JPS63185574A - 半導体ウエハの研磨制御装置 - Google Patents
半導体ウエハの研磨制御装置Info
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- JPS63185574A JPS63185574A JP1701587A JP1701587A JPS63185574A JP S63185574 A JPS63185574 A JP S63185574A JP 1701587 A JP1701587 A JP 1701587A JP 1701587 A JP1701587 A JP 1701587A JP S63185574 A JPS63185574 A JP S63185574A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、集積回路の基盤となる半導体ウェハのスライ
シング後や各種洗浄後に、半導体ウェハなミラーボリシ
ング加工（ＭＰ加工）する際の半導体ウェハの研磨制御
システムに関する。
シング後や各種洗浄後に、半導体ウェハなミラーボリシ
ング加工（ＭＰ加工）する際の半導体ウェハの研磨制御
システムに関する。
（従来の技術）
従来、半導体ウェハは、柱状の単結晶シリコンのインゴ
ットをスライスし、各種洗浄した後、ミラーボリシング
加工により目標厚さに研磨される。この場合、スライス
されたウェハの仕込み厚さを測定し、研磨しろ毎（例え
ば、５μｍ毎）にウェハを区分し、区分毎に設定された
研磨時間てウェハを研磨するようにしていた。
ットをスライスし、各種洗浄した後、ミラーボリシング
加工により目標厚さに研磨される。この場合、スライス
されたウェハの仕込み厚さを測定し、研磨しろ毎（例え
ば、５μｍ毎）にウェハを区分し、区分毎に設定された
研磨時間てウェハを研磨するようにしていた。
（発明か解決しようとする問題点）
ところか、従来においては、予め区分毎に設定される研
磨時間て一律に研磨するようにしていたので、各区分内
てのウェハの厚みの違いや、研磨工程ての砥液、クロス
等の研磨材料の消耗状況によっては、同じ区分のウェハ
てあっても研ｅＩａか変化して一様に研磨されないとい
うおそれかあった。その結果、研磨作業てのロスタイム
を惹起゛し生産性か低下するとともに、仕上り厚さにば
らつきを生し、仕上り精度を向上するには限度を有して
いた。
磨時間て一律に研磨するようにしていたので、各区分内
てのウェハの厚みの違いや、研磨工程ての砥液、クロス
等の研磨材料の消耗状況によっては、同じ区分のウェハ
てあっても研ｅＩａか変化して一様に研磨されないとい
うおそれかあった。その結果、研磨作業てのロスタイム
を惹起゛し生産性か低下するとともに、仕上り厚さにば
らつきを生し、仕上り精度を向上するには限度を有して
いた。
そこて１本発明では各データの累積値を用いて、ウェハ
の研磨しるや研磨材料の消耗状況を考慮した研磨時間を
決定することにより、半導体ウェハの仕上り厚さのばら
つきを低減して精度の向ヒを図るとともに、研磨時間の
ロスタイムの低減を図り生産性を高めることを目的とす
る。
の研磨しるや研磨材料の消耗状況を考慮した研磨時間を
決定することにより、半導体ウェハの仕上り厚さのばら
つきを低減して精度の向ヒを図るとともに、研磨時間の
ロスタイムの低減を図り生産性を高めることを目的とす
る。
（問題点の解決手段及びその作用）
本発明に係る半導体ウェハの研磨制御システムは、半導
体ウェハの目標厚さ等のデータを入力する入力装置と、
搬送装置により搬送される半導体ウェハの仕込み厚さを
測定する仕込み厚さ測定部と、半導体ウェハを目標厚さ
に研磨する研磨装置と、研磨後の半導体ウェハの仕上り
厚さを測定する仕上り厚さ測定部と、前記入力装置のデ
ータと仕込み厚さ測定部からの測定値とにより研磨しろ
を演算して前記研磨装置を駆動制御する制御装置とを備
え、この制御装置により、各サイクルての研磨（よ及び
研磨時間を１ｌｌｆｔ次累積し、これらの累積値に基づ
いて平均研磨速度を演算し、この平均研磨速度と次回の
サイクルての半導体ウェハの研磨しろとに基づいて最適
研磨時間を演算し、この最適研磨時間に基づいて前記研
磨装置により次回のサイクルの半導体ウェハを研磨する
ようにした構成である。
体ウェハの目標厚さ等のデータを入力する入力装置と、
搬送装置により搬送される半導体ウェハの仕込み厚さを
測定する仕込み厚さ測定部と、半導体ウェハを目標厚さ
に研磨する研磨装置と、研磨後の半導体ウェハの仕上り
厚さを測定する仕上り厚さ測定部と、前記入力装置のデ
ータと仕込み厚さ測定部からの測定値とにより研磨しろ
を演算して前記研磨装置を駆動制御する制御装置とを備
え、この制御装置により、各サイクルての研磨（よ及び
研磨時間を１ｌｌｆｔ次累積し、これらの累積値に基づ
いて平均研磨速度を演算し、この平均研磨速度と次回の
サイクルての半導体ウェハの研磨しろとに基づいて最適
研磨時間を演算し、この最適研磨時間に基づいて前記研
磨装置により次回のサイクルの半導体ウェハを研磨する
ようにした構成である。
したがって、次回サイクルの平均研磨速度を前回まての
研磨量及び研磨時間の累積に基いて求めているため、研
磨時間か研磨材の消耗変化度合に対応してサイクルが増
すごとに次第に増大する時間として得られることになり
、仕上りウェハのばらつきか減少して仕上り精度か向上
するとともに、研磨作業ての時間ロスが低減され生産性
か向上する。
研磨量及び研磨時間の累積に基いて求めているため、研
磨時間か研磨材の消耗変化度合に対応してサイクルが増
すごとに次第に増大する時間として得られることになり
、仕上りウェハのばらつきか減少して仕上り精度か向上
するとともに、研磨作業ての時間ロスが低減され生産性
か向上する。
（実施例）
以下に本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第１図は本実施例の研磨システムの概略図てあり、図中
左から右ヘウエハの供給を行うローダ部ｌ、搬送部２、
ウェハの仕込み厚さを測定する仕込み厚さ測定部３、搬
送部４．ウェハな研磨する研磨装置５、搬送部６及び研
磨後の仕上り厚さを測定する仕上り厚さ測定部７か順次
配設され、これらの各々には制御装置８が電気的に接続
されており、また制御装置８には目標厚さ等の仕様デー
タを入力する入力装置９か接続されている。上記制御装
置８は、第２図に示すようにＡ／Ｄ変換器ｌｌ、マイク
ロコンピュータ（ＣＰＵ）１２、ドライブユニット１３
から構成され、各測定部３，７からの検出信号ｄ、ｄ、
がＡ／Ｄ変換器１１を介し、またキーボード（入力装置
）９からの入力信号ｄ。かそれぞれマイクロコンピュー
タ１２に入力される。上記マイクロコンピュータ１２は
Ｉ１０ボート、メモリ、演算部、制御部等からなり、第
２図に示すように、目標厚さｄ。と仕込み厚さｄとから
△ｄ＝ｄ−ｄ０により研磨しろ△ｄを演算する研磨しろ
演算手段１２ａと、過去の実績データから累積記憶され
た研磨ｆｆ１Ｄｎ （実際に研磨された厚さてｄ−ｄ、
により得られる）と同様に累積記憶された研磨時間Ｔｎ
とから平均研磨速度を演算する研磨速度演算手段１２ｂ
と、前記双方の演算手段の出力信号△ｄ、マからｔｎ＝
（ｄ−ｄ ｏ ） ／ ｖにより、今回の研磨時間ｔ
。を演算する研磨時間演算手段１２ｃとを構成している
。
左から右ヘウエハの供給を行うローダ部ｌ、搬送部２、
ウェハの仕込み厚さを測定する仕込み厚さ測定部３、搬
送部４．ウェハな研磨する研磨装置５、搬送部６及び研
磨後の仕上り厚さを測定する仕上り厚さ測定部７か順次
配設され、これらの各々には制御装置８が電気的に接続
されており、また制御装置８には目標厚さ等の仕様デー
タを入力する入力装置９か接続されている。上記制御装
置８は、第２図に示すようにＡ／Ｄ変換器ｌｌ、マイク
ロコンピュータ（ＣＰＵ）１２、ドライブユニット１３
から構成され、各測定部３，７からの検出信号ｄ、ｄ、
がＡ／Ｄ変換器１１を介し、またキーボード（入力装置
）９からの入力信号ｄ。かそれぞれマイクロコンピュー
タ１２に入力される。上記マイクロコンピュータ１２は
Ｉ１０ボート、メモリ、演算部、制御部等からなり、第
２図に示すように、目標厚さｄ。と仕込み厚さｄとから
△ｄ＝ｄ−ｄ０により研磨しろ△ｄを演算する研磨しろ
演算手段１２ａと、過去の実績データから累積記憶され
た研磨ｆｆ１Ｄｎ （実際に研磨された厚さてｄ−ｄ、
により得られる）と同様に累積記憶された研磨時間Ｔｎ
とから平均研磨速度を演算する研磨速度演算手段１２ｂ
と、前記双方の演算手段の出力信号△ｄ、マからｔｎ＝
（ｄ−ｄ ｏ ） ／ ｖにより、今回の研磨時間ｔ
。を演算する研磨時間演算手段１２ｃとを構成している
。
尚、上記平均研磨速度マは、９＝（研磨量の累積値Ｄｎ
）／（研磨時間の累積イめＴｎ）なる演算式により得ら
れる。また、研磨材料の交換時には、上記平均研磨速度
９としては、当該材料別に予め設定された初期値ｖ１に
より演算される。そして、上記マイクロコンピュータ１
２からドライブユニット１３に制御信号ｔ。を出力する
。このドライブユニット１３は、例えばトランジスタ回
路等により構成され、研磨量ご５の駆動部を制御信号ｔ
。に基づく研磨時間て研磨制御し、研磨時間ｔｎか順次
メモリに記憶される。
）／（研磨時間の累積イめＴｎ）なる演算式により得ら
れる。また、研磨材料の交換時には、上記平均研磨速度
９としては、当該材料別に予め設定された初期値ｖ１に
より演算される。そして、上記マイクロコンピュータ１
２からドライブユニット１３に制御信号ｔ。を出力する
。このドライブユニット１３は、例えばトランジスタ回
路等により構成され、研磨量ご５の駆動部を制御信号ｔ
。に基づく研磨時間て研磨制御し、研磨時間ｔｎか順次
メモリに記憶される。
次に本システムの作用を第３図に基づき説明する。
第３図はマイクロコンピュータにおける研磨制御処理の
概略を示すフローチャートである。
概略を示すフローチャートである。
まず、全体のシステムに電源か投入されると。
ステップＰ、てマイクロコンピュータては各レジスタ、
ＲＡＭ内のデータかクリアされ、サイクル回数を示す指
数ｎかｎ＝ｏにセットされる。第１回目の研磨サイクル
では、ステップＰ２てｎ＝１にし、ステップＰ、てウェ
ハの目標厚さｄ。、仕込み厚さｄか読み込まれ、ステッ
プＰ、で△ｄ＝ｄ−ｄｏなる処理により研磨しろ△ｄを
求める。
ＲＡＭ内のデータかクリアされ、サイクル回数を示す指
数ｎかｎ＝ｏにセットされる。第１回目の研磨サイクル
では、ステップＰ２てｎ＝１にし、ステップＰ、てウェ
ハの目標厚さｄ。、仕込み厚さｄか読み込まれ、ステッ
プＰ、で△ｄ＝ｄ−ｄｏなる処理により研磨しろ△ｄを
求める。
ステップＰ５ては、ｎ＝１であるかが判別され、ｎ＝１
のとき、すなわち第１回目の場合にはステップＰ６へ進
み、予め設定された研磨速度の初期値ｖ１と研磨しろ△
ｄとからｔｎ＝△ｄ ／ ｖ 、なる処理をし、研磨時
間ｔ。を求める。尚、研磨材を交換した場合にも、指数
ｎ＝ｏにリセットして上記同様の研磨速度初期値ｖ１を
用いてｔｎか求められる。そして、ステップＰ、で研磨
時間ｔ。
のとき、すなわち第１回目の場合にはステップＰ６へ進
み、予め設定された研磨速度の初期値ｖ１と研磨しろ△
ｄとからｔｎ＝△ｄ ／ ｖ 、なる処理をし、研磨時
間ｔ。を求める。尚、研磨材を交換した場合にも、指数
ｎ＝ｏにリセットして上記同様の研磨速度初期値ｖ１を
用いてｔｎか求められる。そして、ステップＰ、で研磨
時間ｔ。
に基づいて研磨装置５を駆動し、このサイクルのウェハ
の研磨作業を終了する。その後、ステップＰ、で研磨後
のウェハの仕上り厚さｄ□を読込み、ステップＰ９てｄ
ｎ＝ｄ−ｄ、なる処理を行ない、このサイクルで実際に
研磨された研磨量ｄｎを求め、ステップＰ１ｏにおいて
研磨ｎｄ。及び研磨時間ｔ。をそれぞれ累積値Ｄｎ、Ｔ
、として記憶してステップＰ２に戻る。
の研磨作業を終了する。その後、ステップＰ、で研磨後
のウェハの仕上り厚さｄ□を読込み、ステップＰ９てｄ
ｎ＝ｄ−ｄ、なる処理を行ない、このサイクルで実際に
研磨された研磨量ｄｎを求め、ステップＰ１ｏにおいて
研磨ｎｄ。及び研磨時間ｔ。をそれぞれ累積値Ｄｎ、Ｔ
、として記憶してステップＰ２に戻る。
さらに、次回の研磨サイクルに移行すると、ステップＰ
２てｎ＝２にして、上記同様、ステップＰ３てｄ。、ｄ
を読込み、ステップＰ、て今回サイクルの△ｄを求める
。ステップＰ５において、２回目以後のサイクルてはス
テップｐＨに進む。
２てｎ＝２にして、上記同様、ステップＰ３てｄ。、ｄ
を読込み、ステップＰ、て今回サイクルの△ｄを求める
。ステップＰ５において、２回目以後のサイクルてはス
テップｐＨに進む。
ステップｐＨにおいては、前回サイクルまてに累積的に
記憶された研磨量の累積値Ｄｎと研磨時間の累ｈｉ （
＃ Ｔ。とによりｖ＝Ｄｎ／Ｔｎなる演算を行ない、平
均研磨速度Ｑを求める。ステップＰＩ２においては、平
均研磨速度Ｑと今回の研磨しろ△ｄにより、ｔｏ＝△ｄ
／ ９なる演算を行ない、今回の研磨時間ｔｎを求め
、ステップＰ、て今回求められた研磨時間ｔｎて研磨作
業か行なわれる。そして、ステップＰ８で今回の仕上り
厚さｄヨを読込み、ステップＰ９て研磨量ｄ。を求め、
ステップＰＩＱて各データを累積的に記憶して次回のサ
イクルに移行する。したかって、研磨サイクルか増すに
伴って、研磨材の消耗か増大するか、第４図に示すよう
に、研磨サイクルが増加するに伴って、研磨時間ｔｎを
研磨材の消耗に対応するように、次第に増大した時間と
して得ることかてきる。
記憶された研磨量の累積値Ｄｎと研磨時間の累ｈｉ （
＃ Ｔ。とによりｖ＝Ｄｎ／Ｔｎなる演算を行ない、平
均研磨速度Ｑを求める。ステップＰＩ２においては、平
均研磨速度Ｑと今回の研磨しろ△ｄにより、ｔｏ＝△ｄ
／ ９なる演算を行ない、今回の研磨時間ｔｎを求め
、ステップＰ、て今回求められた研磨時間ｔｎて研磨作
業か行なわれる。そして、ステップＰ８で今回の仕上り
厚さｄヨを読込み、ステップＰ９て研磨量ｄ。を求め、
ステップＰＩＱて各データを累積的に記憶して次回のサ
イクルに移行する。したかって、研磨サイクルか増すに
伴って、研磨材の消耗か増大するか、第４図に示すよう
に、研磨サイクルが増加するに伴って、研磨時間ｔｎを
研磨材の消耗に対応するように、次第に増大した時間と
して得ることかてきる。
このように本実施例ては、二回目以降の研磨作業からは
、平均研磨速度を過去の各サイクルでの研磨ｌｄｎと研
磨時間ｔ。どのそれぞれの累積（１ｆｉＤ、、Ｔｎに基
づいて求めていることにより、研磨サイクルの増加に伴
う研磨材の消耗の変化度合に対応した正確な研磨時間ｔ
ｎを得ることか可使となり、仕上りウェハの厚みのばら
つきを低減でき、研磨精度を向上することができる。ま
た、研磨時間ｔ。か各サイクルでのウェハの研磨しるに
対して得られるので、研磨ロスや研磨稼動ロスか減少し
、生産性の向上を図ることか可能となる。
、平均研磨速度を過去の各サイクルでの研磨ｌｄｎと研
磨時間ｔ。どのそれぞれの累積（１ｆｉＤ、、Ｔｎに基
づいて求めていることにより、研磨サイクルの増加に伴
う研磨材の消耗の変化度合に対応した正確な研磨時間ｔ
ｎを得ることか可使となり、仕上りウェハの厚みのばら
つきを低減でき、研磨精度を向上することができる。ま
た、研磨時間ｔ。か各サイクルでのウェハの研磨しるに
対して得られるので、研磨ロスや研磨稼動ロスか減少し
、生産性の向上を図ることか可能となる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、半導体ウェハの研
磨時間を過去のサイクルの研磨量及び研磨時間のそれぞ
れの累積値に基づいて求めたことにより、ウェハの研磨
しろ及び研磨材の消耗変化度合に対応した研磨時間とし
て得ることかてき。
磨時間を過去のサイクルの研磨量及び研磨時間のそれぞ
れの累積値に基づいて求めたことにより、ウェハの研磨
しろ及び研磨材の消耗変化度合に対応した研磨時間とし
て得ることかてき。
その結果、仕上りウェハの研磨精度の向上及び生産性の
向上を図ることかてきる。
向上を図ることかてきる。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例を示し、第１図
は研磨制御システムの概略図、第２図は制御装置のブロ
ック構成図、第３図は研磨制御処理の概略を示すフロー
チャート、第４図は研磨サイクルと研七時聞との関係を
示す図。 ２・・・搬送装置 ３・・・仕込み厚さ測定部５
・・・研磨量２１ ７・・・仕上り厚さ測定部８・
・・制御装置 ９・・・入力装置ｄｏ・・・目標
厚さ ｄ・・・仕上り厚さ△ｄ・・・研磨しろ
マ・・・平均研磨速度ｄｎ、Ｄ、・・・研磨量及びそ
の累積値ｔｎ 、Ｔｏ・・・研磨時間及びその累積値特
許出願人 九州電子金属株式会社 （５４１ｊ！３）
は研磨制御システムの概略図、第２図は制御装置のブロ
ック構成図、第３図は研磨制御処理の概略を示すフロー
チャート、第４図は研磨サイクルと研七時聞との関係を
示す図。 ２・・・搬送装置 ３・・・仕込み厚さ測定部５
・・・研磨量２１ ７・・・仕上り厚さ測定部８・
・・制御装置 ９・・・入力装置ｄｏ・・・目標
厚さ ｄ・・・仕上り厚さ△ｄ・・・研磨しろ
マ・・・平均研磨速度ｄｎ、Ｄ、・・・研磨量及びそ
の累積値ｔｎ 、Ｔｏ・・・研磨時間及びその累積値特
許出願人 九州電子金属株式会社 （５４１ｊ！３）
Claims (1)
- 半導体ウェハの目標厚さ等のデータを入力する入力装置
と、搬送装置により搬送される半導体ウェハの仕込み厚
さを測定する仕込み厚さ測定部と、半導体ウェハを目標
厚さに研磨する研磨装置と、研磨後の半導体ウェハの仕
上り厚さを測定する仕上り厚さ測定部と、前記入力装置
のデータと仕込み厚さ測定部からの測定値とにより研磨
しろを演算して前記研磨装置を駆動制御する制御装置と
を備え、この制御装置により、各サイクルでの研磨量及
び研磨時間を順次累積し、これらの累積値に基づいて平
均研磨速度を演算し、この平均研磨速度と次回のサイク
ルでの半導体ウェハの研磨しろとに基づいて最適研磨時
間を演算し、この最適研磨時間に基づいて前記研磨装置
により次回のサイクルの半導体ウェハを研磨するように
した半導体ウェハの研磨制御システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1701587A JPH07100297B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 半導体ウエハの研磨制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1701587A JPH07100297B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 半導体ウエハの研磨制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185574A true JPS63185574A (ja) | 1988-08-01 |
| JPH07100297B2 JPH07100297B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=11932171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1701587A Expired - Fee Related JPH07100297B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 半導体ウエハの研磨制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100297B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695601A (en) * | 1995-12-27 | 1997-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method |
| WO2005004218A1 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| JP2006066891A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-03-09 | Toshiba Corp | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2007123687A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウェーハ裏面の研削方法及び半導体ウェーハ研削装置 |
| CN102049706A (zh) * | 2010-10-22 | 2011-05-11 | 厦门大学 | 一种微小球体的精密超冷研抛装置 |
| WO2013031090A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置 |
| JP2020168701A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004004556B4 (de) * | 2004-01-29 | 2008-12-24 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
-
1987
- 1987-01-27 JP JP1701587A patent/JPH07100297B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5695601A (en) * | 1995-12-27 | 1997-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method |
| WO2005004218A1 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US8025759B2 (en) | 2003-07-02 | 2011-09-27 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US8398811B2 (en) | 2003-07-02 | 2013-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
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| WO2013031090A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置 |
| JP2020168701A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07100297B2 (ja) | 1995-11-01 |
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Legal Events
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