることは好ましくない。そ
のため雑ガスに対する感度の素子印加電圧依存性が小さ
いことが要求される。第６図（ｂ）に示した雑ガスに対
する感度の素子印加電圧依存性は第６図（ａ）に示した
比較例のそれに較べて小さくなっている。従ってガス検
知素子（Ｂ）はこの点においても民生用の都市ガス用警
報器のガス検知素子として有用である。

（具体的実施例２） 以上説明した具体的実施例１では白金電極に白金を電
着させて白金電極表面の活性を変化させて、各種ガスに
対するガス検知素子の感度を測定した。それに対してこ
の第２の具体的実施例では、白金電極に白金以外の金属
を電着し又は酸化ケイ素を化学蒸着により付着させて付
着層を構成した各ガス検知素子の燃料ガスに対する感度
を雑ガスに対する感度と比較した。このガス検知素子の
構造は前記具体的実施例１のガス検知素子（第１図参
照）と同様である。

ガス検知素子が使用される工業用のガス漏れ警報器の
場合、燃料ガスとしてイソブタンに対して数百ppm（例
えば100ppm）の警報濃度が設定されることが多い。ま
た、家庭用のガス漏れ警報器では、燃料ガスとしてメタ
ンに対して数千ppm（例えば4000ppm）の警報濃度が設定
されることが多い。そこでイソブタン100ppmと同等のガ
ス検知素子出力を得る時の雑ガスの例としての水素及び
エチルアルコールの濃度を第２表に、メタン4000ppmと
同等のガス検知素子出力を得る時の雑ガスの例としての
水素及びエチルアルコールの濃度を第３表に示した。

第２表によれば白金電極に白金（Pt），パラジウム
（Pd），金（Au）を電着させたガス検知素子が雑ガスに
対してイソブタンの十分な選択性を得られることが分
る。

第３表によれば白金電極に白金（Pt），パラジウム
（Pd），銀（Ag），ロジウム（Rh），銅（Cu）を電着さ
せたガス検知素子及び酸化ケイ素（SiO₂）を化学蒸着さ
せたガス検知素子が雑ガスに対してメタンの十分な選択
性を得られることが分る。

又、白金を電着させた白金電極に更にパラジウムを電
着させても上記第２表及び第３表の白金やパラジウムと
同様のデータが得られた。このことから上記の物質を２
種類以上同一の電極に電着させても各々の物質の効果と
ほぼ同等の効果が得られると考えられる。

尚、白金、パラジウム、金、ロジウム、銅、銀の電着
条件及び酸化ケイ素の化学蒸着の条件を以下にまとめて
示す。

白金:0.01mol/lのH₂PtCl₆水溶液中で電解電圧2.0Vの条
件で90秒間白金を白金電極に電着した。

パラジウム:0.01mol/lのPdCl₂水溶液中で電解電圧2.0V
の条件で60秒間パラジウムを白金電極に電着した。

金:0.01mol/lのHAuCl₄水溶液中で電解電圧2.0Vの条件で
60秒間金を白金電極に電着した。

ロジウム:0.01mol/lのRhCl₃水溶液中で電解電圧2.0Vの
条件で60秒間ロジウムを白金電極に電着した。

銅:0.03mol/lのCuSO₄水溶液中で電解電圧2.0Vの条件で9
0秒間銅を白金電極に電着した。

銀:0.01mol/lのAgNO₃水溶液中で電解電圧2.0Vの条件で9
0秒間銀を白金電極に電着した。

酸化ケイ素：ヘキサメチルジシロキサン｛(CH₃)₃OSiO(C
H₃)₃)｝の室温での飽和蒸気濃度（例えば20℃、4.2vol
％）雰囲気において白金電極を約60分間約500℃に加熱
して酸化ケイ素を白金電極に化学蒸着した。

（具体的実施例３） 以上説明した２つの具体的実施例中では白金線を利用
した白金電極上に金属等を付着させた場合のガス検知素
子の感度の変化を試験した。次に白金線以外の貴金属製
の金属線として白金ロジウム合金線（20μｍφ）（以後
Pt−Rh線と略す）に白金を電着させて電極として使用し
た場合の各種のガスに対するガス検知素子の感度を測定
した。このガス検知素子も前述の具体的実施例１のガス
検知素子（第１図参照）と同様に構成されたものであ
る。

なおPt−Rh線への白金の電着は、0.01mol/lのH₂PtCl₆
水溶液中で電解電圧2.0Vの条件で90秒間白金をPt−Rh線
に電着することによって行なった。

第７図（ａ）は白金を電着させていない未処理のPt−
Rh線電極を使用した比較例のガス検知素子（Ｃ）の濃度
1000ppm各種のガスに対する感度（ΔＶ）の素子印加電
圧依存性を示す。第７図（ｂ）は白金を電着させたPt−
Rh線電極を有する本発明のガス検知素子（Ｄ）の濃度10
00ppmの各種のガスに対する感度（ΔＶ）の素子印加電
圧依存性を示す。第７図（ｂ）と第７図（ａ）を比較す
ると、白金を電着させることによって、水素、エチルア
ルコール及び一酸化炭素等の雑ガスに対するガス検知素
子出力がメタン及びイソブタンに対するそれに比べて大
きく低下してることが分る。すなわち本発明のガス検知
素子（Ｄ）は雑ガスに対する優れた燃料ガス選択性が得
られる。

また、水素やエチルアルコールに対する感度の素子印
加電圧依存性も印加電圧2.2〜2.6Vの範囲で小さいの
で、先に述べた具体的実施例１のガス検知素子（Ｂ）と
同様にガス検知素子（Ｄ）も民生用の都市ガス用警報器
のガス検知素子として望ましい特性を示している。

前記具体的実施例２と同様にイソブタン100ppmと同等
のガス検知素子出力を得る時の雑ガスの例としての水素
及びエチルアルコールの濃度を第４表に、メタン4000pp
mと同等のガス検知素子出力を得る時の雑ガスの例とし
ての水素及びエチルアルコールの濃度を第５表に示し
た。

第４表によればPt−Rh線電極に白金を電着させたガス
検知素子が白金を電着していないガス検知素子に比べて
雑ガスに対するイソブタンの選択性を約２倍程度向上さ
せていることが分る。

第５表によればPt−Rh線電極に白金を電着させたガス
検知素子が白金を電着していないガス検知素子に比べて
雑ガスに対するメタンの選択性も約２倍程度向上させて
いることが分る。

尚Pt−Rh線は抵抗温度係数が白金に較べて小さく機械
的強度も優れているので電極材料として白金よりも好ま
しい。

（具体的実施例４） 次に、貴金属製電極への金属の付着方法として今まで
に述べた電着法の代りに熱分解法を使用することを試験
した。この方法は、一定の濃度の金属塩の溶液（水溶液
や非水溶液）を加熱された電極上に滴下しながら熱分解
により金属又は金属酸化物を電極上に付着させる方法で
ある。ただしこの方法は付着物質の前駆体である金属塩
（錯塩）が溶液状である金属種にしか適用できない。

本試験では、白金電極表面に白金（Pt），パラジウム
（Pd），金（Au），銀（Ag），ロジウム（Rh）及びイリ
ジウム（Ir）の熱分解による付着を試みた。各々の金属
塩としてH₂PtCl₆，PdCl₂，HAuCl₄，AgNO₃，RhCl₃及びIr
Cl₃の0.01mol/lの濃度の水溶液を使用した。熱分解法の
工程を以下に簡単に記す。

（１）電極を600℃に加熱し、各金属塩の水溶液を電極
上に滴下する。

（２）水が蒸発し、各金属塩が電極上に微結晶として析
出する。

（３）引き続き600℃で加熱し、その析出物が熱分解さ
れ電極表面に付着する。

このようにして得られた電極上に、前記具体的実施例
１と同様にして、酸化錫半導体層を形成してガス検知素
子とした。各々のガス検知素子について、前記具体的実
施例２と同様に種々のガスに対する感度を測定した。そ
れらの結果を同様にイソブタン100ppmと同等のガス検知
素子出力を得る時の雑ガスの例としての水素及びエチル
アルコールの濃度を第６表に、メタン4000ppmと同等の
ガス検知素子出力を得る時の雑ガスの例としての水素及
びエチルアルコールの濃度を第７表に示した。

第６表によれば、白金電極に白金、パラジウム、金を
熱分解による付着させたガス検知素子が雑ガスに対して
イソブタンの十分な選択性を得られることが分った。

第７表によれば、白金電極に白金、パラジウム、金、
銀、ロジウムを熱分解により付着させたガス検知素子が
雑ガスに対してメタンの十分な選択性を得られることが
分った。

（具体的実施例１〜４のまとめ） 以上の具体的実施例１〜４の結果をまとめると、 1.半導体式のガス検知素子において酸化錫半導体と電極
間の界面において、電極表面に同種又は異種の金属等を
電着等の方法により付着させることによって素子のガス
感度特性を制御し得ることが分った。

2.電極表面に付着する物質の種類によって素子のガス感
度特性を調整しメタンやイソブタン等の燃料ガスを検知
する際に干渉する水素やアルコール等の雑ガスに対する
感度を選択的に低下させることが分った。

（具体的実施例５及び６） 半導体式のガス検知素子の構造は従来から種々のもの
が知られている。金属酸化物半導体と電極との界面はい
ずれの構造の素子においても共通して存在している。

具体的実施例５及び６として夫々例えば第８図及び第
９図に示す基板型の半導体式のガス検知素子において、
上記の具体的実施例１と同様の試験を行った。アルミナ
基板（13）上の白金電極（4a）又は（4a）（4b）を蒸着
法又は印刷手段によって形成した後に白金電極（4a）又
は（4a）（4b）上に上記具体的実施例１と同様に白金を
電着させてその上に酸化錫半導体層（１）を形成した。
電着にあたってはアルミナ基板（13）には電圧が印加さ
れないので白金がそのアルミナ基板上に電着されること
はない。なお第９図に示した基板型の半導体式ガス検知
素子（5b）はアルミナ基板（13）の裏面に加熱用のヒー
タ（６）を別に形成している。

このようにして得られた具体的実施例５及び６の基板
型の半導体式ガス検知素子（5a）（5b）において種々の
ガス（メタン、イソブタン、水素等）に対する感度の素
子印加電圧依存性（ガス検知素子（5b）の場合は素子温
度依存性）を測定した。その結果、前述の具体的実施例
１の第６図（ｂ）とほぼ同様のデータを得られた。した
がって、金属酸化物半導体と電極の界面を有する構造の
素子であれば、電極表面に物質を電着、熱分解等の処理
によって付着する処理によってガス検知素子のガス感度
特性を制御することが可能と考えられる。

［発明の効果］ 本発明のガス検知素子は白金、パラジウム、ロジウ
ム、銀、銅又は酸化ケイ素等を有する付着層を形成した
貴金属電極を覆って酸化錫を主成分とする半導体層を形
成しているので、フィルター層等を必要とせず、このた
め構成が非常に単純となった。更に以上のようにガス検
知素子を構成することによって各種可燃性ガス等に対す
るガス感度が変化する。それによって、水素やアルコー
ル等の雑ガスに対する感度を選択的に低下させ、メタ
ン、プロパン等の燃料ガスに対する感度を相対的に向上
させる。さらに上記のように低下させられた雑ガスに対
する感度の素子印加電圧依存性も小さい。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の第１の実施例のガス検知素子を示す斜
視図、第２図はガス検知素子出力を測定するブリッジ回
路の原理図、第３図は清浄空気中でのガス検知素子出力
の電着時間依存性を示す図、第４図はガス検知素子のメ
タン及び水素に対する感度の電着時間依存性を示す図、
第５図はガス検知素子の水素／メタン感度比の電着時間
依存性を示す図、第６図（ａ）は比較例のガス検知素子
（Ａ）の濃度1000ppmの各種のガスに対する感度の素子
印加電圧依存性を示す図、第６図（ｂ）は本発明のガス
検知素子（Ｂ）の濃度1000ppmの各種のガスに対する感
度の素子印加電圧依存性を示す図、第７図（ａ）はPt−
Rh線電極を使用した比較例のガス検知素子（Ｃ）の濃度
1000ppmの各種のガスに対する感度の素子印加電圧依存
性を示す図、第７図（ｂ）は白金を電着させたPt−Rh線
電極を使用した本発明のガス検知素子（Ｄ）の濃度1000
ppmの各種のガスに対する素子印加電圧依存性を示す
図、第８図は基板型の半導体式ガス検知素子の構成を示
す一部断面斜視図、第９図は他の基板型の半導体式ガス
検知素子の構成を示す一部断面斜視図、第10図は従来の
ガス検知素子を示す斜視図である。 図中、（１）は半導体層、（４）は電極、（５）はガス
検知素子である。

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】白金、パラジウム、ロジウム、金、銀、銅
   の金属及び酸化ケイ素のうちから選択された少なくとも
   １つの物質を有する付着層を外面に形成した貴金属製電
   極、 前記貴金属製電極を覆って形成した酸化錫を主成分とす
   る半導体層、 を具備するガス検知素子、
2. 【請求項２】前記付着層が前記金属のうちから選択され
   た少なくとも１つの金属を電着することによって形成さ
   れたことを特徴とする請求項（１）記載のガス検知素
   子。
3. 【請求項３】前記付着層が酸化ケイ素を化学蒸着するこ
   とによって形成されたことを特徴とする請求項（１）記
   載のガス検知素子。
4. 【請求項４】前記付着層を前記金属のうちから選択され
   た少なくとも１つの金属の化合物の熱分解によって付着
   させて形成したことを特徴とする請求項（１）記載のガ
   ス検知素子。