JP2701766B2 - 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置 - Google Patents

半導体装置用リ−ドフレ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置

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JP2701766B2 JP7031405A JP3140595A JP2701766B2 JP 2701766 B2 JP2701766 B2 JP 2701766B2 JP 7031405 A JP7031405 A JP 7031405A JP 3140595 A JP3140595 A JP 3140595A JP 2701766 B2 JP2701766 B2 JP 2701766B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リ−ドフ
レ−ム及びこれを用いるモ−ルド装置に関し、特に行列
配置されたパッケ−ジ構成部を有するリ−ドフレ−ム及
び該リ−ドフレ−ムを用いたモ−ルド装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の行列配置されたパッケ−ジ構成部
を有するリ−ドフレ−ム及びこのリ−ドフレ−ムを用い
て樹脂封止する従来法について、図9〜図13を参照し
て説明する。なお、図9は、従来の行列配置されたパッ
ケ−ジ構成部を有するリ−ドフレ−ムの1例を示す平面
図であり、図10及び図11は、図9のリ−ドフレ−ム
を用いて樹脂封止する従来の1例及び他の例を示す樹脂
封入金型の平面図である。また、図12は、図11の封
入金型による従来の樹脂充填例を説明する図であり、図
13は、多プランジャ方式による従来の樹脂充填例を説
明する図である。
【0003】従来のリ−ドフレ−ム51は、図9に示すよ
うに、行列配置されたパッケ−ジ構成部54を有する。な
お、図中の51aは、位置決め用孔である。そして、各パ
ッケ−ジ構成部54に対し樹脂封止する際、従来法では、
図10又は図11(図12)に示すような封入金型55,65
を用い、トランスファモ−ルド方式にて樹脂封止を行っ
ている。即ち、ポット部(図示せず)より吐出された樹脂
(図12では67で示している)は、カル部52,62からラン
ナ−部53,63を介して各キャビティ56,66に供給する。
【0004】また、従来法では、図13に示すように、
多プランジャ方式も採用されており、これにおいても樹
脂封入金型75を用い、ポット部(図示せず)より吐出され
た樹脂77は、カル部72からランナ−部73を介して各キャ
ビティ76に供給する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図9に示す
ような行列配置されたパッケ−ジ構成部54を有するリ−
ドフレ−ム51を用い、図10又は図11に示す従来の封
入金型55,65で樹脂封止する場合、カル部52,62から各
キャビティ56,66までの距離が異なるため、樹脂充填の
状態が各キャビティ56,66の位置毎に、換言すれば各パ
ッケ−ジ構成部54の位置毎に相違するという重大な欠点
を有している。
【0006】これを図12に基づいて説明すると、例え
ばa11のキャビティ66とa26のキャビティ66とで
は、前者は樹脂67が完全に充填されるけれども、後者は
充填されないことになり、このように各キャビティ66
は、それぞれカル部62からの距離が異なるため、図12
に示すように、各キャビティ66(パッケ−ジ構成部54)の
位置によって樹脂67の充填状態に差が生じるという欠点
を有している。
【0007】また、従来の多プランジャ方式における樹
脂充填の場合も、図13に示すように、各キャビティ76
(各パッケ−ジ構成部54)の位置により樹脂充填の状態が
異なるという同様な欠点が生じる。
【0008】更に、前述した「図9に示す行列配置され
たパッケ−ジ構成部54を有するリ−ドフレ−ム51を用い
たトランスファモ−ルド方式及び多プランジャ方式」で
は、図12及び図13に示すように、いずれもカル部6
2,72やランナ−部63,73に樹脂67,77が多量残存す
る。この残存樹脂は、パッケ−ジ構成部54とは関係な
く、最終的には廃棄されるものであるから、樹脂のパッ
ケ−ジ構成部54に対する使用効率が非常に悪く、コスト
高になるという問題も有している。
【0009】上述の欠点及び問題点は、 (1) 半導体装置用リ−ドフレ−ム中に、樹脂封止時に必
要なカル部及びランナ−部を設置できるスペ−スを有し
ていないこと、さらには、 (2) 樹脂封止設備上の機構が考案されていなかったこ
と、に起因するものである。
【0010】なお、特開昭57−187945号公報には、図1
4に示すリ−ドフレ−ム81が開示されている。これは、
前述した従来の「行列配置されたパッケ−ジ構成部を有
するリ−ドフレ−ム」と同様なものであって、位置決め
用孔81a、リ−ド82、被ペレットマウント部83、タイパ
−84より構成されている。このリ−ドフレ−ム81を用い
た樹脂封止においても、カル部及びランナ−部に残存す
る樹脂量が多く、樹脂使用効率が非常に悪いものであ
り、しかも各パッケ−ジ構成部の位置により樹脂の充填
状態が大きく異なるという前述の問題点、欠点を有して
いる。
【0011】また、特開昭61−276333号公報には、樹脂
充填の均一化を図るため、図15に示すような封入金型
95が開示されている。これは、フレ−ム部を環型にした
リ−ドフレ−ムを用いるものであって、モ−ルド用樹脂
を装填するカル部92を中央に設け、これから放射状に延
びるランナ−部93から円周上に配置されたキャビティ96
が形成された金型95から構成されている。
【0012】しかし、この封入金型95を使用する樹脂封
止方法では、前記特開昭57−187945号公報に開示されて
いるものよりもランナ−部93の廃棄樹脂量は削減される
ものの、カル部92を中央に一箇所配設するものであるた
め、このカル部92を大きくする必要があり、その結果、
該カル部92に残存する樹脂(廃棄樹脂)が多くなり、この
方法においても樹脂利用効率が低い欠点を有している。
【0013】その上、フレ−ム部を環型にした構造のリ
−ドフレ−ムを用いるものであり、特にこの形態のリ−
ドフレ−ムでは、パッケ−ジ構成部に寄与しない余剰部
分が多く含まれており、その結果、リ−ドフレ−ムの利
用効率が低く、コスト高になるという重大な欠点を有し
ている。
【0014】本発明は、上記問題点、欠点に鑑み成され
たものであって、その目的とするところは、 ・第1に、従来の“リ−ドフレ−ムの低利用効率の欠
点”を改善し、パッケ−ジ構成部に寄与しない部分を最
小限とする半導体装置用リ−ドフレ−ムを提供すること
にある。 ・第2に、従来の“樹脂充填の状態が各パッケ−ジ構成
部(各キャビティ)の位置毎に相違する欠点”を改善し、
樹脂封止条件を均一に制御できる半導体装置用リ−ドフ
レ−ム及びモ−ルド装置を提供することにある。
【0015】・第3に、従来の“低樹脂利用効率の欠
点”を改善し、カル部及びランナ−部に残存する樹脂
(廃棄樹脂)を最小量とする半導体装置用リ−ドフレ−ム
及びモ−ルド装置を提供することにある。 ・第4に、以上の第1〜第3の目的を達成することによ
り、半導体装置用リ−ドフレ−ム及び樹脂の各材料費の
低減をはかり、製品の低コスト化が可能な半導体装置用
リ−ドフレ−ム及びモ−ルド装置を提供することにあ
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記第1〜第
4の目的とする半導体装置用リ−ドフレ−ム及びモ−ル
ド装置を提供するため、次の点を特徴(要旨)とするもの
である。 即ち、本発明に係る半導体装置用リ−ドフレ−
ムは、行列配置されたパッケ−ジ構成部を有するもの
において、近接する各パッケ−ジ構成部間に樹脂封止時
の樹脂材を注入するカル部及びランナ−部を配置するた
めのスペ−スを設け、各スペ−スは、カル部からパッケ
−ジ構成部までの距離を各々等しく、かつ最短となるよ
うに最密充填的にレイアウトし、更に該スペ−ス部分に
前記カル部及びランナ−部と同形状のスリットを設けた
ことを特徴とする半導体装置用リ−ドフレ−ム。」(請
求項1)を要旨とする。
【0017】また、本発明に係るモ−ルド装置は、「前
リ−ドフレ−ムを用い、半導体装置を一括樹脂封止す
るための金型を有するモ−ルド装置であって、近接する
各半導体装置間に樹脂封止時の樹脂材を注入するための
カル部及びランナ−部を最密充填的にレイアウトし、し
かもカル部から半導体装置までの距離を各々等しく、か
つ最短となるように配置し、更に前記カル部及びランナ
−部と同形状のスリット部に樹脂を充填するようにした
ことを特徴とするモ−ルド装置。」(請求項2)を要旨と
する。
【0018】本発明に係る半導体装置用リ−ドフレ−ム
およびモ−ルド装置では、特に、カル部及びランナ−部
と同形状のスリットを設けたこと、および、該スリット
部に樹脂を充填するようにしたことを特徴とし、これに
より、樹脂封止後、このカル部及びランナ−部の樹脂を
除去することが容易となり、後工程でのカル部及びラン
ナ−部の樹脂を除去する工程が不要となる利点を有す
る。 また、廃棄樹脂量の低減及びリ−ドフレ−ム材料費
の低減を大幅に行うことができ、製品の低コスト化に大
きな効果が得られる。
【0019】
【実施例】次に、本発明に係る半導体装置用リ−ドフレ
−ム及びこれを用いたモ−ルド装置並びに樹脂充填の各
実施例を図面に基づいて詳細に説明するが、それに先だ
って、参考例としての半導体装置用リ−ドフレ−ム及び
これを用いたモ−ルド装置並びに樹脂充填の各例につい
て説明する。
【0020】(参考例1:リ−ドフレ−ムの1例) 図1は、リ−ドフレ−ムの1例(参考例1)を示す平面図
であり、図2は、図1のリ−ドフレ−ムを用いた樹脂封
入金型の平面図である。また、図3は、図2の封入金型
を用いた樹脂充填例を示す図である。
【0021】本参考例1に係るリ−ドフレ−ム11は、図
1に示すように、縦2列、横6列に行列配置したパッケ
−ジ構成部14、この各パッケ−ジ構成部14間にカル部及
びランナ−部配置スペ−ス18を有する構造からなり、し
かもこのスペ−ス18は、カル部からパッケ−ジ構成部ま
での距離を各々等しく、かつ最短となるように最密充填
的に、即ち最小限のスペ−スとなるようにレイアウトさ
れている。なお、図1中の11aは、位置決め用孔であ
る。このリ−ドフレ−ム11を用いた封入金型15は、図2
に示すように、リ−ドフレ−ム11のパッケ−ジ構成部14
に対応するキャビティ16、該キャビティ16に樹脂を注入
するための前記スペ−ス18に対応するカル部12及びラン
ナ−部13を備えている。
【0022】図2に示す封止金型15を使用して、多プラ
ンジャ方式により樹脂を充填する例を図3に基づいて説
明すると、キャビティ16(パッケ−ジ構成部14)に注入す
るためのカル部12及びランナ−部13を備えた封止金型15
に、カル部12からランナ−部13を通して樹脂17をキャビ
ティ16に注入する。
【0023】このように参考例1では、樹脂17をパッケ
−ジ構成部14に注入するためのカル部12及びランナ−部
13を配置できるようなスペ−ス(カル部及びランナ−部
配置スペ−ス18)をリ−ドフレ−ム11に最密充填的に設
たものである(図1参照)。そして、図2及び図3に示す
ようなレイアウトの封入金型15を有する装置を用いて、
パッケ−ジ構成部14に樹脂17をカル部12からランナ−部
13を通してパッケ−ジ構成部14へ注入することにより、
各パッケ−ジ構成部14へ樹脂17を均一条件にて注入する
ことが可能となる(図3参照)。
【0024】ところで、カル部12及びランナ−部13に充
填された樹脂17は、最終的には不要樹脂として廃棄され
るのみであり、コスト高となる原因となっていた。参考
1では、そのカル部12及びランナ−部13の容積を極少
化することが可能となり、その結果、廃棄樹脂量を少な
くすることができ、低コスト化を実現できる利点を有す
る。
【0025】加えて、リ−ドフレ−ム11の面積について
も、前掲の図9に示すようなタイプの従来リ−ドフレ−
ム51と比べて、カル部及びランナ−部のレイアウトに必
要な面積分を削減することができるため、大幅に小さく
することができ、かつ、リ−ドフレ−ム材料費の低コス
ト化に大きく寄与するリ−ドフレ−ムを提供することが
できる。
【0026】(参考例2:リ−ドフレ−ムの他の例) 図4は、リ−ドフレ−ムの他の例(参考例2)を示す平面
図であり、図5は、図4のリ−ドフレ−ムを用いた樹脂
封止金型の平面図を示す。また、図6は、図5の封入金
型を用いた樹脂充填例を示す図である。
【0027】本参考例2に係るリ−ドフレ−ム21は、図
4に示すように、縦3列、横6列に行列配置したパッケ
−ジ構成部24、該パッケ−ジ構成部24間にカル部及びラ
ンナ−部配置スペ−ス28を有する構造からなり、しかも
このスペ−ス28は、カル部からパッケ−ジ構成部までの
距離を各々等しく、かつ最短となるように最密充填的
に、即ち最小限のスペ−スとなるようにレイアウトされ
ている。なお、図4中の21aは、位置決め用孔である。
【0028】本参考例2においても、前記参考例1と同
様、樹脂をパッケ−ジ構成部24に注入するためのカル部
及びランナ−部を配置できるようなスペ−ス(カル部及
びランナ−部配置スペ−ス28)をリ−ドフレ−ム21に設
け(図4参照)、図5及び図6に示すようなレイアウトの
封入金型25を有する装置を用いて、キャビティ26(パッ
ケ−ジ構成部24)に樹脂27をカル部22からランナ−部23
を通してパッケ−ジ構成部24へ注入することにより、各
パッケ−ジ構成部24へ樹脂27を均一条件にて注入するこ
とが可能となる(図6参照)。
【0029】また、前記参考例1と同様、そのカル部22
及びランナ−部23の容積を極少化することが可能とな
り、その結果、廃棄樹脂量を少なくすることができ、低
コスト化を実現できる利点を有し、さらに、リ−ドフレ
−ム21の面積についても小さくすることができ、リ−ド
フレ−ム材料費の低コスト化に大きく寄与するリ−ドフ
レ−ムを提供することができる。
【0030】(実施例1次に、本発明に係る半導体装置用リ−ドフレ−ム及びこ
れを用いたモ−ルド装置並びに樹脂充填の各実施例を図
面に基づいて詳細に説明する。 図7は、本発明に係る半
導体装置用リ−ドフレ−ムの1例(実施例1)を示す平面
図である。
【0031】本実施例に係るリ−ドフレ−ム31は、図
7に示すように、縦2列、横6列に行列配置したパッケ
−ジ構成部34、この各パッケ−ジ構成部34間にカル部及
びランナ−部配置スペ−ス38を有し、このスペ−ス38
は、カル部32からパッケ−ジ構成部34までの距離を各々
等しく、かつ最短となるように最密充填的に、即ち最小
限のスペ−スとなるようにレイアウトされており、更に
該スペ−ス38部分に前記カル部32及びランナ−部33と同
形状のスリット39を設けた構造からなる。なお、図7中
の31aは、位置決め用孔である。
【0032】この実施例においても、前記参考例1と
同様な方法で樹脂封止を行うが、特に本実施例では、
カル部32及びランナ−部33と同形状のスリット39を開け
ておくことで、樹脂封止後、このカル部32及びランナ−
部33の樹脂を除去することが容易となり、後工程でのカ
ル部32及びランナ−部33の樹脂を除去する工程が不要と
なる利点を有する。また、廃棄樹脂量の低減及びリ−ド
フレ−ム材料費の低減を大幅に行うことができ、製品の
低コスト化に大きな効果が得られる。
【0033】(実施例2図8は、本発明に係る半導体装置用リ−ドフレ−ムの他
の例(実施例2)を示す平面図である。
【0034】本実施例に係るリ−ドフレ−ム41は、図
8に示すように、縦3列、横6列に行列配置したパッケ
−ジ構成部44、この各パッケ−ジ構成部44間にカル部及
びランナ−部配置スペ−ス48を有し、このスペ−ス48
は、カル部42からパッケ−ジ構成部44までの距離を各々
等しく、かつ最短となるように最密充填的に、即ち最小
限のスペ−スとなるようにレイアウトされており、更に
該スペ−ス48部分に前記カル部42及びランナ−部43と同
形状のスリット49を設けた構造からなる。なお、図8中
の41aは、位置決め用孔である。
【0035】この実施例においても、前記実施例
同様、カル部42及びランナ−部43と同形状のスリット49
を開けておくことで、樹脂封止後、カル部42及びランナ
−部43の樹脂を除去することが容易となり、後工程での
カル部42及びランナ−部43の樹脂を除去する工程が不要
となる利点を有する。また、廃棄樹脂量の低減及びリ−
ドフレ−ム材料費の低減を大幅に行うことができ、製品
の低コスト化に大きな効果が得られる。
【0036】
【発明の効果】以上詳記したとおり、本発明に係る半導
体装置用リ−ドフレ−ムは、行列配置されたパッケ−ジ
構成部を有するものにおいて、 ・近接する各パッケ−ジ構成部間に樹脂封止時の樹脂材
を注入するカル部及びランナ−部を配置するためのスペ
−スを設け、各スペ−スは、カル部からパッケ−ジ構成
部までの距離を各々等しく、かつ最短となるように最密
充填的にレイアウトし、更に該スペ−ス部分に前記カル
部及びランナ−部と同形状のスリットを設けた、ことを
特徴とし、また、本発明に係るモ−ルド装置は、マルチ
プランジャタイプの樹脂封止装置において、 ・上述の半導体装置用リ−ドフレ−ムを用い、複数箇所
のカル部と同形状のスリット部に樹脂材を注入すること
を特徴とする。
【0037】そして、本発明に係る半導体装置用リ−ド
フレ−ム及びモ−ルド装置は、前記した特徴点により、
各パッケ−ジ構成部の樹脂封止条件を均一にコントロ−
ルできる効果が生じ、樹脂封止時の製造工程能力、歩留
向上、さらにはパッケ−ジ製造価格の低コスト化に大き
な効果を得ることができる。
【0038】加えて、カル部及びランナ−部樹脂容量を
大幅に削減し、有効利用できるため、廃棄樹脂量の低減
を可能とし、樹脂材料費の低減に大きな効果を得ること
ができる。また、リ−ドフレ−ム面積についてもムダが
少なく、リ−ドフレ−ム材料費についても大きな効果を
得ることができ、製品製造単価の大幅削減に貢献でき
る。特に、カル部及びランナ−部と同形状のスリットを
設けたこと、および、該スリット部に樹脂を充填するよ
うにしたことで、樹脂封止後、このカル部及びランナ−
部の樹脂を除去することが容易となり、後工程でのカル
部及びランナ−部の樹脂を除去する工程が不要となり、
また、廃棄樹脂量の低減及びリ−ドフレ−ム材料費の低
減を大幅に行うことができ、製品の低コスト化に大きな
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】リ−ドフレ−ムの一参考例(参考例1)を示すリ
−ドフレ−ムの平面図。
【図2】図1のリ−ドフレ−ムを用いた樹脂封入金型の
平面図。
【図3】図2の封入金型を用いた樹脂充填例を示す図。
【図4】リ−ドフレ−ムの他の参考例(参考例2)を示す
リ−ドフレ−ムの平面図。
【図5】図4のリ−ドフレ−ムを用いた樹脂封入金型の
平面図。
【図6】図5の封入金型を用いた樹脂充填例を示す図。
【図7】本発明に係るリ−ドフレ−ムの一実施例(実施
例1)を示すリ−ドフレ−ムの平面図。
【図8】本発明に係るリ−ドフレ−ムの他の実施例(実
施例2)を示すリ−ドフレ−ムの平面図。
【図9】従来の行列配置されたパッケ−ジ構成部を有す
るリ−ドフレ−ムの1例を示す平面図。
【図10】図9のリ−ドフレ−ムを用いて樹脂封止する
従来の1例を示す樹脂封入金型の平面図。
【図11】図9のリ−ドフレ−ムを用いて樹脂封止する
従来の他の例を示す樹脂封入金型の平面図。
【図12】図11の封入金型による従来の樹脂充填例を
説明する図。
【図13】多プランジャ方式による従来の樹脂充填例を
説明する図。
【図14】従来技術におけるリ−ドフレ−ム(特開昭57
−187945号公報参照)の平面図。
【図15】従来技術における封入金型(特開昭61−27633
3号公報参照)の平面図。
【符号の説明】
11,21,31,41,51 リ−ドフレ−ム 11a,21a,31a,41a,51a 位置決め用孔 12,22,32,42,52,62,72,92 カル部 13,23,33,43,53,63,73,93 ランナ−部 14,24,34,44,54 パッケ−ジ構成部 15,25,55,65,75,95 封入金型 16,26,56,66,76,96 キャビティ 17,27,67,77 樹脂 18,28,38,48 カル部及びランナ−部配置スペ−ス 39,49 スリット 81 リ−ドフレ−ム 81a 位置決め用孔 82 リ−ド 83 被ペレットマウント部 84 タイパ−

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 行列配置されたパッケ−ジ構成部を有す
    る半導体装置用リ−ドフレ−ムにおいて、近接する各パ
    ッケ−ジ構成部間に樹脂封止時の樹脂材を注入するカル
    部及びランナ−部を配置するためのスペ−スを設け、各
    スペ−スは、カル部からパッケ−ジ構成部までの距離を
    各々等しく、かつ最短となるように最密充填的にレイア
    ウトし、更に該スペ−ス部分に前記カル部及びランナ−
    部と同形状のスリットを設けたことを特徴とする半導体
    装置用リ−ドフレ−ム。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置用リ−ドフ
    レ−ムを用い、半導体装置を一括樹脂封止するための金
    型を有するモ−ルド装置であって、近接する各半導体装
    置間に樹脂封止時の樹脂材を注入するためのカル部及び
    ランナ−部を最密充填的にレイアウトし、しかもカル部
    から半導体装置までの距離を各々等しく、かつ最短とな
    るように配置し、更に前記カル部及びランナ−部と同形
    状のスリット部に樹脂を充填するようにしたことを特徴
    とするモ−ルド装置。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100224649B1 (ko) * 1997-03-25 1999-10-15 윤종용 방사형 런너를 갖는 반도체 성형 금형
US6173490B1 (en) * 1997-08-20 2001-01-16 National Semiconductor Corporation Method for forming a panel of packaged integrated circuits
KR100401147B1 (ko) * 2001-01-03 2003-10-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 부재와 이것을 이용한 반도체패키지 제조방법
US7731766B2 (en) * 2004-03-15 2010-06-08 Samsung Sdi Co., Ltd. Molding a battery
US7927087B2 (en) * 2005-02-07 2011-04-19 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method and apparatus for molding with reduced cull formation
US7597275B2 (en) * 2005-07-25 2009-10-06 Isothermal Systems Research, Inc. Methods and apparatus for atomization of a liquid
JP4882570B2 (ja) * 2006-07-20 2012-02-22 パナソニック株式会社 モジュールの製造方法と、それにより製造したモジュール
US7927923B2 (en) 2006-09-25 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for directing molding compound flow and resulting semiconductor device packages
US8058098B2 (en) * 2007-03-12 2011-11-15 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for fabricating a plurality of semiconductor devices
CN102054716B (zh) * 2010-10-26 2013-03-27 日月光封装测试(上海)有限公司 导线架条的封胶方法与封胶结构
CN106182581A (zh) * 2016-07-25 2016-12-07 胡小庆 一种电子芯片的制备方法及电子芯片
CN109990093A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 台达电子工业股份有限公司 防水垫圈结构及其垫圈成型模具
CN109927219A (zh) * 2019-04-15 2019-06-25 四川汇宇生物技术有限公司 一种温控明胶加工设备
US11621181B2 (en) * 2020-05-05 2023-04-04 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Dual-sided molding for encapsulating electronic devices
CN115050720B (zh) * 2022-08-15 2023-01-06 华羿微电子股份有限公司 一种顶部散热功率器件引线框架

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57187945A (en) * 1981-05-13 1982-11-18 Nec Home Electronics Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS61276333A (ja) * 1985-05-31 1986-12-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法とこれに用いる樹脂モ−ルド装置
US5123826A (en) * 1990-02-13 1992-06-23 Motorola, Inc. Molding pot having configured bottom
JPH04147814A (ja) * 1990-10-11 1992-05-21 Daiichi Seiko Kk 樹脂封入成形用金型
JP2564707B2 (ja) * 1991-01-09 1996-12-18 ローム株式会社 電子部品用リードフレームにおけるモールド部のマルチ式成形方法及び成形装置
GB2252746B (en) * 1991-01-17 1995-07-12 Towa Corp A method of molding resin to seal an electronic part on a lead frame and apparatus therefor
NL193526C (nl) * 1991-02-26 2000-01-04 Boschman Tech Bv Inrichting voor het omhullen van elektronische onderdelen met een kunststof.
JPH06106567A (ja) * 1992-09-29 1994-04-19 Sanyo Silicon Denshi Kk 樹脂封止用成形装置
JPH07135230A (ja) * 1993-11-09 1995-05-23 Hitachi Ltd 電子装置の樹脂封止方法およびそれに用いるリードフレーム

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