JP2686699B2 - 選択成長用ＧａＮマスク形成方法 - Google Patents
選択成長用ＧａＮマスク形成方法Info
- Publication number
- JP2686699B2 JP2686699B2 JP31161492A JP31161492A JP2686699B2 JP 2686699 B2 JP2686699 B2 JP 2686699B2 JP 31161492 A JP31161492 A JP 31161492A JP 31161492 A JP31161492 A JP 31161492A JP 2686699 B2 JP2686699 B2 JP 2686699B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan film
- substrate
- selective growth
- mask
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体のエピタ
キシャル成長に関し、特に選択成長を行う際に使用され
るマスクの形成方法に関する。
キシャル成長に関し、特に選択成長を行う際に使用され
るマスクの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＮ膜を使用した選択成長用マ
スクの形成方法として、基板全面にＧａＮ膜を形成し、
Ａｒスパッタによってパターニングするという方法が、
発明者らによって報告されている。
スクの形成方法として、基板全面にＧａＮ膜を形成し、
Ａｒスパッタによってパターニングするという方法が、
発明者らによって報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｒス
パッタによるＧａＮ膜のパターニングは、基板に非常に
大きなダメージ（損傷）を与え、その後結晶成長させた
結晶成長層の特質に悪影響を及ぼすという問題点があ
る。
パッタによるＧａＮ膜のパターニングは、基板に非常に
大きなダメージ（損傷）を与え、その後結晶成長させた
結晶成長層の特質に悪影響を及ぼすという問題点があ
る。
【０００４】本発明は、基板に与えるダメージが少な
い、ＧａＮ膜を使用した選択成長用マスクの形成方法を
提供する。
い、ＧａＮ膜を使用した選択成長用マスクの形成方法を
提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板表
面にＧａＮ膜を形成する工程と、該ＧａＮ膜の所定領域
に電子ビームを照射して、該電子ビームが照射された領
域のＧａＮ膜を除去する工程とを含むことを特徴とする
選択成長用ＧａＮマスク形成方法が得られる。
面にＧａＮ膜を形成する工程と、該ＧａＮ膜の所定領域
に電子ビームを照射して、該電子ビームが照射された領
域のＧａＮ膜を除去する工程とを含むことを特徴とする
選択成長用ＧａＮマスク形成方法が得られる。
【０００６】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１にＧａＮ膜の作製工程図を示す。なお、本実
施例では、Ｇａセル、Ａｓセル、ＴＭＧノズル、及びア
ンモニアノズルを備えた成長室と、電子銃を備えた予備
室とを有する超高真空装置（図示せず）を使用する。
する。図１にＧａＮ膜の作製工程図を示す。なお、本実
施例では、Ｇａセル、Ａｓセル、ＴＭＧノズル、及びア
ンモニアノズルを備えた成長室と、電子銃を備えた予備
室とを有する超高真空装置（図示せず）を使用する。
【０００７】まず、ＧａＡｓ（１００）基板１１を成長
室に導入する。そして、図１（ａ）に示すように、Ｇａ
Ａｓ（１００）基板１１上に、ＧａＡｓバッファ層１２
を結晶成長させ、清浄表面を得る。次に、ＧａＡｓバッ
ファ層１２上に、クラッキングさせたアンモニアガスを
導入しながら、基板１１の温度を６００℃〜６３０℃に
加熱する。すると、図１（ｂ）に示すようにＧａＡｓバ
ッファ層１２の清浄表面には極めて膜厚の薄いＧａＮ膜
１３が形成される。
室に導入する。そして、図１（ａ）に示すように、Ｇａ
Ａｓ（１００）基板１１上に、ＧａＡｓバッファ層１２
を結晶成長させ、清浄表面を得る。次に、ＧａＡｓバッ
ファ層１２上に、クラッキングさせたアンモニアガスを
導入しながら、基板１１の温度を６００℃〜６３０℃に
加熱する。すると、図１（ｂ）に示すようにＧａＡｓバ
ッファ層１２の清浄表面には極めて膜厚の薄いＧａＮ膜
１３が形成される。
【０００８】次に、図２を参照してＧａＮ膜のパターニ
ング方法を説明する。まず、ＧａＡｓバッファ層１２及
びＧａＮ膜１３が形成された基板１１を予備室に導入す
る。予備室は成長室と連結されており、超高真空下で移
動させることができる。図２（ａ）に示すように、Ｇａ
Ｎ膜１３の所定領域に電子ビーム（ＥＢ）を照射する
と、Ｇａ及びＮは脱離し、図２（ｂ）に示すように開口
部２１を形成することができる。ここで、電子ビームの
ビーム径は直径５mm、加速電圧は１ｋＶ、照射時間は１
時間で、電子のドーズは、６×１０18 elctrons/cm2 と
した。
ング方法を説明する。まず、ＧａＡｓバッファ層１２及
びＧａＮ膜１３が形成された基板１１を予備室に導入す
る。予備室は成長室と連結されており、超高真空下で移
動させることができる。図２（ａ）に示すように、Ｇａ
Ｎ膜１３の所定領域に電子ビーム（ＥＢ）を照射する
と、Ｇａ及びＮは脱離し、図２（ｂ）に示すように開口
部２１を形成することができる。ここで、電子ビームの
ビーム径は直径５mm、加速電圧は１ｋＶ、照射時間は１
時間で、電子のドーズは、６×１０18 elctrons/cm2 と
した。
【０００９】基板１１を再び成長室に戻し、基板温度を
５００℃にして、ＴＭＧとＡｓ4 を同時に照射したとこ
ろ、図２（ｃ）に示すように、ＧａＡｓ層２２を選択成
長することができた。すなわち、ＧａＮ膜をマスクとし
てＧａＡｓ層の選択成長を行うことができた。
５００℃にして、ＴＭＧとＡｓ4 を同時に照射したとこ
ろ、図２（ｃ）に示すように、ＧａＡｓ層２２を選択成
長することができた。すなわち、ＧａＮ膜をマスクとし
てＧａＡｓ層の選択成長を行うことができた。
【００１０】なお、上記実施例では、ＧａＮ膜１３に電
子ビームを照射する際に、基板の加熱は行わなかった
が、基板を加熱して電子ビームを照射するようにしても
良い。この場合、加熱温度は、ＧａＮが真空中で分解し
ない温度、すなわち、６００℃以下とする。
子ビームを照射する際に、基板の加熱は行わなかった
が、基板を加熱して電子ビームを照射するようにしても
良い。この場合、加熱温度は、ＧａＮが真空中で分解し
ない温度、すなわち、６００℃以下とする。
【００１１】また、上記実施例では、電子ビームのみを
用いてＧａＮ膜１３をエッチングしたが、塩素ガスやフ
ッ素ガスを同時に照射して、エッチングの促進を計るこ
ともできる。
用いてＧａＮ膜１３をエッチングしたが、塩素ガスやフ
ッ素ガスを同時に照射して、エッチングの促進を計るこ
ともできる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、ＧａＮ膜に電子ビーム
を照射するようにしたことで、基板に与えるダメージが
少ないパターニング方法が得られる。
を照射するようにしたことで、基板に与えるダメージが
少ないパターニング方法が得られる。
【図１】本発明の一実施例のＧａＮ膜形成方法を示す工
程図である。
程図である。
【図２】本発明の一実施例のＧａＮ膜パターニング方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
１１ ＧａＡｓ（１００）基板 １２ ＧａＡｓバッファ層 １３ ＧａＮ膜 ２１ 開口部 ２２ ＧａＡｓ層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面にＧａＮ膜を形成する工程と、
該ＧａＮ膜の所定領域に電子ビームを照射して、該電子
ビームが照射された領域のＧａＮ膜を除去する工程とを
含むことを特徴とする選択成長用ＧａＮマスク形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31161492A JP2686699B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 選択成長用ＧａＮマスク形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31161492A JP2686699B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 選択成長用ＧａＮマスク形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163487A JPH06163487A (ja) | 1994-06-10 |
| JP2686699B2 true JP2686699B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=18019376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31161492A Expired - Lifetime JP2686699B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 選択成長用ＧａＮマスク形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686699B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265289B1 (en) * | 1998-06-10 | 2001-07-24 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby |
| KR20040040902A (ko) * | 2002-11-08 | 2004-05-13 | 엘지전자 주식회사 | 레이저를 이용한 선택적 질화갈륨층을 제거하는 방법 |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP31161492A patent/JP2686699B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06163487A (ja) | 1994-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970708 |