JP2701766B2 - 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置 - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置Info
- Publication number
- JP2701766B2 JP2701766B2 JP7031405A JP3140595A JP2701766B2 JP 2701766 B2 JP2701766 B2 JP 2701766B2 JP 7031405 A JP7031405 A JP 7031405A JP 3140595 A JP3140595 A JP 3140595A JP 2701766 B2 JP2701766 B2 JP 2701766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- cull
- runner
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 102
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 102
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
レ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置に関し、特に行列
配置されたパッケ−ジ構成部を有するリ−ドフレ−ム及
び該リ−ドフレ−ムを用いたモ−ルド装置に関する。
を有するリ−ドフレ−ム及びこのリ−ドフレ−ムを用い
て樹脂封止する従来法について、図9〜図13を参照し
て説明する。なお、図9は、従来の行列配置されたパッ
ケ−ジ構成部を有するリ−ドフレ−ムの1例を示す平面
図であり、図10及び図11は、図9のリ−ドフレ−ム
を用いて樹脂封止する従来の1例及び他の例を示す樹脂
封入金型の平面図である。また、図12は、図11の封
入金型による従来の樹脂充填例を説明する図であり、図
13は、多プランジャ方式による従来の樹脂充填例を説
明する図である。
うに、行列配置されたパッケ−ジ構成部54を有する。な
お、図中の51aは、位置決め用孔である。そして、各パ
ッケ−ジ構成部54に対し樹脂封止する際、従来法では、
図10又は図11(図12)に示すような封入金型55,65
を用い、トランスファモ−ルド方式にて樹脂封止を行っ
ている。即ち、ポット部(図示せず)より吐出された樹脂
(図12では67で示している)は、カル部52,62からラン
ナ−部53,63を介して各キャビティ56,66に供給する。
多プランジャ方式も採用されており、これにおいても樹
脂封入金型75を用い、ポット部(図示せず)より吐出され
た樹脂77は、カル部72からランナ−部73を介して各キャ
ビティ76に供給する。
ような行列配置されたパッケ−ジ構成部54を有するリ−
ドフレ−ム51を用い、図10又は図11に示す従来の封
入金型55,65で樹脂封止する場合、カル部52,62から各
キャビティ56,66までの距離が異なるため、樹脂充填の
状態が各キャビティ56,66の位置毎に、換言すれば各パ
ッケ−ジ構成部54の位置毎に相違するという重大な欠点
を有している。
ばa1b1のキャビティ66とa2b6のキャビティ66とで
は、前者は樹脂67が完全に充填されるけれども、後者は
充填されないことになり、このように各キャビティ66
は、それぞれカル部62からの距離が異なるため、図12
に示すように、各キャビティ66(パッケ−ジ構成部54)の
位置によって樹脂67の充填状態に差が生じるという欠点
を有している。
脂充填の場合も、図13に示すように、各キャビティ76
(各パッケ−ジ構成部54)の位置により樹脂充填の状態が
異なるという同様な欠点が生じる。
たパッケ−ジ構成部54を有するリ−ドフレ−ム51を用い
たトランスファモ−ルド方式及び多プランジャ方式」で
は、図12及び図13に示すように、いずれもカル部6
2,72やランナ−部63,73に樹脂67,77が多量残存す
る。この残存樹脂は、パッケ−ジ構成部54とは関係な
く、最終的には廃棄されるものであるから、樹脂のパッ
ケ−ジ構成部54に対する使用効率が非常に悪く、コスト
高になるという問題も有している。
要なカル部及びランナ−部を設置できるスペ−スを有し
ていないこと、さらには、 (2) 樹脂封止設備上の機構が考案されていなかったこ
と、に起因するものである。
4に示すリ−ドフレ−ム81が開示されている。これは、
前述した従来の「行列配置されたパッケ−ジ構成部を有
するリ−ドフレ−ム」と同様なものであって、位置決め
用孔81a、リ−ド82、被ペレットマウント部83、タイパ
−84より構成されている。このリ−ドフレ−ム81を用い
た樹脂封止においても、カル部及びランナ−部に残存す
る樹脂量が多く、樹脂使用効率が非常に悪いものであ
り、しかも各パッケ−ジ構成部の位置により樹脂の充填
状態が大きく異なるという前述の問題点、欠点を有して
いる。
充填の均一化を図るため、図15に示すような封入金型
95が開示されている。これは、フレ−ム部を環型にした
リ−ドフレ−ムを用いるものであって、モ−ルド用樹脂
を装填するカル部92を中央に設け、これから放射状に延
びるランナ−部93から円周上に配置されたキャビティ96
が形成された金型95から構成されている。
止方法では、前記特開昭57−187945号公報に開示されて
いるものよりもランナ−部93の廃棄樹脂量は削減される
ものの、カル部92を中央に一箇所配設するものであるた
め、このカル部92を大きくする必要があり、その結果、
該カル部92に残存する樹脂(廃棄樹脂)が多くなり、この
方法においても樹脂利用効率が低い欠点を有している。
−ドフレ−ムを用いるものであり、特にこの形態のリ−
ドフレ−ムでは、パッケ−ジ構成部に寄与しない余剰部
分が多く含まれており、その結果、リ−ドフレ−ムの利
用効率が低く、コスト高になるという重大な欠点を有し
ている。
たものであって、その目的とするところは、 ・第1に、従来の“リ−ドフレ−ムの低利用効率の欠
点”を改善し、パッケ−ジ構成部に寄与しない部分を最
小限とする半導体装置用リ−ドフレ−ムを提供すること
にある。 ・第2に、従来の“樹脂充填の状態が各パッケ−ジ構成
部(各キャビティ)の位置毎に相違する欠点”を改善し、
樹脂封止条件を均一に制御できる半導体装置用リ−ドフ
レ−ム及びモ−ルド装置を提供することにある。
点”を改善し、カル部及びランナ−部に残存する樹脂
(廃棄樹脂)を最小量とする半導体装置用リ−ドフレ−ム
及びモ−ルド装置を提供することにある。 ・第4に、以上の第1〜第3の目的を達成することによ
り、半導体装置用リ−ドフレ−ム及び樹脂の各材料費の
低減をはかり、製品の低コスト化が可能な半導体装置用
リ−ドフレ−ム及びモ−ルド装置を提供することにあ
る。
4の目的とする半導体装置用リ−ドフレ−ム及びモ−ル
ド装置を提供するため、次の点を特徴(要旨)とするもの
である。 即ち、本発明に係る半導体装置用リ−ドフレ−
ムは、「行列配置されたパッケ−ジ構成部を有するもの
において、近接する各パッケ−ジ構成部間に樹脂封止時
の樹脂材を注入するカル部及びランナ−部を配置するた
めのスペ−スを設け、各スペ−スは、カル部からパッケ
−ジ構成部までの距離を各々等しく、かつ最短となるよ
うに最密充填的にレイアウトし、更に該スペ−ス部分に
前記カル部及びランナ−部と同形状のスリットを設けた
ことを特徴とする半導体装置用リ−ドフレ−ム。」(請
求項1)を要旨とする。
記リ−ドフレ−ムを用い、半導体装置を一括樹脂封止す
るための金型を有するモ−ルド装置であって、近接する
各半導体装置間に樹脂封止時の樹脂材を注入するための
カル部及びランナ−部を最密充填的にレイアウトし、し
かもカル部から半導体装置までの距離を各々等しく、か
つ最短となるように配置し、更に前記カル部及びランナ
−部と同形状のスリット部に樹脂を充填するようにした
ことを特徴とするモ−ルド装置。」(請求項2)を要旨と
する。
およびモ−ルド装置では、特に、カル部及びランナ−部
と同形状のスリットを設けたこと、および、該スリット
部に樹脂を充填するようにしたことを特徴とし、これに
より、樹脂封止後、このカル部及びランナ−部の樹脂を
除去することが容易となり、後工程でのカル部及びラン
ナ−部の樹脂を除去する工程が不要となる利点を有す
る。 また、廃棄樹脂量の低減及びリ−ドフレ−ム材料費
の低減を大幅に行うことができ、製品の低コスト化に大
きな効果が得られる。
−ム及びこれを用いたモ−ルド装置並びに樹脂充填の各
実施例を図面に基づいて詳細に説明するが、それに先だ
って、参考例としての半導体装置用リ−ドフレ−ム及び
これを用いたモ−ルド装置並びに樹脂充填の各例につい
て説明する。
であり、図2は、図1のリ−ドフレ−ムを用いた樹脂封
入金型の平面図である。また、図3は、図2の封入金型
を用いた樹脂充填例を示す図である。
1に示すように、縦2列、横6列に行列配置したパッケ
−ジ構成部14、この各パッケ−ジ構成部14間にカル部及
びランナ−部配置スペ−ス18を有する構造からなり、し
かもこのスペ−ス18は、カル部からパッケ−ジ構成部ま
での距離を各々等しく、かつ最短となるように最密充填
的に、即ち最小限のスペ−スとなるようにレイアウトさ
れている。なお、図1中の11aは、位置決め用孔であ
る。このリ−ドフレ−ム11を用いた封入金型15は、図2
に示すように、リ−ドフレ−ム11のパッケ−ジ構成部14
に対応するキャビティ16、該キャビティ16に樹脂を注入
するための前記スペ−ス18に対応するカル部12及びラン
ナ−部13を備えている。
ンジャ方式により樹脂を充填する例を図3に基づいて説
明すると、キャビティ16(パッケ−ジ構成部14)に注入す
るためのカル部12及びランナ−部13を備えた封止金型15
に、カル部12からランナ−部13を通して樹脂17をキャビ
ティ16に注入する。
−ジ構成部14に注入するためのカル部12及びランナ−部
13を配置できるようなスペ−ス(カル部及びランナ−部
配置スペ−ス18)をリ−ドフレ−ム11に最密充填的に設
たものである(図1参照)。そして、図2及び図3に示す
ようなレイアウトの封入金型15を有する装置を用いて、
パッケ−ジ構成部14に樹脂17をカル部12からランナ−部
13を通してパッケ−ジ構成部14へ注入することにより、
各パッケ−ジ構成部14へ樹脂17を均一条件にて注入する
ことが可能となる(図3参照)。
填された樹脂17は、最終的には不要樹脂として廃棄され
るのみであり、コスト高となる原因となっていた。参考
例1では、そのカル部12及びランナ−部13の容積を極少
化することが可能となり、その結果、廃棄樹脂量を少な
くすることができ、低コスト化を実現できる利点を有す
る。
も、前掲の図9に示すようなタイプの従来リ−ドフレ−
ム51と比べて、カル部及びランナ−部のレイアウトに必
要な面積分を削減することができるため、大幅に小さく
することができ、かつ、リ−ドフレ−ム材料費の低コス
ト化に大きく寄与するリ−ドフレ−ムを提供することが
できる。
図であり、図5は、図4のリ−ドフレ−ムを用いた樹脂
封止金型の平面図を示す。また、図6は、図5の封入金
型を用いた樹脂充填例を示す図である。
4に示すように、縦3列、横6列に行列配置したパッケ
−ジ構成部24、該パッケ−ジ構成部24間にカル部及びラ
ンナ−部配置スペ−ス28を有する構造からなり、しかも
このスペ−ス28は、カル部からパッケ−ジ構成部までの
距離を各々等しく、かつ最短となるように最密充填的
に、即ち最小限のスペ−スとなるようにレイアウトされ
ている。なお、図4中の21aは、位置決め用孔である。
様、樹脂をパッケ−ジ構成部24に注入するためのカル部
及びランナ−部を配置できるようなスペ−ス(カル部及
びランナ−部配置スペ−ス28)をリ−ドフレ−ム21に設
け(図4参照)、図5及び図6に示すようなレイアウトの
封入金型25を有する装置を用いて、キャビティ26(パッ
ケ−ジ構成部24)に樹脂27をカル部22からランナ−部23
を通してパッケ−ジ構成部24へ注入することにより、各
パッケ−ジ構成部24へ樹脂27を均一条件にて注入するこ
とが可能となる(図6参照)。
及びランナ−部23の容積を極少化することが可能とな
り、その結果、廃棄樹脂量を少なくすることができ、低
コスト化を実現できる利点を有し、さらに、リ−ドフレ
−ム21の面積についても小さくすることができ、リ−ド
フレ−ム材料費の低コスト化に大きく寄与するリ−ドフ
レ−ムを提供することができる。
れを用いたモ−ルド装置並びに樹脂充填の各実施例を図
面に基づいて詳細に説明する。 図7は、本発明に係る半
導体装置用リ−ドフレ−ムの1例(実施例1)を示す平面
図である。
7に示すように、縦2列、横6列に行列配置したパッケ
−ジ構成部34、この各パッケ−ジ構成部34間にカル部及
びランナ−部配置スペ−ス38を有し、このスペ−ス38
は、カル部32からパッケ−ジ構成部34までの距離を各々
等しく、かつ最短となるように最密充填的に、即ち最小
限のスペ−スとなるようにレイアウトされており、更に
該スペ−ス38部分に前記カル部32及びランナ−部33と同
形状のスリット39を設けた構造からなる。なお、図7中
の31aは、位置決め用孔である。
同様な方法で樹脂封止を行うが、特に本実施例1では、
カル部32及びランナ−部33と同形状のスリット39を開け
ておくことで、樹脂封止後、このカル部32及びランナ−
部33の樹脂を除去することが容易となり、後工程でのカ
ル部32及びランナ−部33の樹脂を除去する工程が不要と
なる利点を有する。また、廃棄樹脂量の低減及びリ−ド
フレ−ム材料費の低減を大幅に行うことができ、製品の
低コスト化に大きな効果が得られる。
の例(実施例2)を示す平面図である。
8に示すように、縦3列、横6列に行列配置したパッケ
−ジ構成部44、この各パッケ−ジ構成部44間にカル部及
びランナ−部配置スペ−ス48を有し、このスペ−ス48
は、カル部42からパッケ−ジ構成部44までの距離を各々
等しく、かつ最短となるように最密充填的に、即ち最小
限のスペ−スとなるようにレイアウトされており、更に
該スペ−ス48部分に前記カル部42及びランナ−部43と同
形状のスリット49を設けた構造からなる。なお、図8中
の41aは、位置決め用孔である。
同様、カル部42及びランナ−部43と同形状のスリット49
を開けておくことで、樹脂封止後、カル部42及びランナ
−部43の樹脂を除去することが容易となり、後工程での
カル部42及びランナ−部43の樹脂を除去する工程が不要
となる利点を有する。また、廃棄樹脂量の低減及びリ−
ドフレ−ム材料費の低減を大幅に行うことができ、製品
の低コスト化に大きな効果が得られる。
体装置用リ−ドフレ−ムは、行列配置されたパッケ−ジ
構成部を有するものにおいて、 ・近接する各パッケ−ジ構成部間に樹脂封止時の樹脂材
を注入するカル部及びランナ−部を配置するためのスペ
−スを設け、各スペ−スは、カル部からパッケ−ジ構成
部までの距離を各々等しく、かつ最短となるように最密
充填的にレイアウトし、更に該スペ−ス部分に前記カル
部及びランナ−部と同形状のスリットを設けた、ことを
特徴とし、また、本発明に係るモ−ルド装置は、マルチ
プランジャタイプの樹脂封止装置において、 ・上述の半導体装置用リ−ドフレ−ムを用い、複数箇所
のカル部と同形状のスリット部に樹脂材を注入すること
を特徴とする。
フレ−ム及びモ−ルド装置は、前記した特徴点により、
各パッケ−ジ構成部の樹脂封止条件を均一にコントロ−
ルできる効果が生じ、樹脂封止時の製造工程能力、歩留
向上、さらにはパッケ−ジ製造価格の低コスト化に大き
な効果を得ることができる。
大幅に削減し、有効利用できるため、廃棄樹脂量の低減
を可能とし、樹脂材料費の低減に大きな効果を得ること
ができる。また、リ−ドフレ−ム面積についてもムダが
少なく、リ−ドフレ−ム材料費についても大きな効果を
得ることができ、製品製造単価の大幅削減に貢献でき
る。特に、カル部及びランナ−部と同形状のスリットを
設けたこと、および、該スリット部に樹脂を充填するよ
うにしたことで、樹脂封止後、このカル部及びランナ−
部の樹脂を除去することが容易となり、後工程でのカル
部及びランナ−部の樹脂を除去する工程が不要となり、
また、廃棄樹脂量の低減及びリ−ドフレ−ム材料費の低
減を大幅に行うことができ、製品の低コスト化に大きな
効果が得られる。
−ドフレ−ムの平面図。
平面図。
リ−ドフレ−ムの平面図。
平面図。
例1)を示すリ−ドフレ−ムの平面図。
施例2)を示すリ−ドフレ−ムの平面図。
るリ−ドフレ−ムの1例を示す平面図。
従来の1例を示す樹脂封入金型の平面図。
従来の他の例を示す樹脂封入金型の平面図。
説明する図。
説明する図。
−187945号公報参照)の平面図。
3号公報参照)の平面図。
Claims (2)
- 【請求項1】 行列配置されたパッケ−ジ構成部を有す
る半導体装置用リ−ドフレ−ムにおいて、近接する各パ
ッケ−ジ構成部間に樹脂封止時の樹脂材を注入するカル
部及びランナ−部を配置するためのスペ−スを設け、各
スペ−スは、カル部からパッケ−ジ構成部までの距離を
各々等しく、かつ最短となるように最密充填的にレイア
ウトし、更に該スペ−ス部分に前記カル部及びランナ−
部と同形状のスリットを設けたことを特徴とする半導体
装置用リ−ドフレ−ム。 - 【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置用リ−ドフ
レ−ムを用い、半導体装置を一括樹脂封止するための金
型を有するモ−ルド装置であって、近接する各半導体装
置間に樹脂封止時の樹脂材を注入するためのカル部及び
ランナ−部を最密充填的にレイアウトし、しかもカル部
から半導体装置までの距離を各々等しく、かつ最短とな
るように配置し、更に前記カル部及びランナ−部と同形
状のスリット部に樹脂を充填するようにしたことを特徴
とするモ−ルド装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7031405A JP2701766B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置 |
US08/591,361 US5741530A (en) | 1995-01-27 | 1996-01-25 | Molding die used for sealing semiconductor chips with good productivity and lead-frame used for mounting semiconductor chips |
KR1019960001703A KR100223075B1 (ko) | 1995-01-27 | 1996-01-26 | 생산성이 양호한 반도체 칩을 밀봉하기 위하여 사용되는 몰딩다이와 반도체 칩을 장착하기 위하여사용되는 리드 프레임 |
CN96104357A CN1079991C (zh) | 1995-01-27 | 1996-01-27 | 用于安装半导体芯片的引线框架 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7031405A JP2701766B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08213416A JPH08213416A (ja) | 1996-08-20 |
JP2701766B2 true JP2701766B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=12330355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7031405A Expired - Lifetime JP2701766B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5741530A (ja) |
JP (1) | JP2701766B2 (ja) |
KR (1) | KR100223075B1 (ja) |
CN (1) | CN1079991C (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100224649B1 (ko) * | 1997-03-25 | 1999-10-15 | 윤종용 | 방사형 런너를 갖는 반도체 성형 금형 |
US6173490B1 (en) * | 1997-08-20 | 2001-01-16 | National Semiconductor Corporation | Method for forming a panel of packaged integrated circuits |
KR100401147B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-10-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 부재와 이것을 이용한 반도체패키지 제조방법 |
US7731766B2 (en) * | 2004-03-15 | 2010-06-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Molding a battery |
US7927087B2 (en) * | 2005-02-07 | 2011-04-19 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Method and apparatus for molding with reduced cull formation |
US7597275B2 (en) * | 2005-07-25 | 2009-10-06 | Isothermal Systems Research, Inc. | Methods and apparatus for atomization of a liquid |
JP4882570B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2012-02-22 | パナソニック株式会社 | モジュールの製造方法と、それにより製造したモジュール |
US7927923B2 (en) | 2006-09-25 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for directing molding compound flow and resulting semiconductor device packages |
US8058098B2 (en) * | 2007-03-12 | 2011-11-15 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for fabricating a plurality of semiconductor devices |
CN102054716B (zh) * | 2010-10-26 | 2013-03-27 | 日月光封装测试(上海)有限公司 | 导线架条的封胶方法与封胶结构 |
CN106182581A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-12-07 | 胡小庆 | 一种电子芯片的制备方法及电子芯片 |
CN109990093A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 台达电子工业股份有限公司 | 防水垫圈结构及其垫圈成型模具 |
CN109927219A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-06-25 | 四川汇宇生物技术有限公司 | 一种温控明胶加工设备 |
US11621181B2 (en) * | 2020-05-05 | 2023-04-04 | Asmpt Singapore Pte. Ltd. | Dual-sided molding for encapsulating electronic devices |
CN115050720B (zh) * | 2022-08-15 | 2023-01-06 | 华羿微电子股份有限公司 | 一种顶部散热功率器件引线框架 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57187945A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-18 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS61276333A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法とこれに用いる樹脂モ−ルド装置 |
US5123826A (en) * | 1990-02-13 | 1992-06-23 | Motorola, Inc. | Molding pot having configured bottom |
JPH04147814A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-21 | Daiichi Seiko Kk | 樹脂封入成形用金型 |
JP2564707B2 (ja) * | 1991-01-09 | 1996-12-18 | ローム株式会社 | 電子部品用リードフレームにおけるモールド部のマルチ式成形方法及び成形装置 |
GB2252746B (en) * | 1991-01-17 | 1995-07-12 | Towa Corp | A method of molding resin to seal an electronic part on a lead frame and apparatus therefor |
NL193526C (nl) * | 1991-02-26 | 2000-01-04 | Boschman Tech Bv | Inrichting voor het omhullen van elektronische onderdelen met een kunststof. |
JPH06106567A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-19 | Sanyo Silicon Denshi Kk | 樹脂封止用成形装置 |
JPH07135230A (ja) * | 1993-11-09 | 1995-05-23 | Hitachi Ltd | 電子装置の樹脂封止方法およびそれに用いるリードフレーム |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP7031405A patent/JP2701766B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-25 US US08/591,361 patent/US5741530A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-26 KR KR1019960001703A patent/KR100223075B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-01-27 CN CN96104357A patent/CN1079991C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1079991C (zh) | 2002-02-27 |
KR960030388A (ko) | 1996-08-17 |
US5741530A (en) | 1998-04-21 |
JPH08213416A (ja) | 1996-08-20 |
CN1138212A (zh) | 1996-12-18 |
KR100223075B1 (ko) | 1999-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2701766B2 (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置 | |
KR100306503B1 (ko) | 패키징된집적회로의패널을형성하는방법및장치 | |
EP0589569B1 (en) | Lead frame with slots and a method for molding integrated circuit packages | |
WO1996013054A2 (en) | Integrated circuit package and method of making the same | |
US5853771A (en) | Molding die set and mold package | |
US20040158978A1 (en) | Molding method and mold for encapsulating both sides of PCB module with wafer level package mounted PCB | |
JPH0124612B2 (ja) | ||
JP4202632B2 (ja) | 一括封止型半導体パッケージの樹脂封止構造およびその製造装置 | |
JPH07135230A (ja) | 電子装置の樹脂封止方法およびそれに用いるリードフレーム | |
US6856006B2 (en) | Encapsulation method and leadframe for leadless semiconductor packages | |
JP3616469B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3092568B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置製造金型 | |
JPH11274191A (ja) | 半導体素子の樹脂封止装置 | |
JP3540185B2 (ja) | 樹脂封止用金型 | |
JP2000012581A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
EP0489349A1 (en) | Molding process for plastic IC packages | |
JP2742638B2 (ja) | 半導体装置用の樹脂封止金型 | |
JPH04293243A (ja) | 樹脂封止用金型装置とゲートの切断方法 | |
JPH09181105A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
JP3106946B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその金型 | |
JP2828749B2 (ja) | リードフレーム | |
JPH0621115A (ja) | ベアチップicの実装方法 | |
JPH06151493A (ja) | テープキャリアパッケージのモールド方法とそれに用いる搬送キャリア | |
JPH0714866A (ja) | 半導体樹脂封止装置 | |
JP2000058573A (ja) | 樹脂封止金型および樹脂封止方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003 Year of fee payment: 13 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003 Year of fee payment: 13 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 16 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |