JP2679158B2

JP2679158B2 - 半導体装置の製造装置

Info

Publication number: JP2679158B2
Application number: JP63246027A
Authority: JP
Inventors: 義明久宗
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1988-09-29
Filing date: 1988-09-29
Publication date: 1997-11-19
Anticipated expiration: 2012-11-19
Also published as: US5076204A; JPH0294449A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にリードフ
レーム上にマウントされた半導体チップ表面を絶縁膜に
より被覆する半導体装置の製造装置に関する。

〔従来の技術〕

一般に、半導体装置は外部環境からの熱的、化学的お
よび生理的影響を受けて、半導体素子の電気的特性の変
動等が生じ信頼性上の問題を起している。特に樹脂封止
型半導体装置の製造における半導体素子の電極であるア
ルミニウムと金属配線との接続部でのパッドの腐食が深
刻な問題を引き起こしている。そのため、半導体素子の
電極と外部導出線とを金属導線で接続した後に、半導体
素子表面に400℃以下の低温で保護膜を形成し、耐湿性
を向上させることが提案されている。

従来、この種の保護膜形成には、モノシラン（SiH₄）
とオゾン（O₃）の気相成長法により、シリコン酸化膜
（SiO₂）を形成する方法〔例えば、特公昭49−33914号
公報〕、あるいはモノシラン（SiH₄）およびアンモニア
（NH₃）に水銀（Hg）を光増感剤として添加した混合ガ
スに、紫外光を照射してシリコン窒化膜（Si₃N₄）を気
相成長する方法〔例えば、ジエイダブルペータ（J.
W.Peter）等によるソリッドステートテクノロジー
（Solid State Technology）Sep.1980,121−126頁の論
文〕がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の保護膜形成技術に関する文献等に記述
されている薄膜形成装置は、半導体製造工程における前
段階、すなわち半導体ウェハをチップに分割する以前の
ウェハ・プロセスにおいて用いられるCVD装置であるた
め、半導体チップがマウントされたリードフレームをリ
ードフレーム・トレイにより一括ロットとしてバッチ処
理作業を行う組立工程には馴染まず、量産性の高い製造
工程を実施しえないという欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造装置は、リードフレーム・
トレイから半導体チップがマウントされたリードフレー
ムを取り出しサセプター上に設置する第１の自動搬送手
段と、前記サセプター上に設置されたリードフレーム表
面に絶縁膜を形成するための常圧下化学気相成長炉と、
前記サセプター上から絶縁膜の形成されたリードフレー
ムを取り出しリードフレーム・トレイに設置する第２の
自動搬送手段と、前記サセプター上に設置されたリード
フレームを第１の自動搬送手段から前記常圧化学気相成
長炉へそして前記常圧化学気相成長炉から第２の自動搬
送手段へ連続して運搬する移動手段とを含み、前記サセ
プターは、前記リードフレームの前記半導体チップがマ
ウントされた部分の上下面が露出するように構成され、
かつ前記常圧化学気相成長炉内に反応ガスを供給する複
数のノズルは前記常圧化学気相成長炉内の前記サセプタ
ー近傍に設置されていることを特徴とするものである。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面
図およびＡ−Ａ′線断面図である。また、各部の詳細に
ついて第２図〜第５図に示す。

第１図（ａ），（ｂ）において、101はボンディング
工程済のリードフレームを収納したリードフレーム・ト
レイ、102はリードフレーム上に絶縁膜形成を行う光CVD
装置、103は絶縁膜形成処理済のリードフレームを収納
するリードフレーム・トレイである。104はレール状の
サセプターであり、半導体チップがマウントされたリー
ドフレームをスライドさせて、リードフレーム・トレイ
101から光CVD装置102、光CVD装置102からリードフレー
ム・トレイ103へ移動させる。105はリードフレーム・ト
レイ101からリードフレームを取出しサセプター104上に
設置する自動搬送系（Ｉ）である。自動搬送系（Ｉ）
は、リードフレーム・トレイ101を垂直方向に移動する
シャフト106と、リードフレームをリードフレーム・ト
レイ101からサセプター104上に水平方向に送り出すアー
ム107とから成る。同様に、108はサセプター104からリ
ードフレームを取出しリードフレーム・トレイ103へ設
置する自動搬送系（II）であり、リードフレーム・トレ
イ103を垂直方向に移動するシャフト106と、リードフレ
ームをサセプター104からリードフレーム・トレイ103上
に水平方向に送り込むアーム107とから成る。

本第１の実施例においては、第１図（ａ）に示される
ように、リードフレーム・トレイ101,103、サセプター1
04、自動搬送系（Ｉ）105および自動搬送系（II）108と
から構成される同型の処理ライン５つを有している。ま
た、109〜119は光CVD装置102の構成要素であり、109は
ランプ室、110は反応室、111は合成石英窓、112は低圧
水銀灯、113は不活性ガス（N₂）供給管、114はシランガ
ス（SiH₄）供給管、115は酸素ガス（O₂）供給管、116は
多数の小孔の形成されている合成石英窓、117は反応ガ
ス噴出管、118はヒータ、119は排気口である。後述する
ように、光CVD装置102は、常圧下の反応室110おいてサ
セプター104上に設置されたリード・フレーム表面にシ
リコン酸化膜（SiO₂）を成長する。また、120はクリー
ンベンチであり、上記SiO₂膜成長前に空中にごみ等の浮
遊物がリード・フレーム表面に付着しないよう空中を清
浄に保っている。

次に各部の構造及び動作について説明する。

第２図は、自動搬送系（Ｉ）105を示す斜視図であ
る。

第２図において、201はリードフレーム・トレイ101か
ら引き出されるリードフレーム、202はリードフレーム2
01上に搭載された半導体チップ、203はリードフレーム2
01に複数個形成された穿孔、201Aはリードフレーム201
の前にリードフレーム・トレイ101から引き出されたリ
ード・フレーム、201Bはリードフレーム201の次にリー
ド・フレーム・トレイ101から引き出されるリードフレ
ームである。206はアーム107の先端部に取付けられたつ
めであり、リードフレーム201の穿孔203にかみ合うよう
になっている。第２図に示すように、アーム107が矢印
Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄの動作を行い、次いでシャフト106が矢
印Ｅの動作を行うことによって、リードフレーム・トレ
イ101中のリードフレームを順次送り出すことができ
る。

すなわち、動作Ａにより、アーム107のつめ206は、リ
ードフレーム・トレイ101の引き出し位置に収納されて
いるリードフレーム201の穿孔203の１つとかみ合う。次
に動作Ｂにより、リードフレーム201をルードフレーム
・トレイ101から水平に引き出す。動作Ｃによりアーム1
07のつめ206はリード・フレーム201の穿孔から離れ、動
作Ｄにより元の位置に戻る。そして、シャフトの動きと
して図に示した動作Ｅによりシャフト106は上下方向へ
動き、リードフレーム・トレイ101に収納されている次
のリードフレーム201Bを引き出し位置に設置する。再び
アーム107はＡ→Ｂ→Ｃ→Ｄの動作を行いリードフレー
ム201Bを引き出し、シャフト106が動作Ｅを行うことに
よって次のリードフレームを引き出し位置に設置する。
以下、この動作を繰り返すことによりリードフレーム・
トレイ101に収納されたリード・フレームは順次上から
送り出されることになる。

さて、上記動作Ｂにおいてリードフレーム・トレイ10
1から水平に引き出されるリード・フレーム201の前端部
は前に引き出されたリード・フレーム201Aの後端部を押
すことにより、リード・フレーム201Aを水平に動作Ｂの
移動距離だけ移動させる。このようにアーム107は、本
第１の実施例においては、リードフレーム・トレイ101
からリードフレーム201を取出し、サセプター104上に設
置する手段を構成するばかりでなく、同時にサセプター
104上に設置されたリード・フレーム201Aを自動搬送系
（Ｉ）105から光CVD装置102、光CVD装置102から自動搬
送系（II）108へ搬送する手段をも構成している。

一方、自動搬送系（II）も第２図に示した自動搬送系
（Ｉ）105と全く同じ構造をしている。ただしこの場
合、動作は自動搬送系（Ｉ）105とすべて逆サイクル、
すなわち、アーム107の動きは第２図に示したアーム107
の動きと逆方向であり、シャフト106は下方向に動く。
この動作を繰返すことにより、順次送られてきたリード
フレームがリードフレーム・トレイ103へ上から次々収
納されていくことになる。自動搬送系（Ｉ）105および
自動搬送系（II）108の動作は、マイクロコンピュータ
等により正確に数値制御することにより、上記一連の動
作を円滑に行うことが可能である。

第３図（ａ），（ｂ）はサセプター104の正面図およ
びＣ−Ｃ′線断面図である。

第３図（ａ），（ｂ）において、301はサセプター104
に加工されているレール部である。レール部301は、リ
ードフレーム201をスライドできるように、その断面は
リードフレーム201とほぼ同じ大きさで若干の遊びを設
けてある。

第４図は、リードフレーム201とサセプター104との関
係を示す斜視図である。リードフレーム201は、サセプ
ター104に支持されつつレール部301をスライドすること
により、水平方行に移動する。

第５図は第１図における光CVD装置102のＢ−Ｂ′線断
面図である。

第５図において501は窒素ガス（N₂）ボンベ、502はSi
H₄ガスボンベ、503はO₂ガスボンベ、504はバルブ、505
は流量計である。光CVD装置102は、ランプ室109および
反応室110とから成り、両者は合成石英管111により空間
的に分離されている。ランプ室109には低圧水銀灯112が
設置されている。反応室110には、合成石英管111の近傍
に多数の小孔が形成されている合成石英窓が設置されて
いる。また、リードフレーム201を支持し水平方向に移
動させるサセプター104が設置されており、サセプター1
04の上近傍には反応ガス噴出口117、又その下部近傍に
はヒータ118が設置されている。サセプター104に対して
反対側に排気口119が設けられている。

N₂ガスはN₂ガス供給ライン113より合成石英窓111と多
孔合成石英窓116との間に導入された後、多孔合成石英
窓116に形成された多数の小孔から反応室110に導入さ
れ、サセプター104を通過した後、排気口119から排気さ
れる。このようにN₂ガスは反応室110内において鉛直下
方向への流れを形成する。

また、SiH₄ガスおよびO₂ガスは、それぞれSiH₄ガス供
給ライン114、O₂ガス供給ライン115を通り、別々の反応
ガス噴出ノズル117より反応室110内のリードフレーム20
1上に噴出された後、排気口119から排気される。このよ
うにSiH₄ガスおよびO₂ガスも反応室110において鉛直下
方向への流れを形成する。

合成石英窓111、多孔合成石英窓116、反応ガス噴出口
117、排気口119を上に述べたように配置することによ
り、N₂ガス、SiH₄ガスおよびO₂ガスはすべて鉛直下方へ
流れるため、合成石英窓111および多孔合成石英窓116へ
のSiH₄ガス、O₂ガスの拡散が抑制され、反応生成物の合
成石英窓111および多孔合成石英窓116への付着を完全に
抑えることが可能となる。

上記光CVD装置102を用いて、サセプター104上のリー
ドフレーム201表面にSiO₂膜の形成を行うことができ
る。

初めにN₂ガスを1200sccm流し、N₂ガスの定常流をつく
る。次に、ヒータ118を昇温しリードフレーム201を200
℃に加熱する。最後に、SiH₄ガスを20sccm、O₂ガスを10
0sccm流し、低圧水銀灯112を点灯する。ここで反応室11
0内の圧力は常圧である。低圧水銀灯112の点灯とともに
O₂ガスは光分解し、SiH₄ガスと反応してリードフレーム
201上にSiO₂膜を形成する。上記成膜条件下において
は、その膜成長速度は約40μm/minとなる。

上述した本発明の第１の実施例により、ボンディング
工程済リードフレームの表面にSiO₂膜形成処理を、リー
ドフレーム・トレイによるカセット・トゥー・カセット
で迅速に行うことが以下の手順で可能となる。

まず、ボンディング工程済のリードフレームの収納さ
れたリードフレーム・トレイ101、空のリードフレーム
・トレイ103をそれぞれ自動搬送系（Ｉ）105、自動搬送
系（II）108へ設置する。次に、光CVD装置102の成膜条
件を設定し、成膜が行える状態にする。そして、自動搬
送系（Ｉ）105によりリードフレームを一定時間ごとに
リードフレーム・トレイ101より光CVD装置102に送り出
すと同時に、光CVD装置102によってSiO₂膜形成処理がさ
れたリードフレームを自動搬送系（II）によりリードフ
レーム・トレイ103へ設置する。

例えば、光CVD装置102による膜成長速度が40μm/min
である場合は、５分間ごとに自動搬送系（Ｉ）105によ
りリードフレームを送り出せば、光CVD装置102の反応室
110内での滞在時間は５分間であるので、厚さ200μｍの
SiO₂膜が各々と各リードフレーム表面に形成されること
になる。最後に、一定時間経過後には、リードフレーム
・トレイ103は上記SiO₂膜形成処理の済んだリードフレ
ームが収納されるら、リードフレーム・トレイ103ごと
次の工程である樹脂封止作業現場へ運搬すればよいこと
になる。

本第１の実施例においては作業ラインが５つであった
が、ラインは２つに限定されるものではなく、その数を
増やせば処理能力がそれだけ倍加される。

第６図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例に用い
られる常圧CV装置の正面図およびＤ−Ｄ′線断面図であ
る。

第６図（ａ），（ｂ）において、601は常圧CVD装置、
602はサセプター、603は連結具、604は回転輪、605はテ
トラエトキシシラン（TEOS）バブラー、606は放電型オ
ゾン発生器、607は反応ガス供給管、608は反応ガス導入
管、 609はヒータである。

本第２の実施例で用いるリードフレームのサセプター
602は第７図に示すように、レール部301の形成されたサ
セプター602が連結具603によりキャタピラ状に多数連結
されたものである。リードフレーム201は各々のサセプ
ター602のレール部301をスライドすることによりサセプ
ター602との着脱が行われる。

本第２の実施例を用い、リード・フレーム表面上に絶
縁膜を形成する手順は以下のようになる。初めに、第６
図に示した常圧CVD装置601を成膜モードに設定する。そ
のために、ヒータ118を加熱し200〜250℃とする。次にO
₂ガスを1200sccm流し、100℃に加熱したTEOSを50sccmの
N₂ガスによりバブリングする。同時に200sccmのO₂ガス
を放電型オゾン発生器606に通しオゾンO₃とする。以
上、N₂ガス、TEOSガス、O₃ガスを加熱した状態で反応ガ
ス導入口608よりサセプター602上のリードフレーム表面
に噴出させる。噴出されリードフレーム表面に供給され
た反応ガスはすみやかに排気口119より排気される。こ
のような条件により、リードフレーム201表面に成長速
度2000Å/minでSiO₂膜の成長が可能となる。

以上の手順に従い、常圧CVD装置601を成膜モードに設
定した後、第１図に示したボンディング済リードフレー
ムの収納されたリードフレーム・トレイ101と、空のリ
ードフレーム・トレイ103をそれぞれ自動搬送系（Ｉ）1
05および自動搬送系（II）108に設置する。自動搬送系
（II）105により、リードフレーム・トレイ103からリー
ドフレームを引き出しサセプター602に送り入れる。次
に回転輪604が回転することでサセプター602のキャタピ
ラ全体を動かし、次の空のサセプターを自動搬送系
（Ｉ）の位置に移動する。同時に、回転輪604の回転に
より、自動搬送系（II）108の位置に来たサセプター602
からは、SiO₂膜形成処理の終了したリードフレームを自
動搬送系（II）108により引出し、リード・フレーム・
トレイ103に設置する。以上の動作を繰り返すことによ
り、リード・フレームは次々にSiO₂膜形成処理が行われ
ていく。

ここにおいて、自動搬送系（Ｉ）105および自動搬送
系（II）108の構造は第１の実施例において記述したも
のと全く同じものが利用可能である。上記動作を円滑に
行うには、自動搬送系（Ｉ）105、自動搬送系（II）108
および回転輪604をマイクロコンピュータ等で数値制御
することが望ましい。また、回転輪604の回転速度は常
圧CVD装置601のSiO₂膜成長速度、リードフレーム表面に
形成すべきSiO₂膜厚により決定される。

第８図は本発明の第３の実施例の構成を示す平面図で
ある。

第８図において801はサセプター、802はリードフレー
ム・トレイ101とサセプター802との間で移動させる自動
搬送系、803はロードロック室、804は減圧CVD装置であ
る。

第９図に示すように本第３の実施例におけるサセプタ
ー801は、レール部301が形成され、リードフレーム201
が複数個同一平面内に収納できる構造をしている。リー
ドフレーム・トレイ101を固定するシャフト106が垂直方
向および水平方向に動くことにより、リードフレーム・
トレイ101に収納されたリード・フレーム201を水平方向
に引き出すだけで、次々とサセプター801に収めること
ができる。あるいは、逆にサセプター801に収納された
リード・フレーム201を水平方向に引き出すだけで次々
とリードフレーム・トレイ101に収めることができる。
リードフレーム201の出入れの機構は、第１の実施例で
示したアーム107を利用したものを利用することができ
る。

上述のように本第３の実施例においては、シャフト10
6およびアーム107から構成される自動搬送系802は、リ
ードフレーム・トレイ101からリードフレーム201を取出
しサセプター801上に設置するとともに、サセプター801
からリードフレーム201を取出しリードフレーム・トレ
イ101に設置するという２つの役割を行う。

本第３の実施例を用いて、リードフレーム表面上に絶
縁膜形成処理を行う手順を以下に記す。

初めに、ボンディング工程済のリードフレームが収納
されたリードフレーム・トレイ101を第８図に示す自動
搬送系802に設置する。次に、自動搬送系802により上記
リードフレームをサセプター801に順次収納する。リー
ドフレームが搭載されたサセプター801をロードロック
室803へ搬送しロードロック室803を真空排気した後に、
減圧CVD装置804に送り込む。減圧CVD装置804において所
定の膜厚の絶縁膜形成処理をした後、サセプター801を
ロードロック室803に搬送、ロードロック室803を大気圧
にリークした後サセプター801をロードロック室803から
搬出し、自動搬送系802によりサセプター801からリード
フレームを順次リードフレーム・トレイ101に収納す
る。

ここで、サセプター801のロードロック室803への搬送
およびロードロック室803と減圧CVD装置804との間での
搬送はすべてマイクロコンピュータ等により数値制御さ
れた移動システムを用いて円滑に行う。また、減圧CVD
装置804としては、例えば第１の実施例による光CVD装置
と同様の構造をもち、チャンバー内を真空排気できるCV
D装置であればよい。この場合、反応ガスとしてSiH₄、
アンモニア（NH₃）を用いることにより、SiO₂膜より耐
湿性の優れたシリコン窒化膜（Si₃N₄）を形成すること
ができる。

本第３の実施例における利点は、第１の実施例および
第２の実施例に比べ、装置構造上サセプター801の取り
はずしが容易であることから、様々な寸法のリードフレ
ームを処理する場合でもそれぞれのリードフレームに合
った大きさのサセプターを用意しておけば、サセプター
のみを簡単に交換すればよいということである。

第10図は本発明の第４の実施例の斜視図である。91は
シャフト、92はシャフト91の先端に取付けられた電磁
石、93はリードフレーム201の位置を感知する光学セン
サー、94は柔軟性のある金属メッシュ製のサセプター、
95はサセプター94を移動させる回転輪、96は絶縁膜形成
処理を行う常圧CVD装置である。

本第４の実施例を用いて、リードフレーム201上に絶
縁膜形成処理を行うには次のような手順に従う。

初めに、第10図（ａ）に示すように、第１のシャフト
91をリードフレーム201表面に接触するまで垂直に下ろ
し、電磁石92を吸着させる。次に、第10図（ｂ）に示す
ように、リードフレーム201の中央が第２のシャフト91
の真下に来るまで第１のシャフト91を水平に動かしリー
ドフレーム201を引き出した後、第２のシャフト91をリ
ードフレーム201の中央部に吸着させる。さらに、第10
図（ｃ）に示すように、第１のシャフトおよび第２のシ
ャフト91を水平に引き出した後、第３のシャフト91を垂
直に下ろし、リードフレームに吸着させた後、３つのシ
ャフト91を水平に移動することによりリードフレーム20
1をリードフレーム・トレイ101から完全に引き出す。最
後に、第１図（ｄ）に示すように、３つのシャフト91を
平行に移動することによりリードフレーム201をサセプ
ター94上に設置し、３つの電磁石を脱着し、３つのシャ
フトを元の位置に戻す。ここで、リードフレーム201を
サセプター94に設置する際には、光学センサー93により
正確な位置決めが行われる。

サセプター94上にリードフレーム201が設置される
と、回転輪95が回転し、常圧CVD装置96へ送られる。常
圧CVD装置96としては、常圧下において絶縁膜の低温形
成が行える第１の実施例の光CVD装置102あるいは第２の
実施例のオゾン発生器を備えた常圧CVD装置601が適当で
ある。この常圧CVD装置96において絶縁膜形成処理の終
了したリードフレーム201は、サセプター94により、リ
ードフレームをサセプター94から取り出し、リードフレ
ーム・トレイに設置するための自動搬送系へと送られ
る。この自動搬送系により、リードフレーム201は空の
リード・フレーム・トレイに収納される。以上、一連の
動作を繰り返し行うことで、リードフレーム・トレイ10
1に収納されたボンディング工程済のリードフレームは
順次絶縁膜形成処理がなされ、別のリードフレーム・ト
レイに収納される。

なお、上記リードフレームをサセプター94から取り出
しリードフレーム・トレイに設置するための自動搬送系
の構成は、第10図に示した、シャフト91、電磁石92およ
び光学センサー93とから成る自動搬送系と全く同じ構成
であり、その動作が逆の順で働くシステムである。

本第４の実施例の長所は、いかなる寸法のリードフレ
ームであっても、シャフト91の動作を数値制御している
マイクロコンピュータ等に入力するリードフレームの寸
法データをソフトウェア上で変更するだけで、取扱うこ
とが可能となる点である。

以上、実施例を４つあげて本発明について説明を行っ
てきたが、サセプター，薄膜形成手段，リードフレーム
の自動搬送手段等の組合を、上記実施例に限定するもの
ではない。例えば、サセプターおよび自動搬送手段は第
１の実施例において用いた手段を用い、薄膜形成手段は
第２の実施例における常圧CVD装置を利用するという組
合せも可能である。

また、サセプター上に設置されたリード・フレームの
移動手段も上記実施例のみに限定するものではない。例
えば、第３の実施例におけるサセプター801を第４の実
施例におけるサセプター94上に設置し移動することも可
能となる。

さらに、第３の実施例における減圧CVD装置804も、光
CVD装置に限定されわるけではなく、オゾン発生器を備
え有機ケイ素化合物を原料として、減圧下においてSiO₂
膜を成長するCVD装置とすることもできる。また、上記
実施例の薄膜形成手段はすべてアップ・フェース型のCV
D装置であったが、装置全体を上下逆にすれば、ダウン
・フェース型のCVD装置となり、成膜時におけるパーテ
ィクルのリードフレーム表面への付着を減少させること
ができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、薄膜形成手段に、リー
ドフレーム・トレイからリードフレームを取り出しサセ
プター上に設置する第１の自動搬送手段と、サセプター
からリードフレームを取出しリードフレーム・トレイに
設置する第２の自動搬送手段と、上記サセプター上に設
置されたリードフレームを第１の自動搬送手段から薄膜
形成手段に移動し、次に薄膜形成手段から第２の自動搬
送手段へ運搬する移動手段とを具備させることにより、
ボンディング工程済のリード・フレーム表面に絶縁膜形
成処理を、リードフレーム・トレイによるカセット・ト
ウー・カセットで迅速に行い量産性の高い組立工程を実
施できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
およびＡ−Ａ′線断面図、第２図は第１図における自動
搬送系の斜視図、第３図は第１図におけるサセプターの
平面図およびＣ−Ｃ′線断面図、第４図は第３図におけ
るサセプターとリードフレームの位置関係を示す斜視
図、第５図は第１図における光CVD装置のＢ−Ｂ′線断
面図、第６図（ａ），（ｂ）は本発明第２の実施例の平
面図およびＤ−Ｄ′線断面図であり、第７図は第６図に
おけるサセプターの斜視図、第８図は本発明の第３の実
施例の平面図、第９図は第８図におけるサセプターおよ
び自動搬送系の斜視図、第10図は本発明の第４の実施例
の斜視図である。 101,103……リードフレーム・トレイ、102……光CVD装
置、104……サセプター、105……自動搬送系（Ｉ）、10
6……シャフト、107……アーム、108……自動搬送系（I
I）、109……ランプ室、110……反応室、111……合成石
英窓、112……低圧水銀灯、113……不活性ガス供給管、
114……SiH₄供給管、115……O₂供給管、116……多孔の
合成石英窓、117……反応ガス噴出管、118……ヒータ、
119……排気口、120……クリーンベンチ、201,201A,201
B……リードフレーム、202……半導体チップ、203……
穿孔、206……つめ、301……レール部、501……N₂ガス
ボンベ、502……SiH₄ガスボンベ、503……O₂ガスボン
ベ、504……バルブ、505……流量計、601……常圧CVD装
置、602……サセプター、603……連結具、604……回転
輪、605……TEOSバブラー、606……放電型オゾン発生
器、607……反応ガス供給管、608……反応ガス導入口、
609……ヒータ、801……サセプター、802……自動搬送
系、803……ロードロック室、804……減圧CVD装置、91
……シャフト、92……電磁石、93……光学センサー、94
……サセプター、95……回転輪、96……常圧CVD装置。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】リードフレーム・トレイから半導体チップ
がマウントされたリードフレームを取り出しサセプター
上に設置する第１の自動搬送手段と、前記サセプター上
に設置されたリードフレーム表面に絶縁膜を形成するた
めの常圧化学気相成長炉と、前記サセプター上から絶縁
膜の形成されたリードフレームを取り出しリードフレー
ム・トレイに設置する第２の自動搬送手段と、前記サセ
プター上に設置されたリードフレームを第１の自動搬送
手段から前記常圧化学気相成長炉へそして前記常圧化学
気相成長炉から第２の自動搬送手段へ連続して運搬する
移動手段とを含み、前記サセプターは、前記リードフレ
ームの前記半導体チップがマウントされた部分の上下面
が露出するように構成され、かつ前記常圧化学気相成長
炉内に反応ガスを供給する複数のノズルは前記常圧化学
気相成長炉内の前記サセプター近傍に設置されているこ
とを特徴とする半導体装置の製造装置。